專利名稱：成膜方法和成膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及成膜方法和成膜裝置，特別涉及利用等離子體有效地將金屬膜埋入到在半導(dǎo)體晶片等被處理體形成的凹部內(nèi)的成膜方法和成膜裝置。
背景技術(shù)：
一般來說，為了制造半導(dǎo)體器件 ，對(duì)半導(dǎo)體晶片反復(fù)進(jìn)行成膜處理、圖案蝕刻(pattern etching)處理等各種處理。由于半導(dǎo)體器件的進(jìn)一步的高度集成化和高度細(xì)微化的要求，線寬和孔徑也更加細(xì)微化。由于進(jìn)一步的細(xì)微化，配線電阻增加，耗電量的增大成為問題。從而，為了進(jìn)一步減小電阻，傾向于使用電阻非常小而且廉價(jià)的銅(專利文獻(xiàn)I)。作為配線材料或填埋材料使用銅的情況下，考慮到與下層的密合性等，作為阻擋層(barrier layer) 一般使用鉭金屬(Ta)、鈦(Ti )、鉭氮化膜(TaN)、鈦氮化膜(TiN)等。將金屬埋入凹部內(nèi)時(shí)，首先在包括凹部內(nèi)的晶片表面整體形成阻擋層。接著，在等離子體濺射裝置內(nèi)，在形成于包括該凹部內(nèi)的壁面整體的晶片表面整個(gè)面上的阻擋層形成由銅構(gòu)成的薄的種晶層(seedlayer)，接著通過對(duì)包括銅種晶層的晶體表面整體實(shí)施鍍銅處理，凹部內(nèi)完全被銅埋入。之后，通過CMP (Chemical Mechanical Polishing、化學(xué)機(jī)械拋光(化學(xué)機(jī)械研磨))處理等去除晶片表面的多余的銅薄膜(專利文獻(xiàn)2)。參照?qǐng)DI說明上述的金屬填埋工序。圖I是表示現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體晶片的凹部的填埋工序的圖。在形成于半導(dǎo)體晶片W上的、例如由SiO2膜構(gòu)成的層間絕緣膜等絕緣層2的表面上,形成有與用于單鑲嵌加工(Single Damascene Process)、雙鑲嵌加工(DualDamasceneProcess)、三維安裝加工等的導(dǎo)通孔(via hole)、通孔(through hole)以及槽(trench)等對(duì)應(yīng)的凹部4，在凹部4的底部，以露出狀態(tài)形成有例如由銅構(gòu)成的下層的配線層6 (參照?qǐng)DI的部分(A))。具體而言，該凹部4包括字線和位線等配線構(gòu)造的形成得細(xì)長的截面為凹狀的槽(trench) 4A ;和用于連接上下字線或位線的、形成于槽4A的底部的一部分的孔4B?？?B為導(dǎo)通孔或通孔。而且，配線層6露出到孔4B的底部。當(dāng)孔4B被孔塞(via plug)等埋入時(shí)，下層的配線層或晶體管等元件和被埋入到槽4A的字線等經(jīng)由孔塞電連接。另外，省略下層的配線層或晶體管等元件的圖示。凹部4隨著設(shè)計(jì)原則的細(xì)微化，其寬度或內(nèi)徑例如為數(shù)IOnm左右，非常小，縱橫尺寸比例如為2 4左右。另外，關(guān)于擴(kuò)散防止膜和蝕刻停止(etching stop)膜等,省略圖示并簡(jiǎn)化形狀地進(jìn)行記載。首先，該半導(dǎo)體晶片W的表面上，也包括凹部4內(nèi)的內(nèi)表面，利用等離子體濺射裝置大致均勻地形成例如包括TiN膜和Ti膜的層疊結(jié)構(gòu)的阻擋層8 (參照?qǐng)DI的部分(B))。接著，利用等離子體濺射裝置在包括凹部4的內(nèi)表面的晶片表面整體形成包括薄的銅膜的種晶層10作為金屬膜(參照?qǐng)DI的部分(C))。接著，通過在晶片表面上實(shí)施鍍銅處理，以例如包括銅的金屬膜12埋入凹部4內(nèi)(參照?qǐng)DI的部分(D))。之后，使用上述的CMP處理等去除晶片表面的多余的金屬膜12、種晶膜10以及阻擋層8 (參照?qǐng)DI的部分(E))?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2000 - 077365號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本特開2006 - 148075號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明需要解決的課題但是，一般在等離子體濺射裝置內(nèi)進(jìn)行成膜的情況下，在半導(dǎo)體晶片側(cè)施加偏壓促進(jìn)金屬離子的引入，由此能夠增加成膜速率(rate)。該情況下，過度增大偏壓時(shí)，晶片表面被為了產(chǎn)生等離子體而導(dǎo)入到裝置內(nèi)的稀有氣體例如氬氣的離子濺射，沉積的金屬膜被刮掉，因此偏置電力不設(shè)定得那么大。
但是，如上所述，形成包括銅膜的種晶膜10的情況下，如圖I的部分(C)所示，由于各向異性離子直接被引入到凹部內(nèi)，種晶膜很難附著于凹部4內(nèi)的側(cè)壁的下部的區(qū)域的部分。因此，長時(shí)間進(jìn)行成膜處理直到在側(cè)壁上形成充分的厚度的種晶膜10時(shí)，尤其在孔4B的開口部，以能夠夾著該開口的形狀沉積種晶膜10，產(chǎn)生突出到凹部4的開口部的外伸(overhang)部分14。因此，之后工序中，即使通過鍍層法等利用包括銅膜的金屬膜12埋入該凹部4，有時(shí)內(nèi)部也不被充分地填埋而產(chǎn)生空隙(void) 16。即，不斷推進(jìn)細(xì)微化的今天，即使使用鍍層法有時(shí)也不能充分地埋入細(xì)微(微小)的凹部內(nèi)。