專利名稱：等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體處理裝置。更具體而言，涉及一種能夠盡量降低因多個(gè)等離子體電極之間的相互作用而導(dǎo)致的電磁場(chǎng)抵消的等離子體處理裝置。
背景技術(shù)：
利用由高頻的能量產(chǎn)生的等離子體的工藝被稱作“射頻等離子體方法(RF PlasmaProcesses)” 或“射頻等離子體處理(RF Plasma Processing)”。在如集成電路等半導(dǎo)體的制造技術(shù)中，利用等離子體的工藝被應(yīng)用于蝕刻、蒸鍍等技術(shù)中，特別是在如液晶顯示裝置(LCD;Liquid CrystalDisplay)等顯示裝置的制造中，非常普遍。此外，最近隨著半導(dǎo)體元件的微細(xì)化及晶片的大口徑化需求，利用等離子體的工藝發(fā)揮著更重要的作用。 在實(shí)施利用等離子體的工藝時(shí)，為了提高速度和生產(chǎn)率，一般要求增加等離子體的密度，即等離子體內(nèi)的帶電粒子的密度。為提高等離子體的密度而主要采用的方法是采用多個(gè)等離子體電極。但是，若考慮等離子體處理裝置的制造費(fèi)用和等離子體處理裝置的面積，則所利用的等離子體電極的數(shù)量只能是有限的。因此，現(xiàn)實(shí)中，需要一種既能夠盡量減少所采用的等離子體電極數(shù)量又能夠?qū)崿F(xiàn)高密度的等離子體的技術(shù)。另一方面，在為產(chǎn)生高密度的等離子體而采用多個(gè)等離子體電極時(shí)，需要考慮電磁場(chǎng)的抵消。這是因?yàn)?，在采用多個(gè)等離子體電極時(shí)，很有可能因多個(gè)電極之間的相互作用而發(fā)生電磁場(chǎng)抵消現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問(wèn)題圖I是示意性地示出現(xiàn)有的等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖，現(xiàn)有的等離子體處理裝置2中，分別配置在多個(gè)等離子體電極50的一端及另一端的射頻(RF)天線及地線交替且反向配置。參照?qǐng)D1，在反應(yīng)室30內(nèi)部被支撐的基板40上設(shè)有多個(gè)等離子體電極50，在多個(gè)等離子體50的一端和另一端上分別連接了射頻天線和地線?？纱_認(rèn)射頻天線和地線是交替且相互反向配置。根據(jù)現(xiàn)有的等離子體處理裝置2，雖不存在具有相對(duì)較弱的電磁場(chǎng)的特定區(qū)域，但是存在有特定等離子體電極50產(chǎn)生的電磁場(chǎng)被相鄰的等離子體電極50產(chǎn)生的電磁場(chǎng)抵消的問(wèn)題。即，存在有在圖I的用參考標(biāo)記A表示的區(qū)域產(chǎn)生電磁場(chǎng)的相互抵消的問(wèn)題。電磁場(chǎng)執(zhí)行產(chǎn)生等離子體的作用，因此，電磁場(chǎng)的相互抵消導(dǎo)致降低所產(chǎn)生的等離子體的密度。因此，需要一種能夠使得電磁場(chǎng)的相互抵消最小化以產(chǎn)生高密度的等離子體的技術(shù)。用于解決技術(shù)問(wèn)題的方案
本發(fā)明是為了解決上述的現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題而提出的方案，本發(fā)明的目的在于提供一種等離子體處理裝置，該等離子體處理裝置能夠使得因多個(gè)等離子體電極間的相互作用而導(dǎo)致的電磁場(chǎng)的相互抵消。此外，本發(fā)明的目的在于，提供一種等離子體處理裝置，該等離子體處理裝置能夠在等離子體電極的數(shù)量最少的情況下產(chǎn)生高密度的等離子體。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠使得因多個(gè)等離子體電極間的相互作用而導(dǎo)致的電磁場(chǎng)的相互抵消最小化。
另外，根據(jù)本發(fā)明，在能夠使得等離子體電極的數(shù)量最少的情況下產(chǎn)生高密度的等離子體。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體處理裝置，其特征在于，包括反應(yīng)室單元，具有相互獨(dú)立配置的第一室和第二室，將基板投入該反應(yīng)室單元進(jìn)行等離子體處理；以及等離子體電極單元，具有彎折的形態(tài)，用于在上述第一室和上述第二室產(chǎn)生等離子體。此外，本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體處理裝置，其特征在于，包括反應(yīng)室單元，具有相互獨(dú)立地上下配置的第一室和第二室，將基板投入該反應(yīng)室單元進(jìn)行等離子體處理；等離子體電極單元，配置在上述反應(yīng)室單元上，產(chǎn)生等離子體以對(duì)上述基板進(jìn)行等離子體處理。上述等離子體電極單元包括第一電極部，配置在上述第一室中，在上述第一室內(nèi)部產(chǎn)生等離子體；第二電極部，配置在上述第二室中，在上述第二室內(nèi)部產(chǎn)生等離子體；以及彎折部，連接第一電極部和第二電極部。


