專利名稱：太陽能電池片及其熱處理工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及太陽能電池的生產(chǎn)加工領域，更具體地說，涉及一種太陽能電池片及其熱處理工藝。
背景技術：
太陽能電池，也稱光伏電池，是一種將太陽的光能直接轉化為電能的半導體器件。 由于它是綠色環(huán)保產(chǎn)品，不會引起環(huán)境污染，而且是可再生資源，所以在當今能源短缺的情形下，太陽能電池是一種有廣闊發(fā)展前途的新型能源。目前，80%以上的太陽電池是由晶體硅(單晶硅和多晶硅)材料制備而成，因此，制備高效率的晶體硅太陽電池對于大規(guī)模利用太陽能發(fā)電有著十分重要的意義。目前，晶體硅太陽能電池的生產(chǎn)過程已經(jīng)標準化，其主要步驟如下步驟S11、化學清洗硅片表面以及表面織構化處理(即表面制絨)，通過化學反應在原本光滑的硅片表面形成凹凸不平的結構，以增強光的吸收；步驟S12、擴散制結，將P型(或N型)的硅片放入擴散爐內，使N型(或P型) 雜質原子接觸硅片表面層，通過硅原子之間的空隙向硅片內部滲透擴散，形成PN結，使電子和空穴在流動后不再回到原處，這樣便形成電流，也就是使硅片具有光伏效應，擴散的濃度、結深以及擴散的均勻性直接影響太陽能電池的電性能，擴散進雜質的總量用方塊電阻來衡量，雜質總量越小，方塊電阻越大，轉換效率越低，在常規(guī)P型晶體硅太陽能電池中，一般只在電池正面進行擴散制結，在N型晶體硅太陽能電池中，還會在電池背面采用擴散工藝形成背場，所述P型晶體硅包括P型的單晶硅和多晶硅，同理，所述N型晶體硅包括N型的單晶硅和多晶硅；步驟S13、周邊等離子刻蝕，去除擴散過程中在硅片邊緣形成的將PN結短路的導電層；/Vif SH^5Fis. PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition,
強型化學氣相淀積)，即沉積減反射膜，主要采用氮化硅膜、氮氧化硅和/或氮化鈦膜，利用薄膜干涉原理，減少光的反射，起到鈍化作用，增大電池的短路電流和輸出功率，提高轉換效率；步驟S15、印刷電極，在常規(guī)P型晶體硅太陽能電池中，一般采用銀漿印刷正電極和背電極，采用鋁漿印刷背電場，以收集電流并起到導電的作用，在N型晶體硅太陽能電池中，一般背場是在擴散過程中形成的；步驟S16、燒結，在高溫下使印刷的金屬電極與硅片之間形成合金，也就是使各接觸面都形成良好的歐姆接觸，減小電池的串聯(lián)電阻，增加電池的輸出電壓和輸出電流，因此能否形成良好的歐姆接觸對整個電池片的轉換效率有著至關重要的作用。在實際生產(chǎn)過程中發(fā)現(xiàn)，經(jīng)過上述方法生產(chǎn)出的電池片中往往會出現(xiàn)一定比例的轉換效率偏低的電池片，這里將轉換效率低于18%的太陽能電池片稱為等外低效片或低效片。現(xiàn)有技術中處理上述低效片的方法就是通過分揀測試后，將上述低效片篩選出來，直接按照等外低效產(chǎn)品進行入庫包裝，這種處理方式?jīng)]有充分挖掘出電池片的轉換效率，降低了經(jīng)濟效益。

發(fā)明內容
本發(fā)明實施例提供了一種太陽能電池片及其熱處理工藝，進一步提高了電池片光電轉換效率，提高了經(jīng)濟效益。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供了如下技術方案一種太陽能電池片熱處理工藝，包括a)從經(jīng)過印刷燒結后的太陽能電池片中，篩選出轉換效率低于18%，且填充因子在70%以上的電池片；b)對篩選出的電池片進行低溫退火，以提高所述篩選出的電池片的轉換效率，所述低溫退火的溫度低于正常的燒結溫度；c)對經(jīng)低溫退火后的電池片進行分揀測試，篩選出填充因子下降的電池片；d)對步驟C)中篩選出的電池片進行重新燒結，以提高所述電池片的填充因子，所述重新燒結的溫度與正常燒結溫度相同；e)對經(jīng)重新燒結的電池片進行分揀測試，篩選出轉換效率低于18%的電池片，返回步驟b)，直至篩選出的大部分或全部電池片的轉換效率均高于18%，且填充因子在70% 以上。