專利名稱：20排引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種引線框架，特別是涉及一種20排引線框架。
背景技術(shù)：
目前的引線框架產(chǎn)品，如圖1所示市場(chǎng)上的6排/216粒每一條，該引線框架有6 排，每排上有36粒晶體管，該引線框架長(zhǎng)度為179. 6mm，寬度為31. 5mm，這種產(chǎn)品密度低，導(dǎo)致生產(chǎn)效率低，生產(chǎn)成本高，另外，目前低利用率的產(chǎn)品，其所耗用的資源浪費(fèi)大。隨著市場(chǎng)用量的增長(zhǎng)，目前的設(shè)備和產(chǎn)品的設(shè)計(jì)生產(chǎn)力已經(jīng)不能滿足市場(chǎng)需要，需要提高產(chǎn)品的有效利用率，隨著生產(chǎn)成本和勞力成本的提高，面臨著價(jià)格壓力，需要通過(guò)技術(shù)改良降低生產(chǎn)成本。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的發(fā)明目的在于針對(duì)上述存在的問(wèn)題，提供一種密度大、成本低的 20排引線框架。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種20排引線框架，所述框架從上至下間隔排列有20排晶體管，所述20排晶體管每排有56粒晶體管，所述每排上的 56粒晶體管間隔位于框架的同一水平線上。所述框架長(zhǎng)度為252 士0. Imm,寬度為73 士0. 04_。本實(shí)用新型中的引線框架在基本上不改變傳統(tǒng)引線框架長(zhǎng)度和寬度的前提下，由傳統(tǒng)的6排/216粒每一條提高到20排/1120每一條，這樣，增大了產(chǎn)品的密度，進(jìn)而提高生產(chǎn)效率，降低了成本；綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是1、增加框架密度，提高設(shè)備效率，降低成本；2、提高生產(chǎn)效率，前段提高58%的設(shè)備效率.Molding提高4倍的效率；3、成本降低，框架成本降低40%，Compound成本降低30% ；4、提高資源利用率，框架利用率提高41. 05%, Compound用量降低32. 4%。

圖1是傳統(tǒng)的6排引線框架；圖2是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)的說(shuō)明。為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。[0016]如圖2所示，一種20排引線框架，所述框架從上至下間隔排列有20排晶體管，所述20排晶體管每排有56粒晶體管，所述每排上的56粒晶體管間隔位于框架的同一水平線上。所述框架長(zhǎng)度為252士0. 1mm，寬度為73士0.04mm。本實(shí)用新型密度提高時(shí)，前段需要防止框架氧化和保證焊接可靠性，并且在后工序中按要求去除多余的廢料。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種20排引線框架，其特征在于所述框架從上至下間隔排列有20排晶體管，所述 20排晶體管每排有56粒晶體管，所述每排上的56粒晶體管間隔位于框架的同一水平線上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的20排引線框架，其特征在于所述框架長(zhǎng)度為252士0.Imm, 寬度為 73 士0. 04mm。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種20排引線框架，其特征在于所述框架從上至下間隔排列有20排晶體管，所述20排晶體管每排有56粒晶體管，所述每排上的56粒晶體管間隔位于框架的同一水平線上。本實(shí)用新型增加框架密度，提高設(shè)備效率，降低成本；提高生產(chǎn)效率,前段提高58%的設(shè)備效率。Molding提高4倍的效率；成本降低,框架成本降低40%，Compound成本降低30%；提高資源利用率,框架利用率提高41.05%，Compound用量降低32.4%。
文檔編號(hào)H01L23/495GK201966206SQ201120101360
公開(kāi)日2011年9月7日 申請(qǐng)日期2011年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月8日
發(fā)明者羅天秀 申請(qǐng)人:成都先進(jìn)功率半導(dǎo)體股份有限公司