專利名稱：電子器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
給出了一種電子器件。
背景技術(shù)：
本專利申請要求德國專利申請10 2010 046 122.9的優(yōu)先權(quán)，該德國專利申請102010 046 122.9的公開內(nèi)容通過引用被結(jié)合于此。如果譬如發(fā)光二極管(LED)之類的半導(dǎo)體器件借助焊接工藝被固定在譬如印刷電路板之類的支承體(Traeger)上，則LED以及其部件由于對于焊接所需的加熱和緊接著的冷卻而遭受熱機械應(yīng)力。如果LED例如具有包括多個不同的塑料部分的殼體，在所述塑料部分中布置有半導(dǎo)體芯片，則殼體中的熱機械應(yīng)力可以作用于半導(dǎo)體芯片，使得半導(dǎo)體芯片從安裝面脫落或被揭掉。這可導(dǎo)致LED的故障。在例如除了嵌入半導(dǎo)體芯片的材料之外還具有蓋(Abdeckung)的部件中，在重新加熱或冷卻時的熱不均衡并且由此熱機械應(yīng)力甚至還被增強，由此這樣的器件的故障概率也升高。為了抵制這樣的效應(yīng)，例如通過具有提高的粘附性能的膠粘劑來實現(xiàn)半導(dǎo)體芯片在安裝面上的附著。此外，可以使用塑性材料、尤其是澆注材料，所述塑性材料具有低的彈性模量，這樣例如娃樹脂燒注部(SiIikonverguss)。此外也可能的是,通過匹配或優(yōu)化殼體幾何形狀來降低熱機械應(yīng)力。此外，也可以嘗試使用來將半導(dǎo)體芯片安裝在安裝區(qū)域上的膠粘劑與燒注材料去稱合，例如通過合適形狀的粘合劑溝(KlebstofTkehle)來去f禹合。然而，所有這些措施都導(dǎo)致部分顯著地增大制造半導(dǎo)體器件的開銷。

發(fā)明內(nèi)容
確定的實施形式的至少一個任務(wù)是給出一種具有半導(dǎo)體芯片的電子器件，其中可以降低半導(dǎo)體芯片在焊接過程中脫落的危險。該任務(wù)通過具有獨立權(quán)利要求的特征的主題來解決。該主題的有利實施形式和改進(jìn)方案在從屬權(quán)利要求中被表征并且此外還由隨后的描述和附圖得知。電子器件根據(jù)至少一個實施形式具有帶有凹進(jìn)部(Vertiefung)的殼體本體。在該凹進(jìn)部中布置有半導(dǎo)體芯片。殼體本體尤其是可以被預(yù)成形。這意味著，在安裝半導(dǎo)體芯片之前，殼體本體借助譬如注塑、壓鑄或模壓之類的成型工藝而由合適的材料、例如熱塑性塑料被成形。熱塑性塑料例如可以具有聚鄰苯二甲酰胺(PPA, Polyphthalamid)或者也具有其他合適的塑性材料。此外，該器件可以具有引線框架，該引線框架被嵌入到殼體本體中。引線框架尤其是可以利用殼體本體的材料被變換并且為半導(dǎo)體芯片提供安裝區(qū)域。此外，引線框架可以為電子器件提供在殼體本體之外的接觸區(qū)域，電子器件借助該接觸區(qū)域可以借助焊接工藝而被固定和被電連接在例如印刷電路板的支承體上。此外，半導(dǎo)體芯片可以借助化合材料(Verbindungsmaterial)被布置并且由此被安裝在引線框架上?；喜牧侠缈梢跃哂谢蛘呤菍?dǎo)電粘合劑，該導(dǎo)電粘合劑也可以被稱作所謂的芯片膠(Chipkleber)。可替換于此地，化合材料也可以具有或者是焊料。對于電子器件的可靠功能而言，可以是必要的是，半導(dǎo)體芯片借助化合材料持久地被固定在引線框架上并且被電連接到所述引線框架。此外，電子器件可以是可表面安裝的。這尤其是可以意味著，引線框架被構(gòu)造為使得該引線框架在殼體本體的外側(cè)上提供可表面安裝的接觸區(qū)域。根據(jù)另一實施形式，半導(dǎo)體芯片是光電子半導(dǎo)體芯片。