為了解決上述問題點(diǎn)，如專利文獻(xiàn)2所示，試圖通過調(diào)整供給于載置臺(tái)的偏置電力來控制成膜速率和派射蝕刻的蝕刻速率(etchingrate),從而進(jìn)行良好的埋入,但是由于最近進(jìn)一步的細(xì)微化的要求，即使利用上述的成膜方法，也難以充分解決上述的問題。本發(fā)明是著眼于如上的問題，是能夠有效解決此問題而提出的。本發(fā)明提供一種能夠在凹部內(nèi)實(shí)施金屬膜的成膜使得能夠防止空隙等的成膜方法和成膜裝置。用于解決課題的技術(shù)方案本發(fā)明者們對(duì)基于等離子體濺射的成膜方法進(jìn)行了專心研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)通過形成金屬膜并且使該金屬膜回流(reflow),能夠在凹部內(nèi)的底部充分地形成金屬膜而防止空隙等的產(chǎn)生，由此做出了本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明的第一方式，提供一種成膜方法，在能夠被抽真空的處理容器內(nèi)利用等離子體將金屬靶電離而產(chǎn)生金屬離子，并對(duì)上述處理容器內(nèi)的載置臺(tái)供給偏置電力，對(duì)上述載置的被處理體施加偏壓，將所述金屬離子引入到上述被處理體，在形成于上述被處理體的凹部內(nèi)沉積金屬的薄膜，上述成膜方法包括基膜形成工序，通過偏壓將上述金屬離子引入，在上述凹部內(nèi)形成包含金屬的基膜；蝕刻工序，對(duì)上述被處理體施加偏壓，并且在不產(chǎn)生所述金屬離子的條件下生成等離子體，電離稀有氣體并且將生成的稀有氣體的離子引入對(duì)上述基膜進(jìn)行蝕刻；和成膜回流工序，利用施加在上述被處理體上的偏壓將上述金屬離子引入，沉積由金屬膜構(gòu)成的主膜并且使上述主膜加熱回流。根據(jù)本發(fā)明的第二方式，在能夠被抽真空的處理容器內(nèi)利用等離子體將金屬靶電離而產(chǎn)生金屬離子，并對(duì)上述處理容器內(nèi)的載置臺(tái)供給偏置電力，對(duì)上述載置的被處理體施加偏壓，將上述金屬離子引入到上述被處理體，在形成于上述被處理體的凹部內(nèi)沉積金屬的薄膜，上述成膜方法包括成膜蝕刻工序，通過偏壓將上述金屬離子引入，在上述凹部內(nèi)形成包含金屬的基膜，并且對(duì)上述基膜進(jìn)行蝕刻；和成膜回流工序，通過偏壓將上述金屬離子引入，沉積由金屬膜構(gòu)成的主膜，并且使上述主膜加熱回流。根據(jù)本發(fā)明的第三方式，提供一種成膜裝置，其包括處理容器，其能夠被抽真空；載置臺(tái)，其用于載置形成有凹部的被處理體；氣體導(dǎo)入單元，其向上述處理容器內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定的氣體；等離子體產(chǎn)生源，其用于向上述處理容器內(nèi)產(chǎn)生等離子體；·金屬靶，其設(shè)置于上述處理容器內(nèi)，用于被上述等離子體電離；偏壓電源，其對(duì)上述載置臺(tái)供給高頻的偏置電力；和裝置控制部，其控制裝置整體以實(shí)施基于第一方式或第二方式的成膜方法。


圖I是表不現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體晶片的凹部的填埋工序的圖。圖2是表示本發(fā)明的成膜裝置的一個(gè)例子的截面圖。圖3是用于說明本發(fā)明的成膜方法的第一實(shí)施例的工序圖。圖4是用于詳細(xì)說明本發(fā)明的成膜方法的特征性工序的放大工序圖。圖5是表示偏置電力和晶片上表面上的Cu成膜量的關(guān)系的曲線。圖6是表示成膜量的最大值Td與蝕刻量Te的比(Te/Td)和埋入結(jié)果的關(guān)系的圖。圖7是表示比(Te/Td)為O. 33以上的區(qū)域的圖表。圖8A是表示與供給到靶的直流電力的變化對(duì)應(yīng)的偏置電力和比(Te/Td)的關(guān)系的曲線。圖8B是圖8A的放大圖。圖9是說明具有本發(fā)明的成膜方法的第二實(shí)施例的特征的成膜蝕刻工序的圖。
具體實(shí)施例方式下面基于附圖詳述本發(fā)明的成膜方法和成膜裝置的一個(gè)實(shí)施例。圖2是表示本發(fā)明的成膜裝置的一個(gè)例子的截面圖。在此，作為成膜裝置，以ICP (Inductively CoupledPlasma、電感耦合等離子體)型等離子體濺射裝置為例進(jìn)行說明。如圖2所示，成膜裝置20具有例如由鋁等成形為筒體狀的處理容器22。處理容器22接地。在處理容器22的底部24設(shè)置有排氣口 26，排氣口 26上，經(jīng)由進(jìn)行壓力調(diào)整的節(jié)流閥(throttle valve) 28連接有真空泵30。由此,處理容器22能夠被抽真空。另外,在處理容器22的底部24，設(shè)置有氣體導(dǎo)入口 29作為向處理容器22內(nèi)導(dǎo)入所需的規(guī)定的氣體的氣體導(dǎo)入單元。通過包括氣體流量控制器、閥門等的氣體控制部31，從氣體導(dǎo)入口 29供給稀有氣體(例如氬氣(Ar氣))或其他所需的氣體(例如氮?dú)?N2氣等))作為等離子體激發(fā)用氣體。在處理容器22內(nèi)設(shè)置有用于載置作為被處理體的半導(dǎo)體晶片W (以下稱為‘晶片r )的載置臺(tái)構(gòu)造32。載置臺(tái)構(gòu)造32包括成形為圓板狀的載置臺(tái)34和支承載置臺(tái)34并且連接于接地側(cè)的、即接地的中空筒體狀的支柱36。從而，載置臺(tái)34也接地。該載置臺(tái)34例如由招合金等導(dǎo)電材料構(gòu)成，其中設(shè)置有冷卻套(cooling jacket) 38,經(jīng)由未圖示的制冷劑流路供給制冷劑，由此能夠控制晶片溫度。