專利名稱：工件夾具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體制造裝置的蒸鍍裝置等中使用并且包圍并保持晶片的晶片搭載用的工件夾具。
背景技術(shù)：
使用圖4對(duì)以往在半導(dǎo)體制造裝置的蒸鍍裝置中使用的晶片搭載用的工件夾具進(jìn)行說明。圖4是簡化示出在蒸鍍裝置中使用的以往的晶片固定用的工件夾具的主要部分結(jié)構(gòu)例的縱剖面圖。在圖4中，在晶片搭載用的工件夾具110的前端部的缺口上，以成膜面朝下的方式載置有晶片111，利用蒸鍍裝置的蒸鍍?cè)词钩练e膜112從下方沉積在工件夾具110以及晶片 111 上。另一方面，在實(shí)用新型文獻(xiàn)1中提出了如下的以往的晶片夾持器以往在半導(dǎo)體制造裝置中使用，并且，使成膜面朝上并從上表面進(jìn)行按壓而保持晶片。圖5是示意性地示出在實(shí)用新型文獻(xiàn)1中公開的以往的晶片夾持器的主要部分結(jié)構(gòu)例的立體圖。在圖5中，晶片夾持器101利用其爪102從上方按壓并保持在基座103上載置的未圖示的晶片。圖6是示意性地示出圖5的晶片夾持器101的爪102夾住晶片的夾住部分的縱剖面圖。在圖6中，以往的晶片夾持器101的爪102夾住并保持基座103上的晶片104。在該爪102的前端部，在該前端部的下表面設(shè)置有缺口部105，在保持晶片104時(shí)，在爪102的前端部和晶片104之間產(chǎn)生間隙。通常，利用濺射而沉積在晶片104上的沉積膜的膜厚為 0.5μπ ιμπ ，所以，缺口部105的削落量為數(shù)μπ 數(shù)十Pm是足夠的。專利文獻(xiàn)1 日本實(shí)開平4-105544號(hào)公報(bào)。在上述以往的晶片搭載用的工件夾具110中存在如下問題沉積膜112在工件夾具110和晶片111之間連續(xù)地沉積，所以，在從工件夾具110取出晶片111時(shí)或者在蒸鍍中晶片111發(fā)生偏移時(shí)，沉積膜112在工件夾具110和晶片111之間的位置A被剝離，晶片 111上的沉積膜112也產(chǎn)生裂紋、毛邊、剝離。如圖5所示那樣使成膜面朝上并從上表面利用晶片夾持器101的爪102進(jìn)行一部分按壓而保持晶片的上述以往技術(shù)的實(shí)用新型文獻(xiàn)1的晶片夾持器和如圖4所示那樣在工件夾具110的前端部的缺口上使成膜面朝下而上下顛倒地載置晶片111并且利用蒸鍍裝置的蒸鍍?cè)丛谏舷骂嵉沟木?11的下側(cè)的成膜面使沉積膜112從下方沉積在工件夾具110 以及晶片111上的結(jié)構(gòu)在前提結(jié)構(gòu)上完全不同。在這樣的上述以往技術(shù)的晶片夾持器中，僅從上方按壓晶片111的外周端部的少許的一部分進(jìn)行夾住，在晶片111的外周端緣部形成了沉積膜，所以，無法避免在搬運(yùn)晶片時(shí)或處理晶片時(shí)等其他構(gòu)件和晶片外周端緣部接觸而產(chǎn)生塵埃。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題而提出的，其目的在于提供一種工件夾具，能夠防止在使成膜面朝下而使上下顛倒進(jìn)行載置的晶片上的沉積膜產(chǎn)生裂紋、毛邊、剝離以及產(chǎn)生塵埃。本發(fā)明提供一種基板搭載用的工件夾具，在蒸鍍?cè)O(shè)備中以從下方接受的方式搭載使成膜面朝下的基板，其特征在于，在內(nèi)徑側(cè)的前端部以平面圖為環(huán)狀的方式設(shè)置有檐狀的階梯部，使得沉積膜在與該基板之間不連續(xù)沉積，由此達(dá)到上述目的。