優(yōu)選的，所述電池片的基底材料為單晶硅，所述篩選出的電池片為因單晶硅拉制過程中引入的缺陷導致的轉換效率低的太陽能電池片。優(yōu)選的，在印刷燒結之前還包括電池片表面的制絨過程、擴散制結過程和周邊等離子刻蝕過程，所述擴散制結過程為，在電池片的正面進行擴散制結，在電池片的背面擴散制作背場。優(yōu)選的，進行周邊等離子刻蝕過程后還包括，沉積減反射膜過程和印刷電極過程， 所述沉積減反射膜過程為，在電池片的正面和背面先后均進行減反射膜的沉積。優(yōu)選的，制作所述電池片的基底材料為N型單晶硅。優(yōu)選的，所述低溫退火的時間在30S-^iin以內。優(yōu)選的，所述低溫退火的溫度在250°C -550°C以內。優(yōu)選的，所述減反射膜為富氫的氮化硅薄膜、富氫的氮氧化硅薄膜和富氫的氮化鈦薄膜中的至少一種。優(yōu)選的，所述低溫退火過程可在非氧化性氣氛下進行。本發(fā)明實施例還公開了采用上述工藝制作的太陽能電池片，所述太陽能電池片的轉換效率在18%以上，且填充因子在70%以上。優(yōu)選的，所述太陽能電池片的基底材料為單晶硅，該電池片的正面和背面均具有富氫的減反射膜。與現(xiàn)有技術相比，上述技術方案具有以下優(yōu)點本發(fā)明實施例提供的太陽能電池片及其熱處理工藝，通過篩選出轉換效率偏低的太陽能電池片，并對篩選出的電池片進行低溫退火，即重新返燒過程，由于篩選出的電池片轉換效率低是由在硅基底材料制備過程中引入的缺陷引起的，這些缺陷在太陽能電池片的制備過程中是無法完全消除的，但是本實施例中以低于正常燒結溫度和燒結時間進行重新返燒，可使減反射膜中具有鈍化作用的元素(主要為氫元素)進一步的鈍化基底材料中的缺陷，即可進一步的減少基底材料中的缺陷從而提高了晶體硅太陽能電池片的轉換效率。在經(jīng)過低溫退火之后，由于低溫退火過程可能導致電池片柵線中的玻璃體性質發(fā)生變化，從而可能導致填充因子下降，進而也會影響電池片的轉換效率，因此對填充因子下降的電池片再次以正常燒結溫度進行燒結，從而提高其填充因子。低溫退火和重新燒結過程循環(huán)進行，低溫退火過程可以修復單晶硅和多晶硅基底材料中的缺陷，而重新進行的正常燒結過程又可以修復低溫退火過程產(chǎn)生的缺陷，兩個處理過程相互配合，在每一步驟后都會得到轉換效率高于18%，且填充因子在70%以上的電池片，之后再對剩余不滿足要求的電池片進行處理，如此往復，經(jīng)過一步步的篩選、返燒等， 能夠使大部分或全部電池片的轉換效率和填充因子滿足要求，即大大減少了低效片的數(shù)量，提高了經(jīng)濟效益。


通過附圖所示，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。圖1為現(xiàn)有技術中晶體硅太陽能電池熱處理工藝流程圖；圖2為本發(fā)明實施例公開的太陽能電池片熱處理工藝的流程圖；圖3為本發(fā)明另一實施例公開的太陽能電池片熱處理工藝的流程圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。其次，本發(fā)明結合示意圖進行詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表示器件結構的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應限制本發(fā)明保護的范圍。此外，在實際制作中應包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。