專利名稱：半導(dǎo)體裝置和其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置和其制造方法。
背景技術(shù)：
目前，已知具有搭載于引線架的島形部(island)上的半導(dǎo)體芯片和覆蓋該半導(dǎo)體芯片的模制樹脂的半導(dǎo)體裝置。上述半導(dǎo)體裝置經(jīng)由將已劃片分割的半導(dǎo)體芯片使用粘接劑等固定在島形部上的模片結(jié)合(die bonding)工序制造得到。在模片結(jié)合工序中，根據(jù)使島形部與半導(dǎo)體芯片電連接的情況和使島形部與半導(dǎo)體芯片電絕緣的情況，而分別使用不同的粘接劑。在希望使島形部和半導(dǎo)體芯片電連接時，例如使用如下方法通過在被鍍銀的島形部上載置銀糊劑，在其上輕輕按壓半導(dǎo)體芯片而粘接的方法，或者在被鍍金的島形部與半導(dǎo)體芯片之間夾著小片的金帶，制造金和硅的共晶等方法，將半導(dǎo)體芯片固定在引線架的島形部上。另一方面，在希望使島形部與半導(dǎo)體芯片絕緣時，使用在島形部上載置丙烯酸類或環(huán)氧類等樹脂構(gòu)成的絕緣糊劑，在其上輕輕按壓半導(dǎo)體芯片而粘接的方法，或者用DAF(Die Attach Film，粘片膜)等絕緣膜將半導(dǎo)體芯片固定在島形部上的方法。在MAP (MoldArray Package,模塑陣列封裝)、QFN (Quad Flat Non-leaded,四側(cè)無引線扁平)封裝等島形部露出于外部的封裝中，由于使島形部和半導(dǎo)體芯片絕緣，從而能夠防止電流向外部基板漏電，并且能夠確保高的散熱性。由于將島形部與半導(dǎo)體芯片間絕緣，因此例如能夠?qū)⑾耠娖睫D(zhuǎn)換IC和電源IC那樣背面電極的電位不同的多個芯片搭載于同一島形部上。作為將多個芯片搭載于同一島形部上的方法，目前使用(I)在島形部的同一面上搭載多個芯片的方法；(2)在島形部的一個主面和另一個主面上分別搭載芯片的方法等。但是，在希望使島形部與半導(dǎo)體芯片間絕緣時，使用絕緣糊劑的方法中，存在模片結(jié)合時由于半導(dǎo)體芯片傾斜、或在絕緣糊劑中產(chǎn)生孔隙，而導(dǎo)致島形部與半導(dǎo)體芯片間的電絕緣強度降低的情況。另外，在使用絕緣膜的方法中，除了需要新的用于DAF的裝置以外，存在將半導(dǎo)體芯片單片化時的劃片中產(chǎn)生的剝離屑貼附于絕緣膜，而導(dǎo)致島形部與半導(dǎo)體芯片間的電絕緣強度降低的情況。為了解決上述問題，在專利文獻I中公開有一種在將半導(dǎo)體芯片固定在島形部上時，使用絕緣糊劑和絕緣性膜兩者的技術(shù)思想。圖23為專利文獻I的圖2所示的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置900由半導(dǎo)體芯片902、絕緣性膜904、絕緣性粘接劑906、島形部908構(gòu)成。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于在半導(dǎo)體芯片902與島形部908之間夾著絕緣性膜904，因 此，即使在絕緣性粘接劑906中產(chǎn)生孔隙，半導(dǎo)體芯片902與島形部908間的電絕緣強度也保持在規(guī)定程度以上。
專利文獻I :日本特開平4 - 726號公報

發(fā)明內(nèi)容
但是，在圖23所示的半導(dǎo)體裝置900中，絕緣性膜904在常溫下的彈性模量為3000MPa左右。因此，在半導(dǎo)體芯片902上結(jié)合接線時，用于接線壓接的能量會被絕緣性膜904吸收。這種情況成為品質(zhì)降低的一個原因。另外，本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)搭載在島形部908上的半導(dǎo)體芯片902的尺寸較小時，上述不良情況的發(fā)生率高。本發(fā)明是為了克服這種不良情況而提出的，其目的在于，為了確保半導(dǎo)體芯片與島形部間的高絕緣性，并且使得能夠進行精度高的接線結(jié)合，提供一種將半導(dǎo)體芯片更牢固地固接在島形部上的半導(dǎo)體裝置和其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的第一方面所提供的半導(dǎo)體裝置包括島形部；第一絕緣材料；彈性模量比上述第一絕緣材料高的第二絕緣材料；和半導(dǎo)體芯片，其具有形成有結(jié)合墊的一個主面；和朝向與上述一個主面相反的一側(cè)，且經(jīng)由上述第一絕緣材料和上述第二絕緣材料固接在上述島形部上的另一主面，上述第二絕緣材料與上述島形部和上述半導(dǎo)體芯片這兩者接觸。 在優(yōu)選的實施方式中，上述第一絕緣材料在上述島形部上形成，上述第二絕緣材料與上述另一主面、與上述一個主面和上述另一主面這兩者連接的側(cè)面、上述第一絕緣材料和上述島形部接觸并固定。在優(yōu)選的實施方式中，上述第一絕緣材料超過上述另一主面外周的全部。在優(yōu)選的實施方式中，上述第一絕緣材料被上述第二絕緣材料覆蓋。在優(yōu)選的實施方式中，上述第二絕緣材料為絕緣糊劑。在優(yōu)選的實施方式中，上述第二絕緣材料的彈性模量為3000MPa以上、IOOOOMPa以下。在優(yōu)選的實施方式中，上述第一絕緣材料的彈性模量為IOOOMPa以上、5000MPa以下。在優(yōu)選的實施方式中，上述島形部的一部分露出于半導(dǎo)體裝置的外部。在優(yōu)選的實施方式中，上述島形部由吊線支承。在優(yōu)選的實施方式中，上述半導(dǎo)體裝置還具有固接在上述另一主面的第三絕緣材料。在優(yōu)選的實施方式中，上述第一絕緣材料的體積電阻率為IOOOGQ · cm以上。在優(yōu)選的實施方式中，上述第一絕緣材料以不超過上述另一主面外周的方式固接在上述島形部上。在優(yōu)選的實施方式中，上述另一主面呈四邊形，上述第一絕緣材料以不從上述另一主面的相對的兩邊超出的方式固接在上述島形部上。在優(yōu)選的實施方式中，上述第一絕緣材料在與上述另一主面中心部相對的上述島形部上形成交叉的十字型，且固接在上述島形部上。在優(yōu)選的實施方式中，上述第一絕緣材料被分割為在上述島形部上的與上述另一主面相對的區(qū)域中離散配置的多個小片。
在優(yōu)選的實施方式中，上述第一絕緣材料具有到達上述島形部的貫通孔。在優(yōu)選的實施方式中，上述第一絕緣材料覆蓋上述另一主面，上述第二絕緣材料與連接于上述一個主面和上述另一主面的側(cè)面、上述第一絕緣材料和上述島形部接觸并固接。在優(yōu)選的實施方式中，上述第一絕緣材料被上述第二絕緣材料覆蓋。在優(yōu)選的實施方式中，上述第二絕緣材料的彈性模量為3000MPa以上、IOOOOMPa以下。在優(yōu)選的實施方式中，上述第二絕緣材料為絕緣糊劑。在優(yōu)選的實施方式中，還具有形成于上述島形部中包圍上述第二絕緣材料所接觸的區(qū)域的區(qū)域、且包含到達上述島形部的外緣的至少一部分的外緣部的鍍層。
·
