專利名稱：陣列基板和液晶面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板和液晶面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。陣列基板是液晶顯示器的重要部件。如圖IA為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的局部俯視 結(jié)構(gòu)示意圖，圖IB為圖IA中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。如圖IA和IB所示，該陣列 基板包括襯底基板1 ；襯底基板1上形成有橫縱交叉的數(shù)據(jù)線5和柵線2 ；兩條數(shù)據(jù)線5和 兩條柵線2圍設(shè)形成矩陣形式排列的像素單元；每個(gè)像素單元包括一個(gè)TFT開(kāi)關(guān)和一個(gè)像 素電極11 ；TFT開(kāi)關(guān)包括柵電極3、源電極7、漏電極8和有源層6 ；柵電極3連接?xùn)啪€2，源 電極7連接數(shù)據(jù)線5，漏電極8連接像素電極11，有源層6形成在源電極7和漏電極8與柵 電極3之間。當(dāng)某一行的柵電極3加上開(kāi)啟電壓V。n時(shí)，TFT開(kāi)關(guān)打開(kāi)，漏電極8與源電極7 導(dǎo)通，給定的信號(hào)從數(shù)據(jù)線5上加到像素電極11上。在公共電極電壓不變的情況下，像素 電極11上一定的電壓，決定了對(duì)應(yīng)像素單元上一定的灰度。液晶顯示器就是通過(guò)不同像素 單元的不同灰度來(lái)從整體上展現(xiàn)一幅畫面的。但是在構(gòu)圖工藝過(guò)程中，很容易出現(xiàn)柵電極3和漏電極8對(duì)位偏移的問(wèn)題，使得各 柵電極3和漏電極8之間存在的交疊有所不同，進(jìn)而使得柵電極3和漏電極8之間的耦合 電容Cgd不均勻。當(dāng)柵電極3上加上關(guān)閉電壓V。ff時(shí)，TFT開(kāi)關(guān)關(guān)閉，柵電極3和漏電極8 之間的耦合電容Cgd會(huì)引起像素單元上電壓的跳變，這樣的電壓跳變會(huì)對(duì)像素單元的灰度 產(chǎn)生影響，使得相鄰或相近像素單元之間的灰度不一致，某些區(qū)域亮度過(guò)高發(fā)白，某些區(qū)域 亮度不足發(fā)黑，顯示畫面會(huì)有閃爍。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種陣列基板和液晶面板，以實(shí)現(xiàn)在構(gòu)圖工藝過(guò)程中如果出現(xiàn)柵 電極和漏電極對(duì)位偏移的情況下，有效減少畫面出現(xiàn)閃爍的問(wèn)題。本實(shí)用新型提供一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成有橫縱交叉 的數(shù)據(jù)線和柵線；其中，每三條數(shù)據(jù)線和每?jī)蓷l柵線圍設(shè)形成矩陣形式排列的像素單元；每個(gè)所述像素單元包括共用一條數(shù)據(jù)線的第一像素子單元和第二像素子單元； 所述第一像素子單元和所述第二像素子單元分別包括兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)和一個(gè)像素電極；所述 第一像素子單元的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)，其柵電極均連接在所述兩條柵線中的一條上，其源電極 分別連接在所述三條數(shù)據(jù)線中的兩條上，其中一條是共用的數(shù)據(jù)線，其漏電極均連接在所 述像素電極上；所述第二像素子單元的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)，其柵電極均連接在所述兩條柵線中 的另一條上，其源電極分別連接在所述三條數(shù)據(jù)線中的兩條上，其中一條是共用的數(shù)據(jù)線， 其漏電極均連接在所述像素電極上。[0009]如上所述的陣列基板，其中，所述第一像素子單元的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)共用同一漏電 極；和/或，所述第二像素子單元的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)共用同一漏電極。如上所述的陣列基板，其中，所述三條數(shù)據(jù)線靠近驅(qū)動(dòng)電路的一端彼此相連，并連 接到輸出信號(hào)線上。如上所述的陣列基板，其中，所述三條數(shù)據(jù)線的另一端彼此相連，以使所述三條數(shù) 據(jù)線連成一個(gè)回路。如上所述的陣列基板，其中，所述第一像素子單元的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)的柵電極和漏 電極的耦合電容之和，與所述第二像素子單元的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)的柵電極和漏電極的耦合電 容之和相等。本實(shí)用新型還提供了一種液晶面板，包括對(duì)盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，所述 陣列基板和彩膜基板之間填充有液晶層，其中所述陣列基板采用如上所述的陣列基板。本實(shí)用新型提供的陣列基板和液晶面板，通過(guò)設(shè)計(jì)每個(gè)像素單元中包括兩個(gè)像素 子單元，兩個(gè)像素子單元有一條共用的數(shù)據(jù)線，每個(gè)像素子單元中使用兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)，且兩 個(gè)像素子單元各自的TFT開(kāi)關(guān)的柵電極分別連接在不同的柵線上，這種非常規(guī)的雙柵像素 結(jié)構(gòu)可以保持像素單元的寄生電容始終一致，有效防止畫面閃爍現(xiàn)象的發(fā)生，提高了液晶 面板的質(zhì)量和使用壽命。