正如背景技術部分所述，現(xiàn)有技術中燒結工藝之后，經(jīng)常會出現(xiàn)一定數(shù)量的低效片。發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，導致電池片轉換效率低的原因有多種，但是，其中大部分低效片往往有一個共同的特征，即在燒結工藝之后，會出現(xiàn)多種缺陷形式，針對這些缺陷的結構和形貌進行進一步的探測之后，發(fā)現(xiàn)這些缺陷是由單晶硅和多晶硅基底材料中本身的缺陷引起的，如針對單晶硅基底材料中存在的氧誘導堆垛層錯(OSF)的環(huán)和空隙，或者空位團的“漩渦”缺陷，多晶硅基底材料中也存在晶界和位錯等缺陷，這些缺陷經(jīng)過一步燒結過程是無法完全消除的，如單晶硅基底材料的缺陷在燒結后體現(xiàn)為電池片上出現(xiàn)環(huán)形缺陷或黑心缺陷，由于在這些缺陷處不能進行良好的導電，從而導致電池片的轉換效率偏低。基于上述原因，本發(fā)明實施例提供了一種太陽能電池片熱處理工藝，該方法的流
5程圖如圖2所示，包括以下步驟步驟S21 從經(jīng)過印刷燒結后的太陽能電池片中，篩選出轉換效率低于18%，且填充因子在70%以上的電池片，這些電池片上多存在環(huán)形缺陷或黑心缺陷，主要是因基底材料本身的缺陷引起的轉換效率低的電池片，舉例來說，這些電池片若為多晶硅電池片，這些缺陷多是由多晶硅基底中的晶界和位錯引起的，若為單晶硅電池片，這些缺陷多是由單晶硅拉制過程中引入的氧誘導堆垛層錯(OSF)的環(huán)和空隙，或者空位團的“漩渦”缺陷引起的，這些基底材料本身的缺陷按照正常的太陽能電池片生產(chǎn)工藝是無法消除的。其中，正常情況下填充因子在70%以上的電池片，其轉換效率不會過低，往往均在可以接受的范圍內，但是由于硅基底材料本身存在缺陷等原因，這類電池片也會出現(xiàn)轉換效率低的情況，因此，本實施例中篩選出的電池片主要是填充因子在70%以上，且轉換效率低于18%的電池片，并且電池片上沉積的減反射膜多為富氫的氮化硅或氮氧化硅薄膜。步驟S22 對篩選出的電池片進行低溫退火，以提高所述篩選出的電池片的轉換效率，所述低溫退火的溫度低于正常的燒結溫度，該低溫退火過程可在非氧化性氣氛下進行，如在氮氣或氫氣氣氛下進行，本實施例對低溫退火過程的氣體氛圍不做具體限定，工藝方案可以靈活掌控；發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，在多種低效太陽能電池片中，存在填充因子較大，但轉換效率低的電池片經(jīng)過低溫退火處理之后，在一定程度上能夠提高其轉換效率，但是低溫退火的溫度須低于正常燒結溫度，這樣經(jīng)過低溫退火過程，可使減反射膜層中的氫可以進一步的深入基底材料內部，從而可以進一步的鈍化硅基底材料中的缺陷，從而提高Voc和Isc，也就提高了轉換效率。具體說來，在正常的電池片制作過程中，硅基底材料內存在的缺陷可通過燒結過程進行消除，但由于某些硅基底材料在制作過程中引入的缺陷過多，僅通過一步正常的燒結過程無法完全消除基底材料中的缺陷，此時就會產(chǎn)生部分低效片，本實施例中對因基底材料本身缺陷導致的轉換效率偏低的電池片進行低溫退火過程，可使減反射膜層(富氫的氮化硅膜或氮氧化硅膜)中的氫進一步鈍化硅基底中的缺陷，從而使Voc和Isc得到提升， 進而提高轉換效率。并且，由于是正常燒結后的退火工藝，為了保證電池片的基本性能，本發(fā)明實施例中的低溫退火溫度低于正常燒結溫度，而且，由于該退火過程中是電池片的正反兩面同時進行的退火，對于多晶硅電池片來說，銀漿的熔點遠高于鋁漿的熔點，因此，對于多晶硅電池片，優(yōu)選的，退火溫度需低于鋁的熔點，以免影響鋁背場的光滑度；對于單晶硅電池片來說，其背場是在擴散過程中形成的，為避免電池片柵線的性質受到影響，該退火溫度也不宜過高?；诖?