專利名稱：低損耗高抑制微型腔體帶通濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種濾波器，特別是一種低損耗高抑制微型腔體帶通濾波器。
背景技術(shù)：
隨著微波毫米波通信、雷達(dá)等系統(tǒng)的發(fā)展，尤其是移動手持式無線通信終端、單兵衛(wèi)星移動通信終端、軍用與民用多模多路通信系統(tǒng)終端、機(jī)載、彈載、宇航通信系統(tǒng)中微波毫米波通信模塊的不斷小型化，帶通濾波器作為相應(yīng)波段接收和發(fā)射支路中的關(guān)鍵電子部件，低損耗且高阻帶抑制微型腔體微波帶通濾波器是其一個重要的發(fā)展方向。描述這種部件性能的主要技術(shù)指標(biāo)有通帶工作頻率范圍、阻帶頻率范圍、通帶輸入/輸出電壓駐波比、通帶插入損耗、阻帶衰減、形狀因子、插入相移和時延頻率特性、溫度穩(wěn)定性、體積、重量、可靠性等。用常規(guī)方法設(shè)計的濾波器，如發(fā)夾型濾波器結(jié)構(gòu)、諧振腔濾波器結(jié)構(gòu)和同軸線濾波器結(jié)構(gòu)等均存在體積和插入損耗較大的缺點，對于要求苛刻的應(yīng)用場合往往無法使用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種體積小、重量輕、可靠性高、電性能優(yōu)異、結(jié)構(gòu)簡單、成品率高、批量一致性好、造價低、溫度性能穩(wěn)定、相位頻率特性線性變化的低損耗高抑制微型腔體微波帶通濾波器。實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是一種低損耗高抑制微型腔體帶通濾波器，包括表面貼裝的50歐姆阻抗輸入端口、輸入電感、第一級并聯(lián)諧振單元、第一電磁耦合電路、第二級并聯(lián)諧振單元、第二電磁耦合電路、第三級并聯(lián)諧振單元、第三電磁耦合電路、第四級并聯(lián)諧振單元、第四電磁耦合電路、第五級并聯(lián)諧振單元、輸出電感、表面貼裝的50歐姆阻抗輸出端口和接地端；第一級并聯(lián)諧振單元由第一電感和第一電容并聯(lián)而成，第二級并聯(lián)諧振單元由第二電感和第二電容并聯(lián)而成，第三級并聯(lián)諧振單元由第三電感和第三電容并聯(lián)而成，第四級并聯(lián)諧振單元由第四電感和第四電容并聯(lián)而成，第五級并聯(lián)諧振單元由第五電感和第五電容并聯(lián)而成；輸入端口與輸入電感連接，輸出端口與輸出電感連接，該輸出電感與輸入電感之間并聯(lián)第一級并聯(lián)諧振單元、第二級并聯(lián)諧振單元、第三級并聯(lián)諧振單元、 第四級并聯(lián)諧振單元和第五級并聯(lián)諧振單元，在第一級并聯(lián)諧振單元與第二級并聯(lián)諧振單元之間串聯(lián)第一電磁耦合電路，第二級并聯(lián)諧振單元與第三級并聯(lián)諧振單元之間串聯(lián)第二電磁耦合電路，第三級并聯(lián)諧振單元與第四級并聯(lián)諧振單元之間串聯(lián)第三電磁耦合電路， 第四和第五級并聯(lián)諧振單元之間串聯(lián)第四電磁耦合電路，所述的第一級并聯(lián)諧振單元的另一端、第二級并聯(lián)諧振單元的另一端、第三級并聯(lián)諧振單元的另一端、第四級并聯(lián)諧振單元的另一端和第五級并聯(lián)諧振單元的另一端分別接地。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于本發(fā)明采用低損耗低溫共燒陶瓷材料和三維立體集成以及圓柱形腔體實現(xiàn)并聯(lián)諧振單元和電磁耦合電路，所帶來的顯著優(yōu)點是(1)通帶內(nèi)損耗低、帶外抑制高；(2) Q值高；(3)體積小、重量輕、可靠性高；(4)電性能優(yōu)異，相位頻率特性線性變化；(5)電性能溫度穩(wěn)定性高；(6)電路實現(xiàn)結(jié)構(gòu)簡單；(7)電性能一致性好， 可實現(xiàn)大批量生產(chǎn)；(8)成本低；(9)使用安裝方便，可以使用全自動貼片機(jī)安裝和焊接； (10)特別適用于火箭、機(jī)載、彈載、宇宙飛船、單兵移動通信終端等無線通信手持終端中，以及對體積、重量、性能、可靠性有苛刻要求的通信系統(tǒng)中。


圖1是本發(fā)明低損耗高抑制微型腔體帶通濾波器的電原理圖。圖2是本發(fā)明低損耗高抑制微型腔體帶通濾波器的外形及內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明低損耗高抑制微型腔體帶通濾波器主要性能仿真結(jié)果曲線。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。