在此，半導(dǎo)體芯片尤其是可以被構(gòu)造為發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片或者被構(gòu)造為接收光的半導(dǎo)體芯片。根據(jù)由半導(dǎo)體芯片輻射的或接收的光的所期望的波長范圍，半導(dǎo)體芯片例如可以基于砷化物_、磷化物-或氮化物-化合物半導(dǎo)體材料系被構(gòu)造為外延層序列，這意味著被構(gòu)造為外延生長的半導(dǎo)體層序列。這樣的半導(dǎo)體芯片對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是公知的，并且此處沒有進(jìn)一步被闡明?？商鎿Q于此地，半導(dǎo)體芯片例如也可以被實施為晶體管，或者被實施為集成電路，或者被實施為所述半導(dǎo)體芯片的組合。根據(jù)另一實施形式，在殼體本體的凹進(jìn)部中布置有由第一塑性材料構(gòu)成的澆注部，半導(dǎo)體芯片被嵌入到該澆注部中。這尤其是可以意味著，澆注部例如在其上沒有布置化合物材料的所有表面區(qū)域上與半導(dǎo)體芯片鄰接，與半導(dǎo)體芯片緊鄰。由此，半導(dǎo)體芯片與澆注部直接接觸。在澆注部中可出現(xiàn)的熱機械應(yīng)力因此可以直接作用于半導(dǎo)體芯片。如果半導(dǎo)體芯片例如被實施為光電子半導(dǎo)體芯片并且尤其是被實施為發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片，則澆注部的塑性材料可以透明地被實施。此外，澆注部例如也可以具有被嵌入到第一塑性材料中的波長轉(zhuǎn)換材料和/或散射顆粒。根據(jù)另一實施形式，在凹進(jìn)部之上布置有由第二塑性材料構(gòu)成的蓋元件。蓋元件可以為了保護(hù)澆注部或半導(dǎo)體芯片而被布置在澆注部上。此外，蓋元件也可以為電子器件提供附加的功能。如果半導(dǎo)體芯片被實施為光電子半導(dǎo)體芯片并且尤其是被實施為發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片，則蓋元件例如可以被實施為光學(xué)元件，尤其是例如被實施為透鏡。為此，蓋元件的第二塑性材料可以有利地是透明的，其中也可能的是，波長轉(zhuǎn)換材料和/或散射顆粒被嵌入到第二塑性材料中。蓋元件尤其是可以借助粘合劑被布置在澆注部上。這尤其是可以意味著，該蓋元件借助粘合劑被固定在澆注部上。粘合劑在此可以具有與澆注部的第一塑性材料或者蓋元件的第二塑性材料相同的材料或至少相同的材料等級。特別優(yōu)選地，粘合劑可以是環(huán)氧膠，該環(huán)氧膠此外還被布置在蓋元件與澆注部之間的薄層中并且將澆注部與蓋元件持久地連接。特別優(yōu)選地，粘合劑可以具有與蓋元件相同的特性、尤其是相同的玻璃化溫度。換言之，粘合劑可以具有帶有第二玻璃化溫度的塑性材料、例如第二塑性材料。根據(jù)另一實施形式，第一塑性材料具有第一玻璃化溫度，而第二塑性材料具有第二玻璃化溫度。第二玻璃化溫度在此小于第一玻璃化溫度。玻璃化溫度是在其下第一塑性材料或第二塑性材料在其變形能力方面具有顯著改變的那個溫度。在玻璃化溫度之下，第一塑性材料或第二塑性材料可以具有小的變形性和更確切地說脆的特性，而對于在玻璃化溫度之上的溫度，變形性可以通過更確切地說可塑性變形的軟特性來表征。這尤其是也可以意味著，在玻璃化溫度之上，第一塑性材料或第二塑性材料分別具有低彈性模量，而在玻璃化溫度之下，相應(yīng)的彈性模量是大的。此外，熱膨脹系數(shù)在玻璃化溫度之上和在玻璃化溫度之下也可以顯著不同。
