專利名稱：：電路裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及其中安裝了功率功能器件、優(yōu)選為功率半導(dǎo)體(諸如晶體管或ニ極管)以及導(dǎo)體元件的電路裝置，該裝置包括襯底、提供在襯底上并電連接到功率功能器件和導(dǎo)體元件的布線層以及中間電接觸器件，中間電接觸器件安裝在布線層的相應(yīng)部分上以提供用于接觸功能器件和/或?qū)w元件的對(duì)應(yīng)接觸區(qū)。
背景技術(shù)：
：文檔EP1711040Bl描繪了其中安裝了功能器件和外部引出的導(dǎo)體的電路器件，該電路器件包括襯底、提供在襯底上并電連接到功能器件和外部引出的導(dǎo)體的布線層以及形成在一部分布線層上以提供用于接觸功能器件的對(duì)應(yīng)接觸區(qū)的附加金屬涂層。布線層和附加金屬涂層構(gòu)成襯底的金屬化?？上?，在此文檔中提出的低溫接合需要鍍銀，這會(huì)妨礙將超聲焊接用于端子。由布線層和布線層的一部分上的金屬涂層構(gòu)成的金屬化以比較高的電阻率貢獻(xiàn)(大約30μΩ)貢獻(xiàn)于總體裝置電阻。ー個(gè)可能的解決方案正在將一般較厚的襯底金屬化用于減小電阻率。増大金屬化厚度時(shí)的問題是布局容差同時(shí)増大。因此，布局將不得不隨橫截面積的損失再次改變。一般較厚的襯底金屬化的另ー缺陷是，在布線層的金屬化邊緣處的機(jī)械應(yīng)カ將增大，其中特別是陶瓷襯底中會(huì)發(fā)起裂紋生長(聚酰亞胺可防止它)。從EP1830406Al中已知ー種功率模塊。在該已知功率模塊中，功率半導(dǎo)體被安裝在散熱器頂上。根據(jù)EP1830406Al的附圖，散熱器與它安裝在其上的元件對(duì)準(zhǔn)。從DE4300516Al中已知另一種功率模塊。在該已知功率模塊中，接觸板設(shè)置在ニ極管頂上以便易于連接到厚重的銅元件。從Τ.Tsunoda等人的"Low-inductancemoduleconstructioniornighspeed,high-currentIGBTmodulesuitableforelectricvehicleapplication，，(PowerSemiconductordevicesandICS,1993,ISPSD'93.,Proceedingsofthe5thInternationalSymposiumonMonterey,CA,USA18-20May1993,NewYork,NY,USAIEEE,US,ISMay1993)中已知多層DBC襯底。通過所提出的構(gòu)造，彼此緊密地設(shè)置集電極端子和發(fā)射極端子，以便補(bǔ)償由各個(gè)端子中的電流產(chǎn)生的磁場。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供電路裝置，其克服了上面提到的缺點(diǎn)。通過在權(quán)利要求1中所定義的本發(fā)明實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的。中間電接觸器件僅固定到所述布線層的整個(gè)外側(cè)(或界面)的有限子區(qū)域中的布線層的相應(yīng)部分。根據(jù)權(quán)利要求1，中間接觸器件具有第一側(cè)，中間接觸器件在其上固定到布線層。與其中中間接觸器件固定到布線層的該部分布線層相対，中間接觸器件具有接觸區(qū)，在其中導(dǎo)體元件正在接觸中間接觸器件。通過該設(shè)置，布線層以及襯底能在附連導(dǎo)體元件期間受到保護(hù)免于損壞。另外的優(yōu)點(diǎn)是，當(dāng)將中間接觸器件固定在比中間接觸器件薄的布線層的軌道(track)的頂上吋，在布線層處的金屬化邊緣處的應(yīng)カ未增加許多，這是因?yàn)樵摴潭ǖ墓潭▍^(qū)域小于下面的金屬化區(qū)域。在中間接觸器件與金屬化邊緣之間存在余量。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，通過釬焊和/或低溫接合(LTB)將所述中間接觸器件固定到所述布線層。根據(jù)本發(fā)明的另ー個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，導(dǎo)體元件是外部引出的導(dǎo)體。