專利名稱：用于物理氣相沉積處理以產(chǎn)生具有低阻抗和無不均勻度薄膜的磁鐵的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例大體上關(guān)于基材處理，且更具體地關(guān)于物理氣相沉積處理。
背景技術(shù)：
在傳統(tǒng)物理氣相沉積(PVD)處理中，如在鎢(W)的沉積的例子中，為了薄膜沉積而僅施加直流(DC)功率。盡管以傳統(tǒng)磁控管設(shè)計可達(dá)成好的厚度均勻度，但是所沉積W薄膜的阻抗非常高，而高阻抗因高線性阻抗的緣故而限制了晶體管集成的密度。一種嘗試改善W薄膜的特征的技術(shù)是射頻(RF)輔助PVD沉積，其中W薄膜的阻抗可因高能離子再濺射和薄膜致密化而大量地減少。然而，因RF功率在沉積處理期間耦合等離子體，所以這些W薄膜的厚度均勻度不佳。因此，發(fā)明人提供用于薄膜的PVD沉積的設(shè)備和方法，該薄膜具有減少的阻抗和非均勻度
發(fā)明內(nèi)容
在此提供用于沉積具有高厚度均勻度和低阻抗的薄膜的方法及設(shè)備。在一些實施例中，磁控管組件包括分流板，所述分流板可繞軸而轉(zhuǎn)動；內(nèi)側(cè)封閉回路磁極，所述內(nèi)側(cè)封閉回路磁極耦接至所述分流板；及外側(cè)封閉回路磁極，所述外側(cè)封閉回路磁極耦接至所述分流板，其中所述外側(cè)封閉回路磁極的磁場強(qiáng)度對所述內(nèi)側(cè)封閉回路磁極的磁場強(qiáng)度的不平衡比例為小于約I。在一些實施例中，所述比例約O. 57。在一些實施例中，所述外側(cè)封閉回路磁極具有心形。在一些實施例中，一種在物理氣相沉積(PVD)腔室中處理基材的方法包括以下步驟提供具有至少一些離子物質(zhì)的處理氣體進(jìn)入所述PVD腔室；施加DC功率至設(shè)置在基材上方的靶材以引導(dǎo)離子物質(zhì)朝向所述靶材；旋轉(zhuǎn)在所述靶材上方的磁控管，所述磁控管具有內(nèi)側(cè)封閉回路磁極和外側(cè)封閉回路磁極，其中所述外側(cè)封閉回路磁極的磁場強(qiáng)度對所述內(nèi)側(cè)封閉回路磁極的磁場強(qiáng)度的不平衡比例小于約I ;使用離子物質(zhì)從所述靶材濺射金屬原子；沉積多個第一金屬原子在所述基材上；施加RF功率至設(shè)置在所述基材下方的電極以使用所述離子物質(zhì)而再濺射沉積的金屬原子的至少一部分；及藉由施加所述DC功率和所述RF功率長達(dá)所期望的時間周期而在所述基材上形成一層。在一些實施中，所述層包括包括鎢(W)且具有低于約2%的厚度均勻度和低于約10μ Ohm-cm的阻抗。以下描述本發(fā)明的其它和進(jìn)一步的實施例。


可藉由參考描繪在附圖中的本發(fā)明示范性實施例，而了解本發(fā)明的實施例，其中這些本發(fā)明的實施例概述在發(fā)明內(nèi)容中且在實施方式中詳細(xì)討論。然而，應(yīng)注意，附圖僅繪示出本發(fā)明的典型實施例且因此不應(yīng)被視為對本發(fā)明的范圍的限制，這是因為本發(fā)明可允許其它等效的實施例。圖1顯示依據(jù)本發(fā)明的一些實施例的磁控管的底視立體圖。圖1A顯示依據(jù)本發(fā)明的一些實施例的磁控管的部分底視圖。圖2顯示依據(jù)本發(fā)明的一些實施例的物理氣相沉積腔室的側(cè)視示意。圖3顯示依據(jù)本發(fā)明的一些實施例沿晶片表面的沉積層厚度的圖，該沉積層厚度為僅使用DC功率的磁控管的外側(cè)極對內(nèi)側(cè)極的不平衡比例的函數(shù)。圖4顯示依據(jù)本發(fā)明的一些實施例沿晶片表面的沉積層厚度的圖，該沉積層厚度為使用RF和DC功率兩者的磁控管的外側(cè)極對內(nèi)側(cè)極的不平衡比例的函數(shù)。圖5顯示依據(jù)本發(fā)明的一些實施例沉積層的厚度均勻度和阻抗的圖，該沉積層的厚度均勻度和阻抗為磁控管的外側(cè)極對內(nèi)側(cè)極的不平衡比例的函數(shù)。為促進(jìn)理解，盡可能地使用相同的附圖標(biāo)記，來指定圖中共享的相同組件。這些圖并未依尺寸而繪制且這些圖為了清晰起見而簡化。需想到，一個實施例的組件及特征可有益地納入其它實施例中而無須進(jìn)一步贅述。
