專利名稱：發(fā)光二極管光源裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種照明裝置，尤其是一種發(fā)光二極管光源裝置。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管是一種節(jié)能、環(huán)保、長壽命的固體光源，因此近十幾年來對發(fā)光二極管技術(shù)的研究一直非?；钴S，發(fā)光二極管也有漸漸取代日光燈、白熾燈等傳統(tǒng)光源的趨勢。在現(xiàn)有技術(shù)中，發(fā)光二極管光源裝置一般是將發(fā)光二極管芯片設(shè)置在電路板上，然后利用摻雜熒光粉的封裝膠體封裝該發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光激發(fā)熒光粉射出到光源外部。但是，由于上述發(fā)光二極管僅能發(fā)出同一色溫的光線，導(dǎo)致安裝這些發(fā)光二極管的燈具的照明效果非常單一化，不能夠滿足實際需要
發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，有必要提供一種可改變色溫的發(fā)光二極管光源裝置。一種發(fā)光二極管光源裝置，其包括基座、設(shè)于基座上的第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片、及一熒光粉層，該熒光粉層設(shè)置在遮擋所述第一發(fā)光二極管芯片及第二發(fā)光二極管芯片的出光方向上，該第一發(fā)光二極管芯片為紫外光發(fā)光二極管芯片，該熒光粉層內(nèi)分布有若干熒光粉顆粒，各熒光粉顆粒的外周面包覆一層齒化銀，當(dāng)?shù)诙l(fā)光二極管芯片導(dǎo)通而第一發(fā)光二極管芯片非導(dǎo)通時，第二發(fā)光二極管芯片激發(fā)熒光粉層發(fā)光而產(chǎn)生一種色溫；當(dāng)?shù)谝话l(fā)光二極管芯片與第一發(fā)光二極管芯片同時發(fā)光時，各熒光粉顆粒外周面的鹵化銀被第一發(fā)光二極管照射分解出銀原子而擋設(shè)于熒光粉顆粒周圍，該第二發(fā)光二極管芯片激發(fā)熒光粉層發(fā)光而產(chǎn)生另一種色溫。與現(xiàn)有技術(shù)相比，該發(fā)光二極管光源裝置可通過導(dǎo)通第一發(fā)光二極管芯片，而使各熒光粉顆粒外周面的鹵化銀被第一發(fā)光二極管照射分解出銀原子而擋設(shè)于熒光粉顆粒周圍，從而改變發(fā)光二極管光源裝置的整體色溫，進(jìn)而達(dá)成該發(fā)光二極管光源裝置的不同色溫的需求。


圖I為本發(fā)明第一實施方式的發(fā)光二極管光源裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖I所示的發(fā)光二極管光源裝置中的一個包覆有鹵化銀的熒光粉顆粒被第一發(fā)光二極管芯片照射后的示意圖。主要元件符號說明
夏免二極管光源裝置 j loo
基座_10
蛋= 光二極管芯片第二發(fā)光二極管芯片 30
熒光粉層_50_
頂面_11
底面丨13#置槽115
第一電極_12
第二電極_TF
第三電極_16
要光粉顆粒i
鹵化銀_54 銀原子_56
導(dǎo)線i
M斜面1150
如下具體實施方式
將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。
具體實施例方式如圖I所不,該發(fā)光二極管光源裝置100包括一基座10、設(shè)置在該基座10內(nèi)的一第一發(fā)光二極管芯片20、一第二發(fā)光二極管芯片30及一熒光粉層50。該基座10包括一頂面11及與該頂面11相對的一底面13，該基座10從頂面11向底面13方向凹進(jìn)形成一容置槽15。該容置槽15用于提供第一發(fā)光二極管芯片20、第二發(fā)光二極管芯片30及熒光粉層50的容置空間并設(shè)定發(fā)光二極管光源裝置100的光場。所述容置槽15內(nèi)表面的側(cè)面為傾斜面150，該傾斜面150自頂面11向底面13方向延伸并沿容置槽15的徑向向內(nèi)傾斜，使整個容置槽15呈一上寬下窄的形狀。優(yōu)選地，容置槽15的內(nèi)表面還涂敷有反光材料。該基座10內(nèi)還設(shè)置有相互間隔的第一電極12、第二電極14及第三電極16，所述第一電極12、第二電極14及第三電極16并排設(shè)于容置槽15的底端,且第一電極12及第三電極16分別位于第二電極14的兩側(cè)。該第一電極12及第三電極16的一端分別延伸至容置槽15的底端，另一端分別延伸至基座10的外側(cè)，用于與外部電路連接，該第二電極14貫穿容置槽15的底端，用于與外部電路連接。所述第一發(fā)光二極管芯片20及第二發(fā)光二極管芯片30設(shè)于基座10上,并收容于該容置槽15內(nèi)。該第一發(fā)光二極管芯片20設(shè)于第一電極12上，其為紫外光的發(fā)光二極管芯片。該第一發(fā)光二極管芯片20的兩端通過導(dǎo)線分別與基座10內(nèi)的第一電極12及第三電極16連接。該第二發(fā)光二極管芯片30與第一發(fā)光二極管芯片20可各自控制。