根據(jù)另一實施形式，第一塑性材料和第二塑性材料分別具有熱固性塑料。例如，第一塑性材料和/或第二塑性材料可以具有環(huán)氧化物和/或丙烯酸鹽(Acrylat)。特別有利的是，不僅第一塑性材料而且第二塑性材料分別具有環(huán)氧樹脂。通過不同的添加劑和/或通過在第一塑性材料和第二塑性材料中的不同的聚合度(Vernetzungsgrad),第一塑性材料和第二塑性材料分別可以具有上述第一玻璃化溫度和第二玻璃化溫度。在公知的電子器件中，通常具有相同玻璃化溫度或至少近似相同的玻璃化溫度的塑性材料被用于澆注材料和蓋材料。如果這樣的公知的電子器件被焊上，則這種器件的各個元件至少在焊接之后的冷卻過程中經(jīng)歷明顯的溫度差。在器件的表面上非?？焖俚剡_(dá)到周圍環(huán)境的溫度，而這種器件的內(nèi)部部件、即例如澆注部和半導(dǎo)體芯片還處于較高的溫度。由于譬如熱固性塑料之類的塑性材料在冷卻過程中在玻璃化溫度之上遭到強烈收縮，而這些塑性材料在玻璃化溫度之下具有明顯更小的與溫度有關(guān)的膨脹改變，并且由于如上面所描述的那樣彈性模量在玻璃化溫度之上與在玻璃化溫度之下明顯不同，所以在冷卻時可發(fā)生:外部遠(yuǎn)處的元件或其區(qū)域、例如即蓋元件和尤其是其上側(cè)已經(jīng)在玻璃化溫度之下并且因此基本上是硬的，而在器件內(nèi)部的元件、譬如澆注材料還在玻璃化溫度之上并且由此在進(jìn)一步冷卻時還較強烈地收縮。由于蓋元件已硬化并且至少在表面的區(qū)域中已占據(jù)固定的形狀，所以由蓋材料和澆注材料構(gòu)成的整個系統(tǒng)的收縮重心朝著蓋元件轉(zhuǎn)移，使得在澆注材料與半導(dǎo)體芯片之間以及在澆注材料與殼體本體之間建立拉應(yīng)力，所述拉應(yīng)力常常超過用來將半導(dǎo)體芯片安裝在殼體本體中的化合材料的粘附力。因此，在其中使用具有基本上相同的玻璃化溫度的材料的公知器件中，可容易發(fā)生半導(dǎo)體芯片的分層(Delamination)。跟公知的電子器件相反，在這里所描述的電子器件中可以延遲蓋元件硬化的時亥|J，使得蓋元件在冷卻過程期間更久地保持在彈性的和可變形的狀態(tài)下。在澆注部中通過延遲的冷卻而發(fā)生的收縮因此可以通過蓋元件更長地被補償。由此，有利地可以降低熱彈性應(yīng)力，所述熱彈性應(yīng)力可以以不利的方式作用于半導(dǎo)體芯片。特別優(yōu)選地，第一玻璃化溫度和第二玻璃化溫度可以被調(diào)節(jié)為使得在常見的焊接和冷卻過程中基本上同時發(fā)生蓋元件和澆注部的硬化。根據(jù)另一實施形式，第一玻璃化溫度大于或等于120°C。此外，第一玻璃化溫度可以小于或等于150°C。這尤其是可以意味著，第一玻璃化溫度在120°C到150°C之間的范圍中，其中可以一同包括邊界。根據(jù)另一實施形式，第二玻璃化溫度低于第一玻璃化溫度，并且尤其是小于或等于120°C或者也小于120°C。特別優(yōu)選地，第二玻璃化溫度可以小于或等于110°C。此外，第二玻璃化溫度可以大于或等于80°C。這可以意味著，第二玻璃化溫度在80°C到120°C之間的范圍中并且優(yōu)選地在80°C到110°C之間的范圍中，其中可以一同包括邊界。在這里所描述的電子器件中，通過將第一玻璃化溫度與第二玻璃化溫度彼此匹配可以尤其是針對可表面安裝的電子器件實現(xiàn)焊接工藝期間的改進(jìn)的熱機械特性。尤其是，可能的是，在焊接過程中和在緊接著的冷卻中，減小了半導(dǎo)體芯片上的機械應(yīng)力，并且由此防止半導(dǎo)體芯片與引線框架或與殼體本體的分層。這尤其是可以通過如下方式來實現(xiàn):在焊接過程中并且在緊接著的冷卻過程中，在器件之內(nèi)并且在此尤其是在殼體本體的凹進(jìn)部之內(nèi)更小的拉力作用于芯片，使得可以防止揭掉半導(dǎo)體芯片。


