專利名稱：轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及封裝領(lǐng)域，特別涉及一種轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，芯片功能越來越強(qiáng)，但是芯片尺寸卻不斷減小且半導(dǎo)體芯片上的焊墊數(shù)目反而不斷增多，為此，芯片的封裝難度越來越大。隨著芯片封裝的難度越來越大，現(xiàn)有的晶圓級封裝已經(jīng)很難達(dá)到芯片的封裝的要求，現(xiàn)有的晶圓級封裝主要有以下兩方面的局限性1.晶圓級封裝的芯片高密度凸點(diǎn)與后續(xù)表面貼裝工藝不兼容；2.晶圓級封裝的芯片與后續(xù)印刷電路板的焊接熱膨脹系數(shù)相差較大。為此，轉(zhuǎn)接(Interpose!·)封裝結(jié)構(gòu)應(yīng)用于芯片封裝以解決上述晶圓級封裝，專利號為US7388293B2的美國專利提供一種轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)，請參考圖1，包括待封裝芯片1，所述待封裝芯片1為硅芯片，所述待封裝芯片1的封裝面具有第一焊球2 ；與第一焊球2電連接的轉(zhuǎn)接襯底anterposerUO，所述轉(zhuǎn)接襯底10包括第一表面和與第一表面相對的第二表面；位于轉(zhuǎn)接襯底10第一表面的第一再分布電路12，且所述第一再分布電路12與第一焊球2電連接；位于轉(zhuǎn)接襯底10第二表面的第二再分布電路13 ；貫穿轉(zhuǎn)接襯底10的導(dǎo)電插塞11，所述導(dǎo)電插塞11電連接第一再分布電路12和與第一再分布電路12對應(yīng)的第二再分布電路13 ；位于所述第二再分布電路13表面的第二焊球16 ；印刷電路板51，所述印刷電路板51表面具有焊墊52，所述焊墊52與所述第二焊球16對應(yīng)電連接。但是，現(xiàn)有的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成工藝復(fù)雜，且封裝效果不佳。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種形成工藝簡單的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法及一種封裝效果佳的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法，包括提供基板，所述基板具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；沿所述第一表面對所述基板進(jìn)行刻蝕， 形成多個盲孔，所述盲孔深度小于基板厚度，所述盲孔位置與待封裝芯片對應(yīng)；在所述盲孔填充滿導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電插塞；沿所述第二表面對所述基板進(jìn)行刻蝕，形成凹槽，所述凹槽完全暴露出導(dǎo)電插塞底部的導(dǎo)電材料；在所述凹槽表面和第二表面形成對應(yīng)電連接所述導(dǎo)電插塞的再分布線路?？蛇x的，還包括在導(dǎo)電插塞表面形成導(dǎo)電凸塊；在所述再分布線路表面形成保護(hù)層；在位于第二表面的保護(hù)層形成暴露所述再分布線路表面的開口 ；在所述開口暴露出的所述再分布線路表面形成與后續(xù)連接的PCB板對應(yīng)的凸點(diǎn)。可選的，還包括在所述凹槽內(nèi)填充滿絕緣材料?？蛇x的，所述絕緣材料為與后續(xù)連接的PCB板熱膨脹系數(shù)匹配的材料?？蛇x的，所述絕緣材料為樹脂膠或光刻膠。
可選的，所述凹槽剖面為矩形或者梯形?？蛇x的，當(dāng)所述凹槽的剖面為梯形時，沿第二表面至第一表面方向，所述凹槽的橫截面積依次減小?？蛇x的，所述基板材料為硅或玻璃?？蛇x的，當(dāng)所述基板材料為硅時，還包括在所述盲孔側(cè)壁形成鈍化層；在所述凹槽和基板第二表面與再分布電路之間形成絕緣層。本發(fā)明還提供一種轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)，包括基板，所述基板具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；位于基板第一表面一側(cè)的導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞包括位于基板第一表面一側(cè)的盲孔，填充滿所述盲孔的導(dǎo)電材料；位于基板第二表面一側(cè)的凹槽，所述凹槽完全暴露出導(dǎo)電插塞底部的導(dǎo)電材料；位于導(dǎo)電插塞表面的導(dǎo)電凸塊；位于凹槽表面和第二表面且與導(dǎo)電插塞電連接的再分布線路；覆蓋所述再分布線路的保護(hù)層；位于第二表面的保護(hù)層內(nèi)、所述再分布線路表面的凸點(diǎn)，且所述凸點(diǎn)位置與后續(xù)連接的PCB板對應(yīng)?？蛇x的，還包括填充滿所述凹槽的絕緣材料?？蛇x的，所述絕緣材料為與后續(xù)連接的PCB板熱膨脹系數(shù)匹配的材料?？蛇x的，所述絕緣材料為樹脂膠或光刻膠?？蛇x的，所述基板材料為硅或玻璃?？蛇x的，當(dāng)所述基板材料為硅時，還包括位于盲孔側(cè)壁的鈍化層；位于所述凹槽和基板第二表面與再分布電路之間的絕緣層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明實(shí)施例的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法不需要刻蝕較大寬長比的溝槽，也不需對基板進(jìn)行減薄，在降低工藝難度的同時還能保證形成的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)的質(zhì)量；并且，本發(fā)明實(shí)施例的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法在基板的一面形成再分布線路，降低整體的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)熱膨脹系數(shù)差異，此外，本發(fā)明實(shí)施例在凹槽內(nèi)填入與PCB板熱膨脹系數(shù)相差小的材料，在后續(xù)與PCB板連接后，降低了由于熱膨脹系數(shù)不匹配造成的應(yīng)力，提高產(chǎn)品的可靠性。本發(fā)明實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)導(dǎo)電插塞內(nèi)部沒有空洞，導(dǎo)電性能優(yōu)異；本發(fā)明實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)簡單，良率高；且本發(fā)明實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)再分布線路位于基板的一側(cè)，與后續(xù)的印刷電路板熱膨脹系數(shù)相差較小。進(jìn)一步的，所述凹槽內(nèi)填充滿絕緣材料，后續(xù)與PCB連接后，降低了由于熱膨脹系數(shù)不匹配造成的應(yīng)力，提高產(chǎn)品的可靠性。


