專利名稱：半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適用了 WLCSP(Wafer Level Chip Size Package 晶圓級(jí)芯片尺寸封裝)的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前，作為對(duì)于半導(dǎo)體裝置的小型化有效的封裝技術(shù)公知有mxsp。在適用了 mxsp的半導(dǎo)體裝置中，在多個(gè)半導(dǎo)體芯片集合的晶片狀態(tài)下完成封裝，并通過切割 (dicing)切出的各半導(dǎo)體芯片的尺寸成為封裝尺寸。例如，專利文獻(xiàn)1的圖7公開有一種芯片尺寸封裝體，其具備芯片尺寸的LSI (半導(dǎo)體芯片)、形成在LSI上的鈍化膜、形成在鈍化膜上的環(huán)氧樹脂、形成為在環(huán)氧樹脂的厚度方向上貫通環(huán)氧樹脂內(nèi)的凸起、配置在凸起的前端的焊料球。在LSI的周緣部，在其表面上設(shè)置有凸起和同等數(shù)量的電極。此外，在鈍化膜上形成有用于使焊料球的位置與電極的位置相比沿LSI的表面向內(nèi)方移動(dòng)的配線金屬。該配線金屬在比電極靠?jī)?nèi)方的位置與凸起連接。先行技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1日本特開平9-64049號(hào)公報(bào)考慮到芯片尺寸封裝體向安裝基板安裝時(shí)的焊料球的變形，必須在相鄰的焊料球間設(shè)置用于防止它們互相接觸的間隙。因此，無法使承擔(dān)支承焊料球的柱體任務(wù)的凸起的間隔縮小固定值以上。此外，為了避免芯片尺寸封裝體的尺寸的增大，凸起配置在比配置在最外側(cè)(LSI 的周緣側(cè))的電極靠?jī)?nèi)側(cè)的位置。因此，在凸起與LSI的周緣之間存在未配置凸起及焊料球的、稱為外伸部的部分。因此，封裝尺寸由凸起(焊料球)的個(gè)數(shù)及外伸部的寬度確定，對(duì)于其小型化存在極限。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種能夠使封裝尺寸超越以往的極限而小型化的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。為了實(shí)現(xiàn)所述的目的，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體芯片，其具有表面及背面；密封樹脂層，其層疊在所述半導(dǎo)體芯片的所述表面上；柱體，其沿厚度方向貫通所述密封樹脂層，且具有與所述密封樹脂層的側(cè)面成為同一平面的側(cè)面及與所述密封樹脂層的表面成為同一平面的前端面；外部連接端子，其設(shè)置在所述柱體的所述前端面。在該半導(dǎo)體裝置中，柱體的側(cè)面與密封樹脂層的側(cè)面成為同一平面。即，柱體的側(cè)面從密封樹脂層的側(cè)面露出。因此，在柱體與半導(dǎo)體芯片的周緣之間不存在外伸部，因此與以往的半導(dǎo)體裝置相比，能夠?qū)雽?dǎo)體裝置的封裝尺寸減少外伸部的寬度的量。其結(jié)果是，能夠超越以往的極限地使封裝尺寸小型化。這樣的半導(dǎo)體裝置例如可以通過包括以下的工序A E的制造方法制造。A.在具有表面及背面的多個(gè)半導(dǎo)體芯片形成為作為其集合體的半導(dǎo)體晶片的狀態(tài)下，在各所述半導(dǎo)體芯片的所述表面上形成柱狀的柱體的柱體形成工序；B.在所述半導(dǎo)體晶片的所述表面上形成密封樹脂層的密封工序，該密封樹脂層具有與所述柱體的前端面成為同一平面的表面；C.在所述密封工序后，在沿著所述半導(dǎo)體芯片的周緣設(shè)定的切割線上形成從所述密封樹脂層的所述表面下挖的槽，并使所述柱體的側(cè)面作為該槽的內(nèi)表面的一部分而露出的槽形成工序；D.在所述槽形成工序后，在所述柱體的所述前端面上形成相對(duì)于所述密封樹脂層的所述表面鼓起的端子的端子形成工序；E.在所述端子形成工序后，將所述半導(dǎo)體晶片沿著所述切割線分割成各所述半導(dǎo)體芯片的工序。也可以構(gòu)成為，密封工序包括在所述半導(dǎo)體晶片的所述表面上以將所述柱體完全覆蓋的方式形成密封樹脂層的樹脂被覆工序；對(duì)所述密封樹脂層進(jìn)行研磨直至所述柱體的所述前端面從所述密封樹脂層露出的研磨工序。此外，將半導(dǎo)體晶片分割成各半導(dǎo)體芯片的工序可以為從所述半導(dǎo)體晶片的所述背面下挖所述半導(dǎo)體晶片從而使所述槽的內(nèi)側(cè)與所述半導(dǎo)體晶片的所述背面?zhèn)冗B通的切割工序，也可以為從所述槽的內(nèi)側(cè)下挖所述半導(dǎo)體晶片從而使所述槽的內(nèi)側(cè)與所述半導(dǎo)體晶片的所述背面?zhèn)冗B通的切割工序。此外，優(yōu)選，外部連接端子跨越柱體的前端面和柱體的側(cè)面設(shè)置。由此，柱體的前端面與柱體的側(cè)面所成的角部由外部連接端子覆蓋，柱體的前端面與外部連接端子的交界不向外部露出。因此，在對(duì)柱體及外部連接端子施加應(yīng)力時(shí)，能夠防止該應(yīng)力集中在柱體的前端面與外部連接端子的交界，能夠防止外部連接端子從柱體剝離。此外，優(yōu)選，沿著半導(dǎo)體芯片的周緣設(shè)置有多個(gè)柱體，所有的柱體的側(cè)面與密封樹脂層的側(cè)面成為同一平面。此時(shí)，在半導(dǎo)體芯片向安裝基板安裝后，能夠視覺辨認(rèn)外部連接端子相對(duì)于所有柱體的側(cè)面的覆蓋狀態(tài)。因此，能夠容易地進(jìn)行半導(dǎo)體芯片向安裝基板的安裝狀態(tài)的外觀檢查。此外，也可以構(gòu)成為，所述半導(dǎo)體裝置還包括鈍化膜，其夾在所述半導(dǎo)體芯片與所述密封樹脂層之間，且具有多個(gè)焊盤開口 ；電極焊盤，其從各所述焊盤開口露出。此時(shí)，所述柱體進(jìn)入所述焊盤開口內(nèi)，且與所述電極焊盤連接。此外，也可以構(gòu)成為，所述柱體的所述側(cè)面包括與所述密封樹脂層接觸的俯視C 字狀的圓弧面。此外，也可以構(gòu)成為，所述柱體由Cu構(gòu)成。此外，也可以構(gòu)成為，所述外部連接端子包括形成為大致球形狀的焊料球，該焊料球從所述柱體的所述前端面繞入所述柱體的所述側(cè)面中的從所述密封樹脂層露出的部分， 并將該部分覆蓋。此時(shí)，也可以構(gòu)成為，焊料球具有覆蓋所述柱體的所述側(cè)面中的從所述密封樹脂層露出的部分的被覆部分。此外，也可以構(gòu)成為，所述焊料球的所述被覆部分形成為沿著所述柱體的所述側(cè)面平行延伸的薄膜狀。
此外，適用了 WXSP的半導(dǎo)體裝置由于封裝尺寸小而適用于數(shù)碼相機(jī)和攜帶式電話機(jī)等小型設(shè)備中，但LSI (半導(dǎo)體芯片)的側(cè)面裸露。因此，不適用于搭載有閃光燈(閃光操縱器)的設(shè)備。在閃光燈發(fā)光時(shí)，來自閃光燈的光也向設(shè)備的內(nèi)部擴(kuò)散。如果半導(dǎo)體裝置設(shè)置在設(shè)備內(nèi)，則該光中含有的紅外線從LSI的側(cè)面進(jìn)入其內(nèi)部，可能引起形成在LSI 上的IC產(chǎn)生噪聲等誤動(dòng)作。因此，本發(fā)明的另一目的在于提供一種能夠防止紅外線進(jìn)入半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。為了實(shí)現(xiàn)該另一目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置優(yōu)選，還包括背面被覆膜，其覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的所述背面；遮光膜，其由具有對(duì)紅外線的遮光性的材料構(gòu)成，且覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面。由此，能夠防止紅外線從半導(dǎo)體芯片的側(cè)面進(jìn)入其內(nèi)部。此外，由于半導(dǎo)體芯片的表面及背面分別由密封樹脂層及背面被覆膜覆蓋，因此紅外線不會(huì)從半導(dǎo)體芯片的表面及背面進(jìn)入內(nèi)部。因此，紅外線不會(huì)進(jìn)入半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部，因此能夠防止因紅外線的進(jìn)入引起的IC的誤動(dòng)作等的不良情況的發(fā)生。作為具有對(duì)紅外線的遮光性的材料可以例示出金屬材料。例如，在背面被覆膜及 /或遮光膜由金屬材料構(gòu)成的情況下，能夠發(fā)揮對(duì)紅外線的良好的遮光性。此外，也可以構(gòu)成為，遮光膜及背面被覆膜一體形成。此時(shí)，與分別不同體地形成遮光膜及背面被覆膜的方法相比，能夠削減半導(dǎo)體裝置的制造工序數(shù)。此外，遮光膜也可以由樹脂材料形成，也可以具有由樹脂材料構(gòu)成的層和由金屬材料構(gòu)成的層的層疊構(gòu)造。此外，作為具有對(duì)紅外線的遮光性的金屬材料優(yōu)選為從Pd、Ni、Ti、Cr及TiW構(gòu)成的組中選擇的一種。此外，作為具有對(duì)紅外線的遮光性的樹脂材料，優(yōu)選為從由環(huán)氧樹脂、聚酰胺酰亞胺、聚酰胺、聚酰亞胺及苯酚構(gòu)成的組中選擇的一種。此外，背面被覆膜的厚度優(yōu)選為3μπι ΙΟΟμπι。此外，遮光膜的厚度優(yōu)選為 0. 1 μ m 10 μ m0具有背面被覆膜及遮光膜的半導(dǎo)體裝置例如可以通過包括上述A E的工序以及包括以下的F H的工序的制造方法制造。F.在所述端子形成工序前，通過在所述槽的內(nèi)表面上覆蓋具有對(duì)紅外線的遮光性的遮光性材料而在作為所述槽的所述內(nèi)表面的一部分露出的所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面上形成遮光膜的工序；G.在所述端子形成工序后，通過從所述背面?zhèn)妊心ニ霭雽?dǎo)體晶片，從而使形成有所述遮光膜的所述槽貫通至所述半導(dǎo)體晶片的所述背面?zhèn)鹊谋趁嫜心スば颍籋.在通過所述背面研磨工序而露出的所述半導(dǎo)體晶片的所述背面上形成覆蓋該背面的背面被覆膜的工序。也可以構(gòu)成為，工序F的形成遮光膜的工序包括在作為所述槽的所述內(nèi)表面的一部分而露出的所述柱體的所述側(cè)面及所述半導(dǎo)體芯片的所述側(cè)面的整個(gè)區(qū)域上形成所述遮光膜的工序；通過由相對(duì)于該遮光膜具有蝕刻選擇比的材料構(gòu)成的保護(hù)層覆蓋所述遮光膜中的所述半導(dǎo)體芯片的所述側(cè)面上的第一部分的工序；在通過所述保護(hù)層保護(hù)所述遮光膜的第一部分的狀態(tài)下，選擇性地除去所述遮光膜中的所述柱體的所述側(cè)面上的第二部分的工序；在除去所述遮光膜的所述第二部分后，將所述保護(hù)層完全除去的工序。此時(shí)，若形成所述背面被覆膜的工序包括形成將多個(gè)所述半導(dǎo)體芯片的所述背面一并覆蓋的膜的工序，則工序E的分割成所述半導(dǎo)體芯片的工序也可以包括在所述切割線上切斷一并覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的所述背面的所述背面被覆膜的工序。此外，若工序H的形成所述背面被覆膜的工序包括形成分別覆蓋多個(gè)所述半導(dǎo)體芯片的所述背面的膜的工序，則所述背面研磨工序也可以兼作為分割成所述半導(dǎo)體芯片的工序。此外，工序F的形成所述遮光膜的工序包括在作為所述槽的所述內(nèi)表面的一部分而露出的所述柱體的所述側(cè)面及所述半導(dǎo)體芯片的所述側(cè)面的整個(gè)區(qū)域上形成第一遮光膜的工序；通過由具有相對(duì)于第一遮光膜的蝕刻選擇比及對(duì)紅外線的遮光性的材料構(gòu)成的第二遮光膜覆蓋該所述第一遮光膜中的所述半導(dǎo)體芯片的所述側(cè)面上的第一部分的工序；在通過所述第二遮光膜保護(hù)所述第一遮光膜的所述第一部分的狀態(tài)下，選擇性地除去所述第一遮光膜中的所述柱體的所述側(cè)面上的第二部分的工序；在除去所述第一遮光膜的所述第二部分后，通過選擇性地除去所述第二遮光膜，從而形成具有所述第一遮光膜和所述第二遮光膜的層疊構(gòu)造的所述遮光膜的工序。此時(shí)，也可以構(gòu)成為，所述第一遮光膜及所述第二遮光膜中的一方由金屬材料構(gòu)成，另一方由樹脂材料構(gòu)成。此外，在還包括在工序B的密封工序前以沿著應(yīng)當(dāng)形成所述槽的線的方式形成具有與所述槽為同一形狀的臨時(shí)槽的工序的情況下，工序B的所述密封工序也可以包括在形成所述密封樹脂層的同時(shí)向所述臨時(shí)槽填充樹脂材料的工序。此時(shí)，工序C的槽形成工序包括通過具有與所述臨時(shí)槽的寬度相同的寬度的第一刃選擇性地除去填充的所述樹脂材料，從而使所述柱體的所述側(cè)面露出的工序；通過具有比所述第一刃的寬度小的寬度的第二刃，以使所述樹脂材料在所述半導(dǎo)體芯片的所述側(cè)面上殘留成膜狀的方式選擇性地除去所述樹脂材料，從而在所述半導(dǎo)體芯片的所述側(cè)面上形成由所述樹脂材料構(gòu)成的遮光膜的工序。


圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示圖1的A-A 切斷面處的剖面。圖3A是表示圖2所示的半導(dǎo)體裝置的制造中途的狀態(tài)的示意剖視圖。圖;3B是表示圖3A的下一工序的示意剖視圖。圖3C是表示圖:3B的下一工序的示意剖視圖。圖3D是表示圖3C的下一工序的示意剖視圖。圖3E是表示圖3D的下一工序的示意剖視圖。圖3F是表示圖3E的下一工序的示意剖視圖。圖3G是表示圖3F的下一工序的示意剖視圖。圖3H是表示圖3G的下一工序的示意剖視圖。圖31是表示圖3H的下一工序的示意剖視圖。
圖3J是表示圖31的下一工序的示意剖視圖。圖I是表示圖3J的下一工序的示意剖視圖。圖3L是表示圖I的下一工序的示意剖視圖。圖4是本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖2的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。圖5A是表示圖4所示的半導(dǎo)體裝置的制造中途的狀態(tài)的示意剖視圖。圖5B是表示圖5A的下一工序的示意剖視圖。圖5C是表示圖5B的下一工序的示意剖視圖。圖5D是表示圖5C的下一工序的示意剖視圖。圖5E是表示圖5D的下一工序的示意剖視圖。圖5F是表示圖5E的下一工序的示意剖視圖。圖5G是表示圖5F的下一工序的示意剖視圖。圖5H是表示圖5G的下一工序的示意剖視圖。圖51是表示圖5H的下一工序的示意剖視圖。圖5J是表示圖51的下一工序的示意剖視圖。圖6是本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖2的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。圖7A是表示圖6所示的半導(dǎo)體裝置的制造中途的狀態(tài)的示意剖視圖。圖7B是表示圖7A的下一工序的示意剖視圖。圖7C是表示圖7B的下一工序的示意剖視圖。圖7D是表示圖7C的下一工序的示意剖視圖。圖7E是表示圖7D的下一工序的示意剖視圖。圖7F是表示圖7E的下一工序的示意剖視圖。圖7G是表示圖7F的下一工序的示意剖視圖。圖7H是表示圖7G的下一工序的示意剖視圖。圖71是表示圖7H的下一工序的示意剖視圖。圖7J是表示圖71的下一工序的示意剖視圖。圖7K是表示圖7J的下一工序的示意剖視圖。圖7L是表示圖7K的下一工序的示意剖視圖。圖8是本發(fā)明的第四實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖2的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。圖9A是表示圖8所示的半導(dǎo)體裝置的制造中途的狀態(tài)的示意剖視圖。圖9B是表示圖9A的下一工序的示意剖視圖。圖9C是表示圖9B的下一工序的示意剖視圖。圖9D是表示圖9C的下一工序的示意剖視圖。圖9E是表示圖9D的下一工序的示意剖視圖。圖9F是表示圖9E的下一工序的示意剖視圖。圖9G是表示圖9F的下一工序的示意剖視圖。圖9H是表示圖9G的下一工序的示意剖視圖。
圖91是表示圖9H的下一工序的示意剖視圖。圖9J是表示圖91的下一工序的示意剖視圖。圖9K是表示圖9J的下一工序的示意剖視圖。圖9L是表示圖9K的下一工序的示意剖視圖。圖10是本發(fā)明的第五實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖2的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。圖11是本發(fā)明的第六實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖2的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。圖12A是表示圖11所示的半導(dǎo)體裝置的制造中途的狀態(tài)的示意剖視圖。圖12B是表示圖12A的下一工序的示意剖視圖。圖12C是表示圖12B的下一工序的示意剖視圖。圖12D是表示圖12C的下一工序的示意剖視圖。圖12E是表示圖12D的下一工序的示意剖視圖。圖12F是表示圖12E的下一工序的示意剖視圖。圖12G是表示圖12F的下一工序的示意剖視圖。圖13是本發(fā)明的第七實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖2的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。圖14A是表示圖13所示的半導(dǎo)體裝置的制造中途的狀態(tài)的示意剖視圖。圖14B是表示圖14A的下一工序的示意剖視圖。圖15是表示圖2所示的半導(dǎo)體裝置的變形例的示意剖視圖。圖16是本發(fā)明的第八實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。圖17是本發(fā)明的第八實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示圖16的 B-B切斷面處的剖面。圖18A是表示圖17所示的半導(dǎo)體裝置的制造中途的狀態(tài)的示意剖視圖。圖18B是表示圖18A的下一工序的示意剖視圖。圖18C是表示圖18B的下一工序的示意剖視圖。圖18D是表示圖18C的下一工序的示意剖視圖。圖18E是表示圖18D的下一工序的示意剖視圖。圖18F是表示圖18E的下一工序的示意剖視圖。圖18G是表示圖18F的下一工序的示意剖視圖。圖18H是表示圖18G的下一工序的示意剖視圖。圖181是表示圖18H的下一工序的示意剖視圖。圖18J是表示圖181的下一工序的示意剖視圖。圖19是本發(fā)明的第九實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖17 的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。圖20A是表示圖19所示的半導(dǎo)體裝置的制造中途的狀態(tài)的示意剖視圖。圖20B是表示圖20A的下一工序的示意剖視圖。圖20C是表示圖20B的下一工序的示意剖視圖。圖20D是表示圖20C的下一工序的示意剖視圖。
圖20E是表示圖20D的下一工序的示意剖視圖。圖20F是表示圖20E的下一工序的示意剖視圖。圖20G是表示圖20F的下一工序的示意剖視圖。圖20H是表示圖20G的下一工序的示意剖視圖。圖21是本發(fā)明的第十實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖17 的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。圖22A是表示圖21所示的半導(dǎo)體裝置的制造中途的狀態(tài)的示意剖視圖。圖22B是表示圖22A的下一工序的示意剖視圖。圖22C是表示圖22B的下一工序的示意剖視圖。圖22D是表示圖22C的下一工序的示意剖視圖。圖22E是表示圖22D的下一工序的示意剖視圖。圖22F是表示圖22E的下一工序的示意剖視圖。圖22G是表示圖22F的下一工序的示意剖視圖。圖22H是表示圖22G的下一工序的示意剖視圖。圖221是表示圖22H的下一工序的示意剖視圖。圖23是本發(fā)明的第十一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖 17的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。圖M是本發(fā)明的第十二實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖 17的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。圖25是表示圖17所示的半導(dǎo)體裝置的變形例的示意剖視圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式?！吹谝粚?shí)施方式〉圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示圖1的A-A切剖面處的剖面。半導(dǎo)體裝置1為適用了 WXSP的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置1具備半導(dǎo)體芯片2。 半導(dǎo)體芯片2例如為硅芯片，形成為具有表面3、側(cè)面4及背面5的俯視四邊形狀。在半導(dǎo)體芯片2的表面3形成有鈍化膜(表面保護(hù)膜)6。鈍化膜6例如由氧化硅或氮化硅構(gòu)成。在該鈍化膜6上形成有多個(gè)焊盤開口 8，多個(gè)焊盤開口 8用于使與形成在半導(dǎo)體芯片2上的元件(未圖示)電連接的內(nèi)部配線的一部分作為電極焊盤7露出。S卩，鈍化膜6從各電極焊盤7的中央部上被除去。在鈍化膜6上層疊有密封樹脂層9。密封樹脂層9例如由環(huán)氧樹脂構(gòu)成。密封樹脂層9覆蓋鈍化膜6的表面，將半導(dǎo)體裝置1 (半導(dǎo)體芯片i)的表面3側(cè)密封。并且，密封樹脂層9的表面10形成為平坦面，且其側(cè)面11與半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4成為同一平面。由此，半導(dǎo)體裝置1在俯視下具有與半導(dǎo)體芯片2的尺寸相同的外形尺寸(封裝尺寸)。各電極焊盤7上設(shè)置有沿密封樹脂層9的厚度方向貫通密封樹脂層9的大致圓柱狀的柱體12。柱體12例如由銅(Cu)構(gòu)成。柱體12的下端部進(jìn)入焊盤開口 8內(nèi)，并與電極焊盤7連接。柱體12的前端面(上端部)13與密封樹脂層9的表面10成為同一平面。柱體12的側(cè)面14具有與密封樹脂層9接觸的俯視C字狀的圓弧面15、從密封樹脂層9的側(cè)面11露出且與該側(cè)面11成為同一平面的平坦面16。需要說明的是，以下，存在將平坦面 16僅記載成“側(cè)面16”的情況。多個(gè)電極焊盤7 (焊盤開口 8)配置為呈沿著半導(dǎo)體芯片2的周緣的四方環(huán)狀地排列成一列。因此，柱體12配置為呈沿著半導(dǎo)體芯片2的周緣的四方環(huán)狀地排列成一列。由此，所有的柱體12的側(cè)面16與密封樹脂層9的側(cè)面11成為同一平面。并且，相鄰的柱體 12間的間隔設(shè)定為，在半導(dǎo)體裝置1向安裝基板(未圖示)安裝時(shí)，即使下述的焊料球17 變形，相鄰的焊料球17也不會(huì)相互接觸的距離。在各柱體12的前端面13上接合有作為外部連接端子的焊料球17。焊料球17形成為大致球形狀。此外，焊料球17的下部從柱體12的前端面13繞入側(cè)面16中的從密封樹脂層9露出的部分，并將該部分覆蓋。換言之，焊料球17跨越柱體12的前端面13和側(cè)面16設(shè)置。焊料球17經(jīng)由電極焊盤7及柱體12與形成在半導(dǎo)體芯片2上的元件電連接。通過使焊料球17與安裝基板上的焊盤(未圖示)連接，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置1向安裝基板的安裝。即，通過使焊料球17與安裝基板上的焊盤連接，從而半導(dǎo)體裝置1被支承在安裝基板上，且實(shí)現(xiàn)安裝基板與半導(dǎo)體芯片2的電連接。此外，半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4的整個(gè)區(qū)域由遮光膜18覆蓋。遮光膜18由具有對(duì)紅外線的遮光性的金屬材料構(gòu)成。作為具有對(duì)紅外線的遮光性的金屬材料例如可以例示出 Pd(鈀)、Ni(鎳)、Ti(鈦)、Cr (鉻)及TiW(鈦-鎢合金)等。遮光膜18的厚度例如為 0. Iym以上ΙΟμ 以下。此外，半導(dǎo)體芯片2的背面5的整個(gè)區(qū)域由背面被覆膜19覆蓋。