圖IA為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖IB為圖IA中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)圖；圖3為圖2所示的陣列基板中一個(gè)像素單元的局部放大俯視結(jié)構(gòu)圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)圖。附圖標(biāo)記1-襯底基板；2-柵線；3-柵電極；4-柵絕緣層；5-數(shù)據(jù)線；6-有源層；61-半導(dǎo)體層；62-重?fù)诫s半導(dǎo)體層；7-源電極；8-漏電極； 9-鈍化層；10-鈍化層過(guò)孔；11-像素電極；12-公共電極線； 30-像素區(qū)域；40-接口 區(qū)域。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新 型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描 述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施 例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于 本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。實(shí)施例一圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)圖，如圖2所示，該陣列基板包括襯底基板，該襯底基板上形成有橫縱交叉的數(shù)據(jù)線S和柵線G。其中，每三條數(shù) 據(jù)線S"、Si和Si+1，與每?jī)蓷l柵線Gp Gi+1圍設(shè)形成矩陣形式排列的像素單元；每個(gè)像素單 元包括共用一條數(shù)據(jù)線Si的第一像素子單元和第二像素子單元。圖3為圖2所示的陣列 基板中一個(gè)像素單元的局部放大俯視結(jié)構(gòu)圖，如圖3所示，第一像素子單元Pl和第二像素 子單元P2分別包括兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)和一個(gè)像素電極。其中，第一像素子單元Pl的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)，其柵電極均連接在兩條柵線Gi、Gi+1中 的一條上，其源電極分別連接在三條數(shù)據(jù)線中的兩條上，其中一條是共用的數(shù)據(jù)線Si,另一 條可以為Sg，其漏電極均連接在像素電極上；第二像素子單元P2的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)，其柵電 極均連接在兩條柵線&、Gi+1中的另一條上，其源電極分別連接在三條數(shù)據(jù)線中的兩條上， 其中一條是共用的數(shù)據(jù)線Si,另一條可以為Si+1，其漏電極均連接在像素電極上。本實(shí)施例的技術(shù)方案在每個(gè)像素單元中包括兩個(gè)像素子單元，兩個(gè)像素子單元有 一條共用的數(shù)據(jù)線，每個(gè)像素子單元中使用兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)，且兩個(gè)像素子單元各自的TFT開(kāi) 關(guān)的柵電極分別連接在不同的柵線上，這種非常規(guī)的雙柵像素結(jié)構(gòu)可以保持像素單元的寄 生電容始終一致，有效防止畫面閃爍現(xiàn)象的發(fā)生。如圖3所示的結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)主要是為了使所有像素的跳變電壓保持一致，跳變電 壓是影響直流分量的主要因素之一，跳變電壓的穩(wěn)定可以保持直流分量的穩(wěn)定性，伽馬 (gamma)校正的時(shí)候就更容易全局控制，從而避免了閃爍等不良現(xiàn)象的發(fā)生。由此，即便在 TFT開(kāi)關(guān)的柵電極和漏電極的對(duì)位過(guò)程中出現(xiàn)了偏移，例如，漏電極相對(duì)于柵電極在水平方 向上出現(xiàn)了偏移，則Cgdl會(huì)因漏電極與柵電極之間的重疊面積發(fā)生變化而增大(或減小)， 而Cgd2也會(huì)因漏電極與柵電極之間的重疊面積發(fā)生變化而減小(或增大)。并且，本領(lǐng)域 技術(shù)人員可知，水平方向的偏移所導(dǎo)致的漏電極與柵電極之間重疊的總面積是不變的，即 Cgdl增大的值與Cgd2減小的值是彼此相等的，那么Cgdl+Cgd2的值就是不變的。同理可以 說(shuō)明，Cgd3+Cgd4的值也是不變的。因此，只需滿足兩個(gè)像素子單元上的耦合電容也能保持 一致，即兩個(gè)像素子單元之間的耦合電容滿足Cgdl+Cgd2 = Cgd3+Cgd4，便可有效減少耦合 電容不同帶來(lái)的畫面閃爍問(wèn)題，使得兩個(gè)像素子單元之間的灰度可以保證均勻一致，從而 有效的改善畫面品質(zhì)，提高產(chǎn)品的成品率。在本實(shí)施例中，第一像素子單元Pl的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)可以共用同一漏電極，第二像 素子單元P2的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)可以共用同一漏電極。這種結(jié)構(gòu)可以在增大溝道寬長(zhǎng)比的同 時(shí)有效降低TFT開(kāi)關(guān)占用的面積，相應(yīng)增大像素的開(kāi)口率。圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)圖，如圖4所示，組成一 個(gè)像素單元的三條數(shù)據(jù)線s^、Si和Si+1，其靠近驅(qū)動(dòng)電路antegrated Circuit，簡(jiǎn)稱為 IC)的一端彼此相連，并連接到輸出信號(hào)線上，這種結(jié)構(gòu)可以保證一個(gè)像素單元的三條數(shù)據(jù) 線信號(hào)的一致性。相比較于現(xiàn)有技術(shù)中一個(gè)像素單元包括兩條數(shù)據(jù)線，本實(shí)用新型實(shí)施例 采取了雙邊驅(qū)動(dòng)TFT以保證驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。