具體實施例方式在此提供用于沉積具有高厚度均勻度和低阻抗的薄膜的方法及設(shè)備。本發(fā)明設(shè)備的一些實施例關(guān)于在射頻(RF)物理氣相沉積(PVD)處理中使用的磁控管設(shè)計。本方法的一些實施例關(guān)于沉積具有高厚度均勻度(如，低于約2%)和低阻抗(如，低于約10 μ Ohm-cm)的薄膜。圖1顯示依據(jù)本發(fā)明的一些實施例的磁控管。本發(fā)明的磁控管一般可使用于具有DC功率施加至靶材及RF功率施加至一或多個基材支撐件或PVD腔室的靶材的PVD腔室中(如，在下所描述且在圖2中所描繪的PVD腔室200)?？蓮氖褂帽景l(fā)明磁控管而受益的處理的非限制例包含在其它沉積處理中的鎢(W)沉積處理。圖1顯示依據(jù)本發(fā)明的一些實施例的磁控管100的底視立體圖。磁控管100包含分流板102，該分流板102也作為磁控管組件的結(jié)構(gòu)基底。分流板102可包含當(dāng)分流板102耦接至軸桿時可繞該軸桿轉(zhuǎn)動的轉(zhuǎn)動軸104。舉例來說，安裝板(圖未示)可耦接至分流板102以安裝分流板102至軸桿(如，顯示在圖2中的軸桿216)而提供磁控管100在使用期間的轉(zhuǎn)動。在一些實施例中，且如圖示，分流板102可具有心形。然而，分流板102也可具有其它形狀。磁控管100包含至少兩個磁極(如，內(nèi)側(cè)極106和外側(cè)極108)。每一內(nèi)側(cè)和外側(cè)極106、108可形成封閉回路磁場。當(dāng)在此使用時，封閉回路磁場指的是沒有分離的始端和末端的極，但形成循環(huán)。在給定極內(nèi)的極性相同(如、北極或南極)，但介于每一極106、108間的極性彼此相對(如，內(nèi)側(cè)北極且外側(cè)南極,或內(nèi)側(cè)南極且外側(cè)北極)。每一極可包含配置在極板和分流板102間的多個磁鐵。舉例來說，內(nèi)側(cè)極106包含極板110,該極板110具有設(shè)置在極板110和分流板102間的多個第一磁鐵112。同樣地，外側(cè)極108包含極板114，該極板114具有設(shè)置在極板114和分流板102間的多個第二磁鐵116。極板110、114可由鐵磁性材料(如在非限制例中，400系列不銹鋼)或其它合適的材料所制成。極板110、114可具有任何合適的封閉回路形狀。極板110、114的形狀可相似，使得介于極板110、114間的距離繞極板110、114的回路是大體上均勻。如圖所示，在一些實施例中，極板114可為心形。在一些實施例中，極板114可約略依循分流板102的周緣形狀。在每一多個磁鐵中的磁鐵無須完整地均勻分布。舉例來說，如圖1中所示，在一些實施例中,在多個第二磁鐵116中的至少一些磁鐵可成對配置。如圖1A中所示，多個磁鐵可以配置成多列。舉例來說，多個第一磁鐵112在圖中顯示成以兩列磁鐵的方式配置?；氐綀D1，在一些實施例中，在多個第一和第二磁鐵112、116中的每一磁鐵的磁強(qiáng)度可相同。替代地，在多個第一和第二磁鐵112、116中的一或多個磁鐵的磁強(qiáng)度可不同。在一些實施例中，由內(nèi)側(cè)極106所形成的磁場強(qiáng)度可大于由外側(cè)極108所形成的磁場強(qiáng)度。因此，在一些實施例中，多個第一磁鐵112的磁鐵可較多個第二磁鐵116更密集地配置。