背面被覆膜19 例如由環(huán)氧樹脂、聚酰胺酰亞胺、聚酰胺、聚酰亞胺或苯酚等的樹脂材料構(gòu)成。背面被覆膜 19的厚度例如為3 μ m以上100 μ m以下。圖3A 圖3L是按工序順序表示圖2所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意剖視圖。半導(dǎo)體裝置1的制造在半導(dǎo)體芯片2被切分成單片之前的晶片20的狀態(tài)下進(jìn)行。 在半導(dǎo)體芯片2 (晶片20)的表面形成有鈍化膜6。首先，如圖3A所示，通過光刻法及蝕刻法在鈍化膜6上形成多個(gè)焊盤開口 8。接下來，如圖:3B所示，在各電極焊盤7上形成有柱狀的柱體12。柱體12例如通過如下方式形成，即，在鈍化膜6上形成具有與形成柱體12的部分對(duì)應(yīng)的開口的掩模后， 在該掩模的開口內(nèi)鍍敷作為柱體12的材料的銅而使其成長(zhǎng)，然后除去掩模而形成柱體12。 此外，柱體12也可以以如下方式形成，S卩，在鈍化膜6及電極焊盤7上通過鍍敷法形成銅膜 (未圖示)，然后，通過光刻法及蝕刻法選擇性地除去銅膜而形成柱體12。接下來，如圖3C所示，向鈍化膜6上供給作為密封樹脂層9的材料的液狀的樹脂 (例如，環(huán)氧樹脂)。液狀的樹脂被供給至埋沒柱體12的高度(將柱體12完全覆蓋的高度)。并且，通過進(jìn)行使樹脂固化的處理，從而在鈍化膜6上形成密封樹脂層9。然后，密封樹脂層9從其表面?zhèn)缺谎心?。該密封樹脂?的研磨持續(xù)直至柱體12 的前端面13從密封樹脂層9的表面10露出。如圖3D所示，該研磨的結(jié)果是得到與密封樹脂層9的表面10成為同一平面的柱體12的前端面13。接下來，通過使切割刃21從半導(dǎo)體芯片2的表面?zhèn)冗M(jìn)入，從而如圖3E所示，在沿著各半導(dǎo)體芯片2的周緣設(shè)定的切割線上形成從密封樹脂層9的表面下挖的槽22。槽22 被下挖至貫通密封樹脂層9及鈍化膜6且其底面到達(dá)半導(dǎo)體芯片2的背面5附近的位置的深度。此外，槽22形成為其側(cè)面間的寬度在其深度方向上固定。由此，各柱體12的側(cè)面16 及半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4作為槽22的內(nèi)表面(側(cè)面)的一部分露出。然后，如圖3F所示，在槽22的內(nèi)表面的整個(gè)區(qū)域上覆蓋有遮光膜18。遮光膜18 例如可以將由遮光膜18的材料構(gòu)成的金屬蒸鍍?cè)诓?2的內(nèi)表面上而形成，也可以通過非電解鍍敷而形成。在遮光膜18的形成后，如圖3G所示，與密封樹脂層9的材料相同的液狀的樹脂 (例如，環(huán)氧樹脂)向槽22內(nèi)供給。該液狀的樹脂相對(duì)于遮光膜18具有蝕刻選擇比，且被供給至其表面與半導(dǎo)體芯片2的表面3成為同一平面的高度。由此，形成由該液狀的樹脂構(gòu)成且埋設(shè)在槽22中的保護(hù)層25。保護(hù)層25覆蓋遮光膜18中的半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4 上的第一部分23，而使遮光膜18中的柱體12的側(cè)面16上的第二部分M露出(未覆蓋第二部分24)。接著，在以保護(hù)層25覆蓋遮光膜18的第一部分23的狀態(tài)下，供給與保護(hù)層 25相比能夠以高蝕刻率將遮光膜18蝕刻的蝕刻劑(蝕刻液、蝕刻氣體)。由此，如圖3H所示，選擇性地除去未被保護(hù)層25覆蓋的遮光膜18的第二部分M， 被保護(hù)層25覆蓋著的遮光膜18的第一部分23殘留在槽22內(nèi)。然后，除去保護(hù)層25。接下來，如圖31所示，在柱體12的前端面13上上配置有焊料球17。焊料球17通過其濕潤(rùn)性擴(kuò)展至柱體12的側(cè)面16。由此，柱體12的前端面13及側(cè)面16被焊料球17覆
至
ΓΤΠ ο接下來，如圖3J所示，在切割帶沈的粘結(jié)面上配置焊料球17，在切割帶沈上支承晶片20ο然而，從半導(dǎo)體芯片2(晶片20)的背面5側(cè)研磨半導(dǎo)體芯片2(晶片20)。如圖 3Κ所示，該半導(dǎo)體芯片2的研磨進(jìn)行至半導(dǎo)體芯片2中的形成在槽22的下方的部分完全被除去，槽22的內(nèi)側(cè)與半導(dǎo)體芯片2的背面5側(cè)連通。此時(shí)，遮光膜18中的覆蓋在槽22的底面上的部分被除去。然后，如圖3L所示，在半導(dǎo)體芯片2 (晶片20)的背面5的整個(gè)區(qū)域上形成背面被覆膜19。背面被覆膜19例如通過以下方式形成，即，將樹脂材料涂敷(旋轉(zhuǎn)涂敷)在晶片 20的背面5的整個(gè)區(qū)域，并使該樹脂材料固化而形成背面被覆膜19。此外，背面被覆膜19 也可以通過將形成為膜狀的樹脂膜貼附在晶片20的背面5的整個(gè)區(qū)域上而形成。然后，使用切割刃(未圖示)在切割線上切斷背面被覆膜19，使晶片20單片化成各半導(dǎo)體芯片2。然后，在除去切割帶沈后得到圖2所示的半導(dǎo)體裝置1。如上所述，在半導(dǎo)體裝置1中，柱體12的側(cè)面16與密封樹脂層9的側(cè)面11成為同一平面。即，柱體12的側(cè)面16從密封樹脂層9的側(cè)面11露出。因此，在柱體12與半導(dǎo)體芯片2的周緣之間不存在外伸部，因此與以往的半導(dǎo)體裝置相比，能夠使半導(dǎo)體裝置1的封裝尺寸縮小外伸部的寬度的量。其結(jié)果是，能夠使封裝尺寸超越以往的極限而小型化。此外，焊料球17跨越柱體12的前端面13與側(cè)面16設(shè)置。由此，柱體12的前端面13和側(cè)面16所成的角部由焊料球17覆蓋，柱體12的前端面13與焊料球17的交界不向外部露出。因此，在對(duì)柱體12及焊料球17施加了應(yīng)力時(shí)，能夠防止該應(yīng)力向柱體12的前端面與焊料球17的交界集中，而且由于焊料球17與柱體12接觸，因此能夠使接觸面積擴(kuò)大側(cè)面16的面積的量，因此能夠防止焊料球17從柱體12剝離。此外，沿著半導(dǎo)體芯片2的周緣設(shè)置有多個(gè)柱體12，所有的柱體12的側(cè)面16與密封樹脂層9的側(cè)面11成為同一平面。因此，在半導(dǎo)體芯片2向安裝基板安裝后，能夠視覺辨認(rèn)焊料球17相對(duì)于所有柱體12的側(cè)面16的覆蓋狀態(tài)。由此，能夠容易地進(jìn)行半導(dǎo)體芯片2向安裝基板的安裝狀態(tài)的外觀檢查。此外，在半導(dǎo)體裝置1中，半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4被由具有對(duì)紅外線的遮光性的材料構(gòu)成的遮光膜18覆蓋。由此，能夠防止紅外線從半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4進(jìn)入其內(nèi)部。此夕卜，由于在半導(dǎo)體芯片2的表面3上層疊有密封樹脂層9，且半導(dǎo)體芯片2的背面5由背面被覆膜19覆蓋，因此紅外線不會(huì)從半導(dǎo)體芯片2的表面3及背面5進(jìn)入內(nèi)部。由此，紅外線不會(huì)進(jìn)入半導(dǎo)體芯片2的內(nèi)部，因此能夠防止因紅外線的進(jìn)入引起的IC的誤動(dòng)作等的不良情況的發(fā)生。〈第二實(shí)施方式〉圖4是本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖2的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。需要說明的是，在圖4中，對(duì)與圖2所示的部分各部相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注與所述各部標(biāo)注的參照符號(hào)相同的參照符號(hào)。并且，以下，省略對(duì)標(biāo)注有相同參照符號(hào)的部分的說明。在圖2所示的半導(dǎo)體裝置1中，半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4的整個(gè)區(qū)域被由金屬材料構(gòu)成的遮光膜18覆蓋。相對(duì)于此，在圖4所示的半導(dǎo)體裝置31中，半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4 的整個(gè)區(qū)域被由樹脂材料構(gòu)成的遮光膜32覆蓋。遮光膜32由與背面被覆膜19相同的樹脂材料，例如環(huán)氧樹脂、聚酰胺酰亞胺、聚酰胺、聚酰亞胺或苯酚等樹脂材料構(gòu)成。圖5A 圖5J是按工序順序表示圖4所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意剖視圖。需要說明的是，在圖5A 圖5J中，對(duì)與圖3A 圖3L所示的部分各部相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注與所述各部標(biāo)注的參照符號(hào)相同的參照符號(hào)。半導(dǎo)體裝置31的制造在半導(dǎo)體芯片2被切分成單片前的晶片20的狀態(tài)下進(jìn)行。 在半導(dǎo)體芯片2 (晶片20)的表面形成有鈍化膜6。首先，如圖5A所示，通過光刻法及蝕刻法在鈍化膜6形成多個(gè)焊盤開口 8。接下來，如圖5B所示，在各電極焊盤7上形成有柱狀的柱體12。柱體12例如通過如下方式形成，即，在鈍化膜6上形成具有與形成柱體12的部分對(duì)應(yīng)的開口的掩模后， 在該掩模的開口內(nèi)鍍敷作為柱體12的材料的銅而使其成長(zhǎng)，然后除去掩模而形成柱體12。 此外，柱體12也可以以如下方式形成，S卩，在鈍化膜6及電極焊盤7上通過鍍敷法形成銅膜 (未圖示)，然后，通過光刻法及蝕刻法選擇性地除去銅膜而形成柱體12。接下來，使切割刃33從半導(dǎo)體芯片2的表面?zhèn)冗M(jìn)入，從而如圖5C所示，在沿著各半導(dǎo)體芯片2的周緣設(shè)定的切割線上形成從密封樹脂層9的表面下挖的作為臨時(shí)槽的槽 34。槽34被下挖至貫通密封樹脂層9及鈍化膜6且其底面到達(dá)半導(dǎo)體芯片2的背面5附近的位置的深度。此外，槽34形成為其側(cè)面間的寬度在其深度方向上固定。由此，各柱體 12的側(cè)面16及半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4作為槽34的內(nèi)表面(側(cè)面)的一部分露出。接下來，向鈍化膜6上供給作為密封樹脂層9的材料的液狀的樹脂(例如，環(huán)氧樹脂)。液狀的樹脂被供給至埋沒柱體12的高度(將柱體12完全覆蓋的高度)。此時(shí)，液狀的樹脂向槽34內(nèi)填充直至觀察不到各柱體12的側(cè)面16及半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4。然后，通過進(jìn)行用于使樹脂固化的處理，從而在鈍化膜6上形成密封樹脂層9，同時(shí)，形成將槽34 完全埋沒的樹脂材料層35。然后，從密封樹脂層9的表面?zhèn)葘?duì)其進(jìn)行研磨。該密封樹脂層9的研磨持續(xù)到柱體12的前端面13從密封樹脂層9的表面10露出。如圖5D所示，該研磨的結(jié)果是得到與密封樹脂層9的表面10成為同一平面的柱體12的前端面13。接下來，通過從半導(dǎo)體芯片2的表面?zhèn)仁棺鳛榈谝蝗械那懈钊?6進(jìn)入，從而如圖 5E所示，選擇性地除去樹脂材料層35中的比半導(dǎo)體芯片2的表面3靠上側(cè)的部分。切割刃36與在圖5C所示的工序中為了形成槽34而使用的切割刃33具有相同的厚度。由此， 各柱體12的側(cè)面16露出。接下來，通過從半導(dǎo)體芯片2的表面?zhèn)仁棺鳛榈诙械那懈钊?7進(jìn)入，從而如圖 5F所示，選擇性地除去殘留在槽34內(nèi)的樹脂材料層35的中央部分。切割刃37具有比在圖 5E所示的工序中為了除去樹脂材料層35中的比半導(dǎo)體芯片2的表面3靠上側(cè)的部分而使用的切割刃36小的厚度。由此，樹脂材料層35在半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4及槽34的底面上殘留成膜狀，該殘留的部分成為遮光膜32。接下來，如圖5G所示，在柱體12的前端面13上配置焊料球17。焊料球17通過其濕潤(rùn)性而擴(kuò)展至柱體12的側(cè)面16。由此，柱體12的前端面13及側(cè)面16被焊料球17覆
至