本實施例中，該第二發(fā)光二極管芯片30設(shè)于第二電極14上，其兩端通過導(dǎo)線60分別與基座10內(nèi)的第二電極14及第三電極16連接。具體實施時，該第二發(fā)光二極管芯片30也可設(shè)于第三電極16上，所述第一發(fā)光二極管芯片20及第二發(fā)光二極管芯片30還可以采用覆晶封裝的方式設(shè)置在基座10上。該熒光粉層50設(shè)置于基座10上，并封閉容置槽15的頂部開口，以遮擋該第一發(fā)光二極管芯片20及第二發(fā)光二極管芯片30的出光光路。該突光粉層50由摻雜有突光粉的封膠樹脂制成，該熒光粉可選自釔鋁石榴石、鋱釔鋁石榴石及硅酸鹽中的一種或幾種的組合。該熒光粉層50內(nèi)均勻分布若干熒光粉顆粒52，各熒光粉顆粒52的外表面包覆有一鹵化銀54，該鹵化銀54內(nèi)摻雜有少量的氧化銅。本實施例中，該第二發(fā)光二極管芯片30為藍(lán)光二極管芯片，熒光粉為黃色的熒光粉。使用時，當(dāng)?shù)诙l(fā)光二極管芯片30導(dǎo)通而第一發(fā)光二極管芯片20非導(dǎo)通時，該第二發(fā)光二極管芯片30發(fā)出藍(lán)光,該藍(lán)光的一部分被突光粉吸收而激發(fā)成黃光,該黃光繼而與剩余的藍(lán)光混合形成一定色溫的白光。請同時參閱圖2，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光二極管芯片20也導(dǎo)通后，該第二發(fā)光二極管芯片30發(fā)射紫外光，該紫外光使得熒光粉顆粒52上的齒化銀54形成氧化還原作用，其中銀原子56會從鹵化銀54的化合物中分離出來，從而擋設(shè)于熒光粉顆粒52的外側(cè)，進(jìn)而減小各熒光粉顆粒52被第二發(fā)光二極管芯片30的激發(fā)面積，由此，減少第二發(fā)光二極管芯片30被熒光粉吸收的藍(lán)光，使更多剩余的藍(lán)光與黃光混合，從而提高該發(fā)光二極管光源裝置100的整體色溫。當(dāng)?shù)谝话l(fā)光二極管芯片20再關(guān)閉后，該銀原子56在氧化銅的催化作用下與鹵原子重新結(jié)合成鹵化銀54，恢復(fù)熒光粉顆粒52的激發(fā)面積，進(jìn)而使發(fā)光二極管光源裝置100恢復(fù)至原來的色溫。由此，通過該第一發(fā)光二極管芯片20的關(guān)閉即可達(dá)成發(fā)光二極管光源裝置100實現(xiàn)兩種色溫的目的。另外，該發(fā)光 二極管光源裝置100還可通過控制該第一發(fā)光二極管芯片20的電流來控制第一發(fā)光二極管芯片20的發(fā)光強(qiáng)度，從而控制熒光粉顆粒52外側(cè)的鹵化銀54的氧化還原的程度，來控制熒光粉顆粒52外側(cè)的銀原子56的數(shù)量，進(jìn)而控制各熒光粉顆粒52的被第二發(fā)光二極管芯片30的激發(fā)面積的大小，來調(diào)節(jié)該發(fā)光二極管光源裝置100的整體色溫，以適應(yīng)不同環(huán)境的需求。具體原理為當(dāng)?shù)谝话l(fā)光二極管芯片20電流越低，鹵化銀54分離出的銀原子56越少，熒光粉顆粒52被激發(fā)的面積越大，第二發(fā)光二極管芯片30被熒光粉吸收的光越多，從而該發(fā)光二極管光源裝置100的整體色溫降低；相反，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光二極管芯片20電流越高，鹵化銀54分離出的銀原子56越多，熒光粉顆粒52被激發(fā)的面積越小，第二發(fā)光二極管芯片30被熒光粉吸收的光越少，從而該發(fā)光二極管光源裝置100的整體色溫提高。由此，達(dá)成發(fā)光二極管光源裝置100實現(xiàn)各種不同色溫的目的。具體實施時，該第二發(fā)光二極管芯片30的發(fā)光情況及熒光粉的顏色不受本實施例的限制，其也可為其他能相互配合且不對鹵化銀54的氧化還原造成影響的發(fā)光二極管芯片與熒光粉。該發(fā)光二極管光源裝置100的第一發(fā)光二極管芯片20及第二發(fā)光二極管芯片30上還可包覆有一封裝層，該封裝層為一透明封膠樹脂，用于保護(hù)第一及第二發(fā)光二極管芯片20、30免受灰塵、水氣等影響。另外，該熒光粉層50也可直接填充封設(shè)于基座10的整個容置槽15內(nèi)?？梢岳斫獾氖?，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它各種像應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管光源裝置，其包括基座、設(shè)于基座上的第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片、及一熒光粉層，該熒光粉層設(shè)置在遮擋所述第一發(fā)光二極管芯片及第二發(fā)光二極管芯片的出光方向上，其特征在于該第一發(fā)光二極管芯片為紫外光發(fā)光二極管芯片，該熒光粉層內(nèi)分布有若干熒光粉顆粒，各熒光粉顆粒的外周面包覆一層鹵化銀，當(dāng)?shù)诙l(fā)光二極管芯片導(dǎo)通而第一發(fā)光二極管芯片非導(dǎo)通時，第二發(fā)光二極管芯片激發(fā)熒光粉層發(fā)光而產(chǎn)生一種色溫；當(dāng)?shù)谝话l(fā)光二極管芯片與第一發(fā)光二極管芯片同時發(fā)光時，各熒光粉顆粒外周面的鹵化銀被第一發(fā)光二極管照射分解出銀原子而擋設(shè)于熒光粉顆粒周圍，該第二發(fā)光二極管芯片激發(fā)熒光粉層發(fā)光而產(chǎn)生另一種色溫。
