專利名稱：一種用于制作芯片的雙臺面硅片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及用于制作芯片的硅片，具體地說是一種用于制作芯片的雙臺面娃片。
背景技術(shù)：
目前，一般采用雙臺面或單臺面硅片制作芯片。無論是雙臺面的硅片或還是單臺面的硅片，都需要在硅片上制作PN結(jié)和PN結(jié)隔離槽；其中雙臺面硅片上制作的PN結(jié)隔離槽間距相等且對稱，使得雙臺面硅片的碎片多，且對芯片分割的劃片設(shè)備精度要求較高，造成芯片的合格率較低；另外單臺面硅片上的PN結(jié)隔離槽的對通隔離需經(jīng)過高溫長時間擴散，給單晶硅造成缺陷，導(dǎo)致芯片合格率低，成本偏高，且一致性較差。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種結(jié)構(gòu)簡單、制作容易、單晶缺陷低、產(chǎn)品合格率高且制造成本低的用于制作芯片的雙臺面硅片。本實用新型的目的是通過以下技術(shù)方案解決的一種用于制作芯片的雙臺面硅片，包括硅片，所述硅片的正面和背面分別設(shè)有正面PN結(jié)和背面PN結(jié)，其中硅片的正面間隔設(shè)置有分隔正面PN結(jié)的正面PN結(jié)隔離槽，硅片的背面間隔設(shè)置有分隔背面PN結(jié)的背面PN結(jié)隔離槽；所述相鄰正面PN結(jié)隔離槽之間的間距與相鄰背面PN結(jié)隔離槽之間的間距不等。所述的相鄰正面PN結(jié)隔離槽之間的間距小于相鄰背面PN結(jié)隔離槽之間的間距。所述的正面PN結(jié)隔離槽與背面PN結(jié)隔離槽相互錯開設(shè)置。所述的正面PN結(jié)隔離槽與背面PN結(jié)隔離槽為弧形槽。所述正面PN結(jié)隔離槽的半徑小于背面PN結(jié)隔離槽的半徑。所述正面PN結(jié)隔離槽的底部至正面PN結(jié)上邊沿的高度大于正面PN結(jié)的厚度。所述背面PN結(jié)隔離槽的底部至背面PN結(jié)下邊沿的高度大于背面PN結(jié)的厚度。所述的硅片采用N型硅片或P型硅片。本實用新型相比現(xiàn)有技術(shù)有如下優(yōu)點本實用新型通過在硅片的正背表面上設(shè)置兩層PN結(jié)，并在雙層PN結(jié)上設(shè)置間距大小不同的PN結(jié)隔離槽的方式，使硅片厚度最小處的距離加大，降低了硅片在生產(chǎn)過程中碎裂的幾率，在降低雙臺面硅片制造難度的同時提高了產(chǎn)品的合格率。本實用新型的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)簡單、生產(chǎn)成本低，制備出來的產(chǎn)品合格率高且單晶缺陷低，適宜推廣使用。

附圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。其中1 一硅片；2—正面PN結(jié)；3—背面PN結(jié)；4一正面PN結(jié)隔離槽；5—背面PN結(jié)隔離槽。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例，進一步闡明本實用新型，應(yīng)理解該實施例僅用于說明本實用新型而不用于限制實用新型的范圍，在閱讀了本實用新型之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對本實用新型的各種等價形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。如圖1所示一種用于制作芯片的雙臺面硅片，包括硅片1，硅片1可根據(jù)實際需要采用N型或P型硅片，在硅片1的正面和背面分別設(shè)有正面PN結(jié)2和背面PN結(jié)3，該正面PN結(jié)2和背面PN結(jié)3均是將硅片1中摻入雜質(zhì)后形成，正面PN結(jié)2和背面PN結(jié)3均勻設(shè)置在硅片1的正面和背面上。在硅片1的正面間隔設(shè)置有分隔正面PN結(jié)2的正面PN 結(jié)隔離槽4，該正面PN結(jié)隔離槽4為弧形槽，且正面PN結(jié)隔離槽4的底部至正面PN結(jié)2上邊沿的高度大于正面PN結(jié)2的厚度 ’硅片1的背面間隔設(shè)置有分隔背面PN結(jié)3的背面PN 結(jié)隔離槽5，該背面PN結(jié)隔離槽5為弧形槽，背面PN結(jié)隔離槽5的底部至背面PN結(jié)3下邊沿的高度大于背面PN結(jié)3的厚度。