，本實施例中低溫退火的溫度優(yōu)選為低于600°C，更優(yōu)選為，在 2500C -550°C以內，低溫退火的時間在30S-^iin以內，具體退火時間可根據(jù)電池片的缺陷情況確定，缺陷越多，退火時間也就相應的較長。步驟S23 對經(jīng)低溫退火后的電池片進行分揀測試，篩選出填充因子下降的電池片，對填充因子沒有下降且轉換效率高于18%的電池片，即可進入步驟S26，按照正常的高效片進行包裝入庫保存；在實際生產(chǎn)過程中發(fā)現(xiàn)，經(jīng)過低溫退火過程，大部分電池片的填充因子和轉換效率均得到了提高，不再屬于低效片，但也可能會導致小部分電池片的填充因子下降，因填充因子下降，這部分電池片的轉換效率也可能會有所提升，但提升水平有限，多數(shù)的轉換效率還是會較低。發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，退火過程導致填充因子下降的其主要原因是低溫退火過程中， 由于柵線中的導電性物質揮發(fā)，使柵線中的玻璃體不具腐蝕性，且導電性能變差，導致串聯(lián)電阻變大，填充因子下降，而且低溫退火過程Voc和Isc提升明顯，在一定程度上也會使填充因子下降，而填充因子下降后也必然會影響到電池片的轉換效率，因此必須對這些電池片進行處理。步驟S24 對步驟S23中篩選出的電池片進行重新燒結，以提高所述電池片的填充因子，所述重新燒結的溫度與正常燒結溫度相同；本步驟將經(jīng)低溫退火過程，填充因子下降明顯且轉換效率低于18%的電池片進行重新燒結，該燒結過程的參數(shù)與正常燒結過程參數(shù)相同，經(jīng)該步驟處理后，修復了低溫退火過程出現(xiàn)的缺陷，提高了電池片的填充因子，但是經(jīng)過此步驟的重新燒結后，可能會使減反射膜中起鈍化作用的氫元素部分溢出，基底材料中的缺陷又會重新生成，因此該步驟后也可能會出現(xiàn)Voc和Isc下降，即轉換效率下降的情況，但出現(xiàn)這種問題的可能性較小，可根據(jù)存在這種缺陷電池片的數(shù)量確定是否進行下一步處理，本實施例中僅以需要處理的情況進行說明。步驟S25 對經(jīng)重新燒結的電池片進行分揀測試，篩選出轉換效率低于18%的電池片，即篩選出Voc和Isc下降的電池片，重復步驟S22-步驟S24，直至篩選出的大部分或全部電池片的轉換效率均高于18 %，且填充因子在70 %以上。每一處理步驟后，篩選出的填充因子在70%以上且轉換效率高于18%的電池片， 均可進入步驟S26，按照正常的高效片進行包裝入庫保存。在實際生產(chǎn)過程中，基本上經(jīng)過一次低溫退火-再燒結-再次低溫退火過程，大部分電池片的轉換效率和填充因子即可滿足要求。本實施例中通過篩選出轉換效率偏低的太陽能電池片，并對篩選出的電池片進行低溫退火，可改善正常燒結過程中的缺陷，但是在經(jīng)過低溫退火之后，會出現(xiàn)填充因子下降的問題，而對填充因子下降的電池片再次以正常燒結溫度進行燒結，便可提高其填充因子。本實施例中低溫退火和重新燒結過程循環(huán)進行，低溫退火過程可以修復正常燒結過程產(chǎn)生的缺陷，而重新進行的正常燒結過程又可以修復低溫退火過程產(chǎn)生的缺陷，兩個處理過程相互配合，在每一步驟后都會得到轉換效率高于18%，且填充因子在70%以上的電池片，之后再對剩余不滿足要求的電池片進行處理，如此往復，經(jīng)過一步步的篩選、返燒等，能夠使大部分或全部電池片的轉換效率和填充因子滿足要求，即大大減少了低效片的數(shù)量，提高了經(jīng)濟效益。需要說明的是，本實施例的太陽能電池片熱處理工藝可應用于采用N型或P型單晶硅，以及N型或P型多晶硅為基底材料制作的太陽能電池片，均能提高電池片的轉換效率。以下實施例僅以N型晶體硅，優(yōu)選為N型單晶硅太陽能電池為例，對本發(fā)明實施例的主體思想和有益效果進行進一步的闡述。