在優(yōu)選的實施方式中，上述外緣部為到達上述島形部的上述外緣的全部的框狀。在優(yōu)選的實施方式中，上述島形部為矩形，上述外緣部與上述島形部的四角相接，且具有在各角彼此之間分離的部分。在優(yōu)選的實施方式中，還具有支承上述島形部的吊線，上述鍍層還包含形成于上述吊線的吊線部。在優(yōu)選的實施方式中，上述鍍層具有Au。在優(yōu)選的實施方式中，還具有與上述半導(dǎo)體芯片導(dǎo)通的輸入引線、輸出引線和接地引線，上述半導(dǎo)體芯片，在使上述接地引線連接在接地電位、對上述輸入引線施加正電壓的狀態(tài)下，能夠?qū)⑸鲜鲚敵龉璉線相對于上述接地電位設(shè)定為負電位。在優(yōu)選的實施方式中，具有生成相對于基準(zhǔn)電位的負電壓的負電壓生成電路。在優(yōu)選的實施方式中，構(gòu)成為相對于上述基準(zhǔn)電壓生成多個正電壓的系統(tǒng)電源。根據(jù)本發(fā)明的第二方面所提供的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括在半導(dǎo)體晶片的一個主面形成元件和結(jié)合墊的工序；在上述半導(dǎo)體晶片的朝向與上述一個主面相反的一側(cè)的另一主面固接第一絕緣材料的工序；將上述半導(dǎo)體晶片分割為各個半導(dǎo)體芯片的工序；將上述半導(dǎo)體芯片經(jīng)由第二絕緣材料固接在引線架的島形部上的工序；對上述結(jié)合墊和上述引線架的內(nèi)引線進行接線結(jié)合的工序；和對上述半導(dǎo)體芯片和上述引線架進行模制的工序。在優(yōu)選的實施方式中，上述第一絕緣材料通過旋轉(zhuǎn)涂敷被涂敷于上述半導(dǎo)體晶片的另一主面。


圖I是表示本發(fā)明第一實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面示意圖，圖2是表示本發(fā)明第二實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面示意圖，圖3是從一個主面?zhèn)扔^察本發(fā)明第二實施方式的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖4是表示本發(fā)明第二實施方式的半導(dǎo)體裝置的第一變形例的平面圖，圖5是表示本發(fā)明第二實施方式的半導(dǎo)體裝置的第二變形例的平面圖，圖6是表示本發(fā)明第二實施方式的半導(dǎo)體裝置的第三變形例的平面圖，圖7是表示本發(fā)明第三實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面示意圖，圖8是從一個主面?zhèn)扔^察本發(fā)明第三實施方式的半導(dǎo)體裝置的平面圖，
圖9是表示本發(fā)明第三實施方式的半導(dǎo)體裝置的變形例的平面圖，圖10是表示本發(fā)明第三實施方式的半導(dǎo)體裝置的另一變形例的圖，圖11是從一個主面?zhèn)扔^察圖10所示的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖12是表示本發(fā)明第四實施方式的半導(dǎo)體裝置的截面示意圖，圖13是表示本發(fā)明第五實施方式的半導(dǎo)體裝量的截面示意圖，圖14是從一個主面?zhèn)扔^察圖13所示的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖15是表示圖13所示的半導(dǎo)體裝置的引線的主要部分放大立體圖，圖16是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中使用的半導(dǎo)體芯片的概略結(jié)構(gòu)圖，圖17是用于說明圖16的半導(dǎo)體芯片的功能的概略電路圖，圖18是用于說明圖16的半導(dǎo)體芯片的功能的概略電路圖，圖19是用于說明圖16的半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部構(gòu)造的概略截面圖，圖20是表示本發(fā)明第五實施方式的半導(dǎo)體裝置的變形例的平面圖，圖21是表示本發(fā)明第五實施方式的半導(dǎo)體裝置的變形例的平面圖，圖22是表示本發(fā)明第五實施方式的半導(dǎo)體裝置的變形例的平面圖，圖23是表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的圖。
具體實施例方式(第一實施方式)圖I中表示本發(fā)明第一實施方式的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置100包括島形部102、引線104a、104b、半導(dǎo)體芯片106、結(jié)合墊(bonding pad) 108a、108b、第一絕緣材料110、第二絕緣材料112、結(jié)合線114a、114b、模制樹脂116。島形部102是用于通過模片結(jié)合工序搭載半導(dǎo)體芯片106的所謂模片墊(diepad)部,通常使用和引線104a、104b相同的材質(zhì)。作為島形部102和引線104a、104b的材質(zhì)，使用作為Cu類材料的Cu-Fe-PJtS Fe類材料的Fe58%Ni42%合金等。以提高散熱性為目的，島形部102的背面露出，使得能夠?qū)⑵浒惭b在未圖示的外部基板上。引線104a、104b與結(jié)合墊108a、108b電連接，用作連接外部基板時的連接端子。圖I為所謂的QFN，為不存在外引線的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明不限于QFN，在SOP (Small OutlinePackage,小外形封裝)、S0J(SmalI Outline J-Leaded,具有J引線的小外形封裝)、QFP (Quad Flat Package,四側(cè)引線扁平封裝)、LCC(Leaded Chip Carrier,帶引線芯片載體)、BGA(Ball Grid Array,球柵陣列)、LGA (Land Grid Array,柵格陣列)、TCP (TapeCarrier Package,帶載封裝)、CSP (Chip Size Package,芯片尺寸封裝)、MAP (Mold ArrayPackage，模塑陣列封裝)等各種封裝結(jié)構(gòu)中都能夠采用。另外，在圖I中島形部102由未圖示的吊線(懸線)支撐。另外，在吊線與另一吊線之間，內(nèi)引線隔開規(guī)定的間隔而配置。在半導(dǎo)體芯片106的一個主面106a上，形成有結(jié)合墊108a、108b。在半導(dǎo)體芯片106的內(nèi)部形成有包括晶體管、二極管、電阻等元件的集成電路。在與島形部102相對的另一主面106b固接有第一絕緣材料110。結(jié)合墊108a、108b與在半導(dǎo)體芯片106的內(nèi)部形成的集成電路連接，通過結(jié)合線114a、114b與引線104a、104b連接。作為結(jié)合墊108a、108b的材質(zhì)，使用Ag、Cu等，作為結(jié)合線114a、114b的原材料，使用Au、Cu、Al等。半導(dǎo)體芯片106利用第一 絕緣材料110和第二絕緣材料112固接在島形部102上。