ΓΤΠ ο接下來，如圖5H所示，在切割帶沈的粘結(jié)面上配置焊料球17，在切割帶沈上支承晶片20ο然后，從半導(dǎo)體芯片2 (晶片20)的背面5側(cè)對(duì)其進(jìn)行研磨。如圖51所示，該半導(dǎo)體芯片2的研磨進(jìn)行至半導(dǎo)體芯片2中的形成在槽34的下方的部分被完全除去，槽34的內(nèi)側(cè)與半導(dǎo)體芯片2的背面5側(cè)連通。此時(shí)，遮光膜32中的覆蓋在槽34的底面上的部分被除去。然后，如圖5J所示，在半導(dǎo)體芯片2 (晶片20)的背面5的整個(gè)區(qū)域上形成背面被覆膜19。背面被覆膜19例如可以通過以下方式形成，S卩，將樹脂材料涂敷(旋轉(zhuǎn)涂敷)到晶片20的背面5的整個(gè)區(qū)域，并使該樹脂材料固化而形成背面被覆膜19。此外，背面被覆膜19也可以通過將形成為膜狀的樹脂膜貼附在晶片20的背面5的整個(gè)區(qū)域上而形成。然后，使用切割刃(未圖示)在切割線上切斷背面被覆膜19，晶片20被單片化成各半導(dǎo)體芯片2。然后，在除去切割帶沈后得到圖4所示的半導(dǎo)體裝置31。在以上述方式得到的半導(dǎo)體裝置31的結(jié)構(gòu)中，能夠發(fā)揮與圖2所示的半導(dǎo)體裝置 1的結(jié)構(gòu)同樣的效果?！吹谌龑?shí)施方式〉圖6是本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖2的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。需要說明的是，在圖6中，對(duì)與圖2所示的部分各部相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注與所述各部標(biāo)注的參照符號(hào)相同的參照符號(hào)。并且，以下，省略對(duì)標(biāo)注有相同參照符號(hào)的部分的說明。在圖2所示的半導(dǎo)體裝置1中，由金屬材料構(gòu)成的遮光膜18和由樹脂材料構(gòu)成的背面被覆膜19分別形成。相對(duì)于此，在圖6所示的半導(dǎo)體裝置41中，半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面 4及背面5的整個(gè)區(qū)域由保護(hù)膜42覆蓋。換言之，保護(hù)膜42 —體地具備覆蓋半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4的整個(gè)區(qū)域的遮光膜43和覆蓋半導(dǎo)體芯片2的背面5的整個(gè)區(qū)域的背面被覆膜 44。保護(hù)膜42由具有對(duì)紅外線的遮光性的金屬材料構(gòu)成。作為具有對(duì)紅外線的遮光性的金屬材料例如可以例示出Pd、Ni、Ti、Cr及TiW等。保護(hù)膜42中的成為遮光膜43的部分的厚度例如為0. 1 μ m以上10 μ m以下。此外，保護(hù)膜42中的成為背面被覆膜44的部分的厚度例如為5 μ m以上50 μ m以下。圖7A 圖7L是按工序順序表示圖6所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意剖視圖。需要說明的是，在圖7A 圖7L中，對(duì)與圖3A 圖3L所示的部分各部相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注與所述各部標(biāo)注的參照符號(hào)相同的參照符號(hào)。半導(dǎo)體裝置41的制造在半導(dǎo)體芯片2被切分成單片前的晶片20的狀態(tài)下進(jìn)行。 在半導(dǎo)體芯片2 (晶片20)的表面形成有鈍化膜6。首先，如圖7A所示，通過光刻法及蝕刻法在鈍化膜6上形成多個(gè)焊盤開口 8。接下來，如圖7B所示，在各電極焊盤7上形成有柱狀的柱體12。柱體12例如通過如下方式形成，即，在鈍化膜6上形成具有與形成柱體12的部分對(duì)應(yīng)的開口的掩模后， 在該掩模的開口內(nèi)鍍敷作為柱體12的材料的銅而使其成長(zhǎng)，然后除去掩模而形成柱體12。 此外，柱體12也可以以如下方式形成，S卩，在鈍化膜6及電極焊盤7上通過鍍敷法形成銅膜 (未圖示)，然后，通過光刻法及蝕刻法選擇性地除去銅膜而形成柱體12。接下來，如圖7C所示，向鈍化膜6上供給作為密封樹脂層9的材料的液狀的樹脂 (例如，環(huán)氧樹脂)。液狀的樹脂被供給至埋沒柱體12的高度(將柱體12完全覆蓋的高度)。然后，通過進(jìn)行使樹脂固化的處理，從而在鈍化膜6上形成密封樹脂層9。然后，從密封樹脂層9的表面?zhèn)葘?duì)其進(jìn)行研磨。該密封樹脂層9的研磨持續(xù)至柱體12的前端面13從封樹脂層9的表面10露出。如圖7D所示，該研磨的結(jié)果是得到與密封樹脂層9的表面10成為同一平面的柱體12的前端面13。接下來，從半導(dǎo)體芯片2的表面?zhèn)仁骨懈钊?1進(jìn)入，從而如圖7E所示，在沿著各半導(dǎo)體芯片2的周緣設(shè)定的切割線上形成從密封樹脂層9的表面下挖的槽22。槽22被下挖至貫通密封樹脂層9及鈍化膜6且其底面到達(dá)半導(dǎo)體芯片2的背面5附近的位置的深度。 此外，槽22形成為其側(cè)面間的寬度在其深度方向上固定。由此，各柱體12的側(cè)面16及半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4作為槽22的內(nèi)表面(側(cè)面)的一部分露出。然后，如圖7F所示，在槽22的內(nèi)表面的整個(gè)區(qū)域覆蓋有遮光膜43。遮光膜43可以通過例如將由遮光膜43的材料構(gòu)成的金屬蒸鍍?cè)诓?2的內(nèi)表面上形成，也可以通過非電解鍍敷形成。在遮光膜43的形成后，如圖7G所示，向槽22內(nèi)供給與密封樹脂層9的材料相同的液狀的樹脂(例如，環(huán)氧樹脂)。該液狀的樹脂相對(duì)于遮光膜43具有蝕刻選擇比，且被供給至其表面與半導(dǎo)體芯片2的表面3成為同一平面的高度。由此，形成由該液狀的樹脂構(gòu)成且埋設(shè)在槽22中的保護(hù)層25。保護(hù)層25覆蓋遮光膜43中的半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4上的第一部分23，而使遮光膜43中的柱體12的側(cè)面16上的第二部分M露出(未覆蓋第二部分24)。接下來，在由保護(hù)層25覆蓋遮光膜43的第一部分23的狀態(tài)下，供給與保護(hù)層 25相比能夠以高蝕刻率將遮光膜43蝕刻的蝕刻劑(蝕刻液、蝕刻氣體)。由此，如圖7H所示，選擇性地除去未被保護(hù)層25覆蓋的遮光膜43的第二部分M， 被保護(hù)層25覆蓋遮光膜43的第一部分23殘留在槽22內(nèi)。然后，除去保護(hù)層25。
接下來，如圖71所示，在柱體12的前端面13上配置有焊料球17。焊料球17通過其濕潤(rùn)性擴(kuò)展至柱體12的側(cè)面16。由此，柱體12的前端面13及側(cè)面16被焊料球17覆蓋。
接下來，如圖7J所示，在切割帶沈的粘結(jié)面上配置焊料球17，在切割帶沈上支承晶片20ο然后，從半導(dǎo)體芯片2 (晶片20)的背面5側(cè)對(duì)其進(jìn)行研磨。如圖7Κ所示，該半導(dǎo)體芯片2的研磨進(jìn)行至半導(dǎo)體芯片2中的形成在槽22的下方的部分被完全除去，槽22的內(nèi)側(cè)與半導(dǎo)體芯片2的背面5側(cè)連通。此時(shí)，遮光膜43中的被覆蓋在槽22的底面的部分被除去。然后，如圖7L所示，在半導(dǎo)體芯片2 (晶片20)的背面5的整個(gè)區(qū)域上按照半導(dǎo)體芯片2覆蓋有背面被覆膜44。背面被覆膜44例如可以通過將由保護(hù)膜42的材料構(gòu)成的金屬蒸鍍?cè)诎雽?dǎo)體芯片2的背面5上形成，也可以通過非電解鍍敷形成。然后，在取下切割帶沈后得到圖6所示的半導(dǎo)體裝置41。在該半導(dǎo)體裝置41的結(jié)構(gòu)中，也能夠發(fā)揮與圖2所示的半導(dǎo)體裝置1的結(jié)構(gòu)同樣的效果?！吹谒膶?shí)施方式〉圖8是本發(fā)明的第四實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖2的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。需要說明的是，在圖8中，對(duì)與圖2所示的部分各部相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注與所述各部標(biāo)注的參照符號(hào)相同的參照符號(hào)。并且，以下，省略對(duì)標(biāo)注有相同參照符號(hào)的部分的說明。在半導(dǎo)體裝置45中，覆蓋半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4的遮光膜46具有金屬層47和樹脂層48的層疊構(gòu)造。金屬層47例如由Pd、Ni、Ti、Cr或TiW構(gòu)成。此外，樹脂層48例如由環(huán)氧樹脂、聚酰胺酰亞胺、聚酰胺、聚酰亞胺或苯酚等樹脂材料構(gòu)成。圖9Α 圖9Μ是按照工序順序表示的圖8所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意剖視圖。需要說明的是，在圖9Α 圖9Μ中，對(duì)與圖3Α 圖3L所示的部分各部相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注與所述各部標(biāo)注的參照符號(hào)相同的參照符號(hào)。半導(dǎo)體裝置45的制造在半導(dǎo)體芯片2被切分成單片前的晶片20的狀態(tài)下進(jìn)行。 在半導(dǎo)體芯片2 (晶片20)的表面上形成有鈍化膜6。首先，如圖9Α所示，通過光刻法及蝕刻法在鈍化膜6上形成多個(gè)焊盤開口 8。接下來，如圖9Β所示，在各電極焊盤7上形成柱狀的柱體12。柱體12例如通過如下方式形成，即，在鈍化膜6上形成具有與形成柱體12的部分對(duì)應(yīng)的開口的掩模后，在該掩模的開口內(nèi)鍍敷作為柱體12的材料的銅而使其成長(zhǎng)，然后除去掩模而形成柱體12。此外， 柱體12也可以以如下方式形成，即，在鈍化膜6及電極焊盤7上通過鍍敷法形成銅膜(未圖示)，然后，通過光刻法及蝕刻法選擇性地除去銅膜而形成柱體12。接下來，如圖9C所示，向鈍化膜6上供給作為密封樹脂層9的材料的液狀的樹脂 (例如，環(huán)氧樹脂)。液狀的樹脂被供給至埋沒柱體12的高度(將柱體12完全覆蓋的高度)。并且，通過進(jìn)行用于使樹脂固化的處理，從而在鈍化膜6上形成密封樹脂層9。然后，從密封樹脂層9的表面?zhèn)葘?duì)其進(jìn)行研磨。該密封樹脂層9的研磨持續(xù)到柱體12的前端面13從密封樹脂層9的表面10露出。如圖9D所示，該研磨的結(jié)果是得到與密封樹脂層9的表面10成為同一平面的柱體12的前端面13。接下來，通過使切割刃21從半導(dǎo)體芯片2的表面?zhèn)冗M(jìn)入，從而如圖9E所示，在沿著各半導(dǎo)體芯片2的周緣設(shè)定的切割線上上形成從密封樹脂層9的表面下挖的槽22。槽 22被下挖至貫通密封樹脂層9及鈍化膜6且其底面到達(dá)半導(dǎo)體芯片2的背面5附近的位置的深度。此外，槽22形成為其側(cè)面間的寬度在其深度方向上固定。由此，各柱體12的側(cè)面 16及半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4作為槽22的內(nèi)表面(側(cè)面)的一部分露出。然后，如圖9F所示，在槽22的內(nèi)表面的整個(gè)區(qū)域上覆蓋有作為第一遮光膜的金屬層47。金屬層47可以通過例如將由金屬層47的材料構(gòu)成的金屬蒸鍍?cè)诓?2的內(nèi)表面上形成，也可以通過非電解鍍敷形成。在金屬層47形成后，如圖9G所示，向槽22內(nèi)供給與密封樹脂層9的材料相同的液狀的樹脂(例如，環(huán)氧樹脂)。該液狀的樹脂相對(duì)于金屬層47具有蝕刻選擇比，且被供給到其表面與半導(dǎo)體芯片2的表面3成為相同的高度。由此，形成該液狀的樹脂埋設(shè)在槽 22中的樹脂材料層49。樹脂材料層49覆蓋金屬層47中的半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4上的第一部分50，并使金屬層47中的柱體12的側(cè)面16上的第二部分51露出(未覆蓋第二部分 51)。接下來，在由樹脂材料層49覆蓋金屬層47的第一部分50的狀態(tài)下，供給與樹脂材料層49相比能夠以高蝕刻率將金屬層47蝕刻的蝕刻劑(蝕刻液、蝕刻氣體)。由此，如圖9H所示，選擇性地除去未被樹脂材料層49覆蓋的金屬層47的第二部分51，被樹脂材料層49覆蓋的金屬層47的第一部分50殘留在槽22內(nèi)。接下來，如圖91所示，通過使切割刃52從半導(dǎo)體芯片2的表面?zhèn)冗M(jìn)入，從而選擇性地除去殘留在槽22內(nèi)的樹脂材料層49的中央部分。切割刃52具有比在圖9E所示的工序中為了形成槽22而使用的切割刃21小的厚度。由此，樹脂材料層49在金屬層47上殘留成膜狀，該殘留的部分成為作為第二遮光膜的樹脂層48。如此，形成具有金屬層47和樹脂層48的層疊構(gòu)造的遮光膜46。接下來，如圖9J所示，在柱體12的前端面13上配置焊料球17。焊料球17通過其濕潤(rùn)性而擴(kuò)展至柱體12的側(cè)面16。由此，柱體12的前端面13及側(cè)面16被焊料球17覆