進(jìn)一步的，組成一個(gè)像素單元的三條數(shù)據(jù)線Sg、Si 和Sw的另一端也可以彼此相連，以使三條數(shù)據(jù)線S"、Si和Sw連成一個(gè)回路。這種結(jié)構(gòu) 可以使相鄰兩個(gè)子像素單元之間由于回路的結(jié)構(gòu)，在出現(xiàn)斷線的情況下也不會(huì)發(fā)生信號(hào)的 丟失，使得因數(shù)據(jù)線斷線造成的白線或白點(diǎn)問(wèn)題得到很大改善。同時(shí)，因?yàn)橐粋€(gè)像素單元被 兩條柵線同時(shí)控制，所以在一個(gè)像素單元中，兩條柵線在一幀時(shí)間中依次打開(kāi)，一條柵線打 開(kāi)的時(shí)間可以為半幀。[0035]實(shí)施例二本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種液晶面板，該液晶面板包括由對(duì)盒設(shè)置的陣列基 板和彩膜基板，該陣列基板與彩膜基板之間填充有液晶層，其中，陣列基板可以采用上述實(shí) 施例一中提供的陣列基板。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制； 盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解: 其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等 同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù) 方案的精神和范圍。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成有橫縱交叉的數(shù)據(jù)線和柵線； 其特征在于每三條數(shù)據(jù)線和每?jī)蓷l柵線圍設(shè)形成矩陣形式排列的像素單元；每個(gè)所述像素單元包括共用一條數(shù)據(jù)線的第一像素子單元和第二像素子單元；所述 第一像素子單元和所述第二像素子單元分別包括兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)和一個(gè)像素電極；所述第一 像素子單元的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)，其柵電極均連接在所述兩條柵線中的一條上，其源電極分別 連接在所述三條數(shù)據(jù)線中的兩條上，其中一條是共用的數(shù)據(jù)線，其漏電極均連接在所述像 素電極上；所述第二像素子單元的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)，其柵電極均連接在所述兩條柵線中的另 一條上，其源電極分別連接在所述三條數(shù)據(jù)線中的兩條上，其中一條是共用的數(shù)據(jù)線，其漏 電極均連接在所述像素電極上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述第一像素子單元的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)共用同一漏電極；和/或，所述第二像素子單元的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)共用同一漏電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述三條數(shù)據(jù)線靠近驅(qū)動(dòng)電路的一端彼此相連，并連接到輸出信號(hào)線上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于所述三條數(shù)據(jù)線的另一端彼此相連，以使所述三條數(shù)據(jù)線連成一個(gè)回路。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一像素子單元的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān) 的柵電極和漏電極的耦合電容之和，與所述第二像素子單元的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)的柵電極和漏 電極的耦合電容之和相等。
6.一種液晶面板，包括對(duì)盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和彩膜基板之 間填充有液晶層，其特征在于所述陣列基板采用權(quán)利要求1 5任一項(xiàng)所述的陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種陣列基板和液晶面板。陣列基板每三條數(shù)據(jù)線和每?jī)蓷l柵線圍設(shè)形成矩陣形式排列的像素單元；每個(gè)像素單元包括共用一條數(shù)據(jù)線的第一像素子單元和第二像素子單元；第一像素子單元和第二像素子單元分別包括兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)和一個(gè)像素電極；第一像素子單元的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)，其柵電極均連接在兩條柵線中的一條上，源電極分別連接在三條數(shù)據(jù)線中的兩條上，其中一條是共用的數(shù)據(jù)線，漏電極均連接在像素電極上；第二像素子單元的兩個(gè)TFT開(kāi)關(guān)，其柵電極均連接在兩條柵線中的另一條上，源電極分別連接在三條數(shù)據(jù)線中的兩條上，其中一條是共用的數(shù)據(jù)線，漏電極均連接在像素電極上。本實(shí)用新型提供的方案有效防止畫面閃爍現(xiàn)象的發(fā)生。
文檔編號(hào)H01L27/02GK201845777SQ201020574679
公開(kāi)日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2010年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月15日
發(fā)明者李峻 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司