本發(fā)明另一實施例提供的太陽能電池片熱處理工藝的流程圖如圖3所示，與上一實施例不同的是，本實施例中以制作太陽能電池片的基底材料為N型晶體硅，優(yōu)選為N型單晶硅為例，對上述方法進行了進一步改進，具體包括以下步驟步驟S311 化學清洗硅片表面以及電池片表面的制絨過程，該步驟中電池片的正面和背面均需進行制絨，以增強光的吸收；步驟S312 在電池片的正面進行擴散制結，在電池片的和背面先后均進行擴散制結擴散制作背場；需要說明的是，常規(guī)太陽能電池生產(chǎn)工藝多采用P型硅片，之后擴散N型雜質原子形成PN結，本實施例中正好與其相反，采用N型硅片，之后擴散P型雜質原子形成PN結，常規(guī)P型晶體硅太陽能電池工藝中只是在電池片的正面進行擴散制結，而本實施例中由于采用的是N型單晶硅作為基底材料，因此在電池的正面進行擴散制結后，還會在電池片的背面擴散制作背場，從而進一步的降低了硅片的方塊電阻，為提高電池片的轉換效率奠定了 ■石出。步驟S313 周邊等離子刻蝕過程，去除擴散過程中在硅片邊緣形成的將PN結短路的導電層；步驟S314 沉積減反射膜過程，主要采用氮化硅膜、氮氧化硅和氮化鈦膜中的至少一種，利用薄膜干涉原理，減少光的反射，同時減少載流子復合，起到鈍化作用，增大電池的短路電流和輸出功率，提高轉換效率；與現(xiàn)有技術不同的是，現(xiàn)有技術中一般只在電池片的正面沉積減反射膜，而本實施例中在電池片的正面和背面先后均進行減反射膜的沉積，相當于增大了減反射膜的面積，增加了起到鈍化作用的氫元素的含量，可以進一步的鈍化單晶硅基底材料中的缺陷，且可以進一步的減少光的反射，同時對電池片的背面也起到了鈍化作用，進一步提高了電池片的轉換效率。需要說明的是，本實施例中僅以N型單晶硅為例來說明正反兩面沉積減反射膜的工藝，但該工藝并不僅限于N型單晶硅或N型多晶硅，理論上，也可應用于P型晶體硅。但是，由于N型晶體硅和P型晶體硅制作背場的方式不同，在實際生產(chǎn)過程中，正反兩面沉積減反射膜的工藝不同摻雜類型的晶體硅太陽能電池的轉換效率的提高水平也不同，一般情況下，對N型晶體硅太陽能電池的轉換效率提高較大，對P型晶體硅太陽能電池的轉換效率提高較小。另外，需要說明的是，本實施例中為了達到良好的鈍化作用，所述減反射膜為富氫的氮化硅薄膜、富氫的氮氧化硅薄膜和富氫的氮化鈦薄膜中的至少一種，本實施例中優(yōu)選為富氫的氮化硅薄膜。步驟S315 印刷電極過程，該步驟中僅采用銀漿印刷正電極和背電極，以收集電流并起到導電的作用；步驟S316 燒結過程，在高溫下使印刷的金屬電極與硅片之間形成合金；之后，進入步驟S317-步驟S316，對燒結后的電池片進行篩選并再處理，這些過程與上一實施例中相同，這里不再贅述。本實施例中通過在電池片的正面擴散制結，背面擴散形成背場，并且在電池片的正反兩面都進行減反射膜的沉積過程，由于增加了氫元素的含量，可使減反射膜中的氫元素的鈍化作用更明顯，即進一步減少了單晶硅基底材料中的缺陷，從而進一步提高了 N型單晶硅太陽能電池片的轉換效率。在正常的單晶硅棒的拉制過程中可能引入氧誘導堆垛層錯(OSF)的環(huán)和空隙、空位團的“漩渦”缺陷或包含較多的氧雜質等，經(jīng)過多次低溫退火-重新燒結-低溫退火等過程，并且由于電池片的正反兩面均具有減反射膜，可進一步的鈍化N 單晶硅基底材料中的缺陷，即改善了單晶硅基底內部各種結構缺陷，提高N型單晶硅制作的電池片的Voc和I sc，進而提高電池片的轉換效率。下面以N型單晶硅太陽能電池在采用本實施例方法處理前后的具體實驗數(shù)據(jù)為例，來說明本發(fā)明實施例的太陽能電池片熱處理工藝的效果。選擇5批相同材料相同規(guī)格的N型單晶硅太陽能電池片，這些電池片的正反兩面均具有富氫的減反射膜，經(jīng)過正常生產(chǎn)工藝后，對這5批太陽能電池片進行測試分檔，在每批中篩選出200片轉換效率低于18%，填充因子在70%以上的電池片，對篩選出的電池片的各項電性參數(shù)進行測試，得出各批次電池片平均的電性參數(shù)，測試結果如表一所示表一正常燒結工藝后編號為1-5批次低效片的電性參數(shù)表