2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于當(dāng)?shù)谝话l(fā)光二極管芯片與第一發(fā)光二極管芯片同時發(fā)光時，改變第一發(fā)光二極管芯片的發(fā)光強(qiáng)度來控制鹵化銀分解出的銀原子的數(shù)量，從而調(diào)節(jié)該第二發(fā)光二極管芯片激發(fā)熒光粉層發(fā)光而產(chǎn)生的色溫。
3.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于所述鹵化銀中設(shè)有氧化銅，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光二極管芯片由導(dǎo)通至關(guān)閉時，所述熒光粉顆粒周圍的銀原子與鹵素原子在氧化銅的催化作用下重新結(jié)合成鹵化銀，所述發(fā)光二極管光源裝置返回至只有第二發(fā)光二極管導(dǎo)通時的色溫狀態(tài)。
4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于所述鹵化銀中設(shè)有氧化銅，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光二極管芯片的發(fā)光強(qiáng)度降低時，鹵化銀分解出的銀原子的數(shù)量減少，熒光粉顆粒被第二發(fā)光二極管芯片激發(fā)的面積增大，所述第二發(fā)光二極管芯片激發(fā)熒光粉層發(fā)光而產(chǎn)生的色溫降低；當(dāng)?shù)谝话l(fā)光二極管芯片的發(fā)光強(qiáng)度升高時，鹵化銀分解出的銀原子的數(shù)量增加，熒光粉顆粒被第二發(fā)光二極管芯片激發(fā)的面積減小，所述第二發(fā)光二極管芯片激發(fā)熒光粉層發(fā)光而產(chǎn)生的色溫提高。
5.如權(quán)利要求I至4任何一項所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于該熒光粉層由摻雜有熒光粉的封膠樹脂制成。
6.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于所述熒光粉顆粒均勻分布于突光粉層中。
7.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于所述基座上設(shè)有一容置槽，該容置槽的內(nèi)表面為傾斜面，該傾斜面自基座頂面向基座底面方向延伸并向第一發(fā)光二極管芯片及第二發(fā)光二極管芯片的方向傾斜，容置槽的內(nèi)表面還涂敷有反光材料。
8.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于所述第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片可各自控制其開關(guān)及電流的大小。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于所述基座底面上設(shè)置有相互間隔的第一電極、第二電極及第三電極，所述第一發(fā)光二極管芯片與第一電極及第三電極連接，所述第二發(fā)光二極管芯片與第二電極及第三電極連接。
10.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于所述第二發(fā)光二極管芯片為藍(lán)光二極管芯片，所述熒光粉層為黃色的熒光粉。
全文摘要
一種發(fā)光二極管光源裝置，其包括基座、設(shè)于基座上的第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片、及一熒光粉層，該熒光粉層設(shè)置在遮擋所述第一發(fā)光二極管芯片及第二發(fā)光二極管芯片的出光方向上，該第一發(fā)光二極管芯片為紫外光發(fā)光二極管芯片，該熒光粉層內(nèi)分布有若干熒光粉顆粒，各熒光粉顆粒的外周面包覆一層鹵化銀，當(dāng)?shù)诙l(fā)光二極管芯片導(dǎo)通而第一發(fā)光二極管芯片非導(dǎo)通時，第二發(fā)光二極管芯片激發(fā)熒光粉層發(fā)光而產(chǎn)生一種色溫；當(dāng)?shù)谝话l(fā)光二極管芯片與第一發(fā)光二極管芯片同時發(fā)光時，各熒光粉顆粒外周面的鹵化銀被第一發(fā)光二極管照射分解出銀原子而擋設(shè)于熒光粉顆粒周圍，該第二發(fā)光二極管芯片激發(fā)熒光粉層發(fā)光而產(chǎn)生另一種色溫。
文檔編號H01L33/50GK102903829SQ20111021060
公開日2013年1月30日 申請日期2011年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月26日
發(fā)明者林厚德, 張超雄 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司