另外，在載置臺(tái)34的上表面?zhèn)仍O(shè)置有內(nèi)部具有電極42A的例如由鋁等陶瓷材料構(gòu)成的薄的圓板狀的靜電吸盤42，能夠利用靜電力吸附晶片W。另外，支柱36的下部貫通形成于處理容器22的底部24的中心部的插通孔44向下方延伸。支柱36能夠通過未圖示的升降機(jī)構(gòu)上下移動(dòng)，能夠使載置臺(tái)構(gòu)造32整體進(jìn)行升降。以包圍支柱36的方式設(shè)置有能夠伸縮的蛇腹?fàn)畹慕饘俨y管(bellows) 46。金屬波紋管46的上端氣密地與載置臺(tái)34的下表面接合，另外金屬波紋管46的下端氣密地與底部24的上表面接合。由此，能夠一邊維持處理容器22內(nèi)的氣密性一邊使載置臺(tái)構(gòu)造32升降。 另外,在底部24從其向上方直立設(shè)置有例如三根(圖不的例子中只表不兩根)支承銷48，另外對(duì)應(yīng)于支承銷48在載置臺(tái)34上形成有銷插通孔50。從而，當(dāng)使載置臺(tái)34下降了時(shí)，由貫通銷插通孔50的支承銷48的上端部支承晶片W。由此，能夠在支承銷48的上端部和從外部進(jìn)入到處理容器22內(nèi)的搬送臂(未圖示)之間轉(zhuǎn)移晶片W。另外，在處理容器22的下部側(cè)壁上設(shè)置有允許搬送臂進(jìn)入到處理容器22內(nèi)的搬出搬入口 52，在該搬出搬入口 52設(shè)置有能夠開閉的門閥G。在門閥G的相反側(cè)例如設(shè)置有真空搬送室54。另外，設(shè)置于載置臺(tái)34上的靜電吸盤42的電極42A上，經(jīng)由供電線56連接有吸盤用電源58。由此，晶片W通過靜電力被吸附于靜電吸盤42。另外，供電線56上連接有偏置用(偏壓用)高頻電源62，經(jīng)由該供電線56偏置用的高頻電力能夠被供給到靜電吸盤42的電極42A。該高頻電力的頻率例如為13·56ΜΗζ。另一方面，例如包括氧化鋁等電介體的對(duì)高頻具有透過性的透過板64經(jīng)由O形密封圈等密封部件66氣密地設(shè)置于處理容器22的頂部。并且，等離子體產(chǎn)生源68設(shè)置于透過板64的上部，該等離子體產(chǎn)生源68使作為等離子體激發(fā)用氣體的稀有氣體(例如Ar氣)等離子體化從而在處理容器22內(nèi)的處理空間S產(chǎn)生等離子體。另外，作為等離子體激發(fā)用氣體，也可以以其他的稀有氣體例如He、Ne等代替Ar使用。具體而言，等離子體產(chǎn)生源68具有對(duì)應(yīng)于透過板64而設(shè)置的感應(yīng)線圈部70，該感應(yīng)線圈部70上連接有等離子體產(chǎn)生用的例如13. 56MHz的高頻電源72，經(jīng)由透過板64能夠?qū)⒙勵(lì)l導(dǎo)入到處理空間S。另外，在透過板64的正下方設(shè)置有使被導(dǎo)入的高頻擴(kuò)散的例如包括鋁的遮護(hù)板(baffle plate) 74。并且，在該遮護(hù)板74的下部設(shè)置有金屬靶76，該金屬靶76包圍處理空間S的上部側(cè)方，例如具有截面朝向內(nèi)側(cè)傾斜、環(huán)狀(扁平的、頂部被平面截?cái)嗟膱A錐)的形狀，金屬靶76上連接有供給用于吸引Ar離子的電壓的靶用的可變直流電源78。另外，也可以以交流電源代替直流電壓78使用。另外,在金屬革巴76的外周側(cè)設(shè)置有在金屬革巴76的內(nèi)側(cè)的空間產(chǎn)生磁場(chǎng)的磁鐵80。此處，作為金屬靶76的材料，例如使用Cu(銅)，該Cu的靶76被等離子體中的Ar離子濺射，放出Cu的金屬原子或者金屬原子團(tuán)。被放出的大多數(shù)Cu的金屬原子或者金屬原子團(tuán)在通過等離子體時(shí)被電離。
另外，在金屬靶76的下部設(shè)置有包圍處理空間S例如包括鋁或者銅的圓筒狀的保護(hù)罩部件82。保護(hù)罩部件82連接在接地側(cè)，被接地。另外，保護(hù)罩部件82的下部向內(nèi)側(cè)彎曲，延伸到載置臺(tái)34的側(cè)部附近。S卩，保護(hù)罩部件82的內(nèi)側(cè)的端部包圍載置臺(tái)34的外周側(cè)。成膜裝置20的各構(gòu)成部為連接于例如包括計(jì)算機(jī)等裝置控制部84而被控制的構(gòu)成。具體而言，裝置控制部84控制偏置用高頻電源62、等離子體產(chǎn)生用的高頻電源72、可變直流電源78、氣體控制部31、節(jié)流閥28、真空泵30等的動(dòng)作。另外，被裝置控制部84執(zhí)行的程序存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)86，其被讀入至裝置控制部84。存儲(chǔ)介質(zhì)86例如可以為軟盤、光盤(Compact Disk :□))、硬盤、閃存或者數(shù)字多功能光盤(Digital VersatileDisk DVD)等。<成膜方法的說明>接著，參照?qǐng)D3至圖7說明如上述構(gòu)成的等離子體成膜裝置的動(dòng)作。另外，在圖3 和圖4中對(duì)于與圖I所示的構(gòu)成部分相同的構(gòu)成部分添加相同的參照符號(hào)。如圖3的部分(A)所示，在形成于晶片W上的例如包括SiO2膜的層間絕緣膜等的絕緣層2的表面形成有凹部4,該凹部4對(duì)應(yīng)于單鑲嵌(Single Damascene)工序、雙鑲嵌(Dual Damascene)工序、三維安裝工序等中使用的導(dǎo)通孔、通孔、槽(trench)等,例如包括銅的、下層的配線層6露出到凹部4的底部。