圖I是示意性地示出等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖2是示出本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖3是只示出本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子體電極單元的結(jié)構(gòu)的圖。圖4是示意性地示出本發(fā)明的一實(shí)施例的射頻信號(hào)在單位等離子體中流動(dòng)的狀態(tài)的圖。圖5是示出本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子體處理裝置的外部結(jié)構(gòu)的立體圖。圖6是示出本發(fā)明的一實(shí)施例的多個(gè)第一電極部和第二電極部的配置狀態(tài)的圖。圖7是示出連接到等離子體電極單元上的射頻天線周邊的結(jié)構(gòu)的圖。圖8是示出本發(fā)明的另一實(shí)施例的等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
具體實(shí)施例方式后述的對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明以能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的特定實(shí)施例作為例子，參照?qǐng)D示的附圖。詳細(xì)說(shuō)明這些實(shí)施例，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。本發(fā)明的多種實(shí)施例相互不同，但是應(yīng)理解為不是相互排他的。例如，在此記載的一實(shí)施例的特定形狀、特定結(jié)構(gòu)及特性在不脫離本發(fā)明的宗旨和范圍的情況下，能夠通過(guò)其他實(shí)施例實(shí)現(xiàn)。此外，應(yīng)理解為在不脫離本發(fā)明的宗旨和范圍的情況下，能夠變更所公開(kāi)的各實(shí)施例中的個(gè)別構(gòu)成要素的位置或配置。因此，后述的詳細(xì)說(shuō)明意不在于限定本發(fā)明，本發(fā)明的范圍在適當(dāng)說(shuō)明的前提下，只由與其權(quán)利要求主張的范圍均等的范圍以及權(quán)利要求來(lái)限定。圖上的類似的參考標(biāo)記在多個(gè)方面表示相同或類似的功能，并且有可能為了便于說(shuō)明而夸張地示出了長(zhǎng)度、面積、厚度以及形態(tài)。下面，為了使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易實(shí)施本發(fā)明，參照附圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。圖2是示出本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。參照?qǐng)D2，本發(fā)明的等離子體處理裝置1，能夠執(zhí)行在整個(gè)半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域中所有利用等離子體的工序。因而，下面對(duì)基板10 “進(jìn)行等離子體處理”應(yīng)解釋為不僅指在基板10上形成半導(dǎo)體層，還包括對(duì)形成在基板10上的 半導(dǎo)體的表面進(jìn)行改性以及對(duì)基板10上形成的半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻等。此外，在本發(fā)明的等離子體處理裝置I中被處理的基板10的材質(zhì)優(yōu)選是玻璃基板，但也不限定于此。因此，本發(fā)明的等離子體處理裝置I能夠?qū)λ芰?、聚合物、硅晶片、不銹鋼等多種材質(zhì)的基板進(jìn)行處理。此外，基板10大體上形成為方形。參照?qǐng)D2，本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子體處理裝置I可以包括反應(yīng)室單元100。反應(yīng)室單元100是由基本上相互獨(dú)立配置的第一室110和第二室120的單位構(gòu)造體。所謂第一室110和第二室120獨(dú)立配置可以解釋為，第一室110和第二室120在位置上分開(kāi)而提供相互不同的等離子體處理空間。