專利名稱：一種發(fā)光二極管的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體領域，尤其涉及一種發(fā)光二極管。
背景技術：
常用的LED的外形輪廓通常為正方形，因此不易使用在大屏幕背光屏，而其芯片一般也都是采用正方形芯片，例如常用的IW的大功率LED都采用面積為Imm2的正方形芯片，LED通電發(fā)光時顏色不均勻，中心亮度較高，四周亮度較低，發(fā)光時會產生“眩光”，因此不適合于大尺寸背光屏產品。
發(fā)明內容為了克服上述的缺陷，本實用新型的目的是提供一種在發(fā)光時不會產生眩光問題，適合于大尺寸背光屏產品的發(fā)光二極管。為實現上述目的，本實用新型的技術方案為一種發(fā)光二極管，它包括具有腔體的基體和設置在所屬腔體底部的芯片，所述芯片邊沿設有一圈玻璃質保護層，芯片的水平投影為無折角的封閉形狀，芯片的縱向截面呈凸字形，側邊上部為凹弧形，下部為直邊，所述側邊的凹弧形段上設有一圈半絕緣多晶硅膜，所述玻璃質保護層覆蓋半絕緣多晶硅膜上部的70-95%，所述腔體內壁覆蓋反射層，所述基體為硅基體，所述基體的外形輪廓為長方形。所述無折角的封閉形狀為圓形、橢圓形、角部位弧形的四邊形、角部為弧形的五邊形。所述腔體和所述芯片的外形輪廓也為長方形。它還包括覆蓋在腔體上方的硅透鏡，所述硅透鏡與腔體相配合的截面為長方形。所述基體的高度為0. 4mm-0. 8mm，所述基體的外形與腔體底部的長寬比例范圍均為 1. 5:1-2. 5:1。所述反射層為鍍銀發(fā)射層或鍍鋁發(fā)射層。上述技術方案的有益之處在于本實用新型采用具有長方形輪廓形狀的硅基體作為發(fā)光二極管載體，散熱性能好，能夠應用于各種大屏幕背光屏；本新型采用的二極管芯片，其水平投影形狀能有效的防止方形芯片尖角造成的尖端放電，同時有效的提高二極管的耐壓能力，避免造成的二極管失效或者電路故障。本實用新型采用長方形芯片，發(fā)光均勻，不會產生眩光問題。
以下結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步的說明。

圖1為本新型的示意圖。圖2為本新型芯片示意圖。
具體實施方式
實施例 如圖1、2所示的一種發(fā)光二極管，它包括具有腔體的基體1和設置在所屬腔體底部的芯片2，所述芯片2邊沿設有一圈玻璃質保護層3，芯片的水平投影為無折角的封閉形狀，芯片的縱向截面呈凸字形，側邊上部為凹弧形，下部為直邊，所述側邊的凹弧形段上設有一圈半絕緣多晶硅膜4，所述玻璃質保護層3覆蓋半絕緣多晶硅膜4上部的70-95%，所述腔體內壁覆蓋反射層5，所述基體1為硅基體，所述基體1的外形輪廓為長方形。所述無折角的封閉形狀為圓形、橢圓形、角部位弧形的四邊形、角部為弧形的五邊形。所述腔體和所述芯片2的外形輪廓也為長方形。它還包括覆蓋在腔體上方的硅透鏡6，所述硅透鏡6與腔體相配合的截面為長方形。所述基體1的高度為0. 4mm-0. 8mm，所述基體1的外形與腔體底部的長寬比例范圍均為1. 5:1-2. 5:1。所述反射層5為鍍銀發(fā)射層或鍍鋁發(fā)射層。
權利要求1.一種發(fā)光二極管，其特征在于它包括具有腔體的基體和設置在所屬腔體底部的芯片，所述芯片邊沿設有一圈玻璃質保護層，芯片的水平投影為無折角的封閉形狀，芯片的縱向截面呈凸字形，側邊上部為凹弧形，下部為直邊，所述側邊的凹弧形段上設有一圈半絕緣多晶硅膜，所述玻璃質保護層覆蓋半絕緣多晶硅膜上部的70-95%，所述腔體內壁覆蓋反射層，所述基體為硅基體，所述基體的外形輪廓為長方形。
2.如權利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于所述無折角的封閉形狀為圓形、 橢圓形、角部位弧形的四邊形、角部為弧形的五邊形。
3.如權利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于所述腔體和所述芯片的外形輪廓也為長方形。
4.如權利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于它還包括覆蓋在腔體上方的硅透鏡，所述硅透鏡與腔體相配合的截面為長方形。
5.如權利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于所述基體的高度為 0. 4mm-0. 8mm，所述基體的外形與腔體底部的長寬比例范圍均為1. 5:1-2. 5:1。
6.如權利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于所述反射層為鍍銀發(fā)射層或鍍鋁發(fā)射層。
專利摘要本實用新型提供了一種發(fā)光二極管，包括具有腔體的基體和設置在所屬腔體底部的芯片，芯片邊沿設有一圈玻璃質保護層，芯片的水平投影為無折角的封閉形狀，芯片的縱向截面呈凸字形，側邊上部為凹弧形，下部為直邊，側邊的凹弧形段上設有一圈半絕緣多晶硅膜，玻璃質保護層覆蓋半絕緣多晶硅膜上部的70-95%，腔體內壁覆蓋反射層，基體為硅基體，基體的外形輪廓為長方形。本實用新型采用具有長方形輪廓形狀的硅基體作為發(fā)光二極管載體，散熱性能好，能夠應用于各種大屏幕背光屏；本實用新型采用的二極管芯片，其水平投影形狀能有效的防止方形芯片尖角造成的尖端放電，同時有效的提高二極管的耐壓能力，避免造成的二極管失效或者電路故障。
文檔編號H01L33/64GK202058784SQ20112019514
公開日2011年11月30日 申請日期2011年6月11日 優(yōu)先權日2011年6月11日
發(fā)明者陳逸奇 申請人:陳逸奇