專利名稱：矩陣式dip引線框架及該框架的ic封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及半導(dǎo)體封裝的DIP引線框架、基于該引線框架的IC芯片封裝 件。
背景技術(shù)：
長期以來，DIP系列產(chǎn)品封裝制造一直受制于早期80年代開發(fā)出來的引線框架模 式，當(dāng)時因受引線框架壓延銅箔制造技術(shù)、沖壓模具及沖壓技術(shù)的影響，封裝方面受塑封模 具、電鍍選鍍技術(shù)、切筋成形模具技術(shù)、上芯/壓焊設(shè)備的識別精度和工作窗口范圍等條件 的制約，引線框架一般設(shè)計在IOmm 30mm以內(nèi)的寬度，呈雙排或單排設(shè)計，每條10 20 個單元不等。這種框架采用傳統(tǒng)塑封模具，掛鍍線電鍍，手動切筋成型。這樣的生產(chǎn)方式不 僅生產(chǎn)效率低，而且使用傳統(tǒng)塑封模具、掛鍍線電鍍、手動切筋成形模具配置加工產(chǎn)品時安 全風(fēng)險大，并且產(chǎn)品外形尺寸一致性差，封裝成品率低，產(chǎn)品的質(zhì)量靠多配檢驗員來把關(guān)， 導(dǎo)致生產(chǎn)成本高、效率低。經(jīng)過20多年的發(fā)展，上述材料制造技術(shù)和生產(chǎn)設(shè)備配套技術(shù)、封裝生產(chǎn)的生產(chǎn)制 造技術(shù)和封裝應(yīng)用技術(shù)及其標(biāo)準(zhǔn)化程度都發(fā)生了巨大的變化。單條框架可以做到70mm 80mm寬，若設(shè)計成多排，可數(shù)倍于現(xiàn)有框架(單/雙排)數(shù)量，對引線框架制造廠來說可提高 材料的利用率。由于目前單/雙排DIP系列產(chǎn)品屬人員密集型封裝產(chǎn)品，存在生產(chǎn)效率低、材料利 用率低、加工過程錯誤率高、使用設(shè)備多、導(dǎo)致占地面積大、能源消耗大、DIP手動加工模具 安全風(fēng)險大等問題。目前集成電路引線框架上的單元框架呈單行分布，各單元框架兩側(cè)的外引腳與基 島分別連在兩側(cè)框架邊框上。由于集成電路技術(shù)的進步，電子產(chǎn)品層次與功能提升趨向多 功能化、高速化、大容量化、高密度化、輕量化。因此許多新穎的載體結(jié)構(gòu)技術(shù)與材料被開發(fā) 出來，由于集成電路體積減小的同時需要增加集成電路模塊的數(shù)量，就需要進一步減小集 成電路封裝模塊的體積，即縮小集成電路封裝的體積。因此，引線框架體積勢必也要求縮
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的之一在于提供一種矩陣式DIP引線框架；目的之二在于提供基于所述矩陣式DIP引線框架的IC封裝件；從而達到降低框架材料的消耗和提高塑封料利用率，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量， 減少錯誤率、降低安全風(fēng)險，是一種降低成本、節(jié)能減排的有效途徑。本實用新型是這樣實現(xiàn)的一種矩陣式DIP引線框架，由框架及設(shè)在框架內(nèi)的 若干個單元框架組成，所述單元框架在所述框架上呈矩陣式分布且行數(shù)為奇數(shù)行，其中第 2n-l行與第2η行的相鄰單元框架的基島通過連接條與所述框架邊框相連，第2η_1行與第 2η行的相鄰單元框架的外弓I線腳交錯排列，并通過柵條與所述框架邊框連接。[0010]所述單元框架投入和產(chǎn)出效益對比分析為5行是最優(yōu)。一種雙芯片IC封裝件，包括所述單元框架上的載體及該載體堆疊放置的第一、第 二芯片，具體為該載體上先置第一 IC芯片，該第一 IC芯片上的焊盤通過鍵合線與內(nèi)引腳 相連，之后，第一 IC芯片上再置第二 IC芯片，第一、第二 IC芯片通過銅或金焊線鍵合相連， 采用銅或金線通過球焊把第二 IC芯片和單元框架的引線腳相連，最后，塑封體覆蓋了第 一、第二 IC芯片鍵合金或銅線及單元框架的引線腳而構(gòu)成了電路整體。本實用新型由于相鄰單元框架的相鄰引腳采用內(nèi)交錯型設(shè)計，框架尺寸控制在 255mmX80mm以內(nèi)，以DIP8L-5P為例，可使相鄰單元在X方向的步距只為13. 716mm，而現(xiàn)有 的單排或雙排引線框架的相鄰框架的引腳是平行相連設(shè)計，以DIP8L-2P為例，其相鄰單元 在X方向的步距為18. 288mm,DIP8L-5P步距比DIP8L-2P減少了 4. 572mm，提高了框架材料 的利用率。與現(xiàn)有雙排框架相比，引線框架材料利用率提高了 26.93% (見表1);表1 DIP8L-5P與DIP8L-2P框架消耗對比