在第一實施方式中，作為第一絕緣材料110，使用聚酰胺酰亞胺、聚酰亞胺、氧化鋁、陶瓷等。第一絕緣材料Iio作為絕緣膜粘接在劃片前的半導(dǎo)體晶片的另一主面106b上，即沒有形成結(jié)合墊108a、108b的面上，或通過旋轉(zhuǎn)涂敷液狀的樹脂而涂敷在半導(dǎo)體晶片的另一主面106b上。通過旋轉(zhuǎn)涂敷來涂敷第一絕緣材料110時，能夠利用CSP中經(jīng)常使用的背面涂敷用的樹脂作為第一絕緣材料110。第一絕緣材料110通過絕緣膜的粘接或旋轉(zhuǎn)涂敷而固接于半導(dǎo)體芯片106的另一主面106b。因此，與使用所謂的絕緣糊劑的情況相比較，在第一絕緣材料110的內(nèi)部產(chǎn)生孔隙的可能性低。由此能夠提高絕緣性能。例如，在使用聚酰亞胺類樹脂時，能夠以20μπι的厚度獲得800V左右的絕緣耐壓。按照需要的絕緣耐壓適宜地調(diào)節(jié)第一絕緣材料110的厚度即可，但為了不增大半導(dǎo)體裝置整體的尺寸地獲得高的絕緣耐壓，優(yōu)選第一絕緣材料110的厚度為5 μ m以上50 μ m以下。進一步優(yōu)選第一絕緣材料110的厚度為10 μ m以上25 μ m以下。另外，為了防止熱應(yīng)力引起的半導(dǎo)體芯片106的另一主面106b的開裂，并且維持高的絕緣耐壓和粘接性，優(yōu)選第一絕緣材料110在常溫下的彈性模量為IOOOMPa以上5000Mpa以下。第一絕緣材料110的彈性模量能夠通過調(diào)節(jié)絕緣材料的干燥溫度、干燥時間等來進行調(diào)整。進而，為了確保半導(dǎo)體芯片106與島形部102之間的絕緣耐壓，優(yōu)選第一絕緣材料110具有IOOOGQ · cm以上的體積電阻率。在第一實施方式中，作為第二絕緣材料112，使用丙烯酸類樹脂、硅類樹脂、環(huán)氧類樹脂、聚酰亞胺類樹脂等。第二絕緣材料112作為絕緣糊劑將半導(dǎo)體芯片106和島形部102之間進行粘接。在另一主面106b固接有第一絕緣材料110的半導(dǎo)體芯片106，利用接片機結(jié)合在涂敷在島形部102上的糊狀的第二絕緣材料112之上。此時，即使半導(dǎo)體芯片106存在傾斜，由于在半導(dǎo)體芯片106的另一主面106b固接有第一絕緣材料110，因此在半導(dǎo)體芯片106與島形部102之間必然存在第一絕緣材料110。由此，確保了半導(dǎo)體芯片106與島形部102之間的絕緣耐壓。另外，第二絕緣材料112由于在模片結(jié)合時為糊狀，因此存在內(nèi)部產(chǎn)生孔隙的可能性。但是，利用固接于半導(dǎo)體芯片106的另一主面106b的第一絕緣材料110，能夠防止孔隙到達半導(dǎo)體芯片106。從而，即使第二絕緣材料112中產(chǎn)生了孔隙，半導(dǎo)體芯片106與島形部102之間的絕緣耐壓也能夠確保。為了防止第二絕緣材料112的開裂并且確保高的粘接性，優(yōu)選第二絕緣材料112在常溫下的彈性模量為3000MPa以上IOOOOMPa以下。當(dāng)彈性模量低于3000MPa時，粘接力降低，當(dāng)彈性模量超過IOOOOMPa時，裂紋容易進入。為了將半導(dǎo)體芯片106牢固地固接在島形部102上，第二絕緣材料112需要高的彈性模量。與此相對，為了緩和施加于半導(dǎo)體芯片106的另一主面106b的熱應(yīng)力，優(yōu)選第一絕緣材料110使用具有比第二絕緣材料112低的彈性模量的材料。第二絕緣材料112由于是在與島形部102、第一絕緣材料110和半導(dǎo)體芯片106的側(cè)面接觸的狀態(tài)下實施熱固化處理，因此半導(dǎo)體芯片106被牢固地固接在島形部102上。第二絕緣材料112的彈性模量能夠通過改變絕緣材料的干燥溫度、干燥時間等進行調(diào)節(jié)。為了將半導(dǎo)體芯片106牢固地固接在島形部102上，優(yōu)選半導(dǎo)體芯片106的一半以上埋沒在第二絕緣材料112中。另外，更優(yōu)選的是，如圖I所示，以第二絕緣材料112到達半導(dǎo)體芯片106的側(cè)面上端106s的方式進行半導(dǎo)體芯片106的模片結(jié)合。由此，能夠提高半導(dǎo)體芯片106的固接力。另外，假設(shè)結(jié)合線114a、114b和半導(dǎo)體芯片106的側(cè)面接觸時，也能夠防止二者的電短路。半導(dǎo)體芯片106的模片結(jié)合和結(jié)合線114a、114b的接線結(jié)合(引線結(jié)合)之后，為了保護半導(dǎo)體芯片106免受濕度、溫度、機械壓力等外部應(yīng)力的影響，利用模制樹脂116對半導(dǎo)體芯片106實施 樹脂密封。作為模制樹脂116，能夠使用環(huán)氧類樹脂、酚醛類樹脂、不飽和聚酯類樹脂、聚氨酯類樹脂、硅類樹脂、聚酰亞胺類樹脂等各種材料。其中，優(yōu)選模制樹脂116和第二絕緣材料112的熱膨脹率為大致相同的大小。例如，在使用聚酰亞胺類樹脂作為第二絕緣材料112時，優(yōu)選模制樹脂116也使用聚酰亞胺類樹脂。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體芯片106經(jīng)由第一絕緣材料110和第二絕緣材料112固接在島形部102上，因此，在半導(dǎo)體芯片106與島形部102之間能夠確保高的絕緣耐壓，并且，能夠利用彈性模量高的第二絕緣材料112將半導(dǎo)體芯片106牢固地固接在島形部102上。因此，例如在接線結(jié)合時，能夠進行定位精度高的結(jié)合。另外，根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體芯片106和島形部102利用兩種絕緣材料被絕緣，因此假設(shè)吊線和內(nèi)引線陷入電氣短路這樣的不良情況時，也能夠防止用吊線(suspensionlead)支承的島形部102和該內(nèi)引線的電氣事故。另外，第一絕緣材料110還具有緩和由半導(dǎo)體芯片106和第二絕緣材料112的熱膨脹系數(shù)的不同而產(chǎn)生的應(yīng)力，防止半導(dǎo)體芯片106開裂的效果。(第二實施方式)圖2中表示本發(fā)明第二實施方式的半導(dǎo)體裝置。對與圖I所示的結(jié)構(gòu)相同的部位標(biāo)注相同符號，省略詳細的說明。半導(dǎo)體裝置150不是將第一絕緣材料118固接在半導(dǎo)體芯片106側(cè)，而是固接在島形部102上，在這一點上與圖I不同。半導(dǎo)體裝置150包括島形部102、引線104a、104b、半導(dǎo)體芯片106、結(jié)合墊108a、108b、第一絕緣材料118、第二絕緣材料112、結(jié)合線114a、114b、模制樹脂116。半導(dǎo)體芯片106利用第一絕緣材料118和第二絕緣材料112固接在島形部102上。在第二實施方式中，作為第一絕緣材料118，使用聚酰胺酰亞胺、聚酰亞胺、氧化鋁、陶瓷等。第一絕緣材料118作為絕緣膜固接在島形部102上。第一絕緣材料118作為絕緣膜固接在島形部102上。因此，與使用所謂的絕緣糊劑的情況相比較，第一絕緣材料118的內(nèi)部產(chǎn)生孔隙的可能性低。由此，能夠提高第一絕緣材料118的絕緣性能。