根據(jù)本發(fā)明的又ー個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，所述功率功能器件是功率晶體管，特別是絕緣柵雙極晶體管，或(功率)ニ極管。絕緣柵雙極晶體管或IGBT是三端子功率半導(dǎo)體器件，以高效率和快開關(guān)著稱。在IGBT的活動(dòng)狀態(tài)下，IGBT的發(fā)射極以及對(duì)應(yīng)的發(fā)射極軌道與柵極以及對(duì)應(yīng)的柵極軌道之間的電壓或電勢差是低電壓。而且，有選擇地加厚發(fā)射極軌道對(duì)于可靠性不太關(guān)鍵，因?yàn)榘l(fā)射極軌道沒有看到比集電極軌道高的溫度。根據(jù)本發(fā)明的ー個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，至少部分導(dǎo)電的接觸器件是金屬箔或金屬板。金屬板可以是標(biāo)準(zhǔn)的絕緣金屬技術(shù)(IMS)。板的接合在エ藝步驟中可作為功率功能器件的接合(管芯接合)進(jìn)行。金屬箔或金屬板優(yōu)選為比100μm厚，更優(yōu)選為比200μm厚。根據(jù)本發(fā)明的另ー個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，至少部分導(dǎo)電的接觸器件是用于有選擇地接觸電路裝置的其它元件和/或器件的電路板。根據(jù)本發(fā)明的又ー個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，所述中間接觸器件和用于將所述功率功能器件與所述布線層電接觸的至少ー個(gè)接合元件一體式地形成。中間接觸器件與接合元件一體式地形成節(jié)省了成本并簡化了裝置的安裝。本發(fā)明還涉及ー種制造電路裝置的方法，其中安裝了至少ー個(gè)功能器件和至少ー個(gè)導(dǎo)體元件，其中所述裝置包括襯底和提供在所述襯底上的布線層，所述方法包括如下步驟-在所述布線層上安裝并電接觸中間接觸器件，以在所述中間接觸器件的與所述布線層(14)相対的ー側(cè)上提供接觸區(qū)；以及-將所述導(dǎo)體元件直接電連接到所述接觸區(qū)中的所述中間接觸器件。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，通過釬焊和/或低溫接合(LTB)將所述中間接觸器件固定到所述布線層。根據(jù)本發(fā)明的另ー個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，布線器件是裝置的外部引出的導(dǎo)體或端子。根據(jù)本發(fā)明的又ー個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，所述功率功能器件是功率晶體管，特別是絕緣柵雙極晶體管，或ニ極管。根據(jù)本發(fā)明的ー個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，至少部分導(dǎo)電的接觸器件是金屬箔或金屬板。金屬板可以是標(biāo)準(zhǔn)的IMS技木。板的接合在エ藝步驟中可作為功率功能器件的接合(管芯接合)來進(jìn)行。金屬箔或金屬板優(yōu)選為比100μm厚，更優(yōu)選為比200μm厚。根據(jù)本發(fā)明的另ー個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，至少部分導(dǎo)電的接觸器件是電路板。根據(jù)本發(fā)明的又ー個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，所述中間接觸器件和用于將所述功率功能器件與所述布線層電接觸的至少ー個(gè)接合元件一體式地形成。中間接觸器件與接合元件一體式地形成節(jié)省了成本并簡化了裝置的安裝。本發(fā)明的這些和其它方面根據(jù)后面描述的實(shí)施例將顯而易見，并參考這些實(shí)施例闡明。