專利名稱：屏蔽式連接器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種屏蔽式連接器，尤指可避免導(dǎo)電端子與屏蔽體短接的屏蔽式連接器。
背景技術(shù)：
為解決信號傳輸過程中的電磁干擾問題，有設(shè)計出一種屏蔽式連接器，其電性連接一對接電子組件至一母板，包括一底座和容設(shè)于所述底座中的多個導(dǎo)電端子。所述底座包括多個收容槽，于各所述收容槽的內(nèi)表面設(shè)有屏蔽體，于所述屏蔽體外設(shè)有隔離體，所述隔離體用以電性絕緣所述導(dǎo)電端子和所述屏蔽體，一導(dǎo)接體位于所述底座的底面，所述導(dǎo)接體連通各所述屏蔽體，以及兩導(dǎo)出部電性連接所述導(dǎo)接體至所述母板，所述導(dǎo)出部位于所述底座的底面。多個所述導(dǎo)電端子對應(yīng)容設(shè)于所述收容槽中，所述導(dǎo)電端子包括一接觸部顯露于所述底座一側(cè)，所述接觸部與所述對接電子組件電性接觸，一主體部自所述接觸部延伸并進(jìn)入所述收容槽中，所述主體部的寬幅大于所述收容槽的寬幅，所述主體部與所述收容槽干涉配合，以將所述導(dǎo)電端子固定于所述底座中，以及一連接部自所述主體部延伸并顯露于所述底座的另一側(cè)，且所述連接部與所述母板電性導(dǎo)接。但是，因所述主體部與所述收容槽干涉配合，在所述導(dǎo)電端子裝設(shè)于所述收容槽的過程中，所述主體部將會刮擦所述屏蔽體外的所述隔離體，進(jìn)而刮破所述隔離體甚至將所述隔離體自所述屏蔽體上刮掉，導(dǎo)致部分所述屏蔽體裸露而與所述導(dǎo)電端子短接。綜上所述，現(xiàn)有的屏蔽式連接器不足之處在于所述導(dǎo)電端子易與所述屏蔽體短接。因此有必要設(shè)計一種新的屏蔽式連接器，來克服上述缺陷。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種可避免導(dǎo)電端子與屏蔽體短接的屏蔽式連接器。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明屏蔽式連接器包括一底座，其包括一絕緣本體設(shè)有多個貫通槽貫穿所述絕緣本體的一側(cè)，多個定位槽自所述貫通槽進(jìn)一步凹陷形成并貫通所述絕緣本體的另一側(cè)，所述貫通槽內(nèi)設(shè)有屏蔽體，所述定位槽內(nèi)未設(shè)所述屏蔽體，至少一導(dǎo)接體設(shè)于所述定位槽和所述貫通槽外并連接各所述屏蔽體，以及至少一導(dǎo)出部設(shè)于所述定位槽和所述貫通槽外并電性連接所述導(dǎo)接體至所述母板；多個導(dǎo)電端子裝設(shè)于所述絕緣本體中，所述導(dǎo)電端子包括一接觸部顯露于所述絕緣本體的一側(cè)并與所述對接電子組件電性接觸，一主體部自所述接觸部延伸，所述主體部包括一定位段自所述接觸部延伸并與所述定位槽干涉配合，以及一導(dǎo)通段自所述定位段延伸進(jìn)入所述貫通槽并與其無干涉配合，以及一連接部自所述主體部延伸并顯露于所述絕緣本體的另一側(cè)，且與所述母板電性連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，在本發(fā)明屏蔽式連接器中，由于所述導(dǎo)電端子的所述定位段與所述定位槽干涉配合，同時，所述導(dǎo)電端子的所述導(dǎo)通段與所述貫通槽無干涉配合，可保證所述導(dǎo)電端子穩(wěn)定固持于所述絕緣本體中，且可避免所述導(dǎo)電端子與所述屏蔽體短接。