例如，在使用聚酰亞胺類樹脂時，能夠以20 μ m的厚度獲得800V左右的絕緣耐壓。根據(jù)需要的絕緣耐壓適宜地調(diào)節(jié)第一絕緣材料118的厚度即可，但為了不增大半導(dǎo)體裝置整體的大小而獲得高的絕緣耐壓，優(yōu)選第一絕緣材料118的厚度為5 μ m以上50 μ m以下。另外，當(dāng)?shù)陀? μ m時絕緣耐壓降低，當(dāng)超過50 μ m時固接性降低而且孔隙的產(chǎn)生也增加。另外，半導(dǎo)體芯片106的傾斜也增加。第二實施方式中的第二絕緣材料112的材料和形狀與第一實施方式同樣。第二絕緣材料112在模片結(jié)合時為B級即糊狀，因此存在內(nèi)部產(chǎn)生孔隙的可能性。但是，利用固接在島形部102上的第一絕緣材料118，能夠保持半導(dǎo)體芯片106與島形部102之間的絕緣。因此，即使例如在第二絕緣材料112中產(chǎn)生孔隙，半導(dǎo)體芯片106與島形部102之間的絕緣耐壓也能夠確保是規(guī)定以上的大小。為了防止第二絕緣材料112的開裂且確保高的粘接性，優(yōu)選第二絕緣材料112在常溫下的彈性模量為3000MPa以上IOOOOMPa以下。當(dāng)彈性模量低于3000MPa時，粘接性降低，當(dāng)彈性模量超過IOOOOMPa時，裂紋容易進入。另外，為了將半導(dǎo)體芯片106牢固地固接在島形部102上，優(yōu)選第二絕緣材料112具有比第一絕緣材料118更高的彈性模量。第二絕緣材料112在與島形部102、第一絕緣材料118、半導(dǎo)體芯片106的側(cè)面和另一主面106b接觸的狀態(tài)下被實施熱固化處理。因此，利用第二絕緣材料112，半導(dǎo)體芯片106被牢固地固接在島形部102。第二絕緣材料112的彈性模量能夠通過改變絕緣材料的干燥溫度、干燥時間等進行調(diào)節(jié)。為了將半導(dǎo)體芯片106牢固地固接在島形部102上，優(yōu)選半導(dǎo)體芯片106—半埋沒在第二絕緣材料112中。另外，更優(yōu)選如圖2所示，以第二絕緣材料112到達半導(dǎo)體芯片 106的側(cè)面上端106s的方式,對半導(dǎo)體芯片106進行模片結(jié)合。進一步，為了更牢固地固接島形部102和第二絕緣材料112，更優(yōu)選的是增大島形部102和第二絕緣材料112的固接面積。例如，通過使第一絕緣材料118的寬度Wl比半導(dǎo)體芯片106的寬度W2小，能夠增大島形部102和第二絕緣材料112的固接面積。為了增大島形部102和第二絕緣材料112的固接面積，能夠考慮到下述等的方法
(I)使第一絕緣材料118為不超過半導(dǎo)體芯片106的另一主面106b外周的大??；(2)使第一絕緣材料118為不超過在半導(dǎo)體芯片106的另一主面106b上相對的兩邊的形狀；(3)使第一絕緣材料118在俯視圖中為在半導(dǎo)體芯片106的另一主面106b中心部交叉的十字型。圖3是圖2所示的半導(dǎo)體裝置150的平面圖。其中，為了方便進行說明，模制樹脂116表示為透視，模制樹脂116的外周用框(虛線)116a表示。半導(dǎo)體裝置150包括島形部102、多個引線104、半導(dǎo)體芯片106、多個結(jié)合墊108、第一絕緣材料118、第二絕緣材料112、多個結(jié)合線114、模制樹脂116。另外，圖2所示的引線104a、104b包含于多個引線104，結(jié)合墊108a、108b包含于多個結(jié)合墊108，結(jié)合線114a，114b包含于多個結(jié)合線114。半導(dǎo)體芯片106經(jīng)由排列在一個主面106a上的結(jié)合墊108和結(jié)合線114，與排列在模制樹脂116的外周附近的引線104電連接。第一絕緣材料118以不超過半導(dǎo)體芯片106的外周的大小固接在島形部102上。為了防止接線結(jié)合時的結(jié)合能量被第一絕緣材料118吸收，更優(yōu)選的是使第一絕緣材料118避開結(jié)合墊108的正下方而固接。即，如圖3所示，結(jié)合墊108設(shè)置于半導(dǎo)體芯片106的一個主面106a的外周附近的情況下，優(yōu)選第一絕緣材料118設(shè)置在包含半導(dǎo)體芯片106的另一主面106b中心部，且沒有到達設(shè)有結(jié)合墊108的區(qū)域的范圍的島形部102上。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體芯片106經(jīng)由第一絕緣材料118和第二絕緣材料112固接在島形部102上，因此在半導(dǎo)體芯片106與島形部102之間能夠確保高的絕緣耐壓。另夕卜，能夠利用彈性模量高的第二絕緣材料112，將半導(dǎo)體芯片106牢固地固接在島形部102上。因此，例如在接線結(jié)合時，能夠進行精度高的結(jié)合。圖4是圖3所示的半導(dǎo)體裝置150的變形例。對與圖3所示的結(jié)構(gòu)相同的部位標(biāo)注相同標(biāo)記，省略詳細的說明。半導(dǎo)體裝置200中，第一絕緣材料120的形狀為不從半導(dǎo)體芯片106的另一主面106b的相對的兩邊106c、106d超出的形狀，這一點和圖3不同。即，第一絕緣材料120以容納在兩邊106c、106d的內(nèi)部的方式構(gòu)成，從兩邊106e、106f突出。半導(dǎo)體裝置200包括島形部102、引線104、半導(dǎo)體芯片106、結(jié)合墊108、第一絕緣材料120、第二絕緣材料112、結(jié)合線114、模制樹脂116。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，除圖3所示的半導(dǎo)體裝置150所具有的效果之外，在半導(dǎo)體芯片106向第一絕緣材料120的長邊方向傾斜的情況下，也能夠防止半導(dǎo)體芯片106和島形部102的接觸，能夠確保半導(dǎo)體芯片106與島形部102之間的絕緣。圖5是圖3所示的半導(dǎo)體裝置150的另一變形例。對與圖3所示的結(jié)構(gòu)相同的部位標(biāo)注相同標(biāo)記，省略詳細的說明。半導(dǎo)體裝置250的第一絕緣材料122的形狀是，在與半 導(dǎo)體芯片106的另一主面106b中心部相對的島形部102上形成交叉的十字型，這一點與圖3所示的結(jié)構(gòu)不同。半導(dǎo)體裝置250包括島形部102、引線104、半導(dǎo)體芯片106、結(jié)合墊108、第一絕緣材料122、第二絕緣材料112、結(jié)合線114、模制樹脂116。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，與圖3所示的半導(dǎo)體裝置150相比較，在半導(dǎo)體芯片106傾斜的情況下，也能夠防止半導(dǎo)體芯片106和島形部102的接觸,能夠確保半導(dǎo)體芯片106與島形部102之間的絕緣。圖6是圖3所示的半導(dǎo)體裝置150的又一變形例。對與圖3所示的結(jié)構(gòu)相同的部位標(biāo)注同一標(biāo)記，省略詳細的說明。半導(dǎo)體裝置300中，第一絕緣材料124在與半導(dǎo)體芯片106的另一主面106b的對角線附近相對的島形部102上形成，這一點與圖3所示的結(jié)構(gòu)不同。半導(dǎo)體裝置300包括島形部102、引線104、半導(dǎo)體芯片106、結(jié)合墊108、第一絕緣材料124、第二絕緣材料112、結(jié)合線114、模制樹脂116。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，與圖5所示的半導(dǎo)體裝置250相比較，對于半導(dǎo)體芯片106的對角線方向的傾斜，也能夠防止半導(dǎo)體芯片106和島形部102的接觸，能夠成為更穩(wěn)定的模片