具體而言，凹部4包括規(guī)定字線、位線等的形成得細(xì)長的截面為凹狀的槽(trench) 4A和形成在規(guī)定連接上下字線或者位線的孔塞的槽4A的底部的一部分的孔4B?？?B相當(dāng)于導(dǎo)通孔或通孔。配線層6露出到孔4B的底部。配線層6與下層的配線層(未圖示)、晶體管等元件(未圖示)電連接。隨著設(shè)計(jì)原則的細(xì)微化，凹部4的寬度或者內(nèi)徑設(shè)定得非常小，例如為數(shù)IOnm左右，縱橫尺寸比例如為2 4左右。另外，關(guān)于擴(kuò)散防止膜和蝕刻停止膜等，省略圖示并簡(jiǎn)化形狀地進(jìn)行記載。如圖3的部分(B)所示，利用等離子體濺射裝置等，在該晶片W的表面上，也包括凹部4內(nèi)的內(nèi)表面大致均勻地預(yù)先形成有例如包括TiN膜和Ti膜的層疊結(jié)構(gòu)的阻擋層8。接著，將這樣形成的晶片W搬入到圖2所示的成膜裝置20內(nèi)，將該晶片W載置于載置臺(tái)34上，利用靜電吸盤42進(jìn)行吸附。首先，在裝置控制部84的控制下，一邊運(yùn)行氣體控制部31使Ar氣在通過運(yùn)行真空泵30已被排氣成真空的處理容器22內(nèi)流動(dòng)，一邊控制節(jié)流閥28使處理容器22內(nèi)維持在規(guī)定的壓力。之后，從可變直流電源78對(duì)金屬靶76施加直流電力，進(jìn)而從等離子體產(chǎn)生源68的高頻電源72對(duì)感應(yīng)線圈部70供給高頻電力(等離子體電力)。另一方面，裝置控制部84也對(duì)偏置用高頻電源62發(fā)出指令，對(duì)靜電吸盤42的電極42A供給規(guī)定的偏置用的高頻電力。在這樣被控制的處理容器22內(nèi)，通過供給到感應(yīng)線圈部70的高頻電力形成氬等離子體從而生成氬離子，這些離子被施加在金屬靶76上的電壓吸引，與金屬祀76碰撞,該金屬祀76被派射放出金屬粒子。這時(shí)，根據(jù)施加在祀76上的直流電力控制放出的金屬粒子的量。另外，大多數(shù)來自被濺射的金屬靶76的金屬粒子即金屬原子或金屬原子團(tuán)在等離子體中通過時(shí)被電離。因此，金屬粒子中混有被電離的金屬離子和電中性的中性金屬原子，這種金屬粒子向下方飛散。尤其是，處理容器22內(nèi)的壓力有所提高，由此提高等離子體密度，能夠高效地電離金屬粒子。根據(jù)從高頻電源72供給的高頻電力，控制這時(shí)的電離率。通過施加在靜電吸盤42的電極42A上的偏置用的高頻電力，在半導(dǎo)體晶片面的上方形成有具有數(shù)mm左右的厚度的離子殼層(ionsheath)區(qū)域。金屬離子進(jìn)入離子殼層區(qū)域時(shí)，以具有強(qiáng)的指向性向晶片W側(cè)加速的方式被吸引，沉積在晶片W上，形成金屬的薄膜。根據(jù)如上所述的動(dòng)作，在本實(shí)施方式中，依次進(jìn)行如下工序基膜形成工序(圖3的部分(C))，通過偏壓將在成膜裝置20內(nèi)生成的金屬離子向晶片W方向引入，在凹部4內(nèi)形成包括金屬的基膜90 ;蝕刻工序(圖3的部分(D))，對(duì)晶片施加偏壓，并且在不產(chǎn)生金屬離子的條件下生成等離子體，將稀有氣體電離，并且將產(chǎn)生的離子向晶片W方向引入對(duì)基膜進(jìn)行蝕刻；和成膜回流工序(圖3的部分(E))，通過施加在晶片上的偏壓將金屬離子向晶 片W方向引入，沉積由金屬膜構(gòu)成的主膜92，并且使主膜92加熱回流。另外，圖4的部分(A)至(C)將孔4B的部分進(jìn)行放大，示意性地表示對(duì)應(yīng)于圖3的部分(C)至(E)的工序。首先，如圖3的部分(C)和圖4的部分(A)所示，基膜形成工序中使用如上所述的成膜方法，在包括凹部4的內(nèi)表面的晶片W的表面整個(gè)面形成由Cu膜構(gòu)成的基膜90。形成基膜90時(shí)，如下所述，對(duì)于晶片W的上表面的Cu的成膜量為最大的偏置電力被施加在電極42A 上。成膜裝置20中進(jìn)行的濺射中，金屬離子和Ar離子通過偏置電力同時(shí)被引向晶片W的表面，金屬離子用于成膜，Ar離子對(duì)沉積的薄膜進(jìn)行蝕刻而將其刮掉。S卩，金屬離子和Ar離子具有相反的作用。因而，根據(jù)金屬離子的成膜速率與Ar氣的蝕刻速率的差，決定晶片表面上形成的薄膜的成膜量。圖5表示晶片表面的Cu的成膜量和偏置電力的關(guān)系。即，從偏置電力大致為零的狀態(tài)增加偏置電力時(shí)，隨著偏置電力的增加Cu的成膜量增加，Cu的成膜量在點(diǎn)Pl達(dá)到峰值。并且，偏置電力進(jìn)一步增加時(shí)，隨此Cu的成膜量隨即降低。并且，到達(dá)點(diǎn)P2時(shí)，Cu離子的成膜速率和蝕刻速率變得相同，晶片表面的成膜量變?yōu)榱恪２⑶?，偏置電力進(jìn)一步增加時(shí)，Cu的成膜不再進(jìn)行，相反基膜90隨即被蝕刻?；ば纬晒ば蛑?，如上所述，以Cu的成膜量達(dá)到最大的偏置電力、即圖5中的點(diǎn)Pl的(或者包括點(diǎn)Pl的區(qū)域Al內(nèi)的)偏置電力，形成基膜90。該結(jié)果是，金屬離子的向下的方向的指向性變高，因此在晶片表面內(nèi)、朝向上方的面、即晶片W的上表面、孔4B的底面、槽4A的底面上形成厚的基膜90，與此相比，在槽4A的側(cè)面和孔4B的側(cè)面形成薄的基膜。這里的Cu的成膜量例如為30nm左右?；ば纬晒ば蛑械奶幚?xiàng)l件例如如下處理壓力優(yōu)選為50 200mTorr，并且，進(jìn)一步優(yōu)選控制在65 IOOmTorr的范圍內(nèi)。具體而言，處理壓力例如可設(shè)定為90mTorr。等離子體用高頻電力優(yōu)選為3 6kw,并且,進(jìn)一步優(yōu)選控制在4 5kw的范圍內(nèi)。