替代地或結(jié)合地，在一些實施例中，多個第一磁鐵112中的磁鐵數(shù)量可超過多個第二磁鐵116中的磁鐵數(shù)量。內(nèi)側(cè)和外側(cè)極106、108間的磁場強(qiáng)度的差異可由內(nèi)側(cè)極106的磁強(qiáng)度對外側(cè)極108的磁強(qiáng)度的不平衡比例而界定。舉例來說，在多個第一和第二磁鐵112、116中的每一磁鐵是具有相同磁場強(qiáng)度的相同磁鐵的實施例中，不平衡比例可簡單地表示成在多個第二磁鐵116中的磁鐵數(shù)量對多個第一磁鐵112中的磁鐵數(shù)量的比例。在在此所揭露的本發(fā)明磁控管中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)具有小于I的不平衡比例(如，在外側(cè)極108的較低磁場強(qiáng)度對內(nèi)側(cè)極106的磁場強(qiáng)度及/或在多個第二磁鐵116中較少的磁鐵數(shù)量對多個第一磁鐵112中的磁鐵數(shù)量)可使用以沉積具有如上所討論的高厚度均勻度和低阻抗的層。舉例來說，在一些實施例中，所期望的不平衡比例可為約O. 57。應(yīng)考慮到，在一些應(yīng)用中可使用其它的不平衡比例。舉例來說，參考圖3 — 4而在以下討論的，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)不平衡比例可選擇或調(diào)整以控制所沉積薄膜的厚度輪廓。 圖2顯示依據(jù)本發(fā)明的一些實施例的處理腔室200的側(cè)視示意圖。處理腔室200可為任何經(jīng)構(gòu)成而用于DC功率及可選地RF功率的合適的PVD腔室。在一些實施例中，處理腔室200可經(jīng)構(gòu)成以用于DC和RF功率應(yīng)用兩者，如以下所討論的。舉例來說，處理腔室200包含基材支撐件202，該基材支撐件202具有基材204設(shè)置在基材支撐件202上。電極206可設(shè)置在基材支撐件204中以提供RF功率至處理腔室200。RF功率可經(jīng)由RF功率源208而供應(yīng)至電極。RF功率源208可經(jīng)由匹配網(wǎng)絡(luò)(圖未示)而耦接至電極206。替代地或結(jié)合地(圖未示)，RF功率源208 (或另一 RF功率源)可耦接至設(shè)置在基材支撐件202上的靶材210(或耦接至設(shè)置鄰近于靶材的背側(cè)的電極)，該靶材或該電極例如位于處理腔室200的室頂中。靶材210可包括任何適合用于沉積一層在基材204上的金屬及/或金屬合金。舉例來說，在一些實施例中，靶材可包括鎢(W)。DC功率源212可耦接至靶材210以在靶材210上提供偏壓以引導(dǎo)形成在腔室200中的等離子體朝向靶材210。等離子體可由處理氣體(如，氬(Ar)或類似物)而形成，該處理氣體藉由氣源213而提供至腔室200。磁控管組件214設(shè)置在靶材210上方，其中該磁控管組件214包含磁控管100和用以旋轉(zhuǎn)磁控管100的軸216。舉例來說，磁控管組件214可促進(jìn)從靶材210脫離的金屬原子的均勻濺射及/或金屬原子層在基材204上的均勻沉積，而使基材204具有如上所討論的高厚度均勻度和低阻抗?？刂破?18可提供并耦接至處理腔室200的各種部件以控制處理腔室200的操作。控制器218包含中央處理單元(CPU)、存儲器和支持電路。控制器218可直接控制處理腔室200，或經(jīng)由與特定處理腔室及/或支持系統(tǒng)部件連結(jié)的計算機(jī)(或控制器)而控制處理腔室200?？刂破?18可為任何形式的通用目的計算機(jī)處理器的一種，通用目的計算機(jī)處理器可使用于工業(yè)裝置以控制不同的腔室及子處理器?？