此外，優(yōu)選本發(fā)明的工件夾具的階梯部的檐和所述基板的間隙是在該基板上形成的沉積膜的膜厚的2倍以上且20倍以下。進(jìn)而，優(yōu)選本發(fā)明的工件夾具的階梯部的檐的進(jìn)深是在該基板上形成的沉積膜的膜厚的2倍以上且20倍以下。進(jìn)而，優(yōu)選在本發(fā)明的工件夾具的階梯部的檐的里側(cè)設(shè)置有比周圍寬的空間部。進(jìn)而，優(yōu)選在本發(fā)明的工件夾具中，從下方接受并支持所述基板的環(huán)狀的外周端緣部，并且，沿著該被支持的該基板的外周端緣部，以平面圖為環(huán)狀的方式設(shè)置有所述檐狀的階梯部。進(jìn)而，優(yōu)選在本發(fā)明的工件夾具中，在所述內(nèi)徑側(cè)的前端部設(shè)置的檐狀的階梯部的外周側(cè)，設(shè)置有用于從下方接受并搭載所述基板的階梯部。進(jìn)而，優(yōu)選在本發(fā)明的工件夾具中，做成如下結(jié)構(gòu)在從下方接受并搭載所述基板的階梯部，在孔內(nèi)多處設(shè)置有壓縮彈簧，在拆去該基板上的蓋部時(shí)，利用該壓縮彈簧使該基板從階梯部浮起。進(jìn)而，優(yōu)選在本發(fā)明的工件夾具中，在用于搭載所述基板的階梯部的外周側(cè)，設(shè)置有用于從下方接受并搭載蓋部的外周緣部的階梯部，該蓋部的下表面具有與該基板的上表面抵接并按壓該基板的該階梯部的高度。以下，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)對(duì)本發(fā)明的作用進(jìn)行說明。在本發(fā)明中，在蒸鍍?cè)O(shè)備中以從下方接受的方式搭載使成膜面朝下的基板的基板搭載用的工件夾具中，在內(nèi)徑側(cè)的前端部，以平面圖為環(huán)狀的方式設(shè)置有檐狀的階梯部，使得沉積膜不在與該基板之間連續(xù)沉積。由此，在內(nèi)徑側(cè)的前端部，以平面圖為環(huán)狀的方式設(shè)置有檐狀的階梯部，所以，由于檐狀的階梯部，沉積膜在基板和工件夾具之間被切斷，所以能夠防止使成膜面朝下而上下顛倒載置的基板上的沉積膜產(chǎn)生裂紋、毛邊、剝離以及塵埃。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在內(nèi)徑側(cè)的前端部以平面圖為環(huán)狀的方式設(shè)置有檐狀的階梯部，所以，由于檐狀的階梯部，在形成沉積膜時(shí)，沉積膜在基板和工件夾具之間被切斷， 所以能夠防止使成膜面朝下而上下顛倒載置的基板上的沉積膜產(chǎn)生裂紋、毛邊、剝離以及塵埃。


圖1是示意性地示出包含本發(fā)明實(shí)施方式的工件夾具的周邊結(jié)構(gòu)的主要部分結(jié)構(gòu)例的縱剖面圖。圖2是從下方觀察在安裝于圖1的圓蓋(dome)的工件夾具上搭載有晶片的狀態(tài)的后視圖。圖3是概要地示出在圖1的工件夾具以及晶片上蒸鍍了沉積膜的情況的主要部分縱剖面圖。圖4是簡化地示出在蒸鍍裝置中使用的以往的晶片固定用的工件夾具的主要部分結(jié)構(gòu)例的縱剖面圖。圖5是示意性地示出在實(shí)用新型文獻(xiàn)1中公開的以往的晶片夾持器的主要部分結(jié)構(gòu)例的立體圖。圖6是示意性地示出圖5的晶片夾持器的爪夾住晶片的夾住部分的縱剖面圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下 1圓蓋
la、3a、;3b、3c、3d 階梯部 2晶片 3工件夾具 3e背面 4蓋部 5沉積膜