即，相互不同的基板10能夠在第一室110和第二室120分別獨(dú)立進(jìn)行等離子體處理。在圖2中示出了在第一室110和第二室120中一次對(duì)一個(gè)基板10進(jìn)行等離子體處理，但是，也可以根據(jù)情況，利用晶舟(未圖示)等，在第一室110和第二室120中分別同時(shí)對(duì)多個(gè)基板10進(jìn)行等離子體處理。在第一室110和第二室120內(nèi)設(shè)有工藝室的一般構(gòu)成要素，從而能夠提供針對(duì)基板10的獨(dú)立的等離子體處理空間。為了確保等離子體處理的可靠性，在第一室110和第二室120中大部分構(gòu)成要素是共同的，下面，對(duì)共同設(shè)置的構(gòu)成要素進(jìn)行說(shuō)明。首先，雖然未圖示于圖2，但在第一室110和第二室120中，能夠設(shè)置具有規(guī)定長(zhǎng)度的多個(gè)驅(qū)動(dòng)輥單元。多個(gè)上述驅(qū)動(dòng)輥單元能夠發(fā)揮如下功能，即支撐基板10的同時(shí)以排隊(duì)方式移動(dòng)基板10。更具體而言，多個(gè)上述驅(qū)動(dòng)輥單元在與基板10的下表面接觸的同時(shí)，向后述的基板10的卸載部的方向即基板10的行進(jìn)方向旋轉(zhuǎn)，從而將基板10裝載到第一室110及第二室120的內(nèi)部。此外，多個(gè)上述驅(qū)動(dòng)輥單元在基板10裝載之后，在對(duì)基板10進(jìn)行等離子體處理的期間支撐基板10，在對(duì)基板10的等離子體處理完成之后抵接基板10的下表面，同時(shí)向基板10的行進(jìn)方向旋轉(zhuǎn)，從而能夠執(zhí)行卸載基板10的功能。多個(gè)上述驅(qū)動(dòng)輥單元根據(jù)設(shè)置位置而以相互不同的幅度形成，但是優(yōu)選所有直徑都相同。此外，雖然未圖示于圖2，但在未配置等離子體電極單元200的第一室110和第二室120的前面，能夠設(shè)置具有規(guī)定寬度和高度的裝載部。上述裝載部形成有開(kāi)口以起到用于裝載基板10的通路的作用。在執(zhí)行等離子體處理的期間，為了密封第一室110和第二室120，需要封閉上述裝載部，所以在上述裝載部能夠設(shè)置按上下方向開(kāi)閉的門扉(未圖示)。此外，雖然未圖示于圖2，但在第一室110和第二室120的配置有上述裝載部的面的反面、即后面形成具有規(guī)定寬度和高度的卸載部。上述卸載部形成有開(kāi)口以起到用于卸載基板10的通路的作用。與上述裝載部類似，在執(zhí)行熱處理工序的期間，為了密封第一室110和第二室120，需要封閉上述裝載部，所以在上述裝載部能夠設(shè)置按上下方向開(kāi)閉的門扉(未圖示)。再有，雖然未圖不于圖2,但在第一室110和第二室120中能夠設(shè)置加熱器。上述加熱器設(shè)置在第一及第二室110、120的內(nèi)部或外部，向基板10提供等離子體處理所需的熱量。上述加熱器可以由在石英管內(nèi)部嵌入有發(fā)熱體的棒形狀的多個(gè)單位加熱器(未圖示)構(gòu)成。對(duì)此，在圖2中示出了基板10分別裝載到第一室110或第二室120來(lái)進(jìn)行等離子體處理的情況，但是，優(yōu)選在將基板10安裝到基板托架(未圖示)上的狀態(tài)下裝載到第一室110或第二室120上之后進(jìn)行等離子體處理。這是為了防止在對(duì)基板10實(shí)施等離子體處理的過(guò)程中因用上述加熱器加熱基板10而有可能導(dǎo)致基板10的變形。
此外，雖然未圖示于圖2，但在第一室110和第二室120中能夠設(shè)置氣體供給部，該氣體供給部用于將工藝氣體向第一室Iio和第二室120的內(nèi)部提供。供給至第一室110和第二室120的氣體變換為等離子體而參與到基板10的等離子體處理中。為了確保等離子體處理工藝的可靠性，即為了對(duì)配置在第一室110中的基板10和配置到第二室120中的基板10在相同的條件下進(jìn)行等離子體處理，優(yōu)選控制成向第一室110和第二室120提供相同量的工藝氣體。為此，本發(fā)明的等離子體處理裝置I可以包含控制部(未圖示)，該控制部控制向第一及第二室110、120供給的工藝氣體的量。此外，雖然未圖示，但在第一室(110)和第二室(120)中能夠設(shè)置冷卻部。上述冷卻部能夠發(fā)揮對(duì)完成了等離子工序的基板10進(jìn)行冷卻的功能。為此，上述冷卻部能夠采用包括水冷式和空冷式的公知的各種冷卻方式。另一方面，第一室110和第二室120能夠相互獨(dú)立地配置在左右，但是也可以優(yōu)選如圖2所示相互獨(dú)立地配置在上下。若在第一室110和第二室120中某一個(gè)位于上部，則另一個(gè)當(dāng)然位于下部。下面，為了便于說(shuō)明，假定第一室110位于第二室120的上部來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。