專利名稱：集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體制造技術領域，尤其涉及一種具有集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計的技術領域。
背景技術：
隨著半導體芯片的集成度不斷提高，晶體管的特征尺寸不斷縮小到納米級，生產工藝也越來越復雜。在生產中各種元器件的三維結構被分解為幾十層二維的光刻圖形。為了達到良好的器件性能，各個光刻圖形不但要有精準的特征尺寸線寬(CD)，還要保證層與層之間的精確對準套刻(Overlay)。套刻精度測量通常是在上下兩個光刻層的圖形中各放置一個套刻精度測量圖形， 通過測量兩個套刻圖形的相對位置的偏差，來保證兩層光刻圖形之間的對準。常用的套刻精準檢測圖形包括內外箱型(box-in-box)和內外條型(bar-in-bar)，圖1為內外框型套刻精度測量圖形，圖2為內外條形套刻精度測量圖形，請參見圖1和圖2所示。在芯片的大規(guī)模生產中保證特征尺寸線寬準確性，均勻性和穩(wěn)定性對產品良率有十分重要的意義。特征尺寸線寬測量是確保產品良率的重要檢測手段。隨著生產精度要求不斷提高，特征尺寸線寬量測圖形主要根據產品設計會包括孤立圖形、半密集圖形和密集圖形，圖3為傳統(tǒng)線寬測量圖形，請參見圖3所示。同時，線寬測量圖形和套刻精度測量圖形需要分別放置于當層光刻圖形的不同區(qū)域。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種內嵌有特征尺寸線寬測量圖形的套刻精度測量圖形結構的設計， 以減少芯片生產過程中檢測圖形所占用的面積。為了實現上述目的，本發(fā)明采取的技術方案為
一種集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，其中，包括一被測圖形，所述被測圖形具有內框結構或者外框結構，首先，使用光學顯微鏡量測套刻精度的設備對所述被測圖形進行量測套刻精度，然后，使用掃描式電子顯微鏡量測所述被測圖形進行特征尺寸線寬量測。上述的集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，其中，所述內框-7結構采用內條形套刻封閉結構圖形。上述的集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，其中，所述外框結構采用外條形套刻封閉結構圖形，并且所述外框結構的尺寸大于所述內框結構的尺寸。上述的集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，其中，使用掃描式電子顯微鏡量測所述被測圖形時，采用χ方向或Y方向的密集線。上述的集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，其中，使用掃描式電子顯微鏡量測所述被測圖形時，采用χ方向或Y方向的半密集線。上述的集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，其中，使用掃描式電子顯微鏡量測所述被測圖形時，采用X方向或Y方向的孤立線。上述的集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，其中，使用掃描式電子顯微鏡量測所述被測圖形時，采用特殊對準圖形，便于測量時的定位，尋址和聚焦。上述的集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，其中，使用于0.25微米技術節(jié)點以下的線寬(Line)和線距(Space)測量的光刻生產工藝。本發(fā)明由于采用了上述技術，使之具有的積極效果是
(1)有效地減少芯片生產過程中檢測圖形所占用的面積，節(jié)省的面積可用于放置其他的檢測和測試圖形。(2)有效地增加特征尺寸檢測圖形的數量，一組套刻圖形內可以內嵌兩組線寬測
量圖形。


圖1是內外框型套刻精度測量圖形； 圖2是內外條形套刻精度測量圖形；
圖3是傳統(tǒng)線寬測量圖形；
圖4是本發(fā)明的內嵌有線寬測量圖形并用于套刻精度測量的圖形結構。
具體實施例方式以下結合附圖給出本發(fā)明集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計的具體實施方式
。圖3為傳統(tǒng)線寬測量圖形，圖4為本發(fā)明的內嵌有線寬測量圖形并用于套刻精度測量的圖形結構，請參見圖3和圖4所示。本發(fā)明的集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，包括有一被測圖形，該被測圖形設置有內框結構1和外框結構2。首先，通過光學顯微鏡量測套刻精度的設備對被測圖形進行量測套刻精度；然后，使用掃描式電子顯微鏡量測被測圖形，以進行特征尺寸線寬的兩側。通過本發(fā)明的量測圖形結構設計，使得被測圖形結構既可用于套刻精度測量，又可以用于線寬尺寸測量，并有效地減少了芯片生產中檢測圖形所占用的面積。同時，本結構設計的方法適用于0. 25微米技術節(jié)點以下的線寬和線距測量的光刻生產工藝。本發(fā)明在上述基礎還具有如下實施方式