具體而目，等尚子體用聞?lì)l電力例如可設(shè)定為4kw。供給于靶的直流電力優(yōu)選為4 20kw，并且，進(jìn)一步優(yōu)選控制在8 12kw的范圍內(nèi)。具體而言，供給于靶的直流電力例如可設(shè)定為10kw。偏置電力優(yōu)選為25 300W，并且，進(jìn)一步優(yōu)選控制在100 200W的范圍內(nèi)。具體而言，偏置電力例如可設(shè)定為200W。晶片溫度優(yōu)選為50 200°C，并且，進(jìn)一步優(yōu)選控制在50 175°C的范圍內(nèi)。具體而言，晶片溫度例如可設(shè)定為50°C。接著，如圖3的部分(D)和圖4的部分(B)所示，蝕刻工序中，在不產(chǎn)生金屬離子的條件下，生成等離子體，將稀有氣體電離，并且通過施加在晶片上的偏壓將產(chǎn)生的離子引向晶片W方向，對(duì)基膜90進(jìn)行蝕刻。該蝕刻工序中，主要進(jìn)行基膜90的蝕刻。具體而言，為了不產(chǎn)生Cu離子，將等離子體用的高頻電力和施加在靶76上的直流電力都設(shè)定為零。另外，蝕刻工序中的偏置電力設(shè)定得比基膜形成工序中的偏置電力大。在此，在靜電吸盤42的電極42A和接地的保護(hù)罩部件82之間形成高頻的電容耦合回路，產(chǎn)生Ar氣的等離子體，該Ar離子如上所述被 引入到晶片W側(cè)進(jìn)行蝕刻。另外，該蝕刻工序中的處理壓力(容器內(nèi)壓力)設(shè)定得比基膜形成工序中的處理壓力小。該蝕刻的結(jié)果是，晶片W的表面當(dāng)中的朝向上方的面、即晶片W的上表面、孔4B的底面以及槽4A的底面的厚的基膜90被蝕刻而變薄。此時(shí)，尤其如圖4的部分(B)所示，當(dāng)沉積在細(xì)微的孔4B的底面的基膜90 A被濺射而被蝕刻時(shí)，這時(shí)產(chǎn)生的Cu的金屬粒子94如箭頭96所示飛散而沉積在孔4B內(nèi)的側(cè)壁。該結(jié)果是，沉積在該孔4B內(nèi)的側(cè)壁上的基膜90的厚度增加，在該側(cè)壁部分形成充分的厚度的基膜90。該蝕刻工序中的處理?xiàng)l件例如如下所述。處理壓力優(yōu)選為O. 4 IOmTorr,并且進(jìn)一步優(yōu)選控制在I 2. 5mTorr的范圍內(nèi)。具體而言，處理壓力可以設(shè)定為2. 5mTorr。等離子體用高頻電力為0V，供給于靶的直流電力也為0V。偏置電力優(yōu)選為1000 3000W，并且，進(jìn)一步優(yōu)選控制在2000 2500W的范圍內(nèi)。具體而言，偏置電力可以設(shè)定為2400W。晶片溫度優(yōu)選為25 200°C，并且，進(jìn)一步優(yōu)選控制在50 100°C的范圍內(nèi)。具體而言，晶片溫度可以設(shè)定為50°C。如上所述，通過將蝕刻工序的偏置電力設(shè)定得比基膜形成工序的偏置電力大，能夠提高Ar離子的指向性，能夠更有效地進(jìn)行蝕刻。另外，通過將蝕刻工序中的處理壓力設(shè)定得比基膜形成工序的處理壓力大，也能夠提高Ar離子的指向性，能夠更有效地進(jìn)行蝕刻。接著，如圖3的部分(E)和圖4的部分(C)所示，在成膜回流工序中，一邊將金屬離子引向晶片W方向使由金屬膜構(gòu)成的主膜92沉積，一邊使主膜92加熱回流。具體而言，此處再次施加等離子體用的高頻電力，并且對(duì)金屬靶76也施加直流電力，產(chǎn)生Cu的金屬離子，從而進(jìn)行Cu膜的成膜和蝕刻。更具體而言，除了形成由金屬膜即Cu膜構(gòu)成的主膜92之外，還通過提高偏置電力根據(jù)離子的能量使晶片溫度上升，例如將晶片溫度設(shè)定在25 200°C的范圍內(nèi)，促進(jìn)Cu膜的回流。因此，成膜回流工序中，將偏置電力設(shè)定得比之前的基膜形成工序中的偏置電力大。具體而言，在圖5中與利用Cu離子成膜的成膜速率和蝕刻速率大致均衡的點(diǎn)P2相比靠左側(cè)的廣大的區(qū)域A2且與區(qū)域Al相比相當(dāng)靠右側(cè)的部分中的偏置電力下，進(jìn)行處理。另夕卜，成膜回流工序中的處理壓力設(shè)定得比蝕刻工序中的處理壓力高。由此，由沉積在表面上的Cu膜構(gòu)成的主膜92變得非常軟易于流動(dòng)，在孔4B的側(cè)壁沉積了充分的厚度的基膜90上，如箭頭98 (圖4的區(qū)域(C))所示向孔4B內(nèi)擴(kuò)散。該結(jié)果是，孔4B的底部中的主膜92A如露白箭頭100所示逐漸變厚(bottomup，由下而上沉積)。
如果長時(shí)間充分地進(jìn)行成膜回流工序，則雖然根據(jù)孔徑而有差別，但是大致能夠完全填埋孔4B內(nèi)(圖3的部分(E))，但是也可以不完全填埋。任何情況下，通過進(jìn)行這種成膜回流工序，在此都由下而上(bottomup)沉積從而能夠抑制孔4B內(nèi)產(chǎn)生空隙。另外，即使凹部4的縱橫尺寸比提高，也能夠正常進(jìn)行該填埋。圖3的部分(E)中，孔4B內(nèi)完全被主膜92填埋，但是孔4B的上方的槽4A內(nèi)沒有完全被填埋。成膜回流工序中的處理?xiàng)l件例如如下所述。處理壓力優(yōu)選為50 200mTorr,并且,進(jìn)一步優(yōu)選控制在65 IOOmTorr的范圍內(nèi)。具體而言，處理壓力例可以設(shè)定為90mTorr。等離子體用高頻電力優(yōu)選為3 6kw,并且,進(jìn)一步優(yōu)選控制在4 5kw的范圍內(nèi)。具體而目，等尚子體用聞?lì)l電力可以設(shè)定為4kw。供給于靶的直流電力優(yōu)選為2 12kw，并且，進(jìn)一步優(yōu)選控制在3 6kw的范圍 內(nèi)。