刂破?18的存儲器或計算機(jī)可讀媒體可為一或多個易于獲得的存儲器，如隨機(jī)存取內(nèi)存(RAM)、只讀存儲器(ROM)、軟盤、硬盤、光儲存媒體(如光盤或數(shù)字影像光盤)、隨身碟或任何其它形式的數(shù)字儲存器，不管是本地或遠(yuǎn)程皆可。支持電路耦接至CPU，支持電路用于以傳統(tǒng)方式支持處理器。這些電路包含高速緩存、電源供應(yīng)器、頻率電路、輸入/輸出電路及子系統(tǒng)及類似物。在此所述的發(fā)明方法可儲存在存儲器中作為軟件程序，該軟件程序可被執(zhí)行或可被啟動而以在此所述的方式來控制處理腔室200的操作。軟件程序也可由第二 CPU(圖未示)而儲存及/或執(zhí)行，該第二 CPU位于遠(yuǎn)離由CPU所控制的硬件處。在操作中，氣體(如，氬(Ar)或類似物)由氣源213提供至處理腔室200。氣體可以充足的壓力提供，使得氣體的至少一部分包含離子化物質(zhì)(如，氬離子)。離子化物質(zhì)藉由DC功率源212所施加至靶材210的DC電壓而指向靶材210。離子化物質(zhì)撞擊靶材210以從靶材210排出金屬原子。舉例來說，具有中性電荷的金屬原子朝向基材204落下并沉積在基材表面上。隨著離子物質(zhì)與靶材210的撞擊以及隨后的金屬原子排出，磁控管100同時地在祀材210上繞軸桿216旋轉(zhuǎn)。磁控管100在腔室200內(nèi)產(chǎn)生磁場,該磁場大體上平行并接近靶材210表面以俘獲能與鄰近靶材210的表面的任何離子化氣體分子碰撞的電子，這些離子化氣體分子依次增加鄰近靶材210表面的局部離子物質(zhì)密度并增加濺射率。此外，在由靶材210濺射金屬原子期間，RF功率可藉由RF功率源208而施加至基材支撐件202?？衫肦F功率以引導(dǎo)一部分的離子化物質(zhì)朝向在基材204上的沉積金屬原子以幫助從形成在基材204上的層至少再濺射一些沉積金屬原子。再濺射沉積金屬原子可減少在沉積層中的阻抗并促進(jìn)層的致密化。然而，如以下所討論，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)僅使用RF功率會導(dǎo)致層雖然具有合適的阻抗，但也具有中央高-邊緣低的輪廓。因此，具有如上所討論的所期望不平衡比例的本發(fā)明磁控管100可獨(dú)自使用或結(jié)合RF功率使用，以提供所期望的沉積輪廓(如，具有高厚度均勻 度和低阻抗的沉積輪廓)。圖3顯示依據(jù)本發(fā)明的一些實施例沿晶片表面的沉積層厚度的圖，該沉積層厚度為僅使用DC功率的磁控管的外側(cè)極對內(nèi)側(cè)極的不平衡比例的函數(shù)。舉例來說，當(dāng)不平衡比例實質(zhì)上大于約I (如，約2. 7)時，沉積輪廓具有如曲線302所示的中央高-邊緣低的輪廓?？墒褂镁哂胁黄胶獗壤笥诩sI的磁控管，以藉由收縮限制容積而控制在基材上的離子轟擊及/或增加金屬離子化。舉例來說，可使用低于約I的不平衡比例以調(diào)整沉積輪廓。舉例來說，如圖3中所示，具有低于I的不平衡比例的沉積輪廓可具有中央低-邊緣高的輪廓，如曲線304 (如，具有約O. 97的不平衡比例)和306 (如，具有約O. 57的不平衡比例)所示。在一些實施例中，越低的不平衡比例帶來越低的中央沉積和較高的邊緣沉積(如曲線304和306所示)。然而，藉由RF功率的加入(僅使用RF功率將如上所討論的導(dǎo)致中央高-邊緣低的輪廓)，可獲得如以下圖4中所示的所期望的沉積輪廓。圖4顯示依據(jù)本發(fā)明的一些實施例沿晶片表面的沉積層厚度的圖，該沉積層厚度為使用DC和RF功率兩者的磁控管的外側(cè)極對內(nèi)側(cè)極的不平衡比例的函數(shù)。舉例來說，如以上所討論，使用低于I的不平衡比例的RF和DC功率的結(jié)合以沉積具有高厚度均勻度和低阻抗的層。