其他優(yōu)點和有利的實施形式以及改進(jìn)方案由以下結(jié)合圖1至4所描述的實施形式而得到。其中:
圖1至圖3示出了根據(jù)不同實施例的電子器件的示意圖，以及 圖4示出了在根據(jù)另一實施例的電子器件的焊接工藝之后的冷卻過程的示意圖。在這些實施例和附圖中，相同的或相同作用的組成部分可以分別配備有相同的附圖標(biāo)記。所示出的元件及其彼此間的大小關(guān)系基本上不應(yīng)被視為比例正確的，更確切地說，為了更好的可示性和/或為了更好的理解，譬如層、部件、器件和區(qū)域之類的各個元件可以在尺寸上過度厚或大地被示出。
具體實施例方式在圖1中示出了電子器件的實施例，該電子器件具有殼體本體I。殼體本體I具有凹進(jìn)部10，在該凹進(jìn)部10中布置有半導(dǎo)體芯片3。純示例性地，在本實施例中以及也在以下的實施例中，分別示出的電子器件被實施為光電子器件，該光電子器件具有光電子半導(dǎo)體芯片和尤其是具有發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片。殼體本體I在本實施例中具有熱塑性塑料、例如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)，并且借助例如注塑的成型工藝而被成形。在制造殼體本體I時，提供引線框架2，該引線框架2利用殼體本體I的材料被變換。在此，殼體本體I和引線框架2被實施為使得電子器件如在圖1中所示出的那樣是可表面安裝的。半導(dǎo)體芯片3借助化合材料4 (在所示的實施例中借助導(dǎo)電粘合劑)被固定在引線框架2上并且由此在殼體本體I上被固定在凹進(jìn)部10中。半導(dǎo)體芯片3的上側(cè)借助接合線5、例如金線被電連接到引線框架2。替換于在此所描述的殼體本體1、例如殼體本體I的材料、必要時引線框架2以及半導(dǎo)體芯片3的實施方案，這些元件也可以具有其他材料、幾何形狀、布局和實施方案。在殼體本體I的凹進(jìn)部10中布置有由第一塑性材料構(gòu)成的澆注部6，在該澆注部6中嵌入有半導(dǎo)體芯片3。在所示的實施例中，澆注部6在此完全填滿凹進(jìn)部10。替換于此地，也可能的是，澆注部6僅部分地填充凹進(jìn)部10，即澆注部6并不接近直至凹進(jìn)部10的上邊緣。由第二塑性材料構(gòu)成的蓋元件8被布置在凹進(jìn)部10之上。蓋元件8在此在所示的實施例中被實施為透鏡，該透鏡在施加到澆注部6上之前被預(yù)成形和被預(yù)加工，并且該透鏡借助粘合劑7被布置在澆注部上并且被固定在該澆注部上。在施加蓋元件8之前，澆注部6也被完全硬化。澆注部6的第一塑性材料以及蓋元件8的第二塑性材料分別由透明的熱固性塑料來加工，在所示的實施例中尤其是分別由環(huán)氧樹脂制造。在此，第一塑性材料具有第一玻璃化溫度，所述第一玻璃化溫度在120°C到150°C之間的范圍中，而第二塑性材料具有第二玻璃化溫度，該第二玻璃化溫度小于第一玻璃化溫度。尤其是，在所示的實施例中，第二玻璃化溫度在80°C到110°C之間的范圍中。第一塑性材料和第二塑性材料的不同玻璃化溫度可以通過添加相應(yīng)的環(huán)氧樹脂和/或通過材料的不同聚合度在相應(yīng)的完全硬化時被實現(xiàn)。尤其是，也可以有利的是，粘合劑7具有與蓋元件8相同的特性，尤其是與蓋元件8相同的玻璃化溫度。為此，例如蓋元件8的第二塑性材料可以作為粘合劑7而被施加。在圖2和圖3中示出了電子器件的另外的實施例，這些另外的實施例與根據(jù)圖1的實施例相比在殼體本體I中具有被成形為反射器的凹進(jìn)部10。