本發(fā)明的第一實施例中，請繼續(xù)參見圖2所示。內框結構1包括有四個條形 (bar-in-bar)結構，并且四個條形(bar-in-bar)結構首位垂直靠近形成一套刻封閉結構圖形。本發(fā)明的第二實施例中，請參見圖2所示。外框結構2同樣包括有四個條形 (bar-in-bar)結構，四個條形(bar-in-bar)結構首位垂直靠近形成一套刻封閉結構圖形， 并且外框結構2的尺寸大于內框結構1的尺寸。本發(fā)明的第三實施例中，通過使用掃描式電子顯微鏡量測被測圖形時，采用X方向或者Y方向的密集線3，半密集線4或者孤立線5，該密集線3、半密集線4和孤立線5形成一套刻封閉結構圖形。本發(fā)明的第四實施例中，通過使用掃描式電子顯微鏡量測被測圖形時，還需要使用特殊對準圖形6，通過特殊對準圖形6便于量測時的定位，尋址和聚焦。本發(fā)明的第五實施例中，通過本方案使得適用于0.25微米技術節(jié)點以下的線寬和線距測量時的光刻生產工藝。綜上所述，使用本發(fā)明集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，有效地減少芯片生產過程中檢測圖形所占用的面積，節(jié)省的面積可用于放置其他的檢測和測試圖形，同時， 能夠增加特征尺寸檢測圖形的數量，一組套刻圖形內可以內嵌兩組線寬測量圖形。以上對本發(fā)明的具體實施例進行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實施方式，其中未盡詳細描述的方法和處理過程應該理解為用本領域中的普通方式予以實施；本領域技術人員可以在權利要求的范圍內做出各種變形或修改，這并不影響本發(fā)明的實質內容。凡在本發(fā)明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，其特征在于，包括一被測圖形，所述被測圖形具有內框結構或者外框結構，首先，使用光學顯微鏡量測套刻精度的設備對所述被測圖形進行量測套刻精度，然后，使用掃描式電子顯微鏡量測所述被測圖形進行特征尺寸線寬量測。
2.根據權利要求1所述集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，其特征在于，所述內框結構采用內條形套刻封閉結構圖形。
3.根據權利要求2所述集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，其特征在于，所述外框結構采用外條形套刻封閉結構圖形，并且所述外框結構的尺寸大于所述內框結構的尺寸。
4.根據權利要求1所述集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，其特征在于，使用掃描式電子顯微鏡量測所述被測圖形時，采用X方向或Y方向的密集線。
5.根據權利要求1所述集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，其特征在于，使用掃描式電子顯微鏡量測所述被測圖形時，采用X方向或Y方向的半密集線。
6.根據權利要求1所述集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，其特征在于，使用掃描式電子顯微鏡量測所述被測圖形時，采用X方向或Y方向的孤立線。
7.根據權利要求1所述集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，其特征在于，使用掃描式電子顯微鏡量測所述被測圖形時，采用特殊對準圖形，便于測量時的定位，尋址和聚焦ο
8.根據權利要求1所述集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，其特征在于，用于 0. 25微米技術節(jié)點以下的線寬和線距測量。
全文摘要
本發(fā)明公開一種有助于消除U型鎳硅化物的器件結構及其相應工藝，其中，包括一被測圖形，所述被測圖形具有內框結構或者外框結構，首先，使用光學顯微鏡量測套刻精度的設備對所述被測圖形進行量測套刻精度，然后，使用掃描式電子顯微鏡量測所述被測圖形進行特征尺寸線寬量測。使用本發(fā)明集線寬和套刻精度測量的圖形結構設計，有效地減少芯片生產過程中檢測圖形所占用的面積，節(jié)省的面積可用于放置其他的檢測和測試圖形，同時，能夠增加特征尺寸檢測圖形的數量，一組套刻圖形內可以內嵌兩組線寬測量圖形。
文檔編號H01L21/027GK102543684SQ201110356290
公開日2012年7月4日 申請日期2011年11月11日 優(yōu)先權日2011年11月11日
發(fā)明者戴韞青, 毛智彪, 王劍 申請人:上海華力微電子有限公司