在附圖中圖1描繪了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電路裝置；圖2以截面圖示出了圖1的電路裝置；圖3以截面圖示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的電路裝置；圖4以截面圖示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的電路裝置；以及圖5描繪了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的電路裝置。具體實(shí)施例方式圖1和2示出了功率電路裝置10，功率電路裝置10包括是陶瓷襯底的襯底12和提供在襯底12上的結(jié)構(gòu)化布線層14。布線層14至少具有第一軌道和第二軌道，第二軌道與第一軌道絕緣。在當(dāng)前實(shí)施例中，第一軌道由集電極軌道36形成，并且第二軌道由發(fā)射極軌道30形成。在其它實(shí)施例中，布線層可具有多于2個(gè)的軌道。在當(dāng)前實(shí)施例中，布線層14具有作為柵極軌道的第三軌道。特別是，結(jié)構(gòu)化布線層14優(yōu)選由銅制成。優(yōu)選地，布線層14具有200μπι到400μπι的厚度。在本實(shí)施例的電路裝置10中，6個(gè)功率功能器件16(未詳細(xì)示出)和多個(gè)導(dǎo)體元件18安裝在功率電路裝置10上。功率功能器件16是功率半導(dǎo)體器件，諸如功率晶體管20，特別是功率IGBT(IGBT絕緣柵雙極晶體管)，以及ニ極管。導(dǎo)體元件18優(yōu)選是外部引出的導(dǎo)體22，用于在外部將功率功能器件16連接在電路裝置10和/或接合元件、特別是接合線25的外側(cè)。外部引出的導(dǎo)體22優(yōu)選是電路裝置的L形功率端子。這些功率端子例如由所謂的“鉬板”、即由ニ硫化鉬和石墨優(yōu)選與合成非熔化載體構(gòu)成的無金屬化合物制成。如圖1所示，功率電路裝置10具有4個(gè)外部引出的導(dǎo)體22。在每ー個(gè)外部引出的導(dǎo)體22與正好在外部引出的導(dǎo)體22下面的布線層14的相應(yīng)區(qū)域之間，設(shè)置中間接觸器件26。中間接觸器件沈具有第一側(cè)和第二側(cè)，第二側(cè)至少近似平行于第一側(cè)。中間接觸器件26的第一側(cè)導(dǎo)電地固定到布線層14。在第二側(cè)上，中間接觸器件沈提供用于接觸至少ー個(gè)導(dǎo)體元件18、例如外部引出的導(dǎo)體22的接觸區(qū)。導(dǎo)體元件18導(dǎo)電地固定在中間接觸器件沈上。另外，接觸區(qū)與第一側(cè)上中間接觸器件在其中導(dǎo)電地固定到布線層14的區(qū)域相對(duì)。導(dǎo)體元件18、例如外部引出的導(dǎo)體(端子)22與布線層14之間的中間接觸器件沈當(dāng)通過超聲焊接(還有激光和電阻焊接)接合外部引出的導(dǎo)體22時(shí)保護(hù)陶瓷襯底12。為了那個(gè)目的，中間接觸器件26還必須接合在作為正好在外部引出的導(dǎo)體22的足部(端子足部)下面的集電極軌道36、發(fā)射極軌道30和/或柵極軌道觀'的結(jié)構(gòu)化布線層14的各部分的頂上。應(yīng)該理解，僅當(dāng)將導(dǎo)體元件18直接連接到布線層14可能損壞陶瓷襯底12和/或布線層14時(shí)才需要中間接觸器件沈。由此，在圖中未示出的其它優(yōu)選實(shí)施例中，僅一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體元件18，尤其是ー個(gè)或多個(gè)外部引出的導(dǎo)體22，通過中間接觸器件沈連接到布線層的相應(yīng)軌道。優(yōu)選地，中間接觸器件是金屬箔或金屬板。因此，中間接觸器件沈是獨(dú)立的(self-contained)。金屬箔或金屬板的接合在ェ藝步驟中可作為功率功能器件的接合(管芯接合)進(jìn)行。金屬箔或金屬板優(yōu)選為比100μm厚，更優(yōu)選地比200μm厚。—般而言，功率功能器件16經(jīng)由它們的連接器區(qū)域(未示出)電連接到外部引出的導(dǎo)體22，接合元件是接合線25和中間接觸器件沈以及通過布線層14和中間接觸器件26建立的軌道36。在圖1和2所示的實(shí)施例中，每ー個(gè)功率功能器件16的上接觸部或發(fā)射極接觸部通過接合線25電接觸，接合線25引向設(shè)置在布線層14的發(fā)射極軌道30上的金屬箔34。