既然RF功率經(jīng)由環(huán)境模擬腔室(Environmental Simulation Chamber,ESC)而耦接在晶片中央，由RF功率所貢獻(xiàn)的薄膜沉積具有薄中央和厚邊緣的輪廓。藉由本發(fā)明磁控管100的低不平衡比例，因弱的磁場邊界和等離子體擴(kuò)散至晶片邊緣的緣故，可以DC功率PVD沉積來實現(xiàn)具有薄晶片邊緣和厚晶片中央的沉積輪廓。結(jié)合RF功率和DC功率沉積，可獲得遍布基材的均勻厚度輪廓。例如，如圖4中所示使用DC和RF功率以沉積薄膜，大的不平衡比例(例如，從約I至約2. 72的范圍)可導(dǎo)致具有中央高、邊緣低的輪廓的沉積層，如曲線406所示。然而，在不平衡比例為低(例如，從約O. 57 (如，曲線402)至約O. 93(如，曲線404)的范圍)的實施例中，此處理可導(dǎo)致具有較均勻輪廓的沉積層，如圖4中所示。此外，如上所討論，RF功率可改善沉積層中的阻抗，但不幸地，當(dāng)獨(dú)自提供RF功率時會導(dǎo)致沉積層的中央高-邊緣低的輪廓。因此，藉由使用本發(fā)明的磁控管100而結(jié)合RF功率和DC功率，可獲得具有高厚度均勻度和低阻抗的沉積層。如在圖5中所示，由于磁控管100的緣故，沉積層的阻抗可遠(yuǎn)較于使用傳統(tǒng)PVD處理的沉積層的阻抗為低。圖5也顯示出改變磁控管100中的不平衡比例對于沉積層中的阻抗具有極小影響或甚至沒有影響，如曲線504所示。然而，如圖5中所示，降低不平衡比例可實質(zhì)上改善在沉積層中的厚度均勻度，如曲線502所示。舉例來說，在一些實施例中，使用在此所揭露的本發(fā)明方法和設(shè)備，500埃的鎢(W)薄膜的阻抗為約9. 4 μ Ohm-cm,且厚度均勻度為約1.5%。這些結(jié)果顯示出對于使用具有DC功率的傳統(tǒng)磁控管所沉積的鎢(W)薄膜的顯著改善，其中該鎢(W)薄膜具有約
11μ Ohm-cm的阻抗和2. 5%的厚度均勻度。

因此，用以沉積具有高厚度均勻度和低阻抗的方法和設(shè)備以在此提供。本發(fā)明設(shè)備的一些實施例關(guān)于用以使用在射頻(RF)物理氣相沉積(PVD)處理中的磁控管設(shè)計。本方法的一些實施例關(guān)于使用RF和DC功率以沉積具有高厚度均勻度(低于約2%)和低阻抗(低于約10 μ Ohm-cm)的薄膜。盡管前述是關(guān)于本發(fā)明的實施例，可設(shè)計本發(fā)明的其它和進(jìn)一步的實施例而不背離本發(fā)明的基本范圍。
權(quán)利要求
1.一種磁控管組件，所述磁控管組件包括 分流板，所述分流板可繞軸而轉(zhuǎn)動； 內(nèi)側(cè)封閉回路磁極，所述內(nèi)側(cè)封閉回路磁極耦接至所述分流板；及外側(cè)封閉回路磁極，所述外側(cè)封閉回路磁極耦接至所述分流板，其中所述外側(cè)封閉回路磁極的磁場強(qiáng)度對所述內(nèi)側(cè)封閉回路磁極的磁場強(qiáng)度的不平衡比例為小于約I。
2.如權(quán)利要求1所述的磁控管組件，其中所述不平衡比例是約O.57至約O. 97。
3.如權(quán)利要求1所述的磁控管組件，其中所述不平衡比例是約O.57。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的磁控管組件，其中所述內(nèi)側(cè)封閉回路磁極的第一極性相對所述外側(cè)封閉回路磁極的第二極性。
5.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的磁控管組件，其中所述外側(cè)封閉回路磁極具有心形。