另外正面PN結(jié)隔離槽4與背面PN結(jié)隔離槽5相互錯開設(shè)置，不但正面PN結(jié)隔離槽4的半徑小于背面PN結(jié)隔離槽5的半徑，而且相鄰正面PN 結(jié)隔離槽4之間的間距小于相鄰背面PN結(jié)隔離槽5之間的間距。本實用新型通過在硅片的正背表面上設(shè)置兩層PN結(jié)，并在雙層PN結(jié)上設(shè)置間距大小不同的PN結(jié)隔離槽的方式，使硅片厚度最小處的距離加大，降低了硅片在生產(chǎn)過程中碎裂的幾率，在降低雙臺面硅片制造難度的同時提高了產(chǎn)品的合格率；產(chǎn)品具有結(jié)構(gòu)簡單、 生產(chǎn)成本低的特點，制備出來的產(chǎn)品合格率高且單晶缺陷低，適宜推廣使用。本實用新型未涉及的技術(shù)均可通過現(xiàn)有技術(shù)加以實現(xiàn)。
權(quán)利要求1.一種用于制作芯片的雙臺面硅片，包括硅片(1 )，其特征在于所述硅片(1)的正面和背面分別設(shè)有正面PN結(jié)(2)和背面PN結(jié)(3)，其中硅片(1)的正面間隔設(shè)置有分隔正面PN 結(jié)(2)的正面PN結(jié)隔離槽(4)，硅片(1)的背面間隔設(shè)置有分隔背面PN結(jié)(3)的背面PN結(jié)隔離槽(5);所述相鄰正面PN結(jié)隔離槽(4)之間的間距與相鄰背面PN結(jié)隔離槽(5)之間的間距不等。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制作芯片的雙臺面硅片，其特征在于所述的相鄰正面PN 結(jié)隔離槽(4)之間的間距小于相鄰背面PN結(jié)隔離槽(5)之間的間距。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于制作芯片的雙臺面硅片，其特征在于所述的正面PN 結(jié)隔離槽(4)與背面PN結(jié)隔離槽(5)相互錯開設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制作芯片的雙臺面硅片，其特征在于所述的正面PN結(jié)隔離槽(4)與背面PN結(jié)隔離槽(5)為弧形槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于制作芯片的雙臺面硅片，其特征在于所述正面PN結(jié)隔離槽(4)的半徑小于背面PN結(jié)隔離槽(5)的半徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制作芯片的雙臺面硅片，其特征在于所述正面PN結(jié)隔離槽(4)的底部至正面PN結(jié)(2)上邊沿的高度大于正面PN結(jié)(2)的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制作芯片的雙臺面硅片，其特征在于所述背面PN結(jié)隔離槽(5)的底部至背面PN結(jié)(3)下邊沿的高度大于背面PN結(jié)(3)的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制作芯片的雙臺面硅片，其特征在于所述的硅片(1)采用N型硅片或P型硅片。
專利摘要本實用新型公開了一種用于制作芯片的雙臺面硅片，包括硅片(1)，所述硅片(1)的正面和背面分別設(shè)有正面PN結(jié)(2)和背面PN結(jié)(3)，其中硅片(1)的正面間隔設(shè)置有分隔正面PN結(jié)(2)的正面PN結(jié)隔離槽(4)，硅片(1)的背面間隔設(shè)置有分隔背面PN結(jié)(3)的背面PN結(jié)隔離槽(5)；所述相鄰正面PN結(jié)隔離槽(4)之間的間距與相鄰背面PN結(jié)隔離槽(5)之間的間距不等。本實用新型通過設(shè)置間距大小皆不同的PN結(jié)隔離槽，使硅片厚度最小處的距離加大，降低了硅片在生產(chǎn)過程中的碎裂幾率，在降低雙臺面硅片制造難度的同時提高了產(chǎn)品的合格率；產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)簡單、生產(chǎn)成本低、合格率高且單晶缺陷低，適宜推廣使用。
文檔編號H01L29/06GK202259304SQ201120396919
公開日2012年5月30日 申請日期2011年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月18日
發(fā)明者伍林, 張海金, 潘建英 申請人:宜興市環(huán)洲微電子有限公司