權(quán)利要求1.一種矩陣式DIP引線框架，由框架及設(shè)在框架內(nèi)的若干個單元框架組成，其特征在 于所述單元框架在所述框架上呈矩陣式分布且行數(shù)為奇數(shù)行，其中第2n-l行與第2η行的 相鄰單元框架的基島通過連接條(18)與所述框架邊框相連，第2η-1行與第2η行的相鄰單 元框架的外引線腳交錯排列，并通過柵條(19 )與所述框架邊框連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩陣式DIP引線框架，其特征在于所述單元框架是單載體 結(jié)構(gòu)且行數(shù)為奇數(shù)行，其中第2n-l行與第2η行的相鄰單元框架的基島通過連接條(18)與 所述框架邊框相連，第2η-1行與第2η行的相鄰單元框架的外引線腳交錯排列，并通過柵條 (19)與所述框架邊框連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩陣式DIP引線框架，其特征在于所述單元框架是雙載體 結(jié)構(gòu)且行數(shù)為奇數(shù)行，即每個單元框架有兩個載體；其中單元框架A的引腳A7、A8與載體 Z2相連、引腳A3與載體Zl相連，相鄰單元框架B的引腳B7和B8與載體Z4相連、引腳B3 與載體Z3相連接；其中第2n-l行與第2η行的相鄰單元框架的基島通過連接條(18)與所述 框架邊框相連，第2η-1行與第2η行的相鄰單元框架的外引線腳交錯排列，并通過柵條(19) 與所述框架邊框連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的矩陣式DIP引線框架，其特征在于所述單元框架 為5行。
5.一種根據(jù)權(quán)利要求2的雙芯片IC封裝件，其特征在于包括所述單元框架上的載體(I)，該單元框架的載體(1)上并行放置第一、第二IC芯片(11、12)，該第一 IC芯片(11)和 第二 IC芯片(12)上的焊盤上先各預(yù)植一個金或銅球(10)，然后用金或銅線在第一 IC芯片(II)的金或銅球(10)上堆疊金線或銅線鍵合球，拱絲拉弧在第二IC芯片(12)上的焊盤的 金或銅球上堆疊金線或銅線鍵合球，形成鍵合球(20)，該鍵合球(20)使第一、第二 IC芯片 (11、12)相連；所述第一、第二 IC芯片(11、12)的外焊盤通過銅或金焊線(5)鍵合與單元框 架的內(nèi)引腳(4)相連；最后，塑封體(6)完全覆蓋了第一、第二 IC芯片(11、12)、鍵合金或銅 線(5、9)、金或銅球(10)、鍵合球(20)及單元框架引線腳(4)而構(gòu)成了電路整體。
6.一種根據(jù)權(quán)利要求2的雙芯片IC封裝件，其特征在于包括所述單元框架上的載體 (1)、及該載體(1)中堆疊放置的第一、第二芯片(13、14)具體為該載體(1)上先置第一 IC 芯片(13)，該第一 IC芯片(13)上的焊盤通過鍵合線(5)與內(nèi)引腳(4)相連，之后，第一 IC 芯片(13)上再置第二 IC芯片(14)，第一、第二 IC芯片(13、14)通過銅或金焊線(15)鍵合 相連，采用銅或金線(16)通過球焊把第二 IC芯片(14)和單元框架的引線腳(4)相連，最 后，塑封體(6)覆蓋了第一、第二 IC芯片(13、14)、鍵合金或銅線(5、15、16)及單元框架的 引線腳(4)而構(gòu)成了電路整體。
7.一種根據(jù)權(quán)利要求3的雙芯片IC封裝件，其特征在于包括所述單元框架上的載體 (7、8)，該載體(7、8)上分置第一、第二 IC芯片(11、12)，第一 IC芯片(11)或第二 IC芯片 (12)上的焊盤上先各預(yù)植一個金或銅球(10)，然后用金或銅線在第一 IC芯片(11)的金或 銅球(10)上堆疊金線或銅線鍵合球，拱絲拉弧在第二 IC芯片(12)上的焊盤的金或銅球上 堆疊金線或銅線鍵合球，形成鍵合球(20 )，該鍵合球(20 )使第一 IC芯片(11)和第二 IC芯 片(12)相連；所述第一、第二 IC芯片(11、12)外焊盤通過金或銅焊線(5)鍵合與所述單元 框架的內(nèi)引腳(4)相連，最后，塑封體(6)完全覆蓋了第一、第二 IC芯片(11、12)、鍵合金或 銅線(5、9)、金或銅球(10)、鍵合球(20)及單元框架的引線腳(4)而構(gòu)成了電路整體。
專利摘要一種矩陣式DIP引線框架，及基于該框架的IC封裝件，其矩陣式DIP引線框架由框架及設(shè)在框架內(nèi)的若干個單元框架組成，所述單元框架在所述框架上呈矩陣式分布且行數(shù)為奇數(shù)行，其中第2n-1行與第2n行的相鄰單元框架的基島通過連接條與所述框架邊框相連，第2n-1行與第2n行的相鄰單元框架的外引線腳交錯排列，并通過柵條與所述框架邊框連接。本實用新型提高了框架材料的利用率，且結(jié)構(gòu)簡單合理，具有成本低、節(jié)能減排等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于LED燈管、電腦接口類型、供應(yīng)電源模塊、網(wǎng)絡(luò)變壓器、DIP開關(guān)、壓力傳感器、方便實現(xiàn)PCB板的穿孔焊接，及標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC、存儲器LSI等領(lǐng)域。
文檔編號H01L23/31GK201853700SQ20102062748
公開日2011年6月1日 申請日期2010年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月26日
發(fā)明者周永壽, 慕蔚, 郭麗花, 陳國嵐 申請人:天水華天科技股份有限公司