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      降低非晶硅太陽能電池衰減率的方法

      文檔序號:7170032閱讀:634來源:國知局
      專利名稱:降低非晶硅太陽能電池衰減率的方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及非晶硅薄膜太陽能電池制作工藝,具體的說是在對太陽能電池的基板進行等離子體增強化學氣相沉積法氣相沉積的過程中,采取的防止后期衰減的方法。
      背景技術(shù)
      從材料結(jié)構(gòu)上說非晶硅與同質(zhì)晶體有相同的配位數(shù),但鍵長和鍵角略有改變,描述非晶硅結(jié)構(gòu)的連續(xù)無規(guī)網(wǎng)絡(luò)模型認為,非晶硅就是由這樣一些稍被扭曲的單元隨即連接而成。單元與單元之間不存在固定的位形關(guān)系,其有序范圍約在廣2個原子范圍內(nèi),由于無序的原因,在非晶硅中存在著一定的懸掛鍵、應(yīng)力和微空洞這樣的結(jié)構(gòu)缺陷,并在能隙中產(chǎn)生了帶尾,帶尾與結(jié)構(gòu)缺陷作為復合中心影響了載流子的輸運,使得非晶硅電池效率降低。 剛制作完畢的非晶硅薄膜太陽能電池在長時間光照情況下,會產(chǎn)生光生亞穩(wěn)態(tài),這種光生亞穩(wěn)態(tài)會導致硅-硅弱鍵斷裂后出現(xiàn)兩個懸掛鍵,導致非晶硅電池效率降低,從而出現(xiàn)所謂“非晶硅太陽能電池的早期衰退”。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的在于提供一種防止非晶硅太陽能電池早期衰退的方法,該方法可有效的防止非晶硅太陽能電池的早期衰退。為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下方案降低非晶硅太陽能電池衰減率的方法,在對太陽能電池的基板進行等離子體增強化學氣相沉積法氣相沉積的過程中,用接近太陽光光譜的光源對基板上的導電膜進行照射,在氣相沉積的過程完成后,結(jié)束照射。由上述方案可見,由于在對基板進行等離子體增強化學氣相沉積法氣相沉積過程中一直用接近太陽光光譜的光源對其照射,光源照射到膜面后,產(chǎn)生光生亞穩(wěn)態(tài),出現(xiàn)硅-硅弱鍵斷裂現(xiàn)象,由于氣相沉積在進行,所以新的原子再次形成,斷裂情況被重新連接,如此,可在基板衰減完成后,再完成氣相沉積。這樣,基板在用于加工太陽能電池后,再接受日光照射時,基本不會再有衰減、或衰減的程度很小。本發(fā)明的優(yōu)點是將使用原設(shè)備及工藝方法制造出的非晶硅薄膜太陽能電池的衰減期限降低,等于將整片電池的功率提高。


      附圖為實現(xiàn)本發(fā)明一實施例所用照射箱體的結(jié)構(gòu)示意圖。
      具體實施例方式以下結(jié)合實施例及附圖進一步說明本發(fā)明。為達到在基板進行等離子體增強化學氣相沉積法氣相沉積的過程中,用接近太陽光光譜的光源對基板上的導電膜進行照射的目的,本實施例采用的手段是,在對太陽能電池的基板進行等離子體增強化學氣相沉積法氣相沉積的過程中,基板及光源共處在一開有若干通孔的箱體中,光源為氙燈。參見附圖
      為實現(xiàn)上述手段,所采用的照射裝置具有一箱體1,箱體1的頂壁上開有一條以上的縫隙la,箱體1的側(cè)壁內(nèi)側(cè)上設(shè)有接近太陽光光譜的光源2,光源2為氙燈,在光源外部罩有燈罩3。箱體1的側(cè)壁上開有若干通孔lb。結(jié)合附圖可見,將非晶硅太陽能電池基板4插入箱體1上的縫隙Ia中,然后將箱體連同基板共同放置在對太陽能電池的基板進行等離子體增強化學氣相沉積法氣相沉積的空腔中,通過箱體上的通孔lb,可對基板進行等離子體增強化學氣相沉積法氣相沉積。在對太陽能電池的基板進行氣相沉積的同時,由箱體側(cè)壁內(nèi)側(cè)上的光源對基板上的導電膜進行照射,在氣相沉積的過程完成后,結(jié)束照射。
      權(quán)利要求
      1.降低非晶硅太陽能電池衰減率的方法,其特征在于在對太陽能電池的基板進行等離子體增強化學氣相沉積法氣相沉積的過程中,用接近太陽光光譜的光源對基板上的導電膜進行照射,在氣相沉積的過程完成后,結(jié)束照射。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低非晶硅太陽能電池衰減率的方法,其特征在于在對太陽能電池的基板進行等離子體增強化學氣相沉積法氣相沉積的過程中,基板及光源共處在一開有若干通孔的箱體中,光源為氙燈。
      全文摘要
      降低非晶硅太陽能電池衰減率的方法,在對太陽能電池的基板進行等離子體增強化學氣相沉積法氣相沉積的過程中,用接近太陽光光譜的光源對基板上的導電膜進行照射,在氣相沉積的過程完成后,結(jié)束照射。由于在對基板進行等離子體增強化學氣相沉積法氣相沉積過程中一直用接近太陽光光譜的光源對其照射,光源照射到膜面后,產(chǎn)生光生亞穩(wěn)態(tài),出現(xiàn)硅-硅弱鍵斷裂現(xiàn)象,由于氣相沉積在進行,所以新的原子再次形成,斷裂情況被重新連接,如此,可在基板衰減完成后,再完成氣相沉積。這樣,基板在用于加工太陽能電池后,再接受日光照射時,基本不會再有衰減、或衰減的程度很小。
      文檔編號H01L31/20GK102496663SQ20111045317
      公開日2012年6月13日 申請日期2011年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月29日
      發(fā)明者龐海燕, 張立剛, 羅毅, 龔瑞 申請人:普樂新能源(蚌埠)有限公司
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