根據(jù)本發(fā)明，金屬箔34是中間接觸器件沈的可能實(shí)施例。每ー個(gè)功率功能器件16的下接觸部或集電極接觸部是處于與布線層14的集電極軌道36之ー的電接觸的。另外，在每個(gè)集電極軌道36上設(shè)置金屬板38，金屬板38是中間接觸器件沈的另外實(shí)施例。如上所述，集電極軌道36上的金屬板38用于保護(hù)陶瓷襯底12。發(fā)射極軌道30上的金屬箔34不僅用于保護(hù)陶瓷襯底12而且用于降低電阻率，如下面所討論的。中間接觸器件沈優(yōu)選設(shè)置成直接電接觸導(dǎo)體元件18(特別是外部引出的導(dǎo)體22)和/或布線層，其優(yōu)選由至少第一軌道和第二軌道(尤其是IGBT晶體管20的集電極軌道36和發(fā)射極軌道30)形成。附加電阻膜32位于由附加布線條形成的柵極軌道觀與由結(jié)構(gòu)化布線層14的相應(yīng)部分形成的發(fā)射極軌道30之間，并且中間接觸器件沈是金屬箔34。金屬箔34導(dǎo)電地固定在結(jié)構(gòu)化布線層14的相應(yīng)部分上。優(yōu)選地，柵極軌道觀和其上提供了柵極軌道觀的中間接觸器件由部分導(dǎo)電金屬箔或金屬板通過絕緣金屬技術(shù)(IMQ形成。圖1-5中所示的兩個(gè)集電極軌道中的每個(gè)通過它們的集電極連接器區(qū)域直接接觸三個(gè)IGBT和/或ニ極管。根據(jù)本發(fā)明，中間電接觸器件沈安裝在布線層14的相應(yīng)部分上以提供用于接觸功率功能器件16的對(duì)應(yīng)接觸區(qū)。另外，中間電接觸器件沈安裝在形成發(fā)射極軌道30的布線層14的一部分上。如圖2中更詳細(xì)示出的，在電路裝置10中，優(yōu)選地，金屬板或厚金屬箔34接合在構(gòu)建發(fā)射極軌道30的布線層14的那部分上。板或箔34提供在是IGBT的柵極軌道觀的附加金屬化或布線條的頂上。板或箔可以是標(biāo)準(zhǔn)的IMS技術(shù)(“DENKAHITTPLATE”)。板或箔34的接合在エ藝步驟中可作為功率功能器件16的接合(是管芯接合)進(jìn)行。接合方法優(yōu)選為釬焊或低溫接合(LTB)。由此，布線層14與中間接觸器件沈之間的接頭是釬焊接頭或通過低溫接合制成的接頭。布線層14的該部分的頂上的板降低了總體發(fā)射極路徑的電阻。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)IGBT模塊(例如“HiPak2”)，該降低可大于10μΩ。對(duì)于1700V/3600A裝置或模塊，這將電壓降降低了大于36mV(通態(tài)電壓的大約1.5%)。發(fā)射極軌道30的所獲得厚度允許使發(fā)射極軌道30更窄。更窄的發(fā)射極軌道30允許減小襯底12的總體區(qū)域，或形成集電極軌道36的更大區(qū)域。圖3中示出了對(duì)應(yīng)的裝置。圖3實(shí)質(zhì)上根據(jù)圖2，其中發(fā)射極軌道30的寬度比在圖2中示出的電路裝置10的實(shí)施例中更窄。集電極軌道36的較大面積增大了熱擴(kuò)散。在襯底12的表面與發(fā)熱功率功能器件16之間具有較大距離還將改進(jìn)外殼溫度循環(huán)能力，因?yàn)樵谝r底焊料的表面處存在較小的溫度差ΔT，并且由此存在較小的應(yīng)力。因?yàn)榘l(fā)射軌道30越窄，對(duì)于同一尺寸的襯底12可使用的集電極軌道36越大。圖4示出了具有較大集電極軌道的相應(yīng)電路裝置。集電極軌道的有源區(qū)域可増加大于10%。圖5實(shí)質(zhì)上根據(jù)圖1至4，其中將發(fā)射極軌道30電連接到功率功能器件16的對(duì)應(yīng)發(fā)射極連接器區(qū)域的多個(gè)接合金屬片38和將發(fā)射極軌道30與是外部引出的導(dǎo)體22的對(duì)應(yīng)(發(fā)射極)導(dǎo)體元件18連接的中間接觸器件沈一體式地形成為固定到功率功能器件16的發(fā)射極連接器區(qū)域和對(duì)應(yīng)(發(fā)射極)導(dǎo)體元件18的中間接觸器件26。圖5示出的這個(gè)中間接觸器件26直接接觸功率功能器件16的發(fā)射極和/或?qū)?yīng)的導(dǎo)體元件18。