結(jié)合圖1，本發(fā)明是一種低損耗高抑制微型腔體帶通濾波器，包括表面貼裝裝的 50歐姆阻抗輸入端口 P1、輸入電感Lin，第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl，第一電磁耦合電路 L12、C12，第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2，第二電磁耦合電路L23、C23，第三級并聯(lián)諧振單元 L3、C3，第三電磁耦合電路L34、C34，第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4，第四電磁耦合電路L45、 C45，第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5，輸出電感Lout，表面安裝的50歐姆阻抗輸出端口 P2和接地端；第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl由第一電感Ll和第一電容Cl并聯(lián)而成，第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2由第二電感L2和第二電容C2并聯(lián)而成，第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3由第三電感L3和第三電容C3并聯(lián)而成，第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4由第四電感L4和第四電容 C4并聯(lián)而成，第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5由第五電感L5和第五電容C5并聯(lián)而成；輸入端口 Pl與輸入電感Lin連接，輸出端口 P2與輸出電感Lout連接，該輸出電感Lout與輸入電感Lin之間并聯(lián)第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl，第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2，第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3、第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4和第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5，在第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl與第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2之間串聯(lián)第一電磁耦合電路L12、C12 ；第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2與第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3之間串聯(lián)第二電磁耦合電路L23、C23 ；第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3與第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4之間串聯(lián)第三電磁耦合電路L34、 C34 ；第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4與第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5之間串聯(lián)第四電磁耦合電路L45、C45 ；所述的第一級并聯(lián)諧振單元L1、C1的另一端，第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2的另一端，第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3的另一端，第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4的另一端和第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5的另一端分別接地。結(jié)合圖2，本發(fā)明低損耗高抑制微型腔體帶通濾波器，表面安裝的50歐姆阻抗輸入端口 Pl，輸入電感Lin，第一級并聯(lián)諧振單元Ll、Cl，第一電磁耦合電路L12、C12，第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2，第二電磁耦合電路L23、C23，第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3，第三電磁耦合電路L34、C34，第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4，第四電磁耦合電路L45、C45，第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5，輸出電感Lout、表面安裝的50歐姆阻抗輸出端口 P2和接地端均采用多層低溫共燒陶瓷工藝實現(xiàn)，其中輸入電感Lin、輸出電感Lout均采用分布參數(shù)的帶狀線實現(xiàn)，第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl的電感Li、第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2的電感L2、第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3的電感L3、第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4的電感L4、第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5的電感L5均采用分布參數(shù)圓柱形腔體結(jié)構(gòu)實現(xiàn)，第一級并聯(lián)諧振單元L1、C1的電容Cl、第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2的電容C2、第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3的電容C3、第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4的電容C4、第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5的電容C5均采用介質(zhì)平板電容實現(xiàn)； 