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提供了另外一種屏蔽式連接器，其包括一底座，其包括一絕緣本體設(shè)有多個貫通槽貫穿所述絕緣本體，以及多個定位槽與所述貫通槽相鄰并由一隔欄與所述貫通槽隔開，所述貫通槽內(nèi)設(shè)有屏蔽體，所述定位槽內(nèi)未設(shè)所述屏蔽體，至少一導(dǎo)接體設(shè)于所述定位槽和所述貫通槽外并連接各所述屏蔽體，以及至少一導(dǎo)出部設(shè)于所述定位槽和所述貫通槽外并電性連接所述導(dǎo)接體至所述母板；多個導(dǎo)電端子裝設(shè)于所述絕緣本體中，所述導(dǎo)電端子包括一接觸部顯露于所述絕緣本體一側(cè)，并與所述對接電子組件電性接觸，一主體部自所述接觸部延伸，所述主體部包括一連接段連接至所述接觸部并跨設(shè)于所述隔欄上，以及一定位段自所述連接段延伸并與所述定位槽干涉配合，以及一導(dǎo)通段自所述接觸部延伸進(jìn)入所述貫通槽并與其無干涉配合，以及一連接部自所述主體部延伸并顯露于所述絕緣本體另一側(cè)，且與所述母板電性連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，在本發(fā)明屏蔽式連接器中，由于所述導(dǎo)電端子的所述定位段與所述定位槽干涉配合，同時，所述導(dǎo)電端子的所述導(dǎo)通段與所述貫通槽無干涉配合，可保證所述導(dǎo)電端子穩(wěn)定固持于所述絕緣本體中，且可避免所述導(dǎo)電端子與所述屏蔽體短接。本發(fā)明還提供了一種屏蔽式連接器的制造方法，包括如下步驟射出成型一絕緣本體，于其上規(guī)劃一預(yù)鍍側(cè)，使得所述絕緣本體具多個貫通槽自所述預(yù)鍍側(cè)凹設(shè)形成，以及多個定位槽與所述貫通槽相鄰設(shè)置；自所述預(yù)鍍側(cè)向所述貫通槽內(nèi)和所述預(yù)鍍側(cè)鍍設(shè)導(dǎo)電層，使得所述定位槽內(nèi)未設(shè)所述導(dǎo)電層；布設(shè)絕緣層，使得所述貫通槽內(nèi)的所述金屬層外形成所述絕緣層，以及所述預(yù)鍍側(cè)的所述金屬層部分覆設(shè)所述絕緣層；沖壓成型多個導(dǎo)電端子，所述導(dǎo)電端子包括依次相連的一接觸部，一主體部以及一連接部；組裝所述導(dǎo)電端子于所述貫通槽中，所述接觸部顯露于所述絕緣本體的一側(cè)，所述主體部與所述定位槽干涉配合，且與所述貫通槽無干涉配合，以及所述連接部顯露于所述絕緣本體的另一側(cè)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于所述導(dǎo)電端子的所述定位段與所述定位槽干涉配合，同時， 所述導(dǎo)電端子的所述導(dǎo)通段與所述貫通槽間隙配合，可保證所述導(dǎo)電端子穩(wěn)定固持于所述絕緣本體中，且可避免所述導(dǎo)電端子與所述屏蔽體短接。

圖1為本發(fā)明屏蔽式連接器第一實施例的局部剖面示意圖；圖2為本發(fā)明屏蔽式連接器第二實施例的局部剖面示意圖。本創(chuàng)作標(biāo)號說明母板1 底座2 絕緣本體20 屏蔽體23 間隔體26 導(dǎo)電端子3
接觸部31
定位段32a 連接段!32d
具體實施方式下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明屏蔽式連接器作進(jìn)一步說明。請參閱圖1，本發(fā)明屏蔽式連接器連接一對接電子組件(未圖標(biāo))至一母板1，包括一底座2，和容設(shè)于所述底座2中的多個導(dǎo)電端子3。所述底座2包括一絕緣本體20，所述絕緣本體20中開設(shè)有多個貫通槽21自所述絕緣本體20的底面向內(nèi)凹陷形成，多個定位槽22自所述貫通槽21進(jìn)一步凹陷形成，且貫穿所述絕緣本體20的頂面，所述定位槽22與所述貫通槽21 —一對應(yīng)(當(dāng)然，可根據(jù)設(shè)計需要，所述定位槽22和所述貫通槽21的數(shù)量不相同)。