專利名稱：一種高亮度led芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及LED芯片，特別是涉及一種高亮度LED芯片。
背景技術(shù)：
目前，LED芯片在照明或其他光源領(lǐng)域得到飛速的發(fā)展和應(yīng)用，但是目前LED芯片的每一個(gè)最終產(chǎn)品，均只包含一個(gè)LED芯片單元，在應(yīng)用中，當(dāng)需要更大的功率或更大的發(fā)光面時(shí)，需要將數(shù)個(gè)LED芯片單元盡可能靠近的拼裝在一起，封裝工藝復(fù)雜，光的發(fā)散角較大，難以滿足某些高要求的場(chǎng)所的需求。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種多個(gè)LED芯片一體成型的大發(fā)光面的高亮度LED芯片。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種高亮度LED芯片，在同一塊基底上，設(shè)有至少兩個(gè)相對(duì)獨(dú)立的LED芯片單元。優(yōu)選的，所述基底包括藍(lán)寶石基底、硅基底、碳化硅基底、銅基底、或銅鎢合金基
。優(yōu)選的，所述芯片單元的數(shù)量為1+N，其中N為大于零的整數(shù)。優(yōu)選的，所述基底為長方形、正方形、圓形或多邊形。優(yōu)選的，所述每個(gè)LED芯片單元的陽極和陰極至少一種相互電絕緣。優(yōu)選的，所述每個(gè)LED芯片單元均并聯(lián)在一起或分組并聯(lián)。采用本技術(shù)方案的有益效果是采用在同一基底上一體生成至少兩個(gè)LED芯片單元，使得LED芯片單元之間的間隙達(dá)到最小化，省略了多個(gè)LED芯片單元拼裝的工序，降低了光的發(fā)散角。

此處所說明的附圖用來提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中圖I為本實(shí)用新型一種高亮度LED芯片實(shí)施例I的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型一種高亮度LED芯片實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本實(shí)用新型一種高亮度LED芯片實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中標(biāo)號(hào)說明1、基底，2、LED芯片單兀。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。實(shí)施例1，[0018]一種高亮度LED芯片，如圖I所示，在同一塊基底I上，設(shè)有兩個(gè)相對(duì)獨(dú)立的LED芯片單元2。所述基底I為藍(lán)寶石基底，也可根據(jù)需要選擇硅基底、碳化硅基底、銅基底、或銅鎢合金基底，或其它基底。所謂基底，可以是LED外延片生長后沒有進(jìn)行剝離而保留在外延片上的部分，主要是藍(lán)寶石、硅或碳化硅等；也可以是，在外延片經(jīng)過加工并剝離襯底后重新粘接到的另一種材料上形成的基底，如硅基底、銅基底、銅鎢合金或其它的材料基底。 實(shí)施例2，如圖2所示，所述基底I為正方形，該基底I上設(shè)置有4個(gè)LED芯片單元2。實(shí)施例3，如圖3所示，所述基底為正方形，該基底I上設(shè)置有16個(gè)LED芯片單元2。上述LED芯片單元2為正方形。上述實(shí)施例中，所述芯片單元的數(shù)量為1+N，其中N為大于零的整數(shù)，即大于I的整數(shù)。所述基底為長方形、正方形、圓形或多邊形。所述每個(gè)LED芯片單元的陽極和陰極至少一種相互電絕緣，即在電氣上相互獨(dú)立，因此可以方便的實(shí)現(xiàn)獨(dú)立控制每個(gè)LED芯片單元的點(diǎn)亮或熄滅。或者，所述每個(gè)LED芯片單元均并聯(lián)在一起或分組并聯(lián)，這樣可以同步控制整個(gè)LED芯片單元或分組控制每組并聯(lián)的LED芯片單元，這樣引線少，并聯(lián)的電極可以加大電流容量。上述高亮度LED芯片，將每個(gè)LED芯片單元切割下來后，依然可以作為獨(dú)立的LED芯片使用。采用本技術(shù)方案的有益效果是采用在同一基底上一體生成至少兩個(gè)LED芯片單元，使得LED芯片單元之間的間隙達(dá)到最小化，省略了多個(gè)LED芯片單元拼裝的工序，降低了光的散射角。以上所述的僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種高亮度LED芯片，其特征在于，在同一塊基底上，設(shè)有至少兩個(gè)相對(duì)獨(dú)立的LED芯片單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述基底包括藍(lán)寶石基底、硅基底、碳化硅基底、銅基底、或銅鎢合金基底。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述芯片單元的數(shù)量為1+N，其中N為大于零的整數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I到3任一所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述基底為長方形、正方形、圓形或多邊形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述每個(gè)LED芯片單元的陽極和陰極至少一種相互電絕緣。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述每個(gè)LED芯片單元均并聯(lián)在一起或分組并聯(lián)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種高亮度LED芯片，基底在同一塊基底上，設(shè)有至少兩個(gè)獨(dú)立的LED芯片單元,采用本技術(shù)方案的有益效果是采用在同一基底上一體生成至少兩個(gè)LED芯片單元，使得LED芯片單元之間的間隙達(dá)到最小化，省略了多個(gè)LED芯片單元拼裝的工序，降低了光的發(fā)散角。
文檔編號(hào)H01L27/15GK202373584SQ20112052085
公開日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2011年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月14日
發(fā)明者熊大曦 申請(qǐng)人:蘇州科醫(yī)世凱半導(dǎo)體技術(shù)有限責(zé)任公司