10蒸鍍?cè)O(shè)備(蒸鍍裝置)。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖詳細(xì)地對(duì)本發(fā)明的工件夾具的實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外，關(guān)于各圖中的結(jié)構(gòu)構(gòu)件的各自的厚度或長度等，從附圖制作方面的觀點(diǎn)出發(fā)并不限于圖示的結(jié)構(gòu)。圖1是示意性地示出包含本發(fā)明的實(shí)施方式的工件夾具的周邊結(jié)構(gòu)的主要部分結(jié)構(gòu)例的縱剖面圖。圖2是從下方觀察在安裝于圖1的圓蓋的工件夾具上搭載有晶片的狀態(tài)的后視圖。在圖1以及圖2中，在本實(shí)施方式的蒸鍍裝置10中，在鍋蓋狀的開有多個(gè)圓形孔的圓蓋1上，使成膜面朝向下側(cè)地將晶片2隔著各工件夾具3分別載置在該孔中。圓蓋1 在蒸鍍中以其圓形中心為中心進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。如圖2所示，在圓蓋1上開有多個(gè)孔，環(huán)狀的工件夾具3的環(huán)外周側(cè)的階梯部3d裝卸自由地嵌合安裝在該孔的階梯部la。即使沒有3d，在工件夾具3的外周設(shè)置錐形等，工件夾具3停留在圓蓋1的圓形孔中即可。在環(huán)狀的工件夾具3的內(nèi)周側(cè)的前端部，從晶片2側(cè)觀察，形成有檐狀的階梯部3a。從環(huán)狀的工件夾具3 的檐狀的階梯部3a開始在環(huán)外周側(cè)依次形成有階梯部:3b、3c。在環(huán)狀的工件夾具3的階梯部北上搭載晶片2，在工件夾具3的階梯部北的外周側(cè)形成有階梯部3c，在環(huán)狀的工件夾具3的階梯部3c上搭載有其下表面與晶片2的上表面抵接并且用于利用自重對(duì)晶片2進(jìn)行固定的蓋部4 (背板)。在階梯部3c上搭載的蓋部4 (背板)的下表面具有稍微按壓在階梯部北上搭載的晶片2的上表面的階梯部;3b、3c的階梯高度關(guān)系。也可以沒有3c。蓋部 4 (背板)被在此未圖示而安裝在圓蓋1上的板彈簧按壓，在此雖然未圖示，但是，在圓形的蓋部4 (背板)的中央部設(shè)置有拆卸用的把手。
在蒸鍍?cè)O(shè)備(蒸鍍裝置10)中，在從下方接受并對(duì)晶片2進(jìn)行支持搭載的晶片搭載用的工件夾具3中，在工件夾具3的內(nèi)周側(cè)的前端部，以平面圖為環(huán)狀的方式設(shè)置有檐狀的階梯部3a，使得沉積膜在工件夾具3的背面3e和晶片2之間不連續(xù)地沉積。在該情況下， 由工件夾具3的階梯部: 接受并從下方支持晶片2的環(huán)狀的外周端緣部，并且，沿著該被支持的晶片的外周端緣部的內(nèi)周側(cè)，以平面圖為環(huán)狀的方式設(shè)置有檐狀的階梯部3a。這樣， 通過在工件夾具3的前端部設(shè)置有檐狀的階梯部3a，由此，如圖3所示，利用蒸鍍裝置10從下方的蒸鍍?cè)磳⒊练e膜5沉積在使成膜面朝下載置的晶片2上以及工件夾具3的背面3e 上時(shí)，階梯部3a的檐距離晶片2的高度越高，越能夠防止沉積膜5在工件夾具3和晶片2 之間連續(xù)地沉積。如果階梯部3a的檐和晶片2的間隙小于沉積膜5的膜厚，則當(dāng)然沉積膜 5在工件夾具3和晶片2之間連續(xù)地沉積。