彡口口 (第三實施方式)圖7中表示本發(fā)明第三實施方式的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置350中，第一絕緣材料126被分割成離散配置在島形部102上的多個小片，這一點與圖2所示的結(jié)構(gòu)不同。對與圖2相同的部位標(biāo)注同一標(biāo)記，省略詳細的說明。半導(dǎo)體裝置350包括島形部102、引線104a、104b、半導(dǎo)體芯片106、結(jié)合墊108a、108b、第一絕緣材料126、第二絕緣材料112、結(jié)合線114a、114b、模制樹脂116。半導(dǎo)體芯片106利用第一絕緣材料126和第二絕緣材料112固接在島形部102上。關(guān)于第三實施方式中的第一絕緣材料126和第二絕緣材料112，其材料和制造方法與第二實施方式中的第一絕緣材料118和第二絕緣材料112是同樣的。圖8是圖7所示的半導(dǎo)體裝置350的平面圖。對與圖7相同的部位標(biāo)注同一標(biāo)記，省略詳細的說明。其中，為了方便進行說明，模制樹脂116表示為透視，模制樹脂116的外周用框(虛線)116a表示。半導(dǎo)體裝置350包括島形部102、多個引線104、半導(dǎo)體芯片106、多個結(jié)合墊108、第一絕緣材料126、第二絕緣材料112、多個結(jié)合線114、模制樹脂116。另外，圖7所示的引線104a、104b包含于多個引線104，結(jié)合墊108a、108b包含于多個結(jié)合墊108，結(jié)合線114a，114b包含于多個結(jié)合線114。半導(dǎo)體芯片106經(jīng)由排列在一個主面106a上的結(jié)合墊108和結(jié)合線114，與排列在模制樹脂116的外周附近的引線104電連接。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，除圖2、圖3所示的半導(dǎo)體裝置150所具有的效果之外，在半導(dǎo)體芯片106傾斜的情況下，也能夠防止半導(dǎo)體芯片106和島形部102的接觸，能夠確保半導(dǎo)體芯片106與島形部102之間的絕緣。另外，與圖3相比較，能夠增加第二絕緣材料112和島形部102的固接面積。由此，半導(dǎo)體芯片106被牢固地固接在島形部102上，能夠成為精 度更高的接線結(jié)合。另外，第一絕緣材料126被分割為多個小片，因此形成多個空隙部。由此，假設(shè)在第二絕緣材料112中產(chǎn)生了孔隙，該孔隙也能夠被關(guān)閉在該空隙部中。圖9是圖8所示的半導(dǎo)體裝置350的另一變形例。對與圖8所示的結(jié)構(gòu)相同的部位標(biāo)注同一標(biāo)記，省略詳細的說明。半導(dǎo)體裝置400在與半導(dǎo)體芯片106的另一主面106b的頂點附近相對的島形部102上，形成有第一絕緣材料128，這一點與圖8所示的構(gòu)成不同。所謂頂點附近是指包含頂點且距離頂點不超過另一主面106b的一邊的四分之一長度的范圍。半導(dǎo)體裝置400包括島形部102、引線104、半導(dǎo)體芯片106、結(jié)合墊108、第一絕緣材料128、第二絕緣材料112、結(jié)合線114、模制樹脂116。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠獲得圖8所示的半導(dǎo)體裝置350所具有的效果。另外，在與半導(dǎo)體芯片106的另一主面106b的外周相對的島形部102上，固接有第一絕緣材料128，由此，在半導(dǎo)體芯片106傾斜的情況下,能夠防止半導(dǎo)體芯片106和島形部102的接觸。由此，在模片結(jié)合時半導(dǎo)體芯片106傾斜的情況下，也能夠恰當(dāng)?shù)卮_保半導(dǎo)體芯片106與島形部102之間的絕緣。作為第三實施方式，說明了為了增加第二絕緣材料112和島形部102的固接面積，將第一絕緣材料分割為多個且固接在島形部102上的半導(dǎo)體裝置。第一絕緣材料并非必須分割為多個小片，例如，如圖10、圖11所示，通過在第一絕緣材料130設(shè)置到達島形部102的孔132，也能夠增加第二絕緣材料112和島形部102的固接面積。圖10是圖7所示的半導(dǎo)體裝置350的另一變形例。對與圖7所示的結(jié)構(gòu)相同的部位標(biāo)注同一標(biāo)記，省略詳細的說明。代替將第一絕緣材料130分割為多個小片的結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體裝置450在第一絕緣材料130設(shè)置有到達島形部102的孔132，這一點與圖7所示的結(jié)構(gòu)不同。在第一絕緣材料130設(shè)有孔132時，也能夠獲得與將它們分割為多個小片時同樣的效果。半導(dǎo)體裝置450包括島形部102、引線104a、104b、半導(dǎo)體芯片106、結(jié)合墊108a、108b、第一絕緣材料130、設(shè)于第一絕緣材料130的孔132、第二絕緣材料112、結(jié)合線114a、114b、模制樹脂116。圖11是圖10所示的半導(dǎo)體裝置450的平面圖。對與圖10相同的部位標(biāo)注同一標(biāo)記，省略詳細的說明。其中，為了方便進行說明，模制樹脂116表示為透視，模制樹脂116的外周用框(虛線)116a表示。半導(dǎo)體裝置450包括島形部102、多個引線104、半導(dǎo)體芯片106、多個結(jié)合墊108、第一絕緣材料130、孔132、第二絕緣材料112、多個結(jié)合線114、模制樹脂116。另外，圖10所示的引線104a、104b包含于多個引線104。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，第二絕緣材料112通過設(shè)于第一絕緣材料130的孔132與島形部102固接。因此 ，擴大了第二絕緣材料112和島形部102的固接面積。從而，半導(dǎo)體芯片106被牢固地固接在島形部102上，能夠成為精度更高的接線結(jié)合。另外，在圖11所示的半導(dǎo)體裝置450中也可以設(shè)置有多個孔132。(第四實施方式)圖12中表示本發(fā)明第四實施方式的半導(dǎo)體裝置。在半導(dǎo)體裝置600中，第一絕緣材料138固接在島形部102上。另外，在半導(dǎo)體芯片106的另一主面106b固接有第三絕緣材料140。