至
ΓΤΠ ο接下來，如圖9K所示，在切割帶沈的粘結(jié)面上配置焊料球17，在切割帶沈上支承晶片20ο然后，從半導(dǎo)體芯片2 (晶片20)的背面5側(cè)對(duì)其進(jìn)行研磨。如圖9L所示，該半導(dǎo)體芯片2的研磨進(jìn)行至半導(dǎo)體芯片2中的形成在槽22的下方的部分被完全除去，槽22的內(nèi)側(cè)與半導(dǎo)體芯片2的背面5側(cè)連通。此時(shí)，遮光膜46中的被槽22的底面覆蓋的部分被除去。然后，如圖9Μ所示，在半導(dǎo)體芯片2 (晶片20)的背面5的整個(gè)區(qū)域形成有背面被覆膜19。背面被覆膜19例如可以通過以下方式形成，S卩，將樹脂材料涂敷(旋轉(zhuǎn)涂敷)到晶片20的背面5的整個(gè)區(qū)域，并使該樹脂材料固化而形成背面被覆膜19。此外，背面被覆膜19也可以通過將形成為膜狀的樹脂膜貼附在晶片20的背面5的整個(gè)區(qū)域上而形成。然后，使用切割刃(未圖示)在切割線上切斷背面被覆膜19，使晶片20單片化成各半導(dǎo)體芯片2。然后，在除去切割帶沈后得到圖8所示的半導(dǎo)體裝置45。在該半導(dǎo)體裝置45的結(jié)構(gòu)中，也能夠發(fā)揮與圖2所示的半導(dǎo)體裝置1的結(jié)構(gòu)同樣的效果。<第五實(shí)施方式>圖10是本發(fā)明的第五實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖2的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。需要說明的是，在圖10中，對(duì)與圖2所示的部分各部相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注與所述各部標(biāo)注的參照符號(hào)相同的參照符號(hào)。并且，以下，省略對(duì)標(biāo)注有相同參照符號(hào)的部分的說明。在半導(dǎo)體裝置53中，覆蓋半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4的遮光膜M具有樹脂層55與金屬層56的層疊構(gòu)造。樹脂層55例如由環(huán)氧樹脂、聚酰胺酰亞胺、聚酰胺、聚酰亞胺或苯酚等樹脂材料構(gòu)成。此外，金屬層56例如由Pd、Ni、Ti、Cr或TiW構(gòu)成。在該半導(dǎo)體裝置53的結(jié)構(gòu)中，也能夠發(fā)揮與圖2所示的半導(dǎo)體裝置1的結(jié)構(gòu)同樣的效果。<第六實(shí)施方式>圖11是本發(fā)明的第六實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖2的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。需要說明的是，在圖11中，對(duì)與圖2所示的部分各部相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注與所述各部標(biāo)注的參照符號(hào)相同的參照符號(hào)。并且，以下，省略對(duì)標(biāo)注有相同參照符號(hào)的部分的說明。在半導(dǎo)體裝置57中省略了覆蓋半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4的遮光膜18及覆蓋半導(dǎo)體芯片2的背面5的背面被覆膜19。圖12A 圖12G是按工序順序表示圖11所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意剖視圖。需要說明的是，在圖12A 圖12G中，對(duì)與圖3A 圖3L所示的部分各部相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注與所述各部標(biāo)注的參照符號(hào)相同的參照符號(hào)。半導(dǎo)體裝置57的制造在半導(dǎo)體芯片2被切分成單片前的晶片20的狀態(tài)進(jìn)行。在半導(dǎo)體芯片2 (晶片20)的表面上形成有鈍化膜6。首先，如圖12A所示，通過光刻法及蝕刻法在鈍化膜6上形成多個(gè)焊盤開口 8。接下來，如圖12B所示，在各電極焊盤7上形成有柱狀的柱體12。柱體12例如通過如下方式形成，即，在鈍化膜6上形成具有與形成柱體12的部分對(duì)應(yīng)的開口的掩模后， 在該掩模的開口內(nèi)鍍敷作為柱體12的材料的銅而使其成長(zhǎng)，然后除去掩模而形成柱體12。 此外，柱體12也可以以如下方式形成，即，在鈍化膜6及電極焊盤7上通過鍍敷法形成銅膜 (未圖示)，然后，通過光刻法及蝕刻法選擇性地除去銅膜而形成柱體12。接下來，如圖12C所示，向鈍化膜6上供給作為密封樹脂層9的材料的液狀的樹脂 (例如，環(huán)氧樹脂)。液狀的樹脂被供給至埋沒柱體12的高度(將柱體12完全覆蓋的高度)。然后，通過進(jìn)行使樹脂固化的處理，從而在鈍化膜6上形成密封樹脂層9。然后，從密封樹脂層9的表面?zhèn)葘?duì)其進(jìn)行研磨。該密封樹脂層9的研磨持續(xù)到柱體12的前端面13從密封樹脂層9的表面10露出。如圖12D所示，該研磨的結(jié)果是得到與密封樹脂層9的表面10成為同一平面的柱體12的前端面13。接下來，通過使切割刃21從半導(dǎo)體芯片2的表面?zhèn)冗M(jìn)入，從而如圖12E所示，在沿著各半導(dǎo)體芯片2的周緣設(shè)定的切割線上形成從密封樹脂層9的表面下挖的槽58。槽58 下挖至貫通密封樹脂層9及鈍化膜6且其底面到達(dá)半導(dǎo)體芯片2的表面3的深度。由此， 各柱體12的側(cè)面16在槽58的內(nèi)表面露出。
然后，如圖12F所示，在柱體12的前端面13上配置焊料球17。焊料球17通過其濕潤(rùn)性而擴(kuò)展至柱體12的側(cè)面16。由此，柱體12的前端面13及側(cè)面16被焊料球17覆蓋。然后，在切割帶(未圖示)的粘結(jié)面上配置有焊料球17且切割帶上支承有晶片20的狀態(tài)下，從半導(dǎo)體芯片2的背面5側(cè)使具有與切割刃21相同的刃寬的切割刃59沿切割線上進(jìn)入。然后，晶片20被從背面5側(cè)下挖，如圖12G所示，晶片20被單片化成各半導(dǎo)體芯片2。然后，在除去切割帶后得到圖11所示的半導(dǎo)體裝置57。在該半導(dǎo)體裝置57的結(jié)構(gòu)中，也能夠發(fā)揮與圖2所示的半導(dǎo)體裝置1的結(jié)構(gòu)同樣的效果。<第七實(shí)施方式>圖13是本發(fā)明的第七實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖2的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。需要說明的是，在圖13中，對(duì)與圖2所示的部分各部相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注與所述各部標(biāo)注的參照符號(hào)相同的參照符號(hào)。并且，以下，省略對(duì)標(biāo)注有相同參照符號(hào)的部分的說明。在圖1所示的半導(dǎo)體裝置1中，焊料球17形成為大致球形狀。相對(duì)于此，在圖13 所示的半導(dǎo)體裝置60中，在焊料球61上形成有與密封樹脂層9的側(cè)面11及柱體12的側(cè)面16平行的球側(cè)面62。具體而言，焊料球61繞入柱體12的側(cè)面16并將該部分覆蓋。該被覆部分63形成為沿著柱體12的側(cè)面16平行延伸的薄膜狀。并且，該被覆部分63的外側(cè)(半導(dǎo)體芯片 2的周緣側(cè))的側(cè)面成為球側(cè)面62。此外，在半導(dǎo)體裝置60中，省略了覆蓋半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面4的遮光膜18及覆蓋半導(dǎo)體芯片2的背面5的背面被覆膜19。圖14A 圖14B是圖13所示的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的示意剖視圖。在圖12A 圖12E所示的工序后繼續(xù)進(jìn)行圖14A 圖14B所示的工序。在通過圖12E所示的工序形成從密封樹脂層9的表面下挖的槽58后，如圖14A所示，在柱體12的前端面13上配置焊料球61。焊料球61通過其的濕潤(rùn)性擴(kuò)展至柱體12的側(cè)面16。由此，柱體12的前端面13及側(cè)面16被焊料球61覆蓋。并且，在切割帶(未圖示)的粘結(jié)面上粘接有半導(dǎo)體芯片2的背面5且在切割帶上支承有晶片20的狀態(tài)下使切割刃64從晶片20的表面3側(cè)進(jìn)入槽58內(nèi)。然后，將晶片20從表面3側(cè)下挖，如圖14B所示，晶片20被單片化成各半導(dǎo)體芯片2。此時(shí)，焊料球61中的與切割線重疊的部分隨著切割刃64的進(jìn)入而被切斷。由此，在焊料球61上形成球側(cè)面62。然后，在除去切割帶后得到圖13所示的半導(dǎo)體裝置60。在如此得到的半導(dǎo)體裝置60中也能夠發(fā)揮與圖2所示的半導(dǎo)體裝置1同樣的效^ ο以上，對(duì)本發(fā)明的第一 第七實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明也可以以其他方式實(shí)施。例如，如圖15所示，槽22的側(cè)面也可以形成為越靠半導(dǎo)體芯片2的表面3側(cè)其間隔越變寬的錐形狀。這樣的錐形狀的槽22例如可以通過在圖3E所示的工序中采用具有越接近刃尖其厚度越小的剖面大致二字狀的刃的切割刃來作為從半導(dǎo)體芯片2的表面3側(cè)進(jìn)入的切割刃 21。此外，在圖2所示的半導(dǎo)體裝置1中，舉出了作為遮光膜18的材料采用具有對(duì)紅外線的遮光性的金屬材料、作為背面被覆膜19的材料采用樹脂材料的結(jié)構(gòu)，但也可以作為遮光膜18的材料采用樹脂材料而作為背面被覆膜19的材料采用具有對(duì)紅外線的遮光性的金屬材料(例如，Pd、Ni、Ti、Cr及TiW)。這種情況下，作為遮光膜18的材料的樹脂材料優(yōu)選采用具有對(duì)紅外線的遮光性的樹脂材料，例如環(huán)氧樹脂、聚酰胺酰亞胺、聚酰胺、聚酰亞胺或苯酚等。此外，作為柱體12的材料例示出了銅，但作為柱體12的材料也可以采用金(Au) 或Ni(鎳)等金屬材料。此外，柱體12配制成呈沿著半導(dǎo)體芯片2的周緣的環(huán)狀地排列成一列，根據(jù)柱體 12的個(gè)數(shù)(銷數(shù))，柱體12也可以配置成呈沿著半導(dǎo)體芯片2的周緣的環(huán)狀地排列成多列。 例如，在設(shè)置有100根柱體12的情況下，柱體12也可以配置成呈沿著半導(dǎo)體芯片2的周緣的環(huán)狀地排列成五列。<第八實(shí)施方式>圖16是本發(fā)明的第八實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。圖17是本發(fā)明的第八實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示圖16的B-B切斷面處的剖面。半導(dǎo)體裝置71是適用了 WXSP的半導(dǎo)體裝置，具備半導(dǎo)體芯片72。半導(dǎo)體芯片 72例如為硅芯片，形成為俯視四邊形狀。在半導(dǎo)體芯片72的最靠表面的面上形成有鈍化膜(表面保護(hù)膜)73。鈍化膜73 例如由氧化硅或氮化硅構(gòu)成。