專利名稱：薄膜晶體管形成方法以及薄膜晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管形成方法以及薄膜晶體管。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-IXD)在現(xiàn)代生活中有著廣泛的應(yīng)用如手機(jī)顯示屏、電腦的顯示器、MP3、MP4的顯示屏等。顯示畫面均勻、高解析度、無竄擾、對比度高等是對高品質(zhì)TFT-LCD的關(guān)鍵要求之一，與此密切相關(guān)的是TFT之電性參數(shù)-開態(tài)電流(Ion)， 開態(tài)電流作為重要的電性參數(shù)，對TFT-LCD的顯示效果有著非常大的影響，當(dāng)開態(tài)電流過低時，由于充電不足會導(dǎo)致顯示畫面不均勻、對比度下降、交叉效應(yīng)等顯示缺陷，對TFT-LCD 的品質(zhì)產(chǎn)生嚴(yán)重影響，同時隨著市場對高解析度的TFT-LCD產(chǎn)品需求的日益增多，也亟待要求提高薄膜晶體管的開態(tài)電流。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管形成方法以及薄膜晶體管，以提高薄膜晶體管的開態(tài)電流，進(jìn)而提高TFT-LCD產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案一種薄膜晶體管形成方法，在溝道區(qū)刻蝕成型后，包括利用輝光放電裝置對含磷氣體進(jìn)行解離，得到等離子體；采用所述等離子體對刻蝕形成的溝道區(qū)表面進(jìn)行等離子體處理。優(yōu)選的，所述含磷氣體為=PH3、或者PH3與H2、N2, HN3> Ar、He中的一種或多種氣體的混合氣體。優(yōu)選的，所述輝光放電裝置為干刻機(jī)臺。優(yōu)選的，在等離子體處理之后，還包括進(jìn)行溝道保護(hù)層的沉積，所述溝道保護(hù)層覆蓋所述溝道區(qū)。優(yōu)選的，采用化學(xué)氣相沉積、濺射、蒸鍍或涂布工藝形成所述溝道保護(hù)層。優(yōu)選的，所述輝光放電裝置為化學(xué)氣相沉積機(jī)臺。優(yōu)選的，所述等離子體處理步驟和溝道保護(hù)層的沉積在同一設(shè)備內(nèi)完成或者在不同的設(shè)備內(nèi)完成。本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管所述薄膜晶體管溝道區(qū)的非晶硅中摻雜有磷原子；所述溝道區(qū)上方覆蓋有溝道保護(hù)層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，在薄膜晶體管溝道區(qū)的非晶硅摻雜注入了磷原子中，所述溝道區(qū)中的載流子的數(shù)量會明顯的提高，因此可以有效的提高薄膜晶體管的開態(tài)電流(提高約30% )，進(jìn)而能夠明顯的改善TFT-IXD產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為實(shí)施例一提供的薄膜晶體管形成方法流程示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管形成方法以及薄膜晶體管，該方案能夠有效的提高薄膜晶體管的開態(tài)電流，進(jìn)而提高TFT-LCD產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。所述薄膜晶體管形成方法，在溝道區(qū)刻蝕成型后，包括利用輝光放電裝置對含磷氣體進(jìn)行解離，得到等離子體；采用所述等離子體對刻蝕形成的溝道區(qū)表面進(jìn)行等離子體處理。本發(fā)明還提供了如下的一種薄膜晶體管所述薄膜晶體管溝道區(qū)的非晶硅中摻雜有磷原子；所述溝道區(qū)上方覆蓋有溝道保護(hù)層。本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，在薄膜晶體管溝道區(qū)的非晶硅摻雜注入了磷原子中，所述溝道區(qū)中的載流子的數(shù)量會明顯的提高，因此可以有效的提高薄膜晶體管的開態(tài)電流(提高約30% )，進(jìn)而能夠明顯的改善TFT-IXD產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。以上是本申請的核心思想，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例， 而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。實(shí)施例一如圖1所示，為本發(fā)明提供的薄膜晶體管形成方法流程示意圖，該方法具體包括以下步驟步驟SlOl，進(jìn)行溝道區(qū)刻蝕；步驟S102，在溝道區(qū)刻蝕成型后，利用輝光放電裝置對含磷氣體進(jìn)行解離，得到等離子體；步驟S103，采用所述等離子體對刻蝕形成的溝道區(qū)表面進(jìn)行等離子體處理。其中，所述步驟S102中，所述含磷氣體可以為PH3、或者PH3與H2、N2、願3、Ar、He中的一種或多種氣體的混合氣體。在所述步驟S103中，呈現(xiàn)等離子體狀態(tài)的磷原子被注入或摻雜到溝道區(qū)的非晶硅中，因此，所述溝道區(qū)中的載流子的數(shù)量會明顯的提高，進(jìn)而可以有效的提高薄膜晶體管的開態(tài)電流。