進一步，利用第二絕緣材料142固接半導(dǎo)體芯片106和島形部102。半導(dǎo)體裝置600在這些方面與圖I所示的結(jié)構(gòu)不同。對與圖I相同的部位標(biāo)注同一標(biāo)記，省略詳細的說明。半導(dǎo)體裝置600包括島形部102、引線104a、104b、半導(dǎo)體芯片106、結(jié)合墊108a、108b、第一絕緣材料138、第二絕緣材料142、第三絕緣材料140、結(jié)合線114a、114b、模制樹脂 116。半導(dǎo)體芯片106利用第一絕緣材料138、第二絕緣材料142和第三絕緣材料140固接在島形部102上。在第四實施方式中，關(guān)于第一絕緣材料138和第二絕緣材料142，其材料和特性與圖2所示的第二實施方式中的第一絕緣材料118和第二絕緣材料112同樣。關(guān)于第三絕緣材料140，其材料和特性與圖I所示的第一實施方式中的第一絕緣材料110是同樣的。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體芯片106經(jīng)由第一絕緣材料138、第二絕緣材料142和第三絕緣材料140固接于島形部102上，因此除了圖I所示的半導(dǎo)體裝置100所具有的效果以外，能夠?qū)雽?dǎo)體芯片106與島形部102之間以更高的絕緣耐壓進行絕緣。(第五實施方式)圖13和圖14中表示本發(fā)明第五實施方式的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置650不具有第三絕緣材料140這一點與圖12所示的結(jié)構(gòu)不同，并且第二絕緣材料152和引線105的結(jié)構(gòu)，與圖12所示的結(jié)構(gòu)不同。對與圖12相同的部位標(biāo)注相同標(biāo)記，省略詳細的說明。半導(dǎo)體裝置650包括島形部102、多個引線105、半導(dǎo)體芯片106、多個結(jié)合墊108、第一絕緣材料138、第二絕緣材料152、多個結(jié)合線114、模制樹脂116。另外，圖13所示的引線105a、105b包含于多個引線105，結(jié)合墊108a、108b包含于多個結(jié)合墊108，結(jié)合線114a、114b包含于多個結(jié)合線114。第一絕緣材料138的平面視圖尺寸比半導(dǎo)體芯片106大。如圖14清楚表示的那樣，第一絕緣材料138的四邊超過半導(dǎo)體芯片106的四邊地配置在外側(cè)。第二絕緣材料152由與圖12所示的第二絕緣材料142同樣的材質(zhì)形成。在本實施方式中，第二絕緣材料152覆蓋半導(dǎo)體芯片106的側(cè)面106g的大約下半部分。如圖14所示，在半導(dǎo)體裝置650中，與圖3 圖6、圖8、圖9、圖11所示的結(jié)構(gòu)相t匕，多個結(jié)合墊108和多個引線105的個數(shù)非常多。多個引線105沿著模制樹脂116的四邊配置，直至接近各邊的兩端。圖15放大表示引線105。如根據(jù)本圖能夠理解的那樣，引線105具有半橢圓部105c和斜行部105d。半橢圓部105c從結(jié)合有結(jié)合線114的位置貫通到模制樹脂116的背面。斜行部105d，在平面視圖中在與所結(jié)合的結(jié)合線114平行的方向上延伸。斜行部105d在從結(jié)合線114被結(jié)合的位置到模制樹脂116的背面的區(qū)域中的大約一半左右的區(qū)域中形成。因此，從背面觀察半導(dǎo)體裝置650時，只能看到引線105的半橢圓部105c，斜行部105d被隱藏。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，即使半導(dǎo)體芯片106傾斜，半導(dǎo)體芯片106的四邊的任意一邊也會被第一絕緣材料138支承。因此，能夠很好地防止半導(dǎo)體芯片106與島形部102不當(dāng)?shù)亟佑|的情況。由于引線105具有斜行部105d，因此能夠很好地結(jié)合相對于半導(dǎo)體芯片106、模制 樹脂116的四邊傾斜的姿勢的結(jié)合線114。另外，能夠避免與某引線105結(jié)合的結(jié)合線114與位于該引線105的旁邊的引線105接觸的情況。多個結(jié)合墊108和多個引線105的個數(shù)越多，結(jié)合線114的傾斜越容易變大。因此，多個結(jié)合墊108和多個引線105的個數(shù)比較多的情況下，半導(dǎo)體裝置650的結(jié)構(gòu)是有效的。下面參照圖16 圖19，對半導(dǎo)體裝置650中使用的半導(dǎo)體芯片106的更具體的結(jié)構(gòu)進行說明。另外，也可以是在此說明半導(dǎo)體裝置100、150、200、250、300、350、400、450、600中使用的半導(dǎo)體芯片106的結(jié)構(gòu)。設(shè)置于半導(dǎo)體芯片106的多個結(jié)合墊108，作為圖16所示的多個端子發(fā)揮作用。具體地說，輸入側(cè)有端子VIN、GND,輸出側(cè)有端子AVDD、VON, VOFF, VSS、HAVDD, VDD0例如，作為輸入側(cè)的條件，設(shè)定端子GND的電位為0V，端子VIN的電位為12V。輸出側(cè)的各端子設(shè)計為各自的電位相對于端子GND的電位為規(guī)定的大小。特別是，端子VOFF的電位為一 10V，端子VSS的電位為一 7. 5V。另外，作為一個例子，端子AVDD為15V、端子VON為28V、端子HAVDD為7. 5V、端子VDD為3. 3V。這樣，半導(dǎo)體芯片106利用所謂的單芯片實現(xiàn)以相對于作為基準(zhǔn)電位的端子GND的電位成為負電壓的方式生成輸出側(cè)的端子的電位的功能。也可以將半導(dǎo)體裝置650用作控制液晶顯示面板所需要的電源的系統(tǒng)電源。這種電源具有多個正電壓和多個負電壓。另外，正電壓能夠通過供給泵方式、調(diào)節(jié)器方式(開關(guān)調(diào)節(jié)器、串聯(lián)調(diào)節(jié)器等)的方式生成。在半導(dǎo)體芯片106中，以將端子VOFF的電位設(shè)定為負電壓的步驟為例，參照圖17和圖18進行說明。首先，如圖17所示，在輸入側(cè)的端子VIN和輸出側(cè)的端子VOFF之間，配置有電容器Cl、C2、開關(guān)SWl、Sff2, Sff3, SW4，夾著電容器Cl設(shè)有接點NI、N2。本圖中所表示的狀態(tài)為，開關(guān)SW1、SW3關(guān)閉，開關(guān)SW2、SW4打開。在該狀態(tài)下，接點NI的電位僅比接點N2的電位高出端子VIN的電位量。即，端子GND與端子VIN的電位差施加在電容器Cl上。由此，電容器Cl利用端子GND與端子VIN的電位差帶電。接著，如圖18所示，打開開關(guān)SW1、SW3，關(guān)閉開關(guān)SW2、SW4。于是，接點NI的電位被設(shè)定為與端子GND同樣的0V。由于施加在電容器Cl上的電壓維持不變，因此接點N2的電位成為僅比端子GND的電位低端子VIN的電位量的電壓。