所述貫通槽21自所述絕緣本體20的底面朝所述定位槽22逐漸縮窄，特別地，所述貫通槽21的內(nèi)壁設(shè)有屏蔽體23，且設(shè)有所述屏蔽體23的所述貫通槽21的內(nèi)壁朝所述母板1傾斜，使得所述貫通槽21的內(nèi)壁顯露于外，且設(shè)有所述屏蔽體23的所述貫通槽21的內(nèi)壁在所述母板1上的投影連續(xù)但不重迭，所述屏蔽體23外設(shè)有隔離體M。所述定位槽22的內(nèi)壁呈豎直狀，垂直于所述絕緣本體20的頂面，所述定位槽22 內(nèi)未設(shè)置所述屏蔽體23。由于所述貫通槽21的內(nèi)壁朝所述母板1傾斜，在真空濺鍍過程中，濺射的金屬離子將射向所述貫通槽21的內(nèi)壁，于所述貫通槽21的內(nèi)壁形成所述屏蔽體23，同時，由于所述定位槽22的內(nèi)壁呈豎直狀，在真空濺鍍過程中，濺射的金屬離子易直接穿出所述定位槽 22，不易沉積在所述定位槽22的內(nèi)壁而形成連續(xù)的所述屏蔽體23，故可保證所述定位槽22 內(nèi)不會鍍設(shè)所述屏蔽體23。所述底座2還包括一導(dǎo)接體25，所述導(dǎo)接體25設(shè)于所述貫通槽21和所述定位槽 22外，更具體講，所述導(dǎo)接體25設(shè)于所述絕緣本體20的底面，所述導(dǎo)接體25也以真空濺鍍的方式形成于所述絕緣本體20的底面，所述導(dǎo)接體25連接各所述貫通槽21內(nèi)的所述屏蔽
貫通槽21 隔離體24 導(dǎo)出部27
主體部32 導(dǎo)通段32b
定位槽22 導(dǎo)接體25 隔欄2%
連接部％ 凹缺Wc體23，所述導(dǎo)接體25外設(shè)有間隔體沈。所述底座2進(jìn)一步包括四導(dǎo)出部27設(shè)于所述貫通槽21和所述定位槽22外，更具體講，所述導(dǎo)出部27設(shè)于所述絕緣本體20的底面角落處，所述導(dǎo)出部27也以真空濺鍍的方式形成于所述絕緣本體20的底面，且所述導(dǎo)出部27連接所述導(dǎo)接體25至所述母板1。每一所述導(dǎo)電端子3包括一接觸部31顯露于所述定位槽22，且所述接觸部31與所述對接電子組件電性導(dǎo)通，一主體部32自所述接觸部31延伸形成，以及一連接部33自所述主體部32延伸形成，且顯露于所述貫通槽21外以與所述母板1電性導(dǎo)通。所述主體部32包括一定位段32a自所述接觸部31延伸形成，且與所述定位槽22 干涉配合以將所述導(dǎo)電端子3固持于所述絕緣本體20上，以及一導(dǎo)通段32b自所述定位段3 延伸形成，且所述導(dǎo)通段32b收容于所述貫通槽21中，并與所述貫通槽21無干涉配
I=I ο在本發(fā)明中，由于所述定位段3 與所述定位槽22干涉配合，同時，所述導(dǎo)通段 32b與所述貫通槽21無干涉配合，故，即可保證所述導(dǎo)電端子3穩(wěn)定裝設(shè)于所述絕緣本體 20中，又可避免所述隔離體M被損傷，進(jìn)而避免所述屏蔽體23與所述導(dǎo)電端子3短接。在本實施例中，所述隔離體M和所述間隔體沈均為絕緣層，且一體成型，所述絕緣層為UV漆層或PU漆層或凡立水層。本發(fā)明屏蔽式連接器的組裝過程如下將所述導(dǎo)電端子3置于所述絕緣本體20上方，對準(zhǔn)所述定位槽22，向下推動所述導(dǎo)電端子3，使所述導(dǎo)電端子3的連接部33穿過所述定位槽22和所述貫通槽21并最終顯露于所述貫通槽21，此時，所述定位段3 與所述定位槽22干涉配合，所述導(dǎo)通段32b與所述貫通槽21無干涉配合。