由此，尤其是在具有發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片3的電子器件中，能夠?qū)崿F(xiàn)提高在半導(dǎo)體芯片3中發(fā)射的光在正向方向上的輻射。根據(jù)圖3中的實施例的電子器件的殼體本體此外還被實施為使得凹進(jìn)部10、尤其是凹進(jìn)部10的底面除了針對半導(dǎo)體芯片3和接合線5的安裝區(qū)域或連接區(qū)域之外還被殼體本體材料遮蓋，以便還進(jìn)一步提高被成形為反射器的凹進(jìn)部10的反射性。在圖4中純示例性地示出了根據(jù)圖3中的實施例的電子器件，所述電子器件借助純示例性地借助常用的焊接工藝被焊上到電路板(Platine)或印刷電路板9上。為此，器件和印刷電路板9被加熱到通常大于或等于240°C并且小于或等于270°C以及通常為260°C的最大溫度(峰值溫度)，在該最大溫度下，被布置在電子器件的印刷電路板9與引線框架2之間的焊劑熔化并且因此能夠?qū)崿F(xiàn)將器件安裝和固定在印刷電路板9上。緊接著，器件被冷卻到165 °C。從165°C的溫度起，器件直接以通常為每秒6開爾文的冷卻率被冷卻到室溫。在此，在印刷電路板9上的器件從上側(cè)和下側(cè)用冷卻空氣被吹入，如借助箭頭90所表示的那樣。在該時間范圍中，電子器件的各個元件經(jīng)歷了明顯的溫度差。在器件的表面上在以91標(biāo)記的區(qū)域中由于主動冷卻而非常快速地達(dá)到冷卻空氣的溫度，而內(nèi)部部件、如在區(qū)域93中譬如澆注部6以及半導(dǎo)體芯片3和化合材料4還處于較高的溫度。但是，在冷卻時，塑性材料分別經(jīng)歷了收縮。第一塑性材料和第二塑性材料(這些第一塑性材料和第二塑性材料在所示的實施例中具有環(huán)氧樹脂)分別在玻璃化溫度之上經(jīng)歷了強烈的收縮，而在玻璃化溫度之下，相應(yīng)材料的溫度引起的膨脹小了數(shù)個量級。此外，在玻璃化溫度的轉(zhuǎn)換中，相應(yīng)塑性材料的彈性模量強烈地改變。在玻璃化溫度之下，彈性模量是高的，在環(huán)氧樹脂的情況下例如大于lGPa，這被反映在材料的剛性結(jié)構(gòu)中。在玻璃化溫度之上，環(huán)氧樹脂軟化和彈性模量下降，通常下降到小于IMPa的值。此外，在轉(zhuǎn)換時或在低于玻璃化溫度時，相應(yīng)的膨脹系數(shù)的改變不應(yīng)被忽略。環(huán)氧樹脂通常在玻璃化溫度之下具有為60ppm/K到70ppm/K的熱膨脹系數(shù)，而該膨脹系數(shù)在玻璃化溫度之上為大約160ppm/K至170ppm/K。為了說明在此所描述的電子器件的有利效果，以下首先描述了冷卻過程對帶有澆注部或蓋元件的常規(guī)器件的影響，所述澆注部和所述蓋元件分別具有約帶有相同玻璃化溫度的材料。在這種情況下，純示例性地所基于的是，相應(yīng)的玻璃化溫度為大約130°C。在直至焊接工藝中的峰值溫度的加熱過程中，相應(yīng)材料、即殼體本體、澆注部和蓋元件的材料相對于在室溫下的狀態(tài)強烈地膨脹。在冷卻階段中，材料又收縮。在此，可發(fā)生如下情況:在所述情況中，蓋元件已經(jīng)具有在其玻璃化溫度之下的溫度，而澆注材料還在玻璃化溫度之上。這可以導(dǎo)致，蓋元件的表面已經(jīng)硬化并且具有高彈性模量，而蓋元件的內(nèi)部以及澆注材料還在玻璃化溫度之上。這意味著，蓋元件的表面已經(jīng)在蓋元件相對于其在室溫下的狀態(tài)還具有更大體積的時刻而硬化。由此，出現(xiàn)如下效果，蓋元件的材料通過進(jìn)一步冷卻而拉緊、即收縮，并且嘗試減小其體積。