專利名稱：一種雙重增強的集成電路引線框架版的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及半導(dǎo)體電子元器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其指一種集成電路引線框架基體與塑封料之間的封裝結(jié)構(gòu)技術(shù)。
背景技術(shù)：
近年來，市面上相繼出現(xiàn)了諸如iphone、ipad等形式多樣的電子通訊與3G網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品，給人們生活帶來了新的快樂和樂趣。不過行業(yè)人士也發(fā)現(xiàn)，由于諸多領(lǐng)域應(yīng)用的半導(dǎo)體集成電路元器件正日趨小型化、薄型化態(tài)勢，故與之相配套的引線框架部件也日趨小型化、薄型化；在外形進(jìn)一步縮小、厚度進(jìn)一步降低的情況下，如何增強塑封料與引線框架基體結(jié)合的牢固度、杜絕塑封料鼓起開裂、增強防水密封性能，已成為確保微電子通訊產(chǎn)品可靠性和使用壽命的重要保障。國家知識產(chǎn)權(quán)局曾于2010年1月6日授權(quán)公告了專利號為 ZL200920142440. 5名稱為“一種薄型集成電路引線框架”的實用新型專利技術(shù)，它包括“中
心區(qū)域的矩形芯片島和環(huán)布于所述芯片島四周的多個引腳......所述引腳靠近所述封裝
區(qū)邊緣的內(nèi)側(cè)正反表面分別設(shè)有多道凹槽和溝槽；所述芯片島的背面均布有凹坑?！痹摦a(chǎn)品作為生產(chǎn)集成電路的主要分立器件，包括有數(shù)十只引腳，但由于封裝后的塑封料與貼片區(qū)為單純的平面結(jié)合構(gòu)造，所以當(dāng)該產(chǎn)品應(yīng)用于高振動、高溫差和潮濕環(huán)境時，塑封料與引線框架的分層開裂、錯位滑移等現(xiàn)象時有發(fā)生，嚴(yán)重影響集成電路的工作可靠性和使用壽命。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有同類產(chǎn)品封裝后塑封料與引線框架基體易受振動、溫差和潮濕環(huán)境影響產(chǎn)生分層開裂、錯位滑移等現(xiàn)象的缺陷和不足，向社會提供一種雙重增強的集成電路引線框架版產(chǎn)品，以提高集成電路工作穩(wěn)定性、延長使用壽命。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是雙重增強的集成電路引線框架版，包括每列包含多個相同弓I線框架的基本單元，所述基本單元經(jīng)上、下兩側(cè)的邊帶連接后橫向重復(fù)延伸；所述引線框架設(shè)有管芯片和多個導(dǎo)腳；所述導(dǎo)腳在封裝區(qū)內(nèi)側(cè)設(shè)有固封孔，所述固封孔與所述封裝區(qū)之間的所述導(dǎo)腳表面設(shè)有防水槽；所述管芯片和所述導(dǎo)腳端部焊區(qū)相對于所述引線框架基體平面凹陷構(gòu)成沉臺；相鄰的所述基本單元設(shè)有細(xì)長的孔隙。本實用新型產(chǎn)品的管芯片和導(dǎo)腳端部焊區(qū)相對于引線框架基體平面凹陷、構(gòu)成沉臺結(jié)構(gòu)后，既可以有效防止受振動后集成芯片相對于管芯片產(chǎn)生錯位滑移，又可以進(jìn)一步縮小封裝后成品的厚度；同時，由于所述沉臺相對于所述引線框架基體平面折彎后，使得本產(chǎn)品在截面方向上較傳統(tǒng)的平面類產(chǎn)品抗彎性能更加優(yōu)異。本產(chǎn)品封裝后，由于塑封料完全填充于所述固封孔和防水槽部件，大大增強了集成電路引線框架基體與塑封料的結(jié)合力，有助于密封性和防水、防潮性能提高，成品的抗機械沖擊和耐熱疲勞強度明顯提升，產(chǎn)品使用壽命延長。
