專利名稱：基于半導體封裝的多通道存儲裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種固態(tài)存儲裝置，尤其涉及一種基于半導體封裝的多通道存儲裝置。
背景技術(shù)：
閃存芯片以其讀寫性能好，性價比高，非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)等優(yōu)勢，已經(jīng)成為目前最成功，最流行的半導體存儲介質(zhì)，在USB (通用串行總線 Universal Serial Bus)移動存儲，SSD (固態(tài)硬盤Solid State Disk)，媒體播放器，便攜式通信設(shè)備，Netbook (上網(wǎng)本)，MID (移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備Mobile Internet Device)等產(chǎn)品上廣泛應(yīng)用。目前常規(guī)的閃存芯片，內(nèi)部封裝有一個或多個閃存裸片，各閃存裸片放置在一片金屬基板上，然后通過打線的方式把閃存裸片上功能相同的引腳連接在一起，同時金屬基板上也具備一組具有相同功能定義的引腳，再通過打線方式把閃存裸片的引腳和金屬基板的相對應(yīng)引腳連接在一起，形成一個具備存儲功能的閃存芯片。對于驅(qū)動和管理閃存芯片的MCU或者CPU (主控芯片)來說，閃存芯片內(nèi)的一個或多個閃存裸片共用一組I/O 口(數(shù)據(jù)輸入輸出端口)，這一組I/O 口即為一個傳輸通道。因此每個閃存芯片只能支持一個通道。由于每一組I/O端口的數(shù)據(jù)傳輸能力有限，當使用閃存芯片的產(chǎn)品需要更高的數(shù)據(jù)傳輸能力，同時具備更大容量的時候，就必須使用多通道技術(shù)(多組I/O端口并行同時工作)。比如高速的USB移動存儲，SSD固態(tài)硬盤等產(chǎn)品，以及其他需要閃存做系統(tǒng)存儲的便攜設(shè)備。當使用多通道技術(shù)時，假如需要支持2通道，4通道，就最少需要相應(yīng)數(shù)量的閃存芯片，即2通道最少需要2片閃存芯片，4通道最少需要4片閃存芯片，而每顆閃存芯片占用的面積是固定的，這樣就會使多通道型應(yīng)用端產(chǎn)品需要更大的面積來放置閃存芯片，不利于產(chǎn)品的小型化，同時導致產(chǎn)品整體設(shè)計難度增加。

實用新型內(nèi)容本實用新型解決的技術(shù)問題是構(gòu)建一種基于半導體封裝的多通道存儲裝置，克服現(xiàn)有技術(shù)多通道存儲裝置需要多個閃存芯片，不利于小型化的技術(shù)問題。本實用新型的技術(shù)方案是構(gòu)建一種基于半導體封裝的多通道存儲裝置，包括多個閃存裸片組、安裝閃存裸片組的電路基板、輸入輸出端口、連接件，所述電路基板包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，所述閃存裸片組安裝在所述電路基板的第一主面，所述電路基板的第一主面設(shè)置連接所述輸入輸出端口的多個通道打線區(qū)，所述輸入輸出端口設(shè)置在所述電路基板的第二主面，所述多個閃存裸片組通過多個通道打線區(qū)連接所述輸入輸出端口。本實用新型的進一步技術(shù)方案是所述閃存裸片組由一個或多個閃存裸片組成。本實用新型的進一步技術(shù)方案是所述多個閃存裸片組疊放。本實用新型的進一步技術(shù)方案是所述閃存裸片組包括打線端，所述相鄰閃存裸片組打線端錯位疊放。本實用新型的進一步技術(shù)方案是所述相鄰閃存裸片組打線端呈90度錯位疊放。本實用新型的進一步技術(shù)方案是所述相鄰閃存裸片組打線端呈180度錯位疊放。本實用新型的進一步技術(shù)方案是還包括粘合膜，所述閃存裸片組之間通過所述粘合膜粘合連接。本實用新型的進一步技術(shù)方案是還包括密封所述閃存裸片的密封樹脂。