圖1是現(xiàn)有的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明一實(shí)施例的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法過程示意圖；圖3至圖12為本發(fā)明的一實(shí)施例的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法的過程示意圖。
具體實(shí)施例方式參考圖1，本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過大量的實(shí)驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)具有如下缺陷1.現(xiàn)有的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)需要形成貫穿轉(zhuǎn)接襯底10的通孔，然后在通孔內(nèi)填入導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電插塞11，通常填入導(dǎo)電材料的工藝為物理氣相沉積，例如濺射工藝；由于轉(zhuǎn)接襯底10厚度為微米級，通孔的深寬比較大，在后續(xù)填入導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電插塞11工藝難度比較大，容易在導(dǎo)電插塞內(nèi)部形成空洞(Void)，導(dǎo)致導(dǎo)電插塞11導(dǎo)電性能下降；
2.為了克服在通孔內(nèi)填入導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電插塞11工藝難度大的技術(shù)問題，現(xiàn)有工藝在形成轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)時會對轉(zhuǎn)接襯底10進(jìn)行減薄，但是，由于轉(zhuǎn)接襯底10厚度為微米級，且轉(zhuǎn)接襯底10面積較大，減薄過程中容易使得轉(zhuǎn)接襯底10出現(xiàn)裂片，形成較大的良率損失，且轉(zhuǎn)接襯底10在減薄過程中可能會出現(xiàn)不同位置厚度不均，使得后續(xù)刻蝕貫穿轉(zhuǎn)接襯底10的通孔時刻蝕效果難以控制；
3.現(xiàn)有的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)需要在轉(zhuǎn)接襯底10的上下表面(第一表面和相對的第二表面)都形成再分布電路(第一再分布電路12和第二再分布電路1 ，工藝復(fù)雜，且容易使得整體的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)熱膨脹系數(shù)相差較大。
為此，本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過大量的實(shí)驗(yàn)，提出一種轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法，請參考圖2，包括
步驟S101，提供基板，所述基板具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；
步驟S102，沿所述第一表面對所述基板進(jìn)行刻蝕，形成多個盲孔，所述盲孔深度小于基板厚度，所述盲孔位置與待封裝芯片對應(yīng)；
步驟S103，在所述盲孔填充滿導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電插塞；
步驟S104，在導(dǎo)電插塞表面形成導(dǎo)電凸塊；
步驟S105，沿所述第二表面對所述基板進(jìn)行刻蝕，形成凹槽，所述凹槽完全暴露出導(dǎo)電插塞底部的導(dǎo)電材料；
步驟S106，在所述凹槽表面和第二表面形成對應(yīng)電連接所述導(dǎo)電插塞的再分布線路；
步驟S107，在所述再分布線路表面形成保護(hù)層；
步驟S108，在位于第二表面的保護(hù)層形成暴露所述再分布線路表面的開口 ；在所述開口暴露出的所述再分布線路表面形成與后續(xù)連接的PCB板對應(yīng)的凸點(diǎn)。
本發(fā)明通過在作為轉(zhuǎn)接襯底的基板的第一表面形成盲孔，所述盲孔不需要貫穿基板，然后在所述盲孔內(nèi)形成導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞深度小于基板厚度；第二表面形成凹槽，凹槽完全暴露出導(dǎo)電插塞；避免減薄基板的工藝，因?yàn)閷?dǎo)電插塞長寬比較小，填充所述盲孔的導(dǎo)電材料工藝難度低；此外，本發(fā)明的再分布線路形成在基板的一個表面，工藝簡便且在后續(xù)形成整體的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)熱膨脹系數(shù)相差較小。
本發(fā)明還提供一種轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)，包括
基板，所述基板具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；
位于基板第一表面一側(cè)的導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞包括位于基板第一表面一側(cè)的盲孔，填充滿所述盲孔的導(dǎo)電材料；
位于基板第二表面一側(cè)的凹槽，所述凹槽完全暴露出導(dǎo)電插塞底部的導(dǎo)電材料；
位于導(dǎo)電插塞表面的導(dǎo)電凸塊；
位于凹槽表面和第二表面且與導(dǎo)電插塞電連接的再分布線路；
覆蓋所述再分布線路的保護(hù)層；
位于第二表面的保護(hù)層內(nèi)、所述再分布線路表面的凸點(diǎn)，且所述凸點(diǎn)位置與后續(xù)連接的PCB板對應(yīng)。
本發(fā)明實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)導(dǎo)電插塞內(nèi)部沒有空洞，導(dǎo)電性能優(yōu)異，本發(fā)明實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)簡單，良率高，且本發(fā)明實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)再分布線路位于基板的一側(cè)，與后續(xù)的印刷電路板熱膨脹系數(shù)相差較小。
下面結(jié)合一具體實(shí)施例對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)說明，圖3至圖12為本發(fā)明的一實(shí)施例的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法的過程示意圖。
請參考圖3，提供基板100，所述基板100具有第一表面I和與第一表面I相對的第二表面II。
所述基板100可以為硅襯底或者為玻璃襯底，在本實(shí)施例中，以硅襯底為例作示范性說明。
所述基板100具有第一表面I