綜上所述，本發(fā)明的有益效果在于在本發(fā)明中，借助所述定位段3 與所述定位槽22的干涉配合可將所述導(dǎo)電端子 3穩(wěn)定固持于所述絕緣本體20中，防止導(dǎo)電端子3自所述底座2中掉落和比較大范圍的晃動，同時，因所述導(dǎo)通段32b與所述貫通槽21無干涉配合，在所述導(dǎo)電端子3組裝于所述底座2的過程中，不會損傷所述隔離體M，進(jìn)而避免所述屏蔽體23與所述導(dǎo)電端子3短接。所述屏蔽式連接器的制造方法包括如下步驟射出成型一絕緣本體20，將所述絕緣本體20的底面規(guī)劃為一預(yù)鍍側(cè)，使得所述絕緣本體20具有多個貫通槽21自所述預(yù)鍍側(cè)朝所述絕緣本體20的頂面凹設(shè)，以及多個定位槽22與所述貫通槽21相連通且貫穿所述絕緣本體20的頂面，所述貫通槽21的內(nèi)壁朝所述絕緣本體20的所述預(yù)鍍側(cè)傾斜，所述定位槽22的內(nèi)壁呈豎直狀；自所述預(yù)鍍側(cè)向所述貫通槽21和所述預(yù)鍍側(cè)上鍍設(shè)導(dǎo)電層；將設(shè)有所述導(dǎo)電層的所述絕緣本體20浸入凡立水中，拿起烘干使得所述導(dǎo)電層外形成絕緣層；去除部分所述絕緣層，使得所述預(yù)鍍側(cè)的所述導(dǎo)電層部分裸露形成導(dǎo)出部27 ；沖壓成型多個導(dǎo)電端子3，使得所述導(dǎo)電端子3包括依次相連的一接觸部31，一主體部32以及一連接部33，所述主體部32具一定位段3 連接所述接觸部31，一導(dǎo)通段32b 連接所述定位段3 和所述連接部33 ；將所述導(dǎo)電端子3裝設(shè)于所述絕緣本體20中，使得所述定位段3 與所述定位槽22干涉配合，所述導(dǎo)通段32b與所述貫通槽21間隙配合。在其它實施例中，所述絕緣層還可以刷涂或噴灑方式形成，所述絕緣層還可為UV 漆層或PU漆層。在其它實施例中，所述屏蔽體23外可不設(shè)所述隔離體M，于此情形下，為了避免所述導(dǎo)電端子3與所述屏蔽體23短接，于所述導(dǎo)通段32b和所述定位段3 相交界處設(shè)有凹缺32c。請參閱圖2為本發(fā)明第二實施例，其與第一實施例的區(qū)別在于所述定位槽22，所述貫通槽21以及所述導(dǎo)電端子3的形態(tài)，詳細(xì)描述如下所述絕緣本體20包括一所述定位槽22，所述定位槽22自所述絕緣本體20的頂面向內(nèi)凹陷形成，為一盲孔(當(dāng)然，所述定位槽22也可為一通孔，只是，所述定位槽22的內(nèi)壁成豎直狀或朝所述絕緣本體20的頂面傾斜，在真空濺鍍過程中，濺射的金屬粒子不會沉積在所述定位槽22的內(nèi)壁)，以及一貫通槽21與所述定位槽22 —一對應(yīng)并左右相鄰設(shè)置 (當(dāng)然，根據(jù)設(shè)計需要，所述定位槽22和所述貫通槽21的數(shù)量可不相同)，二者之間具有一隔欄觀，所述貫通槽21自所述絕緣本體20的底面朝所述絕緣本體20的頂面凹陷形成， 所述貫通槽21貫穿所述絕緣本體20的頂面，且所述貫通槽21的內(nèi)壁朝所述絕緣本體20 的底面傾斜，使其顯露于外。將所述絕緣本體20置放于一平臺(未圖示)上，所述絕緣本體20的頂面由所述平臺遮擋，使得所述定位槽22的開放端被封閉，所述絕緣本體20的底面顯露于外，如此，在真空濺鍍過程中，濺射的金屬離子將不會進(jìn)入所述定位槽22，將進(jìn)入所述貫通槽21并沉積在所述貫通槽21的內(nèi)壁上，形成所述導(dǎo)接體25。所述導(dǎo)電端子3包括一接觸部31顯露于所述貫通槽21以與所述對接電子組件電性導(dǎo)接，一主體部32自所述接觸部31延伸形成，一連接部33自所述主體部32延伸形成并顯露于所述貫通槽21，所述連接部33與所述母板1電性導(dǎo)接。