6.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的磁控管組件，其中具有至少一個如下特征 所述內(nèi)側(cè)封閉回路磁極還包括內(nèi)側(cè)極板；及多個第一磁鐵，所述多個第一磁鐵配置在所述內(nèi)側(cè)極板和所述分流板間；或 所述外側(cè)封閉回路磁極還包括外側(cè)極板；及多個第二磁鐵，所述多個第二磁鐵配置在所述外側(cè)極板和所述分流板間。
7.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的磁控管組件，其中所述內(nèi)側(cè)封閉回路磁極還包括多個第一磁鐵，且其中所述外側(cè)封閉回路磁極還包括多個第二磁鐵。
8.如權(quán)利要求7所述的磁控管組件，其中在所述多個第一磁鐵和所述多個第二磁鐵中的每一磁鐵具有相同的磁強(qiáng)度。
9.如權(quán)利要求7所述的磁控管組件，其中在所述多個第一磁鐵和所述多個第二磁鐵中的至少一些磁鐵具有不同的磁強(qiáng)度。
10.如權(quán)利要求7所述的磁控管組件，其中所述多個第一磁鐵中的磁鐵數(shù)量大于所述多個第二磁鐵中的磁鐵數(shù)量。
11.一種在物理氣相沉積(PVD)腔室中處理基材的方法，所述方法包括以下步驟 提供具有至少一些離子物質(zhì)的處理氣體進(jìn)入所述PVD腔室； 施加DC功率至設(shè)置在基材上方的靶材以引導(dǎo)所述離子物質(zhì)朝向所述靶材； 旋轉(zhuǎn)在所述靶材上方的磁控管，所述磁控管具有內(nèi)側(cè)封閉回路磁極和外側(cè)封閉回路磁極，其中所述外側(cè)封閉回路磁極的磁場強(qiáng)度對所述內(nèi)側(cè)封閉回路磁極的磁場強(qiáng)度的不平衡比例為小于約I ; 使用所述離子物質(zhì)由所述靶材濺射金屬原子； 沉積多個第一金屬原子在所述基材上； 施加RF功率以使用所述離子物質(zhì)而再濺射所述沉積的金屬原子的至少一部分 '及 藉由施加所述DC功率和所述RF功率長達(dá)所期望的時間周期而在所述基材上形成一層。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中施加所述RF功率的步驟還包括至少一個以下步驟 施加所述RF功率至設(shè)置在所述基材下的電極 施加所述RF功率至所述祀材；或施加所述RF功率至設(shè)置在鄰近所述靶材的電極。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述不平衡比例為約0.57至約0. 97。
14.如權(quán)利要求11至13中任一項所述的方法，其中所述靶材和所述層包括鎢(W)。
15.如權(quán)利要求11至13中任一項所述的方法，其中具有至少一個如下特征所述層具有低于約2%的厚度均勻度；或所述層具有低于約10 V- Ohm-cm的阻抗。
全文摘要
在此提供用于沉積具有高厚度均勻度和低阻抗的薄膜的方法及設(shè)備。在一些實施例中，磁控管組件包含分流板，所述分流板可繞軸而轉(zhuǎn)動；內(nèi)側(cè)封閉回路磁極，所述內(nèi)側(cè)封閉回路磁極耦接至分流板；及外側(cè)封閉回路磁極，所述外側(cè)封閉回路磁極耦接至分流板，其中外側(cè)封閉回路磁極的磁場強(qiáng)度對內(nèi)側(cè)封閉回路磁極的磁場強(qiáng)度的不平衡比例為小于約1。在一些實施例中，所述比例為約0.57。在一些實施例中，分流板和外側(cè)封閉回路磁極具有心形。也揭露有一種使用RF和DC功率結(jié)合本發(fā)明磁控管組件的方法。
文檔編號H01L21/203GK103038864SQ201180036959
公開日2013年4月10日 申請日期2011年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月30日
發(fā)明者劉振東, 曹勇, 唐先民, 史林尼維斯·甘德可塔, 清·源, 穆罕默德·拉希德 申請人:應(yīng)用材料公司