本實用新型的技術(shù)效果是構(gòu)建一種基于半導體封裝的多通道存儲裝置，包括多個閃存裸片組、安裝閃存裸片組的電路基板、輸入輸出端口、連接件，所述電路基板包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，所述閃存裸片組安裝在所述電路基板的第一主面，所述電路基板的第一主面設(shè)置連接所述輸入輸出端口的多個通道打線區(qū)，所述輸入輸出端口設(shè)置在所述電路基板的第二主面，所述多個閃存裸片組通過多個通道打線區(qū)連接所述輸入輸出端口。本實用新型采用多個閃存裸片組，所述閃存裸片組包括一個或多個閃存裸片，同時采用多個輸入輸出通道，實現(xiàn)單一閃存支持多輸入輸出通道，每個輸入輸出通道支持多顆閃存晶圓的存儲裝置，以單芯片的方式滿足高速大容量產(chǎn)品的設(shè)計需求，最大限度地減少應(yīng)用端產(chǎn)品的設(shè)計尺寸。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實用新型閃存芯片連接示意圖。圖3為本實用新型一種閃存裸片組疊放示意圖。圖4為本實用新型另一種閃存裸片組疊放示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合具體實施例，對本實用新型技術(shù)方案進一步說明。如圖1所示，本實用新型的具體實施方式
是構(gòu)建一種基于半導體封裝的多通道存儲裝置，包括多個閃存裸片組3、安裝閃存裸片組3的電路基板2、輸入輸出端口 6、連接件 7，所述電路基板2包括第一主面2b和與所述第一主面2b相對的第二主面2a，所述閃存裸片組3安裝在所述電路基板2的第一主面2b，所述電路基板2的第一主面2b設(shè)置連接所述輸入輸出端口 6的多個通道打線區(qū)，所述輸入輸出端口 6設(shè)置在所述電路基板2的第二主面加，所述多個閃存裸片組3通過多個通道打線區(qū)連接所述輸入輸出端口 6。如圖1、圖2所示，本實用新型的具體實施過程如下本實用新型采用多個閃存裸片組3，所述閃存裸片組3安裝在所述電路基板2的第一主面2b，所述電路基板2的第一主面2b設(shè)置連接所述輸入輸出端口 6的多個通道打線區(qū)，所述輸入輸出端口 6設(shè)置在所述電路基板2的第二主面加，所述多個閃存裸片組3通過多個通道打線區(qū)連接所述輸入輸出端口 6。本實用新型采用多個閃存裸片組3，所述閃存裸片組3包括一個或多個閃存裸片，同時采用多個輸入輸出通道5，實現(xiàn)單一閃存支持多輸入輸出通道5，每個輸入輸出通道5支持多顆閃存晶圓的存儲裝置，以單芯片的方式滿足高速大容量產(chǎn)品的設(shè)計需求，最大限度地減少應(yīng)用端產(chǎn)品的設(shè)計尺寸。本實用新型具體實施例中，還包括主控制器芯片，所述主控制器芯片和閃存裸片組3在所述電路基板2通過連接件7電連接，所述多個閃存裸片組3 經(jīng)連接后封裝為閃存芯片，所述主控制器芯片和所述閃存芯片之間采用多通道連接。本實用新型的優(yōu)選實施方式是所述多個閃存裸片組3疊放。所述閃存裸片組3 包括打線端，所述相鄰閃存裸片組3打線端錯位疊放。如圖3所示，具體實施例中，所述相鄰閃存裸片組3打線端呈90度錯位疊放，這樣更方便設(shè)置與打線區(qū)連接，實現(xiàn)多通道。如圖4所示，具體實施例中，所述相鄰閃存裸片組打線端呈180度錯位疊放，這樣排列比較整齊，便于縮小尺寸。如圖1所示，本實用新型的優(yōu)選實施方式是對于疊放的閃存裸片組3， 還包括粘合膜4，所述閃存裸片組3之間通過所述粘合膜4粘合連接。本實用新型具體實施例中，還包括密封所述閃存裸片3的密封樹脂8。本實用新型的技術(shù)效果是構(gòu)建一種基于半導體封裝的多通道存儲裝置，包括多個閃存裸片組3、安裝閃存裸片組3的電路基板2、輸入輸出端口 6、連接件7，所述電路基板 2包括第一主面2b和與所述第一主面2b相對的第二主面加，所述閃存裸片組3安裝在所述電路基板2的第一主面2b，所述電路基板2的第一主面2b設(shè)置連接所述輸入輸出端口 6的多個通道打線區(qū)，所述輸入輸出端口 6設(shè)置在所述電路基板2的第二主面加，所述多個閃存裸片組3通過多個通道打線區(qū)連接所述輸入輸出端口 6。