此外，在半導(dǎo)體芯片72上形成有與形成在半導(dǎo)體芯片72上的元件電連接的多個(gè)電極焊盤74。鈍化膜73從各電極焊盤74的中央部上被除去。在鈍化膜73上形成有有機(jī)絕緣膜85。有機(jī)絕緣膜85例如由聚酰亞胺等有機(jī)材料構(gòu)成。在有機(jī)絕緣膜85上形成有用于使電極焊盤74露出的多個(gè)焊盤開口 75。多個(gè)電極焊盤74(焊盤開口 75)配置成呈沿著半導(dǎo)體芯片72的周緣的四方環(huán)狀排列成一列。在有機(jī)絕緣膜85上形成有多個(gè)再配線76。再配線76例如由鋁等金屬材料構(gòu)成。 各再配線76從電極焊盤74經(jīng)由焊盤開口 75向有機(jī)絕緣膜85上被引出，并沿著有機(jī)絕緣膜85的表面延伸。此外，在有機(jī)絕緣膜85上層疊有密封樹脂層77。密封樹脂層77例如由環(huán)氧樹脂構(gòu)成。密封樹脂層77覆蓋有機(jī)絕緣膜85及再配線76的表面，將半導(dǎo)體裝置71 (半導(dǎo)體芯片72)的表面?zhèn)让芊?。并且，密封樹脂?7的表面形成為平坦面，且其側(cè)面形成為與半導(dǎo)體芯片72的側(cè)面成為同一平面。在各再配線76上，圓柱狀的柱體78沿密封樹脂層77的厚度方向貫通密封樹脂層 77設(shè)置。柱體78例如由銅(Cu)構(gòu)成。此外，柱體78的前端面與密封樹脂層77的表面成為同一平面。在各柱體78的前端面上接合有作為外部連接端子的焊料球80。焊料球80經(jīng)由電極焊盤74、再配線76及柱體78與形成在半導(dǎo)體芯片72上的元件電連接。通過焊料球80與安裝基板上的焊盤(未圖示)連接，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置71向安裝基板的安裝。即，通過焊料球80與安裝基板上的焊盤連接，從而半導(dǎo)體裝置71支承在安裝基板上且安裝基板與半導(dǎo)體芯片72實(shí)現(xiàn)電連接。此外，半導(dǎo)體芯片72的側(cè)面的整個(gè)區(qū)域由遮光膜81覆蓋。遮光膜81由具有對(duì)紅外線的遮光性的金屬材料構(gòu)成。作為具有對(duì)紅外線的遮光性的金屬材料例如可以例示出 Pd(鈀)、Ni(鎳)、Ti(鈦)、Cr(鉻)及TiW(鈦-鎢合金)等。遮光膜81的厚度例如為 0. Iym以上ΙΟμ 以下。此外，半導(dǎo)體芯片72的背面的整個(gè)區(qū)域由背面被覆膜82覆蓋。背面被覆膜82例如由環(huán)氧樹脂、聚酰胺酰亞胺、聚酰胺、聚酰亞胺或苯酚等的樹脂材料構(gòu)成。背面被覆膜82 的厚度例如為3 μ m以上100 μ m以下。圖18A 圖18J是按照工序順序表示圖17所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意剖視圖。半導(dǎo)體裝置71的制造在半導(dǎo)體芯片72被切分成單片前的晶片的狀態(tài)下進(jìn)行。在半導(dǎo)體芯片72(晶片)的表面上形成有鈍化膜73。在鈍化膜73上形成有有機(jī)絕緣膜85。首先，如圖18A所示，通過光刻法及蝕刻法在有機(jī)絕緣膜85上形成多個(gè)焊盤開口 75。接下來，在從有機(jī)絕緣膜85及各焊盤開口 75露出的電極焊盤74上上形成由再配線76的材料構(gòu)成的鍍敷層，并且如圖18B所示，通過光刻法及蝕刻法將該鍍敷層圖案化在多個(gè)再配線76上。然后，如圖18C所示，在各再配線76上形成圓柱狀的柱體78。柱體78例如可以通過以下方式形成，即，在有機(jī)絕緣膜85及再配線76上形成具有與形成柱體78的部分對(duì)應(yīng)的開口的掩模后，在該掩模的開口內(nèi)鍍敷作為柱體78的材料的銅并使其成長(zhǎng)，然后除去掩模而形成柱體78。此外，柱體78也可以通過鍍敷法在有機(jī)絕緣膜85及再配線76上形成銅膜(未圖示)，然后通過光刻法及蝕刻法選擇性地除去銅膜而形成。接下來，向有機(jī)絕緣膜85上供給作為密封樹脂層77的材料的液狀的樹脂(例如， 環(huán)氧樹脂)。液狀的樹脂被供給至埋沒柱體78的高度。然后，在進(jìn)行使樹脂固化的處理后， 從密封樹脂層77的表面?zhèn)葘?duì)其進(jìn)行研磨。如圖18D所示，該密封樹脂層77的研磨持續(xù)至柱體78的前端面與密封樹脂層77的表面成為同一平面。接下來，通過使切割刃(未圖示)從半導(dǎo)體芯片72的表面?zhèn)冗M(jìn)入，從而如圖18E 所示，在沿著各半導(dǎo)體芯片72的周緣設(shè)定的切割線上形成從密封樹脂層77的表面下挖的槽83。槽83被下挖至其底面到達(dá)半導(dǎo)體芯片72的背面的附近的位置的深度。此外，槽83 形成為其側(cè)面間的寬度在其深度方向上固定。然后，如圖18F所示，在槽83的內(nèi)表面的整個(gè)區(qū)域覆蓋遮光膜81。遮光膜81例如可以通過將由遮光膜81的材料構(gòu)成的金屬蒸鍍?cè)诓?3的內(nèi)表面上形成，也可以通過非電解鍍敷形成。接下來，如圖18G所示，在柱體78的前端面上配置焊料球80。接下來，如圖18H所示，在切割帶84的粘結(jié)面上配置焊料球80，在切割帶84上支承晶片。并且，從半導(dǎo)體芯片72(晶片)的背面?zhèn)葘?duì)其進(jìn)行研磨。如圖181所示，該半導(dǎo)體芯片72的研磨進(jìn)行至半導(dǎo)體芯片72中的形成在槽83的下方的部分完全被除去，槽83的內(nèi)側(cè)與半導(dǎo)體芯片72的背面?zhèn)冗B通。此時(shí)，遮光膜81中的覆蓋在槽83的底面上的部分被除去。然后，如圖18J所示，在半導(dǎo)體芯片72(晶片)的背面的整個(gè)區(qū)域上形成背面被覆膜82。背面被覆膜82例如可以通過將樹脂材料涂敷(旋轉(zhuǎn)涂敷)在晶片的背面的整個(gè)區(qū)域并使該樹脂材料固化形成。此外，背面被覆膜82也可以通過將形成為膜狀的樹脂膜貼附在晶片的背面的整個(gè)區(qū)域上形成。然后，使用切割刃(未圖示)在切割線上切斷背面被覆膜82，將晶片單片化成各半導(dǎo)體芯片72。切割刃(未圖示)具有與在圖18E所示的工序中為了形成槽83而使用的切割刃相同的厚度。然后，在除去切割帶84后得到圖17所示的半導(dǎo)體裝置71。如上所述，在半導(dǎo)體裝置71中，半導(dǎo)體芯片72的側(cè)面被遮光膜81覆蓋，該遮光膜 81由具有對(duì)紅外線的遮光性的材料構(gòu)成。由此，能夠防止紅外線從半導(dǎo)體芯片72的側(cè)面進(jìn)入其內(nèi)部。此外，在半導(dǎo)體芯片72的表面上層疊有密封樹脂層77，且半導(dǎo)體芯片72的背面由背面被覆膜82覆蓋，因此紅外線不會(huì)從半導(dǎo)體芯片72的表面及背面向內(nèi)部進(jìn)入。因此， 紅外線不會(huì)向半導(dǎo)體芯片72的內(nèi)部進(jìn)入，因此能夠防止因紅外線的進(jìn)入引起的IC的誤動(dòng)作等不良情況的發(fā)生?！吹诰艑?shí)施方式〉圖19是本發(fā)明的第九實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖17 的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。需要說明的是，在圖19中，對(duì)與圖17所示的部分各部相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注與所述各部標(biāo)注的參照符號(hào)相同的參照符號(hào)。并且，以下省略對(duì)標(biāo)注有相同參照符號(hào)的部分的說明。在圖17所示的半導(dǎo)體裝置71中，半導(dǎo)體芯片72的側(cè)面的整個(gè)區(qū)域被由金屬材料構(gòu)成的遮光膜81覆蓋。相對(duì)于此，在圖19所示的半導(dǎo)體裝置86中，半導(dǎo)體芯片72的側(cè)面的整個(gè)區(qū)域由密封樹脂層87覆蓋。即，層疊在有機(jī)絕緣膜85上的密封樹脂層87覆蓋有機(jī)絕緣膜85及再配線76的表面、及半導(dǎo)體芯片72的側(cè)面的整個(gè)區(qū)域，將半導(dǎo)體裝置86 (半導(dǎo)體芯片72)的表面及側(cè)面密封。密封樹脂層87中的覆蓋半導(dǎo)體芯片72的側(cè)面的部分成為用于防止紅外線向半導(dǎo)體芯片72的內(nèi)部進(jìn)入的遮光膜88。遮光膜88例如形成為5 μ m 以上50 μ m以下的厚度。圖20A 圖20H是按照工序順序表示圖19所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意剖視圖。需要說明的是，在圖20A 圖20H中，對(duì)與圖18A 圖18J所示的部分各部相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注與所述各部標(biāo)注的參照符號(hào)相同的參照符號(hào)。半導(dǎo)體裝置86的制造在半導(dǎo)體芯片72被切分成單片前的晶片的狀態(tài)下進(jìn)行。在半導(dǎo)體芯片72(晶片)的表面上形成有鈍化膜73。在鈍化膜73上形成有有機(jī)絕緣膜85。首先，如圖20A所示，通過光刻法及蝕刻法在有機(jī)絕緣膜85上形成有多個(gè)焊盤開 Π 75。接下來，在從有機(jī)絕緣膜85及各焊盤開口 75露出的電極焊盤74上形成由再配線 76的材料構(gòu)成的鍍敷層，如圖20Β所示，通過光刻法及蝕刻法將該鍍敷層圖案化在多個(gè)再配線76上。然后，如圖20C所示，在各再配線76上形成圓柱狀的柱體78。柱體78例如可以通過以下方式形成，即，在有機(jī)絕緣膜85及再配線76上形成具有與形成柱體78的部分對(duì)應(yīng)的開口的掩模后，在該掩模的開口內(nèi)鍍敷作為柱體78的材料的銅并使其成長(zhǎng)，然后除去掩模而形成柱體78。此外，柱體78也可以通過鍍敷法在有機(jī)絕緣膜85及再配線76上形成銅膜(未圖示)，然后通過光刻法及蝕刻法選擇性地除去銅膜而形成。接下來，通過使切割刃(未圖示)從半導(dǎo)體芯片72的表面?zhèn)冗M(jìn)入，從而如圖20D 所示，在沿著各半導(dǎo)體芯片72的周緣設(shè)定的切割線上形成槽89。槽89被下挖至其底面到達(dá)半導(dǎo)體芯片72的背面的附近的位置的深度。此外，槽89形成為其側(cè)面間的寬度在其深度方向上固定。接下來，向有機(jī)絕緣膜85上及槽89的內(nèi)部供給作為密封樹脂層87的材料的液狀的樹脂(例如，環(huán)氧樹脂)。液狀的樹脂被供給至將槽89的內(nèi)部完全埋住而埋沒柱體78的高度。并且，在進(jìn)行用于使樹脂固化的處理后，從密封樹脂層87的表面?zhèn)葘?duì)其進(jìn)行研磨。如圖20E所示，該密封樹脂層87的研磨持續(xù)至柱體78的前端面與密封樹脂層87的表面成為