此外，參照?qǐng)D2，本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子體處理裝置I能夠包括等離子體電極單元200。等離子體電極單元200能夠發(fā)揮從外部接收電源而產(chǎn)生等離子體的功能。本發(fā)明的等離子體電極單元200產(chǎn)生等離子體的方式不特別限定，但是優(yōu)選感應(yīng)耦合的方式產(chǎn)生等離子體。換言之，等離子體電極單元200接收供給高頻電源的射頻電源而產(chǎn)生電磁場(chǎng)，從而能夠使得被供給到第一及第二室110、120內(nèi)的工藝氣體變換為等離子體。如上所述，若考慮等離子體處理裝置I的制造費(fèi)用或等離子體處理裝置I的面積，需要盡量使用少數(shù)的等離子體電極單元200以極大化等離子體電極單元200的空間活用。為此，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征在于，由一個(gè)具有彎折形態(tài)的等離子體電極單元200使第一室110和第二室120都產(chǎn)生等離子體。圖3是僅示出本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子體電極單元的結(jié)構(gòu)的圖。下面，除了圖2之外，還參照?qǐng)D3，詳細(xì)說(shuō)明等離子體電極單元200的形狀及結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D2，能夠確認(rèn)一個(gè)等離子體電極單元200配置在第一室110和第二室120的雙方。為此，本發(fā)明的等離子體電極單元200具有彎折的形態(tài)。更具體而言，本發(fā)明的等離子體電極單元200包括配置在第一室110上的第一電極部210 ;配置在第二室120上的第二電極部220 ;以及彎折部230，該彎折部230連接第一電極部210和第二電極部220。在此，彎折部230可以具有一個(gè)以上的彎折點(diǎn)，優(yōu)選如圖3所示具有2個(gè)彎折點(diǎn)。在彎折點(diǎn)為2個(gè)的情況下，如圖3所示，等離子體電極單元200可以具有“匚”或反“匚”。通過(guò)以這種形態(tài)構(gòu)成等離子體電極單元200，在第一室110和第二室120上配置一個(gè)等離子體電極單元200變得容易。 參照?qǐng)D2，可以確認(rèn)在第一電極部210的末端連接了射頻天線300，在第二電極部220的末端連接了地線400。在此，射頻天線300能夠?qū)⑸漕l信號(hào)施加到等離子體電極單元200上，地線400使所施加的射頻信號(hào)通過(guò)等離子體電極單元200流動(dòng)。在圖2中，示出了在第一電極部210的末端連接了射頻天線300，但是，若在一個(gè)等離子體電極單元200的一端連接射頻天線300,在另一端連接地線400,則射頻天線300到底連接在哪個(gè)電極部上并不重要。因此，也可以在第二電極部200的末端連接射頻天線300，在第一電極部210的末端連接地線400。下面，假定在第一電極部210的末端連接了射頻天線300來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。圖4是示意性地示出本發(fā)明的一實(shí)施例的射頻信號(hào)在等離子體電極單元中流動(dòng)的狀態(tài)的圖。參照?qǐng)D4,向配置在第一室110上的第一電極部210施加射頻信號(hào),射頻信號(hào)從配置在第二室120上的第二電極部220流出。即，從射頻天線300施加的射頻信號(hào)按照射頻天線300 —第一電極部210 —彎折部230 —第二電極部220 —地線400的順序流動(dòng)。隨著信號(hào)的這種流動(dòng)，在第一室110中，能夠由第一電極部210產(chǎn)生并維持等離子體，而在第二室120中，能夠由第二電極部220產(chǎn)生并維持等離子體。另一方面，等離子體電極單元200能夠由中空形態(tài)的石英管構(gòu)成。石英管的耐熱性等物理特性優(yōu)秀，所以能夠有助于防止等離子體電極單元200的變形。在石英管內(nèi)部形成的中空空間，能夠配置供射頻信號(hào)流動(dòng)的規(guī)定的金屬線(未圖示)。在此，能夠使用導(dǎo)電性優(yōu)良的銅線等作為上述金屬線。圖5是示出本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子體處理裝置的外部結(jié)構(gòu)的立體圖。參照?qǐng)D5，本發(fā)明中，多個(gè)等離子體電極單元200能夠配置在一個(gè)反應(yīng)室單元100上。即，在反應(yīng)室單元100的第一室110配置多個(gè)第一電極部210，在反應(yīng)室單元100的第二室120配置多個(gè)第二電極部220。