所述主體部32包括一連接段32d自所述接觸部31延伸形成，一定位段32a自所述連接段32d延伸進(jìn)入所述定位槽22，且所述定位段3 與所述定位槽22干涉配合以將所述導(dǎo)電端子3固持于所述絕緣本體20上，以及一導(dǎo)通段32b自所述接觸部31延伸形成進(jìn)入所述貫通槽21，所述導(dǎo)通段32b與所述貫通槽21間隙配合，如此，可避免裸露的所述屏蔽體23與所述導(dǎo)電端子3短接。所述主體部32進(jìn)一步包括一所述凹缺32c，所述凹缺32c位于所述連接段32d和所述導(dǎo)通段32b相交界處，避免所述導(dǎo)電端子3與所述屏蔽體23短接。在本實施例中，由于所述導(dǎo)接體25和所述導(dǎo)出部27形態(tài)與前述實施例中的形態(tài)相同，在此不再贅述。在本實施例中，所述屏蔽式連接器的制造方法包括如下步驟射出成型一絕緣本體20，將所述絕緣本體20的底面規(guī)劃為一預(yù)鍍側(cè)，使得所述絕緣本體20具有多個貫通槽21自所述預(yù)鍍側(cè)朝所述絕緣本體20的頂面凹設(shè)，以及多個定位槽22與所述貫通槽21由一所述隔欄觀隔開，所述定位槽22自所述絕緣本體20的頂面朝底面凹陷形成且未貫通所述絕緣本體20的預(yù)鍍側(cè)，所述貫通槽21的內(nèi)壁朝所述絕緣本體 20的所述預(yù)鍍側(cè)傾斜；自所述預(yù)鍍側(cè)向所述貫通槽21和所述預(yù)鍍側(cè)上鍍設(shè)導(dǎo)電層；沖壓成型多個導(dǎo)電端子3，使得所述導(dǎo)電端子3包括依次相連的一接觸部31，一主體部32以及一連接部33，所述主體部32具一連接段32d連接至所述接觸部31，一定位段 3 連接至所述連接段32d，一導(dǎo)通段32b自所述接觸部31向下延伸，以及一凹缺32c位于所述定位段3 和所述導(dǎo)通段32b相交界處；將所述導(dǎo)電端子3裝設(shè)于所述絕緣本體20中，使得所述連接段32d跨設(shè)于所述隔欄觀上方，所述定位段3 與所述定位槽22干涉配合，所述導(dǎo)通段32b與所述貫通槽21 間隙配合。在其它實施例中，所述貫通槽21和所述定位槽22的位置關(guān)系還可上下顛倒，如此，所述貫通槽21的內(nèi)壁將朝向所述對接電子組件傾斜，所述導(dǎo)電端子3自所述絕緣本體 20的底面朝所述絕緣本體20的頂面安裝。在其它實施例中，所述貫通槽21的內(nèi)壁也可為豎直狀，只要以合適的方式于所述貫通槽21和所述預(yù)鍍側(cè)形成所述導(dǎo)電層，而所述定位槽22內(nèi)未布設(shè)所述導(dǎo)電層即可。在其它實施例中，所述導(dǎo)出部27的數(shù)量還可為一個、兩個，三個或以上。綜上所述，本發(fā)明具有如下有益效果(一).由于所述導(dǎo)電端子3的所述定位段3 與未設(shè)有所述屏蔽體23的所述定位槽22干涉配合，同時，所述導(dǎo)電端子3的所述導(dǎo)通段32b與設(shè)有所述屏蔽體23的所述貫通槽21無干涉配合，如此，既可保證所述導(dǎo)電端子3穩(wěn)定固持于所述絕緣本體20上，又可避免所述導(dǎo)電端子3與所述屏蔽體23短接；(二).由于所述貫通槽21的內(nèi)壁朝所述絕緣本體20的底面傾斜，同時，所述定位槽22為一盲孔，且其朝向所述絕緣本體20的頂面開放，所以，在真空濺鍍過程中，只需將所述絕緣本體20的頂面置于一平臺上，就可方便地實現(xiàn)僅于所述貫通槽21內(nèi)形成所述屏蔽體23，而于所述定位槽22內(nèi)未形成屏蔽體23 ；(三).由于所述絕緣層的形成只需將所述絕緣本體20浸入凡立水中，而后拿起烘干即可獲得，相比，刷涂、噴灑形成的所述絕緣層更為均勻，效率也高。上述說明是針對本發(fā)明較佳可行實施例的詳細(xì)說明，但本實施例并非用以限定本發(fā)明的專利申請范圍，凡本發(fā)明所揭示的技術(shù)精神下所完成的同等變化或修飾變更，均應(yīng)屬于本發(fā)明所涵蓋專利范圍。
權(quán)利要求