從而，端子VOFF的電位相對端子GND的電位設(shè)定在絕對值與端子VIN相同的負的電位。在含有以相對于端子GND的電位成為負電壓的方式生成輸出側(cè)的端子的電壓的電路時，如圖19所示，在半導(dǎo)體芯片106的內(nèi)部，需要將設(shè)定為負電壓的輸出側(cè)的端子的電位作為基準(zhǔn)電位。如圖19中概要表示的那樣，半導(dǎo)體芯片106的內(nèi)部在P型基板161上形成有η型區(qū)域162。圖19中，作為一個例子表示了半導(dǎo)體芯片106中的PNP晶體管構(gòu)造。以夾著該η型區(qū)域162的方式形成有兩個P型區(qū)域163。夾著η型區(qū)域162在ρ型基板161的相反側(cè)，形成有P型區(qū)域164。以被該ρ型區(qū)域164包圍的方式形成有η型區(qū)域165。與η型區(qū)域162連接的端子作為所謂的集電極起作用，與ρ型區(qū)域164連接的端子作為所謂的基極起作用，與η型區(qū)域165連接的端子作為所謂的發(fā)射極起作用。在這種PNP晶體管構(gòu)造中，在各處形成有在P型半導(dǎo)體與η型半導(dǎo)體之間產(chǎn)生的ρ - η接合，由該ρ — η接合構(gòu)成寄生元件。如果沒有將與P型基板161連通的端子VOFF的電位設(shè)定為最低的電位，則上述寄生元件就會不當(dāng)?shù)剡M行動作。為了防止該寄生元件的動作，優(yōu)選使半導(dǎo)體芯片106和島形部102可靠地保持絕緣?；谠擖c，能夠提高半導(dǎo)體芯片106和島形部102的絕緣性能的半導(dǎo)體裝置650是合適的。圖20是圖13 圖15所示的半導(dǎo)體裝置650的變形例。對與圖13 圖15所示的結(jié)構(gòu)相同的部位標(biāo)注同一標(biāo)記，省略其詳細的說明。 本變形例的半導(dǎo)體裝置700具有四個吊線(懸掛引線)105e和鍍層119。四個吊線105e與島形部102的四角連結(jié)，向模制樹脂116的四角延伸。鍍層119例如具有Ag，包括四個吊線部119a、外緣部119b和多個引線部119c。各吊線部119a在吊線105e上形成，遍及全長地覆蓋吊線105e。外緣部119b形成于島形部102中包圍與第二絕緣材料152接觸的區(qū)域的區(qū)域。外緣部119b與島形部102的外緣相接，本變形例的外緣部119b與島形部102的外緣整周相接。由此，外緣部119b為矩形框狀。各引線部119c在各引線105上形成。各引線部119c在圖15所示的半橢圓部105c中偏斜行部105d的部分和斜行部105d形成。結(jié)合線114經(jīng)由引線部119c與引線105連接。根據(jù)這種變形例，利用島形部102本身露出來的部分和鍍層119產(chǎn)生比較鮮明的對比。因此，在制造半導(dǎo)體裝置700時，具有在用于半導(dǎo)體芯片106的安裝、結(jié)合線114的形成的圖像識別處理中，容易識別島形部102、多個引線105的位置、形狀的優(yōu)點。特別是，由Ag形成鍍層119，由此能夠期待對具有作為Cu類材料的Cu-Fe-PJtS Fe類材料的Fe58%Ni42%合金等的島形部102、多個引線105的對比度進行提高的效果。圖21是圖13 圖15表示的半導(dǎo)體裝置650的另一變形例。對與圖13 圖15和圖20所示的結(jié)構(gòu)相同的部位標(biāo)注相同標(biāo)記，省略其詳細的說明。在本變形例的半導(dǎo)體裝置750中，鍍層119的外緣部119b的結(jié)構(gòu)與上述的半導(dǎo)體裝置700不同。在本變形例中，外緣部119b具有形成于島形部102的四角的四個部件。這種結(jié)構(gòu)的外緣部11%能夠表現(xiàn)出在島形部102的各角彼此之間具有分離的部位。根據(jù)這種變形例，利用島形部102本身露出的部分和鍍層119也產(chǎn)生比較鮮明的對比。因此，在制造半導(dǎo)體裝置750時，具有在用于半導(dǎo)體芯片106的安裝、結(jié)合線114的形成的圖像識別處理中，容易識別島形部102、多個引線105的位置、形狀的優(yōu)點。圖22是圖13 圖15中表示的半導(dǎo)體裝置650的另一變形例。對與圖13 圖15和圖20、圖21所示的結(jié)構(gòu)相同的部位標(biāo)注相同標(biāo)記，省略詳細的說明。在本變形例的半導(dǎo)體裝置800中，鍍層119僅由四個吊線部119a和多個引線部119c構(gòu)成。根據(jù)這種變形例，利用島形部102本身露出的部分和鍍層119產(chǎn)生比較鮮明的對比。因此，在制造半導(dǎo)體裝置800時，具有在用于半導(dǎo)體芯片106的安裝、結(jié)合線114的形成的圖像識別處理中，容易識別島形部102、多個引線105的位置、形狀的優(yōu)點。在本說明書中記載的半導(dǎo)體裝置中，第一絕緣材料和第二絕緣材料也可以是混合兩種以上的材料的結(jié)構(gòu)。通過混合兩種以上的材料，能夠靈活地調(diào)節(jié)彈性模量和體積電阻率。工業(yè)上的可利用性如以上所說明的那樣，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置和其制造方法，利用第一絕緣材料和第二絕緣材料將半導(dǎo)體芯片固接在島形部上，因此通過第一絕緣材料和第二絕緣材料的協(xié)作，半導(dǎo)體芯片與島形部間具有高的絕緣耐壓，并且，利用比第一絕緣材料彈性模量高的第二絕緣材料將半導(dǎo)體芯片牢固地固接在島形部上，因此能夠減少接線結(jié)合時產(chǎn)生的產(chǎn)品不良的情況等。另外，半導(dǎo)體芯片與島形部間以高的絕緣耐壓絕緣，因此，在島形部露出于外部的QFN封裝等中，也能夠防止向外部基板的微小的泄漏電流，因此其工業(yè)上的可利用性很高?！?br> 權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括 島形部； 第一絕緣材料； 彈性模量比所述第一絕緣材料高的第二絕緣材料；和 半導(dǎo)體芯片，其具有形成有結(jié)合墊的一個主面和朝向與所述一個主面相反的一側(cè)，并且經(jīng)由所述第一絕緣材料和所述第二絕緣材料固接在所述島形部上的另一主面，其中， 所述第二絕緣材料與所述島形部和所述半導(dǎo)體芯片這兩者接觸。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一絕緣材料形成在所述島形部上， 所述第二絕緣材料與所述另一主面、與所述一個主面和所述另一主面這兩者連接的側(cè)面、所述第一絕緣材料和所述島形部接觸并固接。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一絕緣材料超出所述另一主面外周的全部。
4.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一絕緣材料被所述第二絕緣材料覆蓋。
5.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第二絕緣材料為絕緣糊劑。
6.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第二絕緣材料的彈性模量為3000MPa以上、IOOOOMPa以下。