本發(fā)明采用多個閃存裸片組，同時采用多個輸入輸出通道，實現(xiàn)單一閃存支持多通道，每通道支持多顆閃存晶圓的存儲裝置，以單芯片的方式滿足高速大容量產(chǎn)品的設(shè)計需求，最大限度地減少應(yīng)用端產(chǎn)品的設(shè)計尺寸。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本實用新型所作的進一步詳細說明，不能認定本實用新型的具體實施只局限于這些說明。對于本實用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當視為屬于本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求1.一種基于半導體封裝的多通道存儲裝置，其特征在于，包括多個閃存裸片組、安裝閃存裸片組的電路基板、輸入輸出端口、連接件，所述電路基板包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，所述閃存裸片組安裝在所述電路基板的第一主面，所述電路基板的第一主面設(shè)置連接所述輸入輸出端口的多個通道打線區(qū)，所述輸入輸出端口設(shè)置在所述電路基板的第二主面，所述多個閃存裸片組通過多個通道打線區(qū)連接所述輸入輸出端口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于半導體封裝的多通道存儲裝置，其特征在于，所述閃存裸片組由一個或多個閃存裸片組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于半導體封裝的多通道存儲裝置，其特征在于，所述多個閃存裸片組疊放。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于半導體封裝的多通道存儲裝置，其特征在于，所述閃存裸片組包括打線端，所述相鄰閃存裸片組打線端錯位疊放。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述基于半導體封裝的多通道存儲裝置，其特征在于，所述相鄰閃存裸片組打線端呈90度錯位疊放。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述基于半導體封裝的多通道存儲裝置，其特征在于，所述相鄰閃存裸片組打線端呈180度錯位疊放。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述基于半導體封裝的多通道存儲裝置，其特征在于，還包括粘合膜，所述閃存裸片組之間通過所述粘合膜粘合連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于半導體封裝的多通道存儲裝置，其特征在于，還包括密封所述閃存裸片的密封樹脂。
專利摘要本實用新型涉及一種基于半導體封裝的多通道存儲裝置，所述電路基板包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，所述閃存裸片組安裝在所述電路基板的第一主面，所述電路基板的第一主面設(shè)置連接所述輸入輸出端口的多個通道打線區(qū)，所述輸入輸出端口設(shè)置在所述電路基板的第二主面，所述多個閃存裸片組通過多個通道打線區(qū)連接所述輸入輸出端口。本實用新型采用多個閃存裸片組，所述閃存裸片組包括一個或多個閃存裸片，同時采用多個輸入輸出通道，實現(xiàn)單一閃存支持多輸入輸出通道，每個輸入輸出通道支持多顆閃存晶圓的存儲裝置，以單芯片的方式滿足高速大容量產(chǎn)品的設(shè)計需求，最大限度地減少應(yīng)用端產(chǎn)品的設(shè)計尺寸。
文檔編號H01L25/065GK202258364SQ20112040728
公開日2012年5月30日 申請日期2011年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月24日
發(fā)明者盧偉, 李振華 申請人:深圳泰勝微科技有限公司