在管芯附連エ藝中，可接合中間接觸器件沈，特別是金屬板38，其提供了多種功能-降低電阻，-當(dāng)焊接功率端子(例如強(qiáng)鉬板(strongmolyplate))時(shí)保護(hù)陶瓷，-在頂上承載柵極電路。對(duì)應(yīng)的制造方法包括如下步驟-將中間電接觸器件、例如金屬箔34或板38僅固定在布線層的整個(gè)外側(cè)的有限子區(qū)域中的布線層14的相應(yīng)部分上以提供用于導(dǎo)體元件18的對(duì)應(yīng)接觸區(qū)；以及-將功能器件和導(dǎo)體22直接或間接電連接到金屬箔34或板38。集電極軌道的對(duì)應(yīng)電阻從8.2μΩ降到6.8μΩ，發(fā)射極軌道的電阻從2μΩ降到6.8μΩ，總共下降大約為18.8μΩ。在圖中未示出的另外實(shí)施例中，僅圖1至5中示出的一個(gè)或多個(gè)中間接觸器件設(shè)置在布線層14上。還有可能的是，至少ー個(gè)導(dǎo)體元件18直接連接到布線層14。雖然已經(jīng)在附圖和以上描述中例證和描述了本發(fā)明，但此類例證和描述要視為例證性的或示范性的而非限制性的；本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員在根據(jù)對(duì)附圖、公開內(nèi)容和所附權(quán)利要求書的研究實(shí)施所要求保護(hù)的發(fā)明時(shí)可理解并實(shí)現(xiàn)要公開實(shí)施例的其它變型。在權(quán)利要求書中，詞語“包括”不排除其它元件或步驟，并且不定冠詞“ー個(gè)”不排除多個(gè)。在相互不同的從屬權(quán)利要求中闡述的某些量度的純粹事實(shí)不指示不能有效地使用這些量度的組合。權(quán)利要求書中的任何附圖標(biāo)記都不應(yīng)視為限制范圍。附圖標(biāo)記列表10電路裝置12襯底14布線層16功能器件18導(dǎo)體元件20功率晶體管22外部引出的導(dǎo)體24接合線25接合金屬片26中間接觸器件28柵極軌道30發(fā)射極軌道32電阻膜34金屬箔36集電極軌道38金屬板權(quán)利要求1.一種電路裝置(10)，包括:-襯底(12)；-布線層(14)，提供在所述襯底(12)上并電連接到功率功能器件(16)和導(dǎo)體元件(18)；以及-中間接觸器件，其安裝在所述布線層(14)上以在與所述布線層相對(duì)側(cè)上提供用于接觸所述導(dǎo)體元件(18)的接觸區(qū)；其中所述中間接觸器件06)至少具有第一側(cè)和第二側(cè)，所述第二側(cè)至少近似平行于所述第一側(cè)，其中所述中間接觸器件06)在所述第一側(cè)上固定到所述布線層(14)，其特征在于，所述導(dǎo)體元件(18)正在所述接觸區(qū)中在所述第二側(cè)上接觸所述中間接觸器件(26)，所述接觸區(qū)與其中所述中間接觸器件06)導(dǎo)電地固定到所述布線層(14)的所述第一側(cè)上的區(qū)域相對(duì)。2.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其中由釬焊接頭和/或由通過低溫接合制成的接頭將所述中間接觸器件06)固定到所述布線層。3.如權(quán)利要求1或2所述的電路裝置，其中所述中間電接觸器件06)固定到所述布線層的整個(gè)外側(cè)的有限子區(qū)域中所述布線層(14)的相應(yīng)部分。4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的電路裝置，其中所述導(dǎo)體元件(18)是外部引出的導(dǎo)體0或從所述中間接觸器件向所述功率功能器件(16)引出的接合元件。5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電路裝置，其中所述功率功能器件(16)是功率半導(dǎo)體器件，諸如功率晶體管(20)，特別是絕緣柵雙極晶體管，或二極管。6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的電路裝置，其中所述中間接觸器件是至少部分導(dǎo)電的，并且其中所述中間接觸器件06)優(yōu)選為金屬箔、金屬片或金屬板。7.