第一耦合電感L12采用第一并聯(lián)諧振單元Li、Cl和第二并聯(lián)諧振單元L2、C2之間空間耦合和分布參數(shù)電感實現(xiàn)，第一耦合電容C12采用第一并聯(lián)諧振單元Li、Cl和第二并聯(lián)諧振單元L2、C2之間空間耦合和分布參數(shù)電容實現(xiàn)；第二耦合電感L23采用第二并聯(lián)諧振單元 L2、C2和第三并聯(lián)諧振單元L3、C3之間空間耦合和分布參數(shù)電感實現(xiàn)，第二耦合電容C23 采用第二并聯(lián)諧振單元L2、C2和第三并聯(lián)諧振單元L3、C3之間空間耦合和分布參數(shù)電容實現(xiàn)；第三耦合電感L34采用第三并聯(lián)諧振單元L3、C3和第四并聯(lián)諧振單元L4、C4之間空間耦合和分布參數(shù)電感實現(xiàn)，第三耦合電容C34采用第三并聯(lián)諧振單元L3、C3和第四并聯(lián)諧振單元L4、C4之間空間耦合和分布參數(shù)電容實現(xiàn)；第四耦合電感L45采用第四并聯(lián)諧振單元L4、C4和第五并聯(lián)諧振單元L5、C5之間空間耦合和分布參數(shù)電感實現(xiàn)，第四耦合電容 C45采用第四并聯(lián)諧振單元L4、C4和第五并聯(lián)諧振單元L5、C5之間空間耦合和分布參數(shù)電容實現(xiàn)之間空間耦合和分布參數(shù)電感實現(xiàn)。本發(fā)明低損耗高抑制微型腔體帶通濾波器，第一級并聯(lián)諧振單元L1、C1，第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2，第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3，第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4，第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5均采用分布參數(shù)圓柱形腔體耦合結(jié)構(gòu)實現(xiàn)，其中第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl 的電感Ll的一端，第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2的電感L2的一端，第三級并聯(lián)諧振單元L3、 C3的電感(L3)的一端，第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4的電感L4的一端，第五級并聯(lián)諧振單元 L5、C5的電感L5的一端分別接地，另一端分別與對應(yīng)的第一級并聯(lián)諧振單元L1、C1的電容 Cl的一端，第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2的電容C2的一端，第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3的電容C3的一端，第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4的電容C4的一端相連，第五級并聯(lián)諧振單元L5、 C5的電容C5的一端相連，第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl的電容Cl的另一端，第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2的電容C2的另一端，第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3的電容C3的另一端，第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4的電容C4的另一端，第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5的電容C5的另一端分別接地。本發(fā)明低損耗高抑制微型腔體帶通濾波器，其工作原理簡述如下輸入的寬頻帶微波信號經(jīng)輸入端口 Pl通過輸入電感Lin到達(dá)第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl和第一電磁耦合電路L12、C12相連的一端，在第一并聯(lián)諧振單元Li、Cl諧振頻率附近的微波信號進(jìn)入第一電磁耦合電路L12、C12，其余非第一并聯(lián)諧振單元Li、Cl諧振頻率附近的微波信號通過第一級并聯(lián)諧振單元Li、Cl中的第一電感Ll和第一電容Cl接地，實現(xiàn)第一級濾波。