具體而言供給于靶的直流電力可以設(shè)定為5kw。偏置電力優(yōu)選控制在300 1000W的范圍內(nèi)。具體而言，偏置電力可以設(shè)定為600W。晶片溫度優(yōu)選為25 200°C，并且，進(jìn)一步優(yōu)選控制在50 100°C的范圍內(nèi)。具體而言，晶片溫度可以設(shè)定為80°C。在此，為了促進(jìn)Cu膜的回流，如上所述，晶片溫度進(jìn)一步優(yōu)選為50 100°C的范圍。在晶片溫度低于25°C的情況下，Cu膜的擴(kuò)散發(fā)生得不充分，因此產(chǎn)生空隙等可能性增大。另外，在晶片溫度高于200°C的情況下，相反Cu膜變得過于軟，強(qiáng)烈地發(fā)生擴(kuò)散，凹部的側(cè)壁部分的Cu膜流下到凹部，因此不予以優(yōu)選。如上所述，通過將成膜回流工序中的處理壓力設(shè)定得比蝕刻工序中的處理壓力高，Ar離子的朝向下方的指向性提高，因此，相應(yīng)地能夠使由Cu膜構(gòu)成的主膜92易于流動(dòng)。結(jié)束如上所述的成膜回流工序之后，從處理裝置20的處理容器22內(nèi)將晶片W取出到外部，接著如圖3的部分(F)所示通過對(duì)晶片表面實(shí)施鍍銅處理，以由銅構(gòu)成的薄膜101完全埋入凹部4內(nèi)。之后，如圖3的部分(G)所示，通過CMP處理等去除晶片表面多余的薄膜101、主膜92、基膜90以及阻擋層8。該情況下，在凹部4內(nèi)埋入有充分量的Cu膜，因此在非常短的時(shí)間內(nèi)就能夠完成鍍層處理，因此，能夠減少鍍層的載荷。而且，在不需要鍍層處理的情況下或者如上所述由于鍍層處理時(shí)間短，能夠抑制鍍液中的雜質(zhì)侵入到Cu膜的薄膜中，因此通過后工序中進(jìn)行的退火處理，充分發(fā)生Cu的晶粒生長，能夠降低相應(yīng)量的電阻。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，通過在可真空排氣的處理容器22內(nèi)對(duì)金屬靶76進(jìn)行濺射而從金屬靶76放出粒子，將放出的金屬原子或金屬原子團(tuán)電離產(chǎn)生金屬離子，利用偏壓將金屬離子引入到載置在處理容器內(nèi)的載置臺(tái)34上的、并且形成有凹部的晶片W，沉積金屬的薄膜，此時(shí)無論線寬或者孔徑減小，還是縱橫尺寸比增大，通過進(jìn)行基膜形成工序、蝕刻工序、成膜回流工序，都能夠在被處理體的表面充分地沉積金屬的薄膜，能夠無空隙地在凹部內(nèi)實(shí)施金屬膜的成膜。另外，由于能夠在凹部內(nèi)充分地沉積金屬的薄膜，于是能夠縮短其后工序中進(jìn)行的基于鍍層法的埋入處理的時(shí)間，或者能夠不需要該鍍層處理本身。<成膜回流工序的埋入的評(píng)價(jià)>
接著，進(jìn)行了關(guān)于成膜回流工序中的凹部的埋入特性的實(shí)驗(yàn)，因此，針對(duì)其結(jié)果進(jìn)行說明。圖6是表示成膜量的最大值Td與蝕刻量Te的比(Te/Td)和埋入結(jié)果的關(guān)系的圖，圖7是表示比(Te/Td)為O. 33以上的區(qū)域的圖表。在此，對(duì)與設(shè)依賴于偏置電力的大小的成膜量的最大值為TcUCu膜的主膜(92)的蝕刻量為Te時(shí)的比(Te/Td)相對(duì)的埋入特性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。成膜量的最大值Td為圖5的點(diǎn)Pl的成膜量(最大值)，蝕刻量以改變偏置電力時(shí)的Cu的成膜量與Td的差來表示。另外，比(Te/Td)在O. 11 O. 58之間變化，其他的處理?xiàng)l件是，處理壓力為90mTorr,等離子體產(chǎn)生用的高頻電力為4kw,祀用的直流電力為5kw。如圖6所示,在比(Te/Td)為O. 11的情況下，由沉積的Cu膜構(gòu)成的主膜在凹部的開口處如箭頭102所示被向上方拉，因此不產(chǎn)生回流。另外，在比(Te/Td)為O. 16的情況下，由Cu膜構(gòu)成的主膜如箭頭104所示在凹部的側(cè)壁部分性地流動(dòng)而凝聚，因此不優(yōu)選。與此相對(duì)，在比(Te/Td)為O. 33和O. 58的情況下，如箭頭106所示，由Cu膜構(gòu)成的主膜沿著側(cè)壁逐漸擴(kuò)散到凹部內(nèi)，能夠顯示出良好的結(jié)果。從而，可以判斷為了正常進(jìn)行 成膜回流工序，需要將比(Te/Td)設(shè)定為O. 33以上。另外，在靶的直流電力和偏置電力的關(guān)系中比(Te/Td)也變化，兩者的關(guān)系中比(Te/Td)為O. 33以上的區(qū)域?yàn)閳D7中斜線所示的區(qū)域。因而，根據(jù)圖7可以判斷，偏置電力需要O. 25kw以上，供給于靶的直流電力至少需要 3kw。接著,更加詳細(xì)地研究了將供給于祀的直流電力設(shè)為3kw、4kw以及5kw時(shí)的偏置電力和比(Te/Td)的關(guān)系。圖8A和圖SB表示其結(jié)果。這些圖中，橫軸為偏置電力，縱軸為比(Te/Td)。圖8A表示整體圖，圖8B表示圖8A中的一部分的放大圖。此時(shí)的處理?xiàng)l件是，處理壓力為90mTorr,等離子體產(chǎn)生用高頻電力為4kw。如圖8A所示，越增大偏置電力，比(Te/Td)也隨即變得越大。并且，在使偏置電力恒定(一定)的情況下，供給于靶的直流電力越增大，比(Te/Td)隨即變得越小。該結(jié)果是，如圖SB所示，可以判斷，為了將比(Te/Td)設(shè)為上述的O. 33以上，需要在供給于靶的直流電力為3kw的情況下將偏置電力設(shè)定為200W以上、在供給于靶的直流電力為4kw的情況下將偏置電力設(shè)定為280W以上、在供給于靶的直流電力為5kw的情況下將偏置電力設(shè)定為500W以上。