具有階梯部3a的檐與晶片2的間隙(高度)和階梯部3a的檐的進(jìn)深，但是，階梯部3a的檐和晶片2的間隙(高度)需要為沉積膜5的膜厚的2倍以上且20倍以下(在沉積膜5的膜厚為1 μ m的情況下，間隙(高度)為2 μ m以上且 20 μ m以下)、階梯部3a的檐的進(jìn)深也需要為沉積膜5的膜厚的2倍以上且20倍以下(在沉積膜5的膜厚為1 μ m的情況下，檐的進(jìn)深為2 μ m以上且20 μ m以下)。在此，階梯部3a的檐和晶片2的間隙(高度)為沉積膜5的膜厚的10倍左右，階梯部3a的檐的進(jìn)深也為沉積膜5的膜厚的10倍。沉積膜5是蒸鍍膜，是電極或布線所使用的金屬例如Au、Pt、Al、Ti、Mo、W等的金屬膜或者合金膜或者復(fù)合膜，但是，也可以是金屬膜以外的材料膜。此外，能夠如下構(gòu)成在工件夾具3的階梯部北，在各處將壓縮彈簧(未圖示)設(shè)置在孔內(nèi)，在拆去蓋部4 (背板)時(shí)， 壓縮彈簧(未圖示)對(duì)晶片2朝上施加力，使晶片2浮起。即，在從下方接受并搭載晶片2的階梯部北，在孔內(nèi)設(shè)置有壓縮彈簧，在拆去晶片2上的蓋部4時(shí)，利用壓縮彈簧使晶片2從階梯部北上浮起?？傊?，壓縮彈簧利用晶片2和蓋部4的自重以及板彈簧被按壓到在階梯部北上形成有多個(gè)的孔內(nèi)，當(dāng)拆去晶片2上的蓋部4時(shí)，利用壓縮彈簧使晶片2在階梯部 3b上浮起。在工件夾具3的前端部設(shè)置有檐狀的階梯部3a，但是，也可以在階梯部3a的檐的里側(cè)設(shè)置比周圍寬的空間部(室)，從斜向飛來的材料難以繞入并沉積在階梯部3a的檐下， 在前端部能夠使檐狀的階梯部3a的掃除期間變長。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，在工件夾具3的前端部設(shè)置有檐狀的階梯部3a，由此，沉積膜5由于檐狀的階梯部3a而被切斷，不在工件夾具3和晶片2之間連續(xù)沉積，在由于圓蓋旋轉(zhuǎn)時(shí)的信號(hào)而發(fā)生晶片偏移時(shí)或者在從環(huán)狀的工件夾具3取下晶片2時(shí)等，能夠防止晶片2上的沉積膜5的裂紋、毛邊、剝離，還能夠防止由此引起的塵埃。晶片2的環(huán)狀的外周端緣部被工件夾具3從下方接受并支持，所以，在晶片2的外周端緣部不形成沉積膜5，而且，在工件夾具3的前端部，由于檐狀的階梯部3a，沉積膜5漸漸變薄，所以，沉積膜5難以發(fā)生剝離，能夠抑制晶片2的外周端緣部在搬運(yùn)晶片時(shí)或處理晶片時(shí)等與其他構(gòu)件接觸而產(chǎn)生塵埃。相對(duì)于此，在圖5的上述以往技術(shù)的晶片夾持器中， 僅是從上方按壓晶片的外周的少許的一部分進(jìn)行夾住，并且在晶片2的外周端緣部形成有沉積膜，所以，無法避免在搬運(yùn)晶片時(shí)或處理晶片時(shí)等其他構(gòu)件與晶片外周端緣部接觸而產(chǎn)生塵埃。如上所述，使用本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式1 3例示了本發(fā)明，但是，本發(fā)明不應(yīng)該被限定于該實(shí)施方式1 3進(jìn)行解釋。能夠理解為本發(fā)明應(yīng)僅由技術(shù)方案來解釋其范圍。 能夠理解為本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠根據(jù)本發(fā)明的具體的優(yōu)選的實(shí)施方式1 3的記載并基于本發(fā)明的記載以及技術(shù)常識(shí)，實(shí)施等價(jià)的范圍。能夠理解為在本說明書中引用的專利、專利申請(qǐng)以及文獻(xiàn)其內(nèi)容本身與具體記載在本說明書中的相同，其內(nèi)容作為針對(duì)本說明書的參考而被援用。 