1.一種屏蔽式連接器，電性連接一對接電子組件至一母板，其特征在于，包括一底座，其包括一絕緣本體設(shè)有多個貫通槽貫穿所述絕緣本體的一側(cè)，多個定位槽自所述貫通槽進(jìn)一步凹陷形成并貫通所述絕緣本體的另一側(cè)，所述貫通槽內(nèi)設(shè)有屏蔽體，所述定位槽內(nèi)未設(shè)所述屏蔽體，至少一導(dǎo)接體設(shè)于所述定位槽和所述貫通槽外并連接各所述屏蔽體，以及至少一導(dǎo)出部設(shè)于所述定位槽和所述貫通槽外并電性連接所述導(dǎo)接體至所述母板；多個導(dǎo)電端子裝設(shè)于所述絕緣本體中，所述導(dǎo)電端子包括一接觸部顯露于所述絕緣本體的一側(cè)并與所述對接電子組件電性接觸，一主體部自所述接觸部延伸，所述主體部包括一定位段自所述接觸部延伸并與所述定位槽干涉配合，以及一導(dǎo)通段自所述定位段延伸進(jìn)入所述貫通槽并與其無干涉配合，以及一連接部自所述主體部延伸并顯露于所述絕緣本體的另一側(cè)，且與所述母板電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的屏蔽式連接器，其特征在于所述貫通槽自所述絕緣本體臨近所述母板的表面朝所述定位槽縮窄。
3.如權(quán)利要求1所述的屏蔽式連接器，其特征在于所述貫通槽的內(nèi)壁朝所述絕緣本體的底面傾斜。
4.如權(quán)利要求1所述的屏蔽式連接器，其特征在于所述貫通槽與所述定位槽相交界處設(shè)有一凹缺。
5.如權(quán)利要求1所述的屏蔽式連接器，其特征在于所述貫通槽的所述屏蔽體外布設(shè)有絕緣層。
6.如權(quán)利要求1所述的屏蔽式連接器，其特征在于所述絕緣層為UV漆層或PU漆層， 或凡立水層。
7.一種屏蔽式連接器，電性連接一對接電子組件至一母板，其特征在于，包括一底座，其包括一絕緣本體設(shè)有多個貫通槽貫穿所述絕緣本體，以及多個定位槽與所述貫通槽相鄰并由一隔欄與所述貫通槽隔開，所述貫通槽內(nèi)設(shè)有屏蔽體，所述定位槽內(nèi)未設(shè)所述屏蔽體，至少一導(dǎo)接體設(shè)于所述定位槽和所述貫通槽外并連接各所述屏蔽體，以及至少一導(dǎo)出部設(shè)于所述定位槽和所述貫通槽外并電性連接所述導(dǎo)接體至所述母板；多個導(dǎo)電端子裝設(shè)于所述絕緣本體中，所述導(dǎo)電端子包括一接觸部顯露于所述絕緣本體的一側(cè)，并與所述對接電子組件電性接觸，一主體部自所述接觸部延伸，所述主體部包括一連接段連接至所述接觸部并跨設(shè)于所述隔欄上，以及一定位段自所述連接段延伸進(jìn)入所述定位槽并與其干涉配合，以及一導(dǎo)通段自所述接觸部延伸進(jìn)入所述貫通槽并與其無干涉配合，以及一連接部自所述主體部延伸并顯露于所述絕緣本體的另一側(cè)，且與所述母板電性連接。
8.如權(quán)利要求7所述的屏蔽式連接器，其特征在于所述定位槽為一盲孔。
9.如權(quán)利要求7所述的屏蔽式連接器，其特征在于所述定位槽為一通孔。
10.如權(quán)利要求7所述的屏蔽式連接器，其特征在于所述貫通槽自所述絕緣本體的底面朝所述絕緣本體的頂面逐漸縮窄。
11.如權(quán)利要求7所述的屏蔽式連接器，其特征在于所述貫通槽的內(nèi)壁朝所述絕緣本體的底面傾斜。
12.如權(quán)利要求7所述的屏蔽式連接器，其特征在于所述貫通槽與所述定位槽相交界處設(shè)有一凹缺。