圖6是示意性地示出本發(fā)明的一實(shí)施例的多個(gè)第一電極部和第二電極部的配置狀態(tài)的圖。具體為，圖6 (a)是示意性地示出在第一室110的內(nèi)部配置了多個(gè)第一電極部210的狀態(tài)的圖，圖6 (b)是示意性地示出在第二室120的內(nèi)部配置了多個(gè)第二電極部220的狀態(tài)的圖。參照?qǐng)D6(a)，第一室110的平面形狀形成為大體方形，多個(gè)等離子體電極單元200的多個(gè)第一電極部210能夠配置成，與配置在第一室110內(nèi)部的基板10的短邊方向平行且隔著一定間隔。由此，在第一室110內(nèi)，能夠更加均勻地進(jìn)行對(duì)基板10的等離子體處理。參照?qǐng)D6 (a)，能夠確認(rèn)在第一室110的內(nèi)部以一個(gè)規(guī)定方向、即從下向上施加射頻信號(hào)。若施加到多個(gè)第一電極部210的射頻信號(hào)的方向相互相反，則有可能產(chǎn)生射頻信號(hào)的相互抵消的現(xiàn)象，但是根據(jù)本發(fā)明，由于施加到多個(gè)第一電極部210的射頻信號(hào)為相同方向，因此不會(huì)產(chǎn)生信號(hào)衰減現(xiàn)象，從而能夠均勻地維持電磁場(chǎng)的強(qiáng)度。另一方面，參照?qǐng)D6 (b)，第二室120的平面形狀形成為大體方形，與第一電極部210類似，多個(gè)等離子體電極單元200的多個(gè)第二電極部220能夠配置成與配置在第二室120內(nèi)部的基板10的短邊方向平行且隔著一定間隔。從而，能夠在第二室120內(nèi)均勻地進(jìn)行對(duì)10的等離子體處理。進(jìn)一步參照?qǐng)D6(b)，與第一電極部210類似地，以一個(gè)規(guī)定方向、即從下向上施加射頻信號(hào)。如上所述，由于施加到多個(gè)第二電極部220的射頻信號(hào)為相同方向，因此不會(huì)產(chǎn)生信號(hào)衰減現(xiàn)象，從而能夠均勻地維持電磁場(chǎng)的強(qiáng)度。圖7是示出連接到等離子體電極單元上的射頻天線周邊的結(jié)構(gòu)的圖。如圖7所示，在射頻天線300的外部形成有圍繞射頻天線300的管310，在管310的外周面形成有絕緣部320。絕緣部320例如與等離子體處理裝置I的第一室110接觸，該 絕緣部320被用于固定射頻天線300的凸緣330和墊圈340固定。管310通過(guò)射頻天線密封蓋350和射頻天線密封套圈360而與凸緣330接觸，從而被固定到等離子體處理裝置I的第一室110中。射頻天線密封蓋350和射頻天線密封套圈360可以由絕緣物質(zhì)構(gòu)成。為了確保射頻天線300和環(huán)繞射頻天線300的管310與第一室110之間的密封，還可以具備一個(gè)以上的O環(huán)370。圖8是示出本發(fā)明的另一實(shí)施例的等離子體處理裝置的狀態(tài)的圖。參照?qǐng)D8，本發(fā)明的另一實(shí)施例的等離子體處理裝置Ia基本上能夠包含多個(gè)由第一室IlOa和第二室120a構(gòu)成的反應(yīng)室單元100a。在圖8中，示出等離子體處理裝置Ia包含兩個(gè)反應(yīng)室單元100a，但是，并不限定于此，根據(jù)本發(fā)明的目的，等離子體處理裝置Ia中能夠包含所需數(shù)量的反應(yīng)室單元100a。這種多個(gè)反應(yīng)室單兀IOOa優(yōu)選如圖8所不處置排列成一列。由此,第一室IlOa和第二室120a交替垂直排列。例如，在等離子體處理裝置Ia包括兩個(gè)反應(yīng)室單元IOOa的情況下，按第一室IlOa —第二室120a —第一室IlOa —第二室120a的順序垂直排列。參照?qǐng)D8，能夠確認(rèn)本發(fā)明的另一實(shí)施例的等離子體處理裝置I同時(shí)對(duì)四個(gè)基板IOa進(jìn)行等離子體處理。即，在利用本發(fā)明的另一實(shí)施例的等離子體處理裝置的情況下，一次能夠處理更多數(shù)量的基板10a，因此能夠提高工藝生產(chǎn)率。本發(fā)明的另一實(shí)施例的等離子體處理裝置Ia除了包括多個(gè)反應(yīng)室單元IOOa的這一點(diǎn)之外，其他結(jié)構(gòu)與上面說(shuō)明的本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子體處理裝置Ia相同。例如，具有彎折的形態(tài)的等離子體電極單元200a配置在一個(gè)反應(yīng)室單元IOOa上。因此，在本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子體處理裝置I中說(shuō)明的各構(gòu)成要素同樣能夠適用于本發(fā)明的另一實(shí)施例的等離子體處理裝置Ia中，在此省略對(duì)此的詳細(xì)說(shuō)明。