同一平面。并且，從半導(dǎo)體芯片72(晶片)的背面?zhèn)葘?duì)其進(jìn)行研磨。如圖20F所示，該半導(dǎo)體芯片72的研磨進(jìn)行至半導(dǎo)體芯片72中的形成在槽89的下方的部分被完全除去，將槽89 內(nèi)完全埋住的密封樹脂層87的下端部在半導(dǎo)體芯片72的背面?zhèn)嚷冻?。然后，如圖20G所示，在半導(dǎo)體芯片72(晶片)的背面的整個(gè)區(qū)域上形成背面被覆膜82。背面被覆膜82例如可以通過將樹脂材料涂敷(旋轉(zhuǎn)涂敷)在半導(dǎo)體晶片的背面的整個(gè)區(qū)域上并使該樹脂材料固化而形成。此外，背面被覆膜82也可以通過將形成為薄膜狀的樹脂膜貼附在半導(dǎo)體芯片72(晶片)的背面的整個(gè)區(qū)域上形成。接下來，如圖20H所示，在各柱體78的前端面上配置焊料球80。然后，使用切割刃 (未圖示)在切割線上切斷背面被覆膜82及密封樹脂層87。切割刃使用厚度比在圖20D 所示的工序中為了形成槽89而使用的切割刃的厚度小的切割刃。由此，在槽89的內(nèi)表面 (半導(dǎo)體芯片72的側(cè)面)殘留有密封樹脂層87，該殘留的部分成為遮光膜88。在這樣得到的半導(dǎo)體裝置86的結(jié)構(gòu)中，也能夠發(fā)揮與圖17所示的半導(dǎo)體裝置71 的結(jié)構(gòu)同樣的效果。<第十實(shí)施方式>圖21是本發(fā)明的第十實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖17 的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。需要說明的是，在圖21中，對(duì)與圖17所示的部分各部相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注與所述各部標(biāo)注的參照符號(hào)相同的參照符號(hào)。并且，以下省略對(duì)標(biāo)注有相同參照符號(hào)的部分的說明。在圖17所示的半導(dǎo)體裝置71中，由金屬材料構(gòu)成的遮光膜81和由樹脂材料構(gòu)成的背面被覆膜82分開形成。相對(duì)于此，在圖21所示的半導(dǎo)體裝置90中，半導(dǎo)體芯片72的側(cè)面及背面的整個(gè)區(qū)域由保護(hù)膜91覆蓋。換言之，保護(hù)膜91 一體地具備覆蓋半導(dǎo)體芯片 72的側(cè)面的整個(gè)區(qū)域的遮光膜92和覆蓋半導(dǎo)體芯片72的背面的整個(gè)區(qū)域的背面被覆膜 93。保護(hù)膜91由具有對(duì)紅外線的遮光性的金屬材料構(gòu)成的。作為具有對(duì)紅外線的遮光性的金屬材料例如可以例示出Pd、Ni、Ti、Cr及TiW等。保護(hù)膜91中的成為遮光膜92的部分的厚度例如為0. 1 μ m以上10 μ m以下。此外，保護(hù)膜91中的成為背面被覆膜93的部分的厚度例如為5 μ m以上50 μ m以下。圖22A 圖221是按照工序表示圖21所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意剖視圖。需要說明的是，在圖22A 圖221中，對(duì)與圖18A 圖18J所示的部分各部相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注與所述各部標(biāo)注的參照符號(hào)相同的參照符號(hào)。半導(dǎo)體裝置90的制造在半導(dǎo)體芯片72被切分成單片前的晶片的狀態(tài)下進(jìn)行。在半導(dǎo)體芯片72(晶片)的表面上形成有鈍化膜73。在鈍化膜73上形成有有機(jī)絕緣膜85。首先，如圖22A所示，通過光刻法及蝕刻法在有機(jī)絕緣膜85上形成多個(gè)焊盤開口 75。 接下來，在從有機(jī)絕緣膜85及各焊盤開口 75露出的電極焊盤74上形成由再配線 76的材料構(gòu)成的鍍敷層，如圖22B所示，通過光刻法及蝕刻法將該鍍敷層圖片化在多個(gè)再配線76上。然后，如圖22C所示，在各再配線76上形成圓柱狀的柱體78。柱體78例如可以通過以下方式形成，即，在有機(jī)絕緣膜85及再配線76上形成具有與形成柱體78的部分對(duì)應(yīng)的開口的掩模后，在該掩模的開口內(nèi)鍍敷作為柱體78的材料的銅并使其成長(zhǎng)，然后除去掩模而形成柱體78。此外，柱體78也可以通過鍍敷法在有機(jī)絕緣膜85及再配線76上形成銅膜(未圖示)，然后通過光刻法及蝕刻法選擇性地除去銅膜而形成。接下來，向有機(jī)絕緣膜85上供給作為密封樹脂層77的材料的液狀的樹脂(例如， 環(huán)氧樹脂)。液狀的樹脂被供給至埋沒柱體78的高度。并且，在進(jìn)行用于使樹脂固化的處理后，從密封樹脂層77的表面?zhèn)葘?duì)其進(jìn)行研磨。如圖22D所示，該密封樹脂層77的研磨持續(xù)至柱體78的前端面與密封樹脂層77的表面成為同一平面。接下來，使切割刃(未圖示)從半導(dǎo)體芯片72的表面?zhèn)冗M(jìn)入，如圖22E所示，在沿著各半導(dǎo)體芯片72的周緣設(shè)定的切割線上形成從密封樹脂層77的表面下挖的槽83。然后，如圖22F所示，在柱體78的前端面上配置焊料球80。接下來，如圖22G所示，在切割帶84的粘結(jié)面上配置焊料球80，在切割帶84上支承晶片。然后，從半導(dǎo)體芯片72(晶片)的背面?zhèn)葘?duì)其進(jìn)行研磨。如圖22H所示，該半導(dǎo)體芯片72的研磨進(jìn)行至半導(dǎo)體芯片72中的形成在槽83的下方的部分被完全除去，槽83的內(nèi)側(cè)與半導(dǎo)體芯片72的背面?zhèn)冗B通。然后，如圖221所示，在半導(dǎo)體芯片72 (晶片)的背面的整個(gè)區(qū)域及半導(dǎo)體芯片72 中的面向槽83的側(cè)面的部分的整個(gè)區(qū)域上覆蓋保護(hù)膜91。保護(hù)膜91例如可以通過將由保護(hù)膜91的材料構(gòu)成的金屬蒸鍍?cè)诎雽?dǎo)體芯片72的背面及槽83的側(cè)面上形成，也可以通過非電解鍍敷形成。并且，在取下切割帶84后得到圖21所示的半導(dǎo)體裝置90。在該半導(dǎo)體裝置90的結(jié)構(gòu)中也能夠發(fā)揮與圖17所示的半導(dǎo)體裝置71的結(jié)構(gòu)同樣的效果。〈第—^一實(shí)施方式〉圖23是本發(fā)明的第十一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖 17的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。需要說明的是，在圖23中，對(duì)與圖17所示的各部相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注與所述各部標(biāo)注的參照符號(hào)相同的參照符號(hào)。并且，以下省略對(duì)標(biāo)注有相同參照符號(hào)的部分的說明。在半導(dǎo)體裝置94中，覆蓋半導(dǎo)體芯片72的側(cè)面的遮光膜95具有由金屬材料構(gòu)成的金屬層96與由樹脂材料構(gòu)成的樹脂層97的層疊構(gòu)造。金屬層96例如由Pd、Ni、Ti、Cr或TiW構(gòu)成。此外，樹脂層97例如由環(huán)氧樹脂、聚酰胺酰亞胺、聚酰胺、聚酰亞胺或苯酚等的樹脂材料構(gòu)成。具有這樣的遮光膜95的半導(dǎo)體裝置94通過接著圖18A 圖18C所示的工序進(jìn)行以下說明的工序而獲得。首先，通過使切割刃(未圖示)從半導(dǎo)體芯片72的表面?zhèn)冗M(jìn)入，從而在沿著各半導(dǎo)體芯片72的周緣設(shè)定的切割線上形成槽83。槽83下挖至其底面到達(dá)半導(dǎo)體芯片72的背面的附近的位置的深度。此外，槽83形成為其側(cè)面間的寬度在其深度方向上一定。接下來，在槽83的內(nèi)表面的整個(gè)區(qū)域上覆蓋金屬層96。金屬層96例如通過將由金屬層96的材料構(gòu)成的金屬蒸鍍?cè)诓?3的內(nèi)表面上形成，也可以通過非電解鍍敷形成。然后，向該金屬層96上及包括有機(jī)絕緣膜85的半導(dǎo)體芯片72上供給作為密封樹脂層77的材料的液狀的樹脂。液狀的樹脂供給至將槽83內(nèi)完全埋住且埋沒柱體78的高度。并且，在進(jìn)行用于使樹脂固化的處理后，從密封樹脂層77的表面?zhèn)葘?duì)其進(jìn)行研磨。接下來，在柱體78的前端面上配置焊料球80。接下來，在切割帶84的粘結(jié)面上配置焊料球80，在切割帶84上支承晶片。然后，從半導(dǎo)體芯片72 (晶片)的背面?zhèn)葘?duì)其進(jìn)行研磨。該半導(dǎo)體芯片72的研磨進(jìn)行至半導(dǎo)體芯片72中的形成在槽83的下方的部分被完全除去，且密封樹脂層77中的形成在槽83內(nèi)的部分在半導(dǎo)體芯片72的背面?zhèn)嚷冻?。此時(shí)，金屬層96中的覆蓋在槽83的底面的部分被除去。然后，在半導(dǎo)體芯片72(晶片)的背面的整個(gè)區(qū)域形成有背面被覆膜82。背面被覆膜82例如可以通過將樹脂材料涂敷(旋轉(zhuǎn)涂敷)在晶片的背面的整個(gè)區(qū)域并使該樹脂材料而形成。此外，背面被覆膜82也可以通過將形成為膜狀的樹脂膜貼附在晶片的背面的整個(gè)區(qū)域上形成。接著，使用切割刃(未圖示)在切割線上切斷背面被覆膜82及密封樹脂層77。切割刃使用厚度比為了形成槽83而使用的切割刃的厚度小的切割刃。由此，在金屬層96的表面殘留有密封樹脂層77，該殘留的部分成為樹脂層97。然后，在除去切割帶84后得到圖 23所示的半導(dǎo)體裝置94。在這樣得到的半導(dǎo)體裝置94的結(jié)構(gòu)中也能夠發(fā)揮與圖17所示的半導(dǎo)體裝置71 的結(jié)構(gòu)同樣的效果。<第十二實(shí)施方式>圖M是本發(fā)明的第十二實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖，表示與圖 17的半導(dǎo)體裝置的剖面在同一切斷面處的剖面。需要說明的是，在圖M中，對(duì)與圖17所示的各部相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注與所述各部標(biāo)注的參照符號(hào)相同的參照符號(hào)。并且，以下省略對(duì)標(biāo)注有相同參照符號(hào)的部分的說明。在半導(dǎo)體裝置79中，密封樹脂層77繞入半導(dǎo)體芯片72的側(cè)面，成為覆蓋該側(cè)面的側(cè)面被覆膜98。此外，在密封樹脂層77的更外側(cè)(半導(dǎo)體芯片72的周緣側(cè))形成有金屬膜99。由此，半導(dǎo)體芯片72的側(cè)面由側(cè)面被覆膜98及金屬膜99覆蓋，通過側(cè)面被覆膜 98及金屬膜99形成遮光膜。金屬膜99例如由Pd、Ni、Ti、Cr或TiW構(gòu)成。在這樣的半導(dǎo)體裝置79的結(jié)構(gòu)中也能夠發(fā)揮與圖17所示的半導(dǎo)體裝置71的結(jié)構(gòu)同樣的效果。
以上，對(duì)本發(fā)明的第八 第十二實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明也可以通過其他的方式實(shí)施。例如，如圖25所示，槽83的側(cè)面也可以形成為越靠半導(dǎo)體芯片72的表面?zhèn)绕溟g隔越寬的錐形狀。這樣的錐形狀的槽83例如可以通過在圖18E所示的工序中采用具有越接近刃尖其厚度越小的剖面大致二字狀的刃的切割刃來作為從半導(dǎo)體芯片72的表面?zhèn)冗M(jìn)入的切割刃。此外，在圖17所示的半導(dǎo)體裝置71中，舉出了作為遮光膜81的材料采用具有對(duì)紅外線的遮光性的金屬材料而作為背面被覆膜82的材料采用樹脂材料的結(jié)構(gòu)，但也可以作為遮光膜81的材料采用樹脂材料而作為背面被覆膜82的材料采用具有對(duì)紅外線的遮光性的金屬材料(例如，Pd、Ni、Ti、Cr及TiW)。這種情況下，作為遮光膜81的材料的樹脂材料優(yōu)選采用具有對(duì)紅外線的遮光性的樹脂材料，例如、環(huán)氧樹脂、聚酰胺酰亞胺、聚酰胺、聚酰亞胺或苯酚等。本發(fā)明的實(shí)施方式僅是為了明確本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容而使用的具體例，本發(fā)明不應(yīng)局限于所述的具體例來進(jìn)行解釋，本發(fā)明的精神及范圍僅由另附的權(quán)利要求書限定。此外，在本發(fā)明的各實(shí)施方式中表述的構(gòu)成要件可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)進(jìn)行組