7.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一絕緣材料的彈性模量為IOOOMPa以上、5000MPa以下。
8.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述島形部的一部分露出在半導(dǎo)體裝置的外部。
9.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述島形部由吊線支承。
10.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述半導(dǎo)體裝置還具有固接于所述另一主面的第三絕緣材料。
11.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一絕緣材料的體積電阻率為1000GQ cm以上。
12.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一絕緣材料以不超出所述另一主面外周的方式固接在所述島形部上。
13.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述另一主面呈四邊形， 所述第一絕緣材料以不超出所述另一主面的相對的兩邊的方式固接在所述島形部上。
14.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一絕緣材料在與所述另一主面中心部相對的所述島形部上形成交叉的十字型，且固接在所述島形部上。
15.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一絕緣材料被分割成在所述島形部上的與所述另一主面相對的區(qū)域中離散配置的多個小片。
16.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一絕緣材料具有到達所述島形部的貫通孔。
17.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一絕緣材料覆蓋所述另一主面， 所述第二絕緣材料與連接于所述一個主面和所述另一主面的側(cè)面、所述第一絕緣材料和所述島形部接觸并固接。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一絕緣材料被所述第二絕緣材料覆蓋。
19.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第二絕緣材料的彈性模量為3000MPa以上、IOOOOMPa以下。
20.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第二絕緣材料為絕緣糊劑。
21.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 還具有鍍層，該鍍層包括形成于所述島形部中將與所述第二絕緣材料接觸的區(qū)域包圍的區(qū)域，且到達所述島形部的外緣的至少一部分的外緣部。
22.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述外緣部為到達所述島形部的全部所述外緣的框狀。
23.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述島形部為矩形形狀， 所述外緣部與所述島形部的四角連接，且在各角彼此之間具有分離的部分。
24.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 還具有支承所述島形部的吊線， 所述鍍層還包括形成于所述吊線的吊線部。
25.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 還具有多個引線，和將這些引線和所述半導(dǎo)體芯片連接的多個結(jié)合線， 所述鍍層還包括引線部，該引線部形成于所述引線中包含接合有所述結(jié)合線的部分的區(qū)域。
26.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述鍍層具有Ag。
27.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 還具有與所述半導(dǎo)體芯片導(dǎo)通的輸入引線、輸出引線和接地引線， 所述半導(dǎo)體芯片，在將所述接地引線連接在接地電位、對所述輸入引線施加正電壓的狀態(tài)下，能夠?qū)⑺鲚敵龉璉線相對于所述接地電位設(shè)定為負電位。
28.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 具有生成相對于基準(zhǔn)電位的負電壓的負電壓生成電路。
29.如權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 構(gòu)成為相對于所述基準(zhǔn)電壓生成多個正電壓的系統(tǒng)電源。
30.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括在半導(dǎo)體晶片的一個主面形成元件和結(jié)合墊的工序； 在所述半導(dǎo)體晶片的朝向與所述一個主面相反的一側(cè)的另一主面固接第一絕緣材料的工序； 將所述半導(dǎo)體晶片劃片分割為各個半導(dǎo)體芯片的工序； 將所述半導(dǎo)體芯片經(jīng)由第二絕緣材料固接在引線架的島形部上的工序； 對所述結(jié)合墊和所述弓丨線架的內(nèi)引線進行接線結(jié)合的工序；和 對所述半導(dǎo)體芯片和所述引線架進行模制的工序。
31.如權(quán)利要求30所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 所述第一絕緣材料通過旋轉(zhuǎn)涂敷被涂敷在所述半導(dǎo)體晶片的另一主面上。
全文摘要
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置(100)具有與半導(dǎo)體芯片(106)的另一主面(106b)固接的第一絕緣材料(110)；和與半導(dǎo)體芯片(106)的側(cè)面、第一絕緣材料(110)和島形部(102)固接的第二絕緣材料(112)，經(jīng)由第一絕緣材料(110)和第二絕緣材料(112)將半導(dǎo)體芯片(106)固接在島形部(102)上。利用第一絕緣材料(110)在半導(dǎo)體芯片(106)與島形部(102)之間確保高的絕緣耐壓，并且，利用具有比第一絕緣材料(110)高的彈性模量的第二絕緣材料(112)，半導(dǎo)體芯片(106)被牢固地固接在島形部(102)上。
文檔編號H01L23/12GK102714164SQ201180006279
公開日2012年10月3日 申請日期2011年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月18日
發(fā)明者山口恒守, 木村明寬 申請人:羅姆股份有限公司