圖1是本實用新型產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖1的引線框架結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是圖2的仰視方向截面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
如圖1和圖2所示，本實用新型雙重增強的集成電路引線框架版，包括每列包含多個相同引線框架3的基本單元1，所述基本單元1經(jīng)上、下兩側(cè)的邊帶2連接后橫向重復(fù)延伸；相鄰的所述基本單元1設(shè)有細(xì)長的孔隙4以釋放加工應(yīng)力；在所述基本單元1內(nèi)，上、下相鄰的所述引線框架3由接片5相固定連接。如圖2所示，所述引線框架3設(shè)有中心部位的管芯片6和圍繞所述管芯片6設(shè)置的多個導(dǎo)腳7 ；所述導(dǎo)腳7在位于矩形虛線所示的封裝區(qū)8邊緣內(nèi)側(cè)設(shè)有固封孔9 ；在所述固封孔9與所述封裝區(qū)8之間的所述導(dǎo)腳7表面設(shè)有防水槽10 ；如圖2和圖3所示，所述管芯片6和所述導(dǎo)腳7端部焊區(qū)11相對于所述引線框架 3基體平面凹陷構(gòu)成沉臺12，所述沉臺12部位的所述管芯片6表面承載集成芯片；采用這樣的沉臺結(jié)構(gòu)后，既可以有效防止受振動后集成芯片相對于管芯片6產(chǎn)生錯位滑移，又可以進(jìn)一步縮小封裝后成品的厚度；同時，由于所述沉臺12相對于所述引線框架3基體平面折彎后，使得本產(chǎn)品在截面方向上較傳統(tǒng)的平面類產(chǎn)品抗彎性能更加優(yōu)異。本產(chǎn)品封裝后， 由于塑封料完全填充于所述固封孔9和防水槽10部件，大大增強了集成電路引線框架基體與塑封料的結(jié)合力，有助于密封性和防水、防潮性能提高，成品的抗機械沖擊和耐熱疲勞強度明顯提升，產(chǎn)品使用壽命延長。
權(quán)利要求1.一種雙重增強的集成電路引線框架版，包括每列包含多個相同引線框架(3)的基本單元(1)，所述基本單元(1)經(jīng)上、下兩側(cè)的邊帶( 連接后橫向重復(fù)延伸；所述引線框架 (3)設(shè)有管芯片(6)和多個導(dǎo)腳(7)；其特征在于所述導(dǎo)腳(7)在封裝區(qū)⑶內(nèi)側(cè)設(shè)有固封孔(9)，所述固封孔(9)與所述封裝區(qū)( 之間的所述導(dǎo)腳(7)表面設(shè)有防水槽(10)；所述管芯片(6)和所述導(dǎo)腳(7)端部焊區(qū)(11)相對于所述引線框架(3)基體平面凹陷構(gòu)成沉臺(12)。
2.如權(quán)利要求1所述雙重增強的集成電路引線框架版，其特征在于相鄰的所述基本單元⑴設(shè)有細(xì)長的孔隙⑷。
專利摘要本實用新型公開了一種雙重增強的集成電路引線框架版，克服了現(xiàn)有同類產(chǎn)品封裝后塑封料與引線框架基體易分層開裂和錯位滑移的缺陷。它包括每列包含多個相同引線框架的基本單元，所述基本單元經(jīng)上、下兩側(cè)的邊帶連接后橫向重復(fù)延伸；所述引線框架設(shè)有管芯片和多個導(dǎo)腳；所述導(dǎo)腳在封裝區(qū)內(nèi)側(cè)設(shè)有固封孔，所述固封孔與所述封裝區(qū)之間的所述導(dǎo)腳表面設(shè)有防水槽；所述管芯片和所述導(dǎo)腳端部焊區(qū)相對于所述引線框架基體平面凹陷構(gòu)成沉臺；相鄰的所述基本單元設(shè)有細(xì)長的孔隙。本產(chǎn)品既可以有效防止受振動后集成芯片相對于管芯片產(chǎn)生錯位滑移，又可以進(jìn)一步縮小封裝后成品的厚度；成品的抗機械沖擊和耐熱疲勞強度明顯提升，產(chǎn)品使用壽命延長。
文檔編號H01L23/495GK202153516SQ201120295968
公開日2012年2月29日 申請日期2011年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月12日
發(fā)明者李靖, 袁浩旭, 陳孝龍, 陳明明 申請人:寧波華龍電子股份有限公司