如上所示，以優(yōu)選實(shí)施例說(shuō)明了本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于上述實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)，本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠進(jìn)行多種變形和變更。這種變形例和變更例應(yīng)視為屬于本發(fā)明和所附的請(qǐng)求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括 反應(yīng)室單元，具有相互獨(dú)立配置的第一室和第二室，將基板投入該反應(yīng)室單元進(jìn)行等離子體處理；以及 等離子體電極單元，具有彎折的形態(tài)，用于在上述第一室和上述第二室產(chǎn)生等離子體。
2.一種等離子體處理裝置，其特征在于， 包括 反應(yīng)室單元，具有相互獨(dú)立地上下配置的第一室和第二室，將基板投入該反應(yīng)室單元進(jìn)行等離子體處理；以及 等離子體電極單元，配置在上述反應(yīng)室單元上，產(chǎn)生等離子體以對(duì)上述基板進(jìn)行等離子體處理， 上述等離子體電極單元包括 第一電極部，配置在上述第一室中，在上述第一室內(nèi)部產(chǎn)生等離子體； 第二電極部，配置在上述第二室中，在上述第二室內(nèi)部產(chǎn)生等離子體； 彎折部，連接上述第一電極部和第二電極部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 上述第一電極部的末端與射頻天線連接，該射頻天線施加射頻信號(hào)，該射頻信號(hào)產(chǎn)生用于生成等離子體的電磁場(chǎng)，上述第二電極部的末端與地線連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 在上述多個(gè)反應(yīng)室單元上，配置有多個(gè)上述等離子體電極單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 上述基板形成為方形， 多個(gè)上述等離子體電極單元的多個(gè)上述第一電極部被配置成，與配置在上述第一室內(nèi)部的上述基板的短邊平行且隔著規(guī)定間隔。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 上述基板形成為方形， 多個(gè)上述等離子體電極單元的多個(gè)上述第二電極部被配置成，與配置在上述第二室內(nèi)部的上述基板的短邊平行且隔著規(guī)定間隔。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 上述反應(yīng)室單元是多個(gè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 多個(gè)上述反應(yīng)室單元垂直排列成一列。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 上述彎折部包括兩個(gè)彎折點(diǎn)，上述等離子體電極單元具有“匚”或反“匚”中的某一形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 上述等離子體電極單元包含石英管。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 在上述第一室和上述第二室中分別設(shè)置有用于供給工藝氣體的氣體供給部。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體處理裝置，其特征在于，向上述第一室和上述第二室供給相同 量的工藝氣體。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種等離子體處理裝置。本發(fā)明的一實(shí)施例的等離子體處理裝置(1)包括反應(yīng)室單元(100)，具有相互獨(dú)立配置的第一室(110)和第二室(120)，將基板投入該反應(yīng)室單元進(jìn)行等離子體處理；以及等離子體電極單元(120)，具有彎折的形態(tài)，在上述第一室(110)和上述第二室(120)產(chǎn)生等離子體。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK102859665SQ201180020405
公開(kāi)日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2011年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月30日
發(fā)明者李慶鎬 申請(qǐng)人:泰拉半導(dǎo)體株式會(huì)社