第一電磁耦合電路L12、C12的并聯(lián)諧振頻率附近的阻帶微波信號，即第一零點頻率附近微波信號，因呈現(xiàn)高阻抗被抑制，非第一零點附近的微波頻率信號通過第一電磁耦合電路L12、 C12中的第一耦合電感L12和第一耦合電容C12到達(dá)第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2中的第二電感L2和第二電容C2相連接的一端及第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2與第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3之間第二電磁耦合電路L23、C23的一端，經(jīng)過第一級濾波和第一電磁耦合電路 L12、C12的微波信號，在第二并聯(lián)諧振單元L2、C2諧振頻率附近的微波信號進(jìn)入第二電磁耦合電路L23、C23，其余非第二并聯(lián)諧振單元諧振頻率附近的微波信號通過第二級并聯(lián)諧振單元L2、C2中的第二電感L2和第二電容C2接地，實現(xiàn)第二級濾波。第二電磁耦合電路L23、C23的并聯(lián)諧振頻率附近的阻帶微波信號，即第二零點頻率附近微波信號，因呈現(xiàn)高阻抗被抑制，非第二零點附近的微波頻率信號通過第二電磁耦合電路L23、C23中的第二耦合電感L23和第二耦合電容C23到達(dá)第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3中的第三電感L3和第三電容C3相連接的一端及第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3與第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4之間第三電磁耦合電路L34、C34的一端，經(jīng)過第一級、第二級濾波和第一電磁耦合電路L12、C12，第二電磁耦合電路L23、C23的微波信號，在第三并聯(lián)諧振單元L3、C3諧振頻率附近的微波信號進(jìn)入第三電磁耦合電路L34、C34，其余非第三并聯(lián)諧振單元L34、C34諧振頻率附近的微波信號通過第三級并聯(lián)諧振單元L3、C3中的第三電感L3和第三電容C3接地，實現(xiàn)第三級濾波。第三電磁耦合電路L34、C34的并聯(lián)諧振頻率附近的阻帶微波信號，即第三零點頻率附近微波信號，因呈現(xiàn)高阻抗被抑制，非第三零點附近的微波頻率信號通過第三電磁耦合電路L34、C34中的第三耦合電感L34和第三耦合電容C34到達(dá)第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4 中第四電感L4和第四電容C4相連接的一端以及第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4與第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5之間第四電磁耦合電路L45、C45的一端，經(jīng)過第一級、第二級、第三級濾波和第一、第二、第三電磁耦合電路的微波信號，在第四并聯(lián)諧振單元L4、C4諧振頻率附近的微波信號進(jìn)入第四電磁耦合電路L45、C45，其余非第四并聯(lián)諧振單元L45、C45諧振頻率附近的微波信號通過第四級并聯(lián)諧振單元L4、C4中的第四電感L4和第四電容C4接地，實現(xiàn)第四級濾波。第四電磁耦合電路L45、C45的并聯(lián)諧振頻率附近的阻帶微波信號，即第四零點頻率附近微波信號，因呈現(xiàn)高阻抗被抑制，非第四零點附近的微波頻率信號通過第四電磁耦合電路L45、C45中的第四耦合電感L45和第四耦合電容C45到達(dá)第五級并聯(lián)諧振單元L5、C5中第五電感L5和第五電容C5相連接的一端及輸出電感Lout的一端，經(jīng)過第一級、第二級、第三級、第四級濾波和第一、第二、第三、第四電磁耦合電路的微波信號，第五并聯(lián)諧振單元L5、C5諧振頻率附近的微波信號與非第五零點附近的微波頻率信想加之后通過輸出電感Lout接表面貼裝的50歐姆阻抗輸出端口 P2的一端，其余非第無并聯(lián)諧振單元諧振頻率附近的微波信號通過第無級并聯(lián)諧振單元L5、C5中的第五電感L5和第五電容C5 接地，實現(xiàn)第五級濾波。經(jīng)過第一級濾波、第二級濾波、第三級濾波、第四級濾波、第五級濾波，第一電磁耦合電路L12、C12，第二電磁耦合電路L23、C23，第三電磁耦合電路L34、C34， 第四電磁耦合電路L45、C45的微波信號，通過表面貼裝的50歐姆阻抗輸出端口 P2的另一端輸出，從而實現(xiàn)低損耗高抑制微型腔體帶通濾波功能。低損耗高抑制微型腔體帶通濾波器由于是采用多層低溫共燒陶瓷工藝實現(xiàn)，其低溫共燒陶瓷材料和金屬圖形在大約900°C溫度下燒結(jié)而成，所以具有非常高的可靠性和溫度穩(wěn)定性，由于結(jié)構(gòu)采用三維立體集成和多層折疊結(jié)構(gòu)以及外表面金屬屏蔽實現(xiàn)接地和封裝，從而使體積大幅減小。低損耗高抑制微型腔體帶通濾波器實施體積為5. 2mmX 2mmX 1. 6mm。該濾波器帶寬為230MHz，仿真濾波器通帶內(nèi)插入損耗均小于3分貝，低阻帶抑制優(yōu)于-40分貝，高阻帶抑制優(yōu)于-60分貝，具有良好的濾波器性能。
權(quán)利要求