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的電路裝置，其中所述至少部分導(dǎo)電的中間接觸器件06)是電路板。8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的電路裝置，其中所述中間接觸器件比100μm厚，更優(yōu)選地，比220μm厚。9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的電路裝置，其中所述中間接觸器件06)和用于將所述功率功能器件(16)與所述布線層(14)電接觸的接合元件一體式地形成。10.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的電路裝置，其中所述中間接觸器件06)完全直接與所述布線層(14)電接觸且機(jī)械接觸。11.如權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的電路裝置，其中所述中間接觸器件06)是獨(dú)立的。12.一種制造電路裝置的方法，所述電路裝置尤其是如權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的電路裝置，其中安裝至少一個(gè)功率功能器件(16)和至少一個(gè)導(dǎo)體元件(18)，其中所述裝置包括襯底(1和提供在所述襯底上的布線層(14)，所述方法包括如下步驟-在所述布線層上安裝并電接觸中間接觸器件06)，以在所述中間接觸器件的與所述布線層(14)相對(duì)的一側(cè)上提供接觸區(qū)；以及-在所述接觸區(qū)中將所述導(dǎo)體元件(1直接電連接到所述中間接觸器件。13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中將所述中間接觸元件安裝到所述布線層的一部分是將所述中間接觸元件僅固定到所述布線層的整個(gè)外側(cè)的有限子區(qū)域中的該部分。14.如權(quán)利要求12或13所述的方法，其中通過釬焊和/或低溫接合將所述中間接觸器件06)固定到所述布線層。15.如權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述導(dǎo)體元件是外部引出的導(dǎo)體。16.如權(quán)利要求12至15中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述功率功能器件是功率半導(dǎo)體，諸如功率晶體管，特別是絕緣柵雙極晶體管，或ニ極管。17.如權(quán)利要求12至16中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述中間接觸器件是至少部分導(dǎo)電的，并且其中所述中間接觸器件06)優(yōu)選為金屬箔、金屬片或金屬板。18.如權(quán)利要求12至17中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述中間接觸器件是至少部分導(dǎo)電的，并且其中所述中間接觸器件06)是電路板。19.如權(quán)利要求12至18中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述中間接觸器件和用于將所述功率功能器件與所述布線層電接觸的接合元件一體式地形成。全文摘要本發(fā)明涉及其中安裝功率功能器件(16)和導(dǎo)體元件(18)的電路裝置(10)，該裝置(10)包括襯底(12)、提供在襯底(12)上并電連接到功能器件(16)和導(dǎo)體元件(18)的布線層(14)以及中間電接觸器件，其安裝在布線層(14)上以在與布線層相對(duì)側(cè)上提供用于接觸導(dǎo)體元件(18)的接觸區(qū)。根據(jù)本發(fā)明，導(dǎo)體元件(18)正在接觸與如下區(qū)域相對(duì)的接觸區(qū)中的中間電接觸器件，該區(qū)域中電接觸器件固定到布線層。本發(fā)明還涉及電路裝置的對(duì)應(yīng)制造方法。文檔編號(hào)H01L23/00GK102576705SQ201080044718公開日2012年7月11日申請日期2010年9月28日優(yōu)先權(quán)日2009年9月28日發(fā)明者N·舒爾茨,S·哈特曼申請人:Abb技術(shù)有限公司