由于蓋元件的表面已經(jīng)硬化并且已占據(jù)固定的形狀，所以由澆注部、膠粘劑和蓋元件構(gòu)成的整個系統(tǒng)的收縮重心改變并且朝著蓋元件的表面轉(zhuǎn)移。此外，這同時還意味著，與蓋元件的表面對置的在澆注部與引線框架之間的、在澆注部與半導(dǎo)體芯片之間的以及在澆注部與芯片膠之間的連接面的相應(yīng)材料建立拉應(yīng)力。該拉應(yīng)力常常超過澆注部的在引線框架上的粘附力，使得在此可以觀察到澆注材料的分層。當(dāng)拉力高于在半導(dǎo)體芯片與芯片膠之間的或者在芯片膠與引線框架之間的粘附力時，這導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片與引線框架的分層，由此形成器件中的斷開的電接觸，該斷開的電接觸導(dǎo)致器件故障。跟在公知的器件中出現(xiàn)的效果相反，通過經(jīng)過合適地選擇第一塑性材料和第二塑性材料以及相對應(yīng)的玻璃化溫度來抵抗熱不平衡，可以避免半導(dǎo)體芯片3在焊接過程和冷卻過程期間或之后的揭掉。由于第二塑性材料具有小于第一塑性材料的第一玻璃化溫度的第二玻璃態(tài)溫度，所以可以實現(xiàn)，當(dāng)蓋元件8也低于第二玻璃化溫度時，那么澆注部6提前或同時低于第一玻璃化溫度，由此更小的機械應(yīng)力從蓋元件8被施加到澆注部6上并且因此被施加到半導(dǎo)體芯片3上。如果從蓋元件和澆注部的玻璃化溫度大致相同的公知器件出發(fā)，則在圖4中所示的區(qū)域91、92和93中，在冷卻過程期間，不同的溫度處于主導(dǎo)，其中在區(qū)域91中的溫度小于在區(qū)域92中的溫度，在區(qū)域92中的溫度又小于在區(qū)域93中的溫度。如果在區(qū)域91中的溫度在玻璃化溫度之下、即例如在為130°C的玻璃化溫度的情況下在該溫度下，蓋元件的上側(cè)已經(jīng)硬化，而如上面所描述的那樣在區(qū)域92和93中，蓋元件或澆注部還可以具有在玻璃化溫度之上的溫度并且因此還可以進(jìn)一步收縮。在這里所描述的具有第二玻璃化溫度的電子器件中(第二玻璃化溫度小于第一玻璃化溫度)，以下純示例性地基于澆注部6的為大約130°C的第一玻璃化溫度和蓋元件8的為大約100°C的第二玻璃化溫度。只要在區(qū)域91中的溫度高于100°C，蓋元件8的表面就還未硬化。只有當(dāng)在區(qū)域91中的溫度降落在為100°C的第二玻璃化溫度之下時，蓋元件8的表面才硬化。只要在區(qū)域92中(即在蓋元件8的內(nèi)部中)的溫度還處于100°C之上，在該區(qū)域中的蓋元件8的第二塑性材料就還收縮。如果在區(qū)域93中的第一塑性材料在為130°C的溫度之下但是還在為100°C的溫度之上，則由于澆注部6的為130°C的第一轉(zhuǎn)換溫度，因此第一塑性材料已經(jīng)硬化。例如，如果假設(shè)不僅在區(qū)域92中而且在區(qū)域93中例如為120°C的溫度處于主導(dǎo)，則澆注部6已經(jīng)硬化，而蓋元件8還處于第二玻璃化溫度之上。甚至當(dāng)在區(qū)域92中的蓋元件8還進(jìn)一步收縮時，這樣可以極大地減小了如下力:所述力作用于半導(dǎo)體芯片3或作用于在澆注部6、半導(dǎo)體芯片3、化合材料4、引線框架2與殼體材料I之間的相應(yīng)的邊界面。由此可能的是，抵抗在焊接過程之后的冷卻中的熱不平衡，并且這樣避免了半導(dǎo)體芯片3的分層。本發(fā)明并不通過依據(jù)實施例的描述而被限于這些實施例。更確切地說，本發(fā)明包括任意新特征以及特征的任意組合，這尤其是包含權(quán)利要求書中的特征的任意組合，即使該特征或組合本身并未明確地在權(quán)利要求書或?qū)嵤├斜唤o出。