<本發(fā)明的成膜方法的第二實(shí)施例>接著說明本發(fā)明的成膜方法的第二實(shí)施例。參照?qǐng)D3進(jìn)行了說明的之前的第一實(shí)施例中，為了在凹部4的尤其是在孔4B內(nèi)的側(cè)壁部分形成充分的厚度的基膜90，進(jìn)行基膜形成工序(圖3的部分(C))和蝕刻工序(圖3的部分(D))的兩個(gè)工序，但是也可以只進(jìn)行成膜蝕刻工序的一個(gè)工序代替兩個(gè)工序。成膜蝕刻工序中，一邊利用偏壓將金屬離子向晶片方向引入形成基膜，一邊對(duì)基膜進(jìn)行蝕刻。圖9是說明本發(fā)明的成膜方法的第二實(shí)施例的成膜蝕刻工序的圖。成膜蝕刻工序中，無論是基于Cu離子的成膜還是基于Ar離子的蝕刻，每次都一同進(jìn)行適當(dāng)?shù)牧俊＞唧w而言，成膜蝕刻工序中的偏置電力設(shè)定得比之前的第一實(shí)施例的基膜形成工序中的偏置電力大。具體而言，以圖5中的區(qū)域A3的部分、S卩比點(diǎn)P2稍微靠左側(cè)的部分中的偏置電力，進(jìn)行成膜蝕刻工序。由此，在晶片W的表面，尤其在朝向上方的面形成Cu的基膜90的同時(shí)，在基膜90形成得較厚的部分、即沉積在孔4B的底面或槽4A的底面的基膜90被強(qiáng)烈地蝕刻。通過該蝕刻而飛散的金屬粒子沉積在凹部4的側(cè)壁、尤其在孔4B的側(cè)壁，使該側(cè)壁部分的基膜90的厚度如參照?qǐng)D3的部分(D)和圖4的部分(B)說明的那樣厚。成膜蝕刻工序中的處理?xiàng)l件例如如下所述。處理 壓力優(yōu)選為50 200mTorr,進(jìn)一步優(yōu)選控制在65 IOOmTorr的范圍內(nèi)。具體而言，處理壓力可以設(shè)定為90mTorr。等離子體用高頻電力優(yōu)選為3 6kw,進(jìn)一步優(yōu)選控制在4 5kw的范圍內(nèi)。具體而言，等離子體用高頻電力可以設(shè)定為4kw。供給于祀的直流電力優(yōu)選為4 20kw,進(jìn)一步優(yōu)選控制在8 12kw的范圍內(nèi)。具體而言，供給于靶的直流電力可以設(shè)定為10kw。偏置電力優(yōu)選為400 2000W，進(jìn)一步優(yōu)選控制在400 1200W的范圍內(nèi)。具體而言，偏置電力可以設(shè)定為1000W。晶片溫度優(yōu)選為25 200°C，進(jìn)一步優(yōu)選控制在25 100°C的范圍內(nèi)。具體而言，晶片溫度可以設(shè)定為50°C。進(jìn)行成膜蝕刻工序之后，進(jìn)行圖3的部分(E)中說明的成膜回流工序、圖3的部分(F)中說明的鍍層工序以及圖3的部分(G)中說明的CMP處理。另外，如之前在第一實(shí)施例中所說明的那樣，有時(shí)也能夠省略鍍層工序。該第二實(shí)施例中，也能夠發(fā)揮與之前的第一實(shí)施例同樣的作用效果。另外，各實(shí)施例中，阻擋層8采用了 TiN膜和Ti膜的層疊結(jié)構(gòu)，但是并不限于此，作為阻擋層8還可以使用從包括Ti膜、TiN膜、Ta膜、TaN膜、TaCN膜、W (鎢)膜、WN膜、Zr膜的群中選擇的一個(gè)以上的膜的單層結(jié)構(gòu)或者層疊結(jié)構(gòu)。另外，各實(shí)施例中，作為凹部4的結(jié)構(gòu)以包括槽4A和孔4B的兩層結(jié)構(gòu)的凹部為例進(jìn)行了說明，但是并不限于此，作為凹部4只包括槽或孔的、所謂的單層結(jié)構(gòu)的凹部，當(dāng)然本發(fā)明也能夠適用于。另外，各高頻電源的頻率也并不限于13. 56MHz，其他的頻率，優(yōu)選例如400kHz 60MHz，進(jìn)一步優(yōu)選400kHz 27. OMHz0另外，作為等離子體用的稀有氣體并不限于Ar氣，也可以使用其他的稀有氣體例如He或者Ne等，或者添加有氫的稀有氣體。另外，此處作為被處理體以半導(dǎo)體晶片為例進(jìn)行了說明，但是該半導(dǎo)體晶片也包括硅基板、GaAs、SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體基板，而且不限于這些半導(dǎo)體基板，本發(fā)明也能夠適用于用于液晶顯示裝置的玻璃基板、陶瓷基板等。參照一些實(shí)施方式說明了本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限于已公開的實(shí)施方式，也可以在所附的權(quán)利要求的主旨內(nèi)進(jìn)行各種的變形或變更。本國際申請(qǐng)主張基于2010年9月28日申請(qǐng)的日本國專利申請(qǐng)2010 — 217895號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容援引于此。
權(quán)利要求
1.一種成膜方法，在能夠被抽真空的處理容器內(nèi)利用等離子體將金屬靶電離而產(chǎn)生金屬離子，并對(duì)所述處理容器內(nèi)的載置臺(tái)供給偏置電力，對(duì)載置于所述載置臺(tái)的被處理體施加偏壓，將所述金屬離子引入到所述被處理體，在形成于所述被處理體的凹部內(nèi)沉積金屬的薄膜，所述成膜方法包括 基膜形成工序，通過偏壓將所述金屬離子引入到所述被處理體，在所述凹部內(nèi)形成包含金屬的基膜； 蝕刻工序，對(duì)所述被處理體施加偏壓，并且在不產(chǎn)生所述金屬離子的條件下生成等離子體，電離稀有氣體并且將生成的稀有氣體的離子引入到所述被處理體，對(duì)所述基膜進(jìn)行蝕刻；和 成膜回流工序，利用施加在所述被處理體上的偏壓將所述金屬離子引入到所述被處理體，沉積由金屬膜構(gòu)成的主膜，并且使所述主膜加熱回流。