I=I O本申請(qǐng)與在2009年11月10日向日本國專利廳提出的特愿2009-256876號(hào)及在 2009年11月沈日向日本國專利廳提出的特愿2009-268533號(hào)對(duì)應(yīng)，上述申請(qǐng)的全部公開內(nèi)容通過引用于此被納入。符號(hào)說明L···半導(dǎo)體裝置，2…半導(dǎo)體芯片，3…(半導(dǎo)體芯片的)表面，4…(半導(dǎo)體芯片的) 側(cè)面，5···(半導(dǎo)體芯片的)背面，7···電極焊盤，8…焊盤開口，9…密封樹脂層，10…(密封樹脂層的)表面，11···(密封樹脂層的)側(cè)面，12···柱體，13···(柱體的)前端面，14…(柱體的)側(cè)面，15…(柱體的)圓弧面，16…(柱體的)平坦面(側(cè)面)，17…焊料球，18…遮光膜，19···背面被覆膜，20···晶片，22···槽，23···(遮光膜的)第一部分，24···(遮光膜的) 第二部分，25···保護(hù)層，31···半導(dǎo)體裝置，32···遮光膜，34···槽，35…樹脂材料層，41···半導(dǎo)體裝置，42···保護(hù)膜，43···遮光膜，44…背面被覆膜，45···半導(dǎo)體裝置，46…遮光膜，47···金屬層，48···樹脂層，49···樹脂材料層，50···(金屬層的)第一部分，51···(金屬層的)第二部分，53···半導(dǎo)體裝置』4…遮光膜，55···樹脂層，56…金屬層，57···半導(dǎo)體裝置，58…槽， 60…半導(dǎo)體裝置，61···焊料球，62···球側(cè)面，63···被覆部分，71···半導(dǎo)體裝置，72···半導(dǎo)體芯片，74···電極焊盤，75…焊盤開口，77…密封樹脂層，78…柱體，79…半導(dǎo)體裝置，80···焊料球，81···遮光膜，82…背面被覆膜，83…槽，86…半導(dǎo)體裝置，87…密封樹脂層，88···遮光膜，89···槽，90···半導(dǎo)體裝置，91···保護(hù)膜，92···遮光膜，93···背面被覆膜，94···半導(dǎo)體裝置， 95…遮光膜，96···金屬層，97···樹脂層，98···側(cè)面被覆膜，99···金屬膜。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其中，包括 半導(dǎo)體芯片，其具有表面及背面；密封樹脂層，其層疊在所述半導(dǎo)體芯片的所述表面上；柱體，其沿厚度方向貫通所述密封樹脂層，且具有與所述密封樹脂層的側(cè)面成為同一平面的側(cè)面及與所述密封樹脂層的表面成為同一平面的前端面； 外部連接端子，其設(shè)置在所述柱體的所述前端面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述外部連接端子跨越所述柱體的所述前端面和所述柱體的所述側(cè)面形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 沿著所述半導(dǎo)體芯片的周緣設(shè)置有多個(gè)所述柱體，所有的所述柱體的所述側(cè)面與所述密封樹脂層的所述側(cè)面成為同一平面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，還包括鈍化膜，其設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片與所述密封樹脂層之間，且具有多個(gè)焊盤開口 ；電極焊盤，其從各所述焊盤開口露出，所述柱體進(jìn)入所述焊盤開口內(nèi)，且與所述電極焊盤連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述柱體的所述側(cè)面包括與所述密封樹脂層接觸的俯視C字狀的圓弧面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述柱體由Cu構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述外部連接端子包括形成為大致球形狀的焊料球，該焊料球從所述柱體的所述前端面繞入所述柱體的所述側(cè)面中的從所述密封樹脂層露出的部分，并將該部分覆蓋。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述焊料球具有覆蓋所述柱體的所述側(cè)面中的從所述密封樹脂層露出的部分的被覆部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述焊料球的所述被覆部分形成為沿著所述柱體的所述側(cè)面平行延伸的薄膜狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，還包括 背面被覆膜，其覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的所述背面；遮光膜，其由對(duì)紅外線具有遮光性的材料構(gòu)成，且覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述背面被覆膜由金屬材料構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述遮光膜由金屬材料構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述遮光膜及所述背面被覆膜一體形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述遮光膜由樹脂材料構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述遮光膜具有由樹脂材料構(gòu)成的層和由金屬材料構(gòu)成的層的層疊構(gòu)造。
16.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述金屬材料是從由Pd、Ni、Ti、Cr及TiW構(gòu)成的組中選擇的一種。
17.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述樹脂材料是從由環(huán)氧樹脂、聚酰胺酰亞胺、聚酰胺、聚酰亞胺及苯酚構(gòu)成的組中選擇的一種。
18.根據(jù)權(quán)利要求10至17中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述背面被覆膜的厚度為3 μ m 100 μ m。
19.根據(jù)權(quán)利要求10至18中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述遮光膜的厚度為0. 1 μ m 10 μ m。
20.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，包括在具有表面及背面的多個(gè)半導(dǎo)體芯片形成為作為其集合體的半導(dǎo)體晶片的狀態(tài)下，在各所述半導(dǎo)體芯片的所述表面上形成柱狀的柱體的柱體形成工序；在所述半導(dǎo)體晶片的所述表面上形成密封樹脂層的密封工序，其中該密封樹脂層具有與所述柱體的前端面成為同一平面的表面；在所述密封工序后，在沿著所述半導(dǎo)體芯片的周緣設(shè)定的切割線上形成從所述密封樹脂層的所述表面下挖的槽，并使所述柱體的側(cè)面作為該槽的內(nèi)表面的一部分而露出的槽形成工序；在所述槽形成工序后，在所述柱體的所述前端面上形成相對(duì)于所述密封樹脂層的所述表面鼓起的端子的端子形成工序；在所述端子形成工序后，將所述半導(dǎo)體晶片沿著所述切割線分割成各所述半導(dǎo)體芯片的工序。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 所述密封工序包括在所述半導(dǎo)體晶片的所述表面上以將所述柱體完全覆蓋的方式形成密封樹脂層的樹脂被覆工序；對(duì)所述密封樹脂層進(jìn)行研磨直至所述柱體的所述前端面從所述密封樹脂層露出的研磨工序。
22.根據(jù)權(quán)利要求20或21所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，分割成所述半導(dǎo)體芯片的工序包括從所述半導(dǎo)體晶片的所述背面下挖所述半導(dǎo)體晶片，從而使所述槽的內(nèi)側(cè)與所述半導(dǎo)體晶片的所述背面?zhèn)冗B通的切割工序。
23.根據(jù)權(quán)利要求20或21所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，分割成所述半導(dǎo)體芯片的工序包括從所述槽的內(nèi)側(cè)下挖所述半導(dǎo)體晶片，從而使所述槽的內(nèi)側(cè)與所述半導(dǎo)體晶片的所述背面?zhèn)冗B通的切割工序。
24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，還包括在所述端子形成工序前，通過在所述槽的內(nèi)表面上覆蓋對(duì)紅外線具有遮光性的遮光性材料而在作為所述槽的所述內(nèi)表面的一部分露出的所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面上形成遮光膜的工序；在所述端子形成工序后，通過從所述背面?zhèn)妊心ニ霭雽?dǎo)體晶片，從而使形成有所述遮光膜的所述槽貫通至所述半導(dǎo)體晶片的所述背面?zhèn)鹊谋趁嫜心スば?；在通過所述背面研磨工序而露出的所述半導(dǎo)體晶片的所述背面上形成覆蓋該背面的背面被覆膜的工序。
25.根據(jù)權(quán)利要求M所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 形成所述遮光膜的工序包括在作為所述槽的所述內(nèi)表面的一部分而露出的所述柱體的所述側(cè)面及所述半導(dǎo)體芯片的所述側(cè)面的整個(gè)區(qū)域上形成所述遮光膜的工序；通過由相對(duì)于該遮光膜具有蝕刻選擇比的材料構(gòu)成的保護(hù)層覆蓋所述遮光膜中的所述半導(dǎo)體芯片的所述側(cè)面上的第一部分的工序；在通過所述保護(hù)層保護(hù)所述遮光膜的第一部分的狀態(tài)下，選擇性地除去所述遮光膜中的所述柱體的所述側(cè)面上的第二部分的工序；在除去所述遮光膜的所述第二部分后，將所述保護(hù)層完全除去的工序。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，形成所述背面被覆膜的工序包括形成將多個(gè)所述半導(dǎo)體芯片的所述背面一并覆蓋的膜的工序，分割成所述半導(dǎo)體芯片的工序包括在所述切割線上將一并覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的所述背面的所述背面被覆膜切斷的工序。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，形成所述背面被覆膜的工序包括形成分別覆蓋多個(gè)所述半導(dǎo)體芯片的所述背面的膜的工序，所述背面研磨工序兼作為分割成所述半導(dǎo)體芯片的工序。
28.根據(jù)權(quán)利要求M所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 形成所述遮光膜的工序包括在作為所述槽的所述內(nèi)表面的一部分而露出的所述柱體的所述側(cè)面及所述半導(dǎo)體芯片的所述側(cè)面的整個(gè)區(qū)域上形成第一遮光膜的工序；通過由相對(duì)于第一遮光膜具有蝕刻選擇比及對(duì)紅外線具有遮光性的材料構(gòu)成的第二遮光膜覆蓋所述第一遮光膜中的所述半導(dǎo)體芯片的所述側(cè)面上的第一部分的工序；在通過所述第二遮光膜保護(hù)所述第一遮光膜的所述第一部分的狀態(tài)下，選擇性地除去所述第一遮光膜中的所述柱體的所述側(cè)面上的第二部分的工序；在除去所述第一遮光膜的所述第二部分后，通過選擇性地除去所述第二遮光膜，從而形成具有所述第一遮光膜和所述第二遮光膜的層疊構(gòu)造的所述遮光膜的工序。
29.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述第一遮光膜及所述第二遮光膜中的一方由金屬材料構(gòu)成，另一方由樹脂材料構(gòu)成。
30.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，還包括在所述密封工序前以沿著應(yīng)當(dāng)形成所述槽的線的方式形成具有與所述槽相同形狀的臨時(shí)槽的工序，所述密封工序包括在形成所述密封樹脂層的同時(shí)向所述臨時(shí)槽填充樹脂材料的工序， 所述槽形成工序包括通過具有與所述臨時(shí)槽的寬度相同寬度的第一刃選擇性地除去填充的所述樹脂材料， 從而使所述柱體的所述側(cè)面露出的工序；通過具有比所述第一刃的寬度小的寬度的第二刃，以使所述樹脂材料在所述半導(dǎo)體芯片的所述側(cè)面上殘留成膜狀的方式選擇性地除去所述樹脂材料，從而在所述半導(dǎo)體芯片的所述側(cè)面上形成由所述樹脂材料構(gòu)成的遮光膜的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體芯片，其具有表面及背面；密封樹脂層，其層疊在所述半導(dǎo)體芯片的所述表面上；柱體，其沿厚度方向貫通所述密封樹脂層，且具有與所述密封樹脂層的側(cè)面成為同一平面的側(cè)面及與所述密封樹脂層的表面成為同一平面的前端面；外部連接端子，其設(shè)置在所述柱體的所述前端面。
文檔編號(hào)H01L23/00GK102576694SQ201080043870
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月10日
發(fā)明者奧村弘守 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司