1.一種低損耗高抑制微型腔體帶通濾波器，其特征在于包括表面貼裝的50歐姆阻抗輸入端口(P1)、輸入電感(Lin)、由第一電感(Li)和第一電容(Cl)并聯(lián)而成的第一級并聯(lián)諧振單元(L1、C1)、由第一耦合電感(L12)和第一耦合電容(C12)串聯(lián)而成的第一電磁耦合電路(L12、C12)、由第二電感(L2)和第二電容(C2)并聯(lián)而成的第二級并聯(lián)諧振單元(L2、 C2)、由第二耦合電感(L23)和第二耦合電容(C23)串聯(lián)而成的第二電磁耦合電路(L23、 C23)、由第三電感(L3)和第三電容(C3)并聯(lián)而成的第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)、由第三耦合電感(L34)和第三耦合電容(C34)串聯(lián)而成的第三電磁耦合電路(L34、C34)、由第四電感(L4)和第四電容(C4)并聯(lián)而成的第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)、由第四耦合電感(L45) 和第四耦合電容(C45)串聯(lián)而成的第四電磁耦合電路(L45、C45)、由第五電感(L5)和第五電容(C5)并聯(lián)而成的第五級并聯(lián)諧振單元(L5、U)、輸出電感(Lout)、表面貼裝的50歐姆阻抗輸出端口(P2)和接地端；輸入端口(Pl)與輸入電感(Lin)連接，輸出端口(P2)與輸出電感(Lout)連接，該輸出電感(Lout)與輸入電感(Lin)之間并聯(lián)第一級并聯(lián)諧振單元 (L1、C1)、第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)、第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)、第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)和第五級并聯(lián)諧振單元(L5、C5)，在第一級并聯(lián)諧振單元(Li、Cl)與第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)之間串聯(lián)第一電磁耦合電路(L12、C12);第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2) 與第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)之間串聯(lián)第二電磁耦合電路(L23、C23)；第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)與第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)之間串聯(lián)第三電磁耦合電路(L34、C34)；第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)與第五級并聯(lián)諧振單元(L5、C5)之間串聯(lián)第四電磁耦合電路 (L45、C45)；所述的第一級并聯(lián)諧振單元(L1、C1)、第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)、第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)、第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)和第五級并聯(lián)諧振單元(L5、⑶)分別接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低損耗高抑制微型腔體帶通濾波器，其特征在于表面安裝的50歐姆阻抗輸入端口(P1)、輸入電感(Lin)、第一級并聯(lián)諧振單元(Li、Cl)、第一電磁耦合電路(L12、C12)、第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)、第二電磁耦合電路(L23、C23)、第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)、第三電磁耦合電路(L34、C34)、第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)、 第四電磁耦合電路(L45、C45)、第五級并聯(lián)諧振單元(L5、C5)、輸出電感(Lout)、表面安裝的50歐姆阻抗輸出端口(P2)和接地端均采用多層低溫共燒陶瓷工藝實現(xiàn)，其中輸入電感 (Lin)、輸出電感(Lout)均采用分布參數(shù)的帶狀線實現(xiàn)，第一級并聯(lián)諧振單元(Li、Cl)的電感(Li)、第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)的電感(L2)、第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)的電感(L3)、第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)的電感(L4)、第五級并聯(lián)諧振單元(L5、C5)的電感 (L5)均采用分布參數(shù)圓柱形腔體結(jié)構(gòu)實現(xiàn)，第一級并聯(lián)諧振單元(Li、Cl)的電容(Cl)、第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)的電容(C2)、第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)的電容(C3)、第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)的電容(C4)、第五級并聯(lián)諧振單元(L5、C5)的電容(C5)均采用介質(zhì)平板電容實現(xiàn)；第一耦合電感(L12)采用第一并聯(lián)諧振單元(Li、Cl)和第二并聯(lián)諧振單元(L2、C2)之間空間耦合和分布參數(shù)電感實現(xiàn)，第一耦合電容(C12)采用第一并聯(lián)諧振單元(Li、Cl)和第二并聯(lián)諧振單元(L2、C2)之間空間耦合和分布參數(shù)電容實現(xiàn)；第二耦合電感(L23)采用第二并聯(lián)諧振單元(L2、C2)和第三并聯(lián)諧振單元(L3、C3)之間空間耦合和分布參數(shù)電感實現(xiàn)，第二耦合電容(C23)采用第二并聯(lián)諧振單元(L2、C2)和第三并聯(lián)諧振單元(L3、C3)之間空間耦合和分布參數(shù)電容實現(xiàn)；第三耦合電感(L34)采用第三并聯(lián)諧振單元(L3、C3)和第四并聯(lián)諧振單元(L4、C4)之間空間耦合和分布參數(shù)電感實現(xiàn)，第三耦合電容(C34)采用第三并聯(lián)諧振單元(L3、C3)和第四并聯(lián)諧振單元(L4、C4)之間空間耦合和分布參數(shù)電容實現(xiàn)；第四耦合電感(L45)采用第四并聯(lián)諧振單元(L4、C4)和第五并聯(lián)諧振單元(L5、C5)之間空間耦合和分布參數(shù)電感實現(xiàn)，第四耦合電容(C45)采用第四并聯(lián)諧振單元(L4、C4)和第五并聯(lián)諧振單元(L5、C5)之間空間耦合和分布參數(shù)電容實現(xiàn)之間空間耦合和分布參數(shù)電感實現(xiàn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所要求的低損耗高抑制微型腔體帶通濾波器，其特征在于第一級并聯(lián)諧振單元(Li、Cl)、第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)、第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)、 第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)、第五級并聯(lián)諧振單元(L5、C5)均采用分布參數(shù)圓柱形腔體耦合結(jié)構(gòu)實現(xiàn)，其中第一級并聯(lián)諧振單元(Li、Cl)的電感(Li)的一端、第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)的電感(L2)的一端、第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)的電感(L3)的一端、第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)的電感(L4)的一端、第五級并聯(lián)諧振單元(L5、C5)的電感(L5)的一端分別接地，另一端分別與對應(yīng)的第一級并聯(lián)諧振單元(Li、Cl)的電容(Cl)的一端、第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)的電容(C2)的一端、第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)的電容(C3) 的一端、第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)的電容(C4)的一端相連、第五級并聯(lián)諧振單元(L5、 C5)的電容(C5)的一端相連，第一級并聯(lián)諧振單元(Li、Cl)的電容(Cl)的另一端、第二級并聯(lián)諧振單元(L2、C2)的電容(C2)的另一端、第三級并聯(lián)諧振單元(L3、C3)的電容(C3)的另一端、第四級并聯(lián)諧振單元(L4、C4)的電容(C4)的另一端、第五級并聯(lián)諧振單元(L5、C5) 的電容(C5)的另一端分別接地。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種低損耗高抑制微型腔體帶通濾波器，包括適用于表面貼裝的50歐姆阻抗輸入/輸出接口；采用分布參數(shù)圓柱形腔體耦合結(jié)構(gòu)實現(xiàn)的五個并聯(lián)諧振單元；輸入和輸出電感，上述結(jié)構(gòu)均采用多層低溫共燒陶瓷工藝技術(shù)實現(xiàn)。本發(fā)明具有通帶選擇性好、帶外抑制好、插入損耗低、體積小、重量輕、可靠性高、電性能好、相位頻率特性線性度好、溫度穩(wěn)定性好、電性能批量一致性好、成本低、可大批量生產(chǎn)等優(yōu)點，特別適用于雷達(dá)、通信、箭載、機(jī)載、彈載、宇宙飛船、單兵移動通信終端等無線通信手持和便攜終端產(chǎn)品中，以及對體積、重量、電性能及可靠性等有苛刻要求的場合和相應(yīng)頻段系統(tǒng)中。
文檔編號H01P1/207GK102509825SQ20111033172
公開日2012年6月20日 申請日期2011年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月27日
發(fā)明者馮媛, 孫宏途, 尹洪浩, 左同生, 戚湧, 戴永勝, 李平, 漢敏, 謝秋月, 韓群飛 申請人:無錫南理工科技發(fā)展有限公司