13.一種屏蔽式連接器的制造方法，包括如下步驟射出成型一絕緣本體，于其上規(guī)劃一預(yù)鍍側(cè)，使得所述絕緣本體具多個貫通槽自所述預(yù)鍍側(cè)凹設(shè)形成，以及多個定位槽與所述貫通槽相鄰設(shè)置；自所述預(yù)鍍側(cè)向所述貫通槽內(nèi)和所述預(yù)鍍側(cè)鍍設(shè)導(dǎo)電層，保證所述定位槽內(nèi)未設(shè)所述導(dǎo)電層；布設(shè)絕緣層，使得所述貫通槽內(nèi)的所述金屬層外形成所述絕緣層，以及所述預(yù)鍍側(cè)的所述導(dǎo)電層外部分覆設(shè)所述絕緣層；沖壓成型多個導(dǎo)電端子，所述導(dǎo)電端子包括依次相連的一接觸部，一主體部以及一連接部；組裝所述導(dǎo)電端子于所述絕緣本體中，所述接觸部顯露于所述絕緣本體的一側(cè)，所述主體部與所述定位槽干涉配合，且與所述貫通槽無干涉配合，以及所述連接部顯露于所述絕緣本體的另一側(cè)。
14.如權(quán)利要求13所述的屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于貫通槽相連通。
15.如權(quán)利要求13所述的屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于貫通槽左右相鄰。
16.如權(quán)利要求15所述的屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于步包括多個隔字段于相鄰所述定位槽與所述貫通槽之間。
17.如權(quán)利要求13所述的屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于孔，其朝所述預(yù)鍍側(cè)封閉。
18.如權(quán)利要求13所述的屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于述絕緣本體。
19.如權(quán)利要求13所述的屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于朝所述預(yù)鍍側(cè)傾斜。
20.如權(quán)利要求13所述的屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于方式形成。
21.如權(quán)利要求13所述的屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于所述絕緣層為UV漆層或PU漆層或凡立水層。
22.如權(quán)利要求13所述的屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于所述導(dǎo)電層以真空濺鍍方式形成。所述定位槽與所述 所述定位槽與所述 所述絕緣本體進(jìn)一 所述定位槽為一盲 所述定位槽貫穿所 所述貫通槽的內(nèi)壁 所述絕緣層以沾浸
全文摘要
本發(fā)明屏蔽式連接器包括一底座，其包括一絕緣本體設(shè)有多個貫通槽貫穿所述絕緣本體的一側(cè)，多個定位槽自所述貫通槽進(jìn)一步凹陷形成并貫通所述絕緣本體的另一側(cè)，所述貫通槽內(nèi)設(shè)有屏蔽體，所述定位槽內(nèi)未設(shè)所述屏蔽體，至少一導(dǎo)接體連接各所述屏蔽體，以及至少一導(dǎo)出部電性連接所述導(dǎo)接體至所述母板；多個導(dǎo)電端子分別包括一接觸部，一主體部自所述接觸部延伸，所述主體部包括一定位段自所述接觸部延伸并與所述定位槽干涉配合，以及一導(dǎo)通段自所述定位段延伸進(jìn)入所述貫通槽并與其無干涉配合，以及一連接部。本發(fā)明屏蔽式連接器既可保證所述導(dǎo)電端子穩(wěn)定固持于所述絕緣本體中，且可避免所述導(dǎo)電端子與所述屏蔽體短接。
文檔編號H01R43/20GK102163773SQ20111000199
公開日2011年8月24日 申請日期2011年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月4日
發(fā)明者朱德祥 申請人:番禺得意精密電子工業(yè)有限公司