對(duì)于本發(fā)明來說，在半導(dǎo)體制造裝置的蒸鍍裝置中使用的晶片搭載用的工件夾具的領(lǐng)域，在內(nèi)徑側(cè)的前端部以平面圖為環(huán)狀的方式設(shè)置有檐狀的階梯部，所以，由于檐狀的階梯部，在形成沉積膜時(shí)，沉積膜在基板和工件夾具之間被切斷，所以能夠防止使成膜面朝下而上下顛倒進(jìn)行載置的基板上的沉積膜產(chǎn)生裂紋、毛邊、剝離，進(jìn)而能夠防止產(chǎn)生塵埃。
權(quán)利要求
1.一種基板搭載用的工件夾具，在蒸鍍?cè)O(shè)備中以從下方接受的方式搭載使成膜面朝下的基板，其特征在于，在內(nèi)徑側(cè)的前端部以平面圖為環(huán)狀的方式設(shè)置有檐狀的階梯部，使得沉積膜在與該基板之間不連續(xù)沉積。
2.如權(quán)利要求1所述的工件夾具，其特征在于，所述階梯部的檐和所述基板的間隙是在該基板上形成的沉積膜的膜厚的2倍以上且 20倍以下。
3.如權(quán)利要求1所述的工件夾具，其特征在于，所述階梯部的檐的進(jìn)深是在該基板上形成的沉積膜的膜厚的2倍以上且20倍以下。
4.如權(quán)利要求1所述的工件夾具，其特征在于，在所述階梯部的檐的里側(cè)設(shè)置有比周圍寬的空間部。
5.如權(quán)利要求1所述的工件夾具，其特征在于，從下方接受并支持所述基板的環(huán)狀的外周端緣部，并且，沿著該被支持的該基板的外周端緣部，以平面圖為環(huán)狀的方式設(shè)置有所述檐狀的階梯部。
6.如權(quán)利要求1所述的工件夾具，其特征在于，在所述內(nèi)徑側(cè)的前端部設(shè)置的檐狀的階梯部的外周側(cè)，設(shè)置有用于從下方接受并搭載所述基板的階梯部。
7.如權(quán)利要求6所述的工件夾具，其特征在于，做成如下結(jié)構(gòu)在從下方接受并搭載所述基板的階梯部，在孔內(nèi)多處設(shè)置有壓縮彈簧， 在拆去該基板上的蓋部時(shí)，利用該壓縮彈簧使該基板從階梯部浮起。
8.如權(quán)利要求6所述的工件夾具，其特征在于，在用于搭載所述基板的階梯部的外周側(cè)，設(shè)置有用于從下方接受并搭載蓋部的外周緣部的階梯部，該蓋部的下表面具有與該基板的上表面抵接并按壓該基板的該階梯部的高
全文摘要
本發(fā)明提供一種工件夾具，能夠防止使成膜面朝下而上下顛倒載置的晶片上的沉積膜產(chǎn)生裂紋、毛邊、剝離。在蒸鍍?cè)O(shè)備中，在從下方接受并支持搭載晶片(2)的晶片搭載用的工件夾具(3)中，在工件夾具(3)的內(nèi)周側(cè)的前端部，以平面圖為環(huán)狀的方式設(shè)置有檐狀的階梯部(3a)。在環(huán)狀的工件夾具(3)的階梯部(3b)上搭載晶片(2)，進(jìn)而，在外周側(cè)的工件夾具(3)的階梯部(3c)上，搭載其下表面與晶片(2)的上表面抵接并利用自重固定晶片(2)的蓋(4)。在階梯部(3c)上搭載的蓋(4)的下表面具有對(duì)在階梯部(3b)上搭載的晶片(2)的上表面進(jìn)行稍微按壓的階梯部(3b)、(3c)的階梯高度關(guān)系。
文檔編號(hào)H01L21/687GK102569153SQ20111044631
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月28日
發(fā)明者木下濟(jì) 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社