權(quán)利要求
1.一種電子器件，其具有殼體本體(1)，該殼體本體(I)在凹進(jìn)部(10)中具有半導(dǎo)體芯片(3)，其中 -在凹進(jìn)部中的半導(dǎo)體芯片(3)被嵌入到由具有第一玻璃化溫度的第一塑性材料構(gòu)成的澆注部(6)中， -在凹進(jìn)部(10)之上布置有由具有第二玻璃化溫度的第二塑性材料構(gòu)成的蓋元件(8)，以及 -第二玻璃化溫度小于第一玻璃化溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，第一塑性材料和第二塑性材料分別具有熱固性塑料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其中，第一塑性材料和第二塑性材料分別具有環(huán)氧樹脂。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的器件，其中，第一玻璃化溫度在120°C到150°C之間的范圍中。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的器件，其中，第二玻璃化溫度在80°C到120°C之間的范圍中。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的器件，其中，蓋元件(8)借助粘合劑(7 )被布置在澆注部(6)上。
7.根據(jù)上一權(quán)利要求所述的器件，其中，粘合劑(7)和蓋元件(8)具有相同的玻璃化溫度。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的器件，此外還具有引線框架(2)，所述引線框架(2)被嵌入到殼體本體(I)中，并且半導(dǎo)體芯片(3)借助化合材料(4)被安裝在所述引線框架(2)上。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的器件,其中，殼體本體(I)具有熱塑性塑料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中，熱塑性塑料具有聚鄰苯二甲酰胺。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的器件，其中，殼體本體(I)是可表面安裝的。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的器件，其中，半導(dǎo)體芯片(3)是光電子半導(dǎo)體芯片。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其中，光電子半導(dǎo)體芯片(3)是發(fā)射光的半導(dǎo)體芯片。
全文摘要
給出了一種具有殼體本體(1)的電子器件，該殼體本體(1)在凹進(jìn)部(10)中具有半導(dǎo)體芯片(3)，其中在凹進(jìn)部中的半導(dǎo)體芯片(3)被嵌入到由具有第一玻璃化溫度的第一塑性材料構(gòu)成的澆注部(6)中，在凹進(jìn)部(10)之上布置有由具有第二玻璃化溫度的第二塑性材料構(gòu)成的蓋元件(8)，以及第二玻璃化溫度小于第一玻璃化溫度。
文檔編號H01L33/58GK103119737SQ201180045386
公開日2013年5月22日 申請日期2011年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月21日
發(fā)明者J.拉姆亨, C.凱特, B.布勞內(nèi) 申請人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司