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通常，薄膜晶體管溝道的刻蝕通過干刻機(jī)臺完成，因此本實(shí)施例中所述的輝光放電裝置可以為干刻機(jī)臺。此外，所述的輝光放電裝置還可以為其它可以產(chǎn)生等離子體的裝置。上述等離子處理步驟可以在溝道刻蝕后順序進(jìn)行，無需更換設(shè)備，具有較高的效率。此外，上述薄膜晶體管溝道上方還可以設(shè)置有與溝道直接接觸的保護(hù)層，所述保護(hù)層對溝道區(qū)進(jìn)行覆蓋保護(hù)，因此，如圖1所示，在上述步驟S103之后，還可以包括步驟S104，進(jìn)行溝道保護(hù)層的沉積，所述溝道保護(hù)層覆蓋所述溝道區(qū)。等離子處理步驟可以設(shè)置在溝道保護(hù)層沉積步驟之前進(jìn)行?，F(xiàn)有技術(shù)中通常采用化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)工藝形成所述溝道保護(hù)層，如等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積PECVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)或者常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD) 等，本步驟通常通過化學(xué)氣相沉積機(jī)臺完成，因此，所述輝光放電裝置還可以為化學(xué)氣相沉積機(jī)臺，以便于后續(xù)溝道保護(hù)層沉積步驟中無需更換設(shè)備，提高生產(chǎn)效率。此外，所述溝道保護(hù)層還可以通過濺射、蒸鍍或涂布工藝形成。等離子等離子體處理步驟和溝道保護(hù)層的沉積可以在同一設(shè)備(如化學(xué)氣相沉積機(jī)臺)內(nèi)完成，也可以在不同的設(shè)備內(nèi)完成。本實(shí)施例提供的薄膜晶體管形成方法中，針對不同類型的輝光放電裝置，可設(shè)置為其設(shè)置不同的工藝參數(shù)，通過調(diào)整相關(guān)工藝參數(shù)，使薄膜晶體管在提高自身開態(tài)電流的同時，不影響其漏電流。本實(shí)施例提供的薄膜晶體管形成方法中，在溝道區(qū)的非晶硅摻雜注入了磷原子中，所述溝道區(qū)中的載流子的數(shù)量會明顯的提高，因此可以有效的提高薄膜晶體管的開態(tài)電流(提高約30% )，進(jìn)而能夠明顯的改善TFT-IXD產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。實(shí)施例二 相應(yīng)于實(shí)施例一中提供的方法，本實(shí)施例提供了一種應(yīng)用該方法形成的薄膜晶體管，如下所述所述薄膜晶體管溝道區(qū)的非晶硅中摻雜有磷原子；所述溝道區(qū)上方覆蓋有溝道保護(hù)層。其中，溝道區(qū)的磷原子可以通過等離子體注入工藝摻雜形成，所述溝道保護(hù)層可以通過化學(xué)氣相沉積工藝形成。由于本實(shí)施例為實(shí)施例一對應(yīng)的產(chǎn)品實(shí)施例，其類同之處相互參見即可，在此不再贅述。本實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，溝道區(qū)的非晶硅中摻雜有了磷原子，所述溝道區(qū)中的載流子的數(shù)量較高，因此所述提高薄膜晶體管的開態(tài)電流也較高(相對于現(xiàn)有薄膜晶體管高約30% )，其應(yīng)用到TFT-IXD產(chǎn)品中時，能夠明顯的改善TFT-IXD產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。本說明書中各個部分采用遞進(jìn)的方式描述，每個部分重點(diǎn)說明的都是與其他部分的不同之處，各個部分之間相同相似部分互相參見即可。對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管形成方法，其特征在于，在溝道區(qū)刻蝕成型后，包括 利用輝光放電裝置對含磷氣體進(jìn)行解離，得到等離子體；采用所述等離子體對刻蝕形成的溝道區(qū)表面進(jìn)行等離子體處理。
2.根據(jù)權(quán)利1所述的薄膜晶體管形成方法，其特征在于所述含磷氣體為=PH3、或者？!13與!12、隊、願3、41~、徹中的一種或多種氣體的混合氣體。
3.根據(jù)權(quán)利1或2所述的薄膜晶體管形成方法，其特征在于 所述輝光放電裝置為干刻機(jī)臺。
4.根據(jù)權(quán)利1所述的薄膜晶體管形成方法，其特征在于，在等離子體處理之后，還包括進(jìn)行溝道保護(hù)層的沉積，所述溝道保護(hù)層覆蓋所述溝道區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利4所述的薄膜晶體管形成方法，其特征在于采用化學(xué)氣相沉積、濺射、蒸鍍或涂布工藝形成所述溝道保護(hù)層。
6.根據(jù)權(quán)利4或5所述的薄膜晶體管形成方法，其特征在于 所述輝光放電裝置為化學(xué)氣相沉積機(jī)臺。
7.根據(jù)權(quán)利4或5所述的薄膜晶體管形成方法，其特征在于所述等離子體處理步驟和溝道保護(hù)層的沉積在同一設(shè)備內(nèi)完成、或者在不同的設(shè)備內(nèi)完成。
8.一種薄膜晶體管，其特征在于所述薄膜晶體管溝道區(qū)的非晶硅中摻雜有磷原子； 所述溝道區(qū)上方覆蓋有溝道保護(hù)層。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種薄膜晶體管形成方法以及薄膜晶體管。所述薄膜晶體管形成方法，在溝道區(qū)刻蝕成型后，包括利用輝光放電裝置對含磷氣體進(jìn)行解離，得到等離子體；采用所述等離子體對刻蝕形成的溝道區(qū)表面進(jìn)行等離子體處理。本發(fā)明還提供了如下的一種薄膜晶體管所述薄膜晶體管溝道區(qū)的非晶硅中摻雜有磷原子；所述溝道區(qū)上方覆蓋有溝道保護(hù)層。本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，在薄膜晶體管溝道區(qū)的非晶硅摻雜注入了磷原子中，所述溝道區(qū)中的載流子的數(shù)量會明顯的提高，因此可以有效的提高薄膜晶體管的開態(tài)電流(提高約30％)，進(jìn)而能夠明顯的改善TFT-LCD產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。
文檔編號H01L21/265GK102176413SQ20111007429
公開日2011年9月7日 申請日期2011年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月25日
發(fā)明者何基強(qiáng), 胡君文, 謝凡, 郝付潑 申請人:信利半導(dǎo)體有限公司