2.如權(quán)利要求I所述的成膜方法，其特征在于 所述蝕刻工序中的偏置電力比所述基膜形成工序中的偏置電力大。
3.如權(quán)利要求I所述的成膜方法，其特征在于 所述蝕刻工序中的所述處理容器內(nèi)的壓力比所述基膜形成工序中的所述處理容器內(nèi)的壓力低。
4.如權(quán)利要求I所述的成膜方法，其特征在于 所述成膜回流工序中的所述處理容器內(nèi)的壓力比所述蝕刻工序中的所述處理容器內(nèi)的壓力聞。
5.如權(quán)利要求I所述的成膜方法，其特征在于 所述蝕刻工序中，施加在所述靶上的直流電力設(shè)定為零，用于產(chǎn)生所述金屬離子的高頻電力設(shè)定為零。
6.如權(quán)利要求I所述的成膜方法，其特征在于 所述成膜回流工序中，在規(guī)定的偏置電力下，成膜量的最大值Td和所述主膜被蝕刻的蝕刻量Te的比(Te/Td)設(shè)定為O. 33以上。
7.如權(quán)利要求I所述的成膜方法，其特征在于 在所述成膜回流工序中，所述被處理體的溫度設(shè)定在25 200°C的范圍內(nèi)。
8.如權(quán)利要求I所述的成膜方法，其特征在于 所述各工序在相同的處理容器內(nèi)進(jìn)行。
9.如權(quán)利要求I所述的成膜方法，其特征在于 所述金屬包括銅。
10.如權(quán)利要求I所述的成膜方法，其特征在于 所述成膜回流工序之后，進(jìn)行通過鍍層處理將所述金屬埋入所述凹部內(nèi)的鍍層工序。
11.一種成膜方法，在能夠被抽真空的處理容器內(nèi)利用等離子體將金屬靶電離而產(chǎn)生金屬離子，并對(duì)所述處理容器內(nèi)的載置臺(tái)供給偏置電力，對(duì)載置于所述載置臺(tái)的被處理體施加偏壓，將所述金屬離子引入到所述被處理體，在形成于所述被處理體的凹部內(nèi)沉積金屬的薄膜，所述成膜方法包括 成膜蝕刻工序，通過偏壓將所述金屬離子引入到所述被處理體，在所述凹部內(nèi)形成包含金屬的基膜，并且對(duì)所述基膜進(jìn)行蝕刻；和成膜回流工序，通過偏壓將所述金屬離子引入到所述被處理體，沉積由金屬膜構(gòu)成的主膜，并且使所述主膜加熱回流。
12.如權(quán)利要求11所述的成膜方法，其特征在于 所述成膜回流工序中，在規(guī)定的偏置電力下，成膜量的最大值Td和所述主膜被蝕刻的蝕刻量Te的比(Te/Td)設(shè)定為O. 33以上。
13.如權(quán)利要求11所述的成膜方法，其特征在于 在所述成膜回流工序中，所述被處理體的溫度設(shè)定在25 200°C的范圍內(nèi)。
14.如權(quán)利要求11所述的成膜方法，其特征在于 所述各工序在相同的處理容器內(nèi)進(jìn)行。
15.如權(quán)利要求11所述的成膜方法，其特征在于 所述金屬包括銅。
16.如權(quán)利要求11所述的成膜方法，其特征在于 所述成膜回流工序之后，進(jìn)行通過鍍層處理將所述金屬埋入所述凹部內(nèi)的鍍層工序。
17.一種成膜裝置，其包括 處理容器，其能夠被抽真空； 載置臺(tái)，其用于載置形成有凹部的被處理體； 氣體導(dǎo)入單元，其向所述處理容器內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定的氣體； 等離子體產(chǎn)生源，其用于向所述處理容器內(nèi)產(chǎn)生等離子體； 金屬靶，其設(shè)置于所述處理容器內(nèi)，用于被所述等離子體電離； 偏壓電源，其對(duì)所述載置臺(tái)供給高頻的偏置電力；和 裝置控制部，其控制裝置整體以實(shí)施權(quán)利要求I記載的成膜方法。
18.一種成膜裝置，其包括 處理容器，其能夠被抽真空； 載置臺(tái)，其用于載置形成有凹部的被處理體； 氣體導(dǎo)入單元，其向所述處理容器內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定的氣體； 等離子體產(chǎn)生源，其用于向所述處理容器內(nèi)產(chǎn)生等離子體； 金屬靶，其設(shè)置于所述處理容器內(nèi)，用于被所述等離子體電離； 偏壓電源，其對(duì)所述載置臺(tái)供給高頻的偏置電力；和 裝置控制部，其控制裝置整體以實(shí)施權(quán)利要求11記載的成膜方法。
全文摘要
本發(fā)明提供一種成膜方法，在處理容器內(nèi)利用等離子體從金屬靶產(chǎn)生金屬離子，然后通過偏壓引入，由此在形成有凹部的被處理體上沉積金屬的薄膜，該成膜方法包括基膜形成工序，從靶生成金屬離子，通過偏壓將該金屬離子引入到被處理體，在凹部內(nèi)形成基膜；蝕刻工序，在不產(chǎn)生金屬離子的狀態(tài)下，通過偏壓將稀有氣體電離，并且將生成的離子引入到被處理體，對(duì)基膜進(jìn)行蝕刻；和成膜回流工序，對(duì)靶進(jìn)行等離子體濺射從而生成金屬離子，通過偏置電力將該金屬離子引入到被處理體，沉積由金屬膜構(gòu)成的主膜，使該主膜加熱回流。
文檔編號(hào)H01L21/285GK102918633SQ20118002742
公開日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2011年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月28日
發(fā)明者石坂忠大, 佐久間隆, 波多野達(dá)夫, 橫山敦, 五味淳, 安室千晃, 福島利彥, 戶島宏至, 川又誠也, 水澤寧, 加藤多佳良 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社