權利要求
1.一種太陽能電池片熱處理工藝，其特征在于，包括a)從經(jīng)過印刷燒結后的太陽能電池片中，篩選出轉換效率低于18%，且填充因子在 70%以上的電池片；b)對篩選出的電池片進行低溫退火，以提高所述篩選出的電池片的轉換效率，所述低溫退火的溫度低于正常的燒結溫度；c)對經(jīng)低溫退火后的電池片進行分揀測試，篩選出填充因子下降的電池片；d)對步驟c)中篩選出的電池片進行重新燒結，以提高所述電池片的填充因子，所述重新燒結的溫度與正常燒結溫度相同；e)對經(jīng)重新燒結的電池片進行分揀測試，篩選出轉換效率低于18%的電池片，返回步驟b)，直至篩選出的大部分或全部電池片的轉換效率均高于18 %，且填充因子在70 %以上。
2.根據(jù)權利要求1所述的熱處理工藝，其特征在于，所述電池片的基底材料為單晶硅， 所述篩選出的電池片為因單晶硅拉制過程中引入的缺陷導致的轉換效率低的太陽能電池片。
3.根據(jù)權利要求2所述的熱處理工藝，在印刷燒結之前還包括電池片表面的制絨過程、擴散制結過程和周邊等離子刻蝕過程，其特征在于，所述擴散制結過程為，在電池片的正面進行擴散制結，在電池片的背面擴散制作背場。
4.根據(jù)權利要求3所述的熱處理工藝，進行周邊等離子刻蝕過程后還包括，沉積減反射膜過程和印刷電極過程，其特征在于，所述沉積減反射膜過程為，在電池片的正面和背面先后均進行減反射膜的沉積。
5.根據(jù)權利要求4所述的熱處理工藝，其特征在于，制作所述電池片的基底材料為N型單晶硅。
6.根據(jù)權利要求5所述的熱處理工藝，其特征在于，所述低溫退火的時間在30s-%iin 以內。
7.根據(jù)權利要求6所述的熱處理工藝，其特征在于，所述低溫退火的溫度在 2500C _550°C 以內。
8.根據(jù)權利要求7所述的熱處理工藝，其特征在于，所述減反射膜為富氫的氮化硅薄膜、富氫的氮氧化硅薄膜和富氫的氮化鈦薄膜中的至少一種。
9.根據(jù)權利要求1所述的熱處理工藝，其特征在于，所述低溫退火過程可在非氧化性氣氛下進行。
10.一種采用權利要求1-9任一項所述的熱處理工藝制作的太陽能電池片，所述太陽能電池片的轉換效率在18%以上，且填充因子在70%以上。
11.根據(jù)權利要求10所述的太陽能電池片，其特征在于，所述太陽能電池片的基底材料為單晶硅，該電池片的正面和背面均具有富氫的減反射膜。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種太陽能電池片及其熱處理工藝，該方法包括a)從經(jīng)過印刷燒結后的太陽能電池片中，篩選出轉換效率低于18％，且填充因子在70％以上的電池片；b)對篩選出的電池片進行低溫退火；c)從經(jīng)低溫退火后的電池片中篩選出填充因子下降的電池片；d)對篩選出的電池片進行重新燒結；e)從經(jīng)重新燒結的電池片中篩選出轉換效率低于18％的電池片，返回b)，直至篩選出的大部分或全部電池片滿足要求。本發(fā)明實施例中低溫退火和重新燒結過程循環(huán)進行，低溫退火可以修復基底材料中的缺陷，而重新燒結過程又可以修復低溫退火產(chǎn)生的缺陷，兩個處理過程相互配合，層層篩選，大大減少了低效片的數(shù)量，提高了經(jīng)濟效益。
文檔編號H01L31/06GK102315332SQ20111030153
公開日2012年1月11日 申請日期2011年9月29日 優(yōu)先權日2011年9月29日
發(fā)明者于全慶, 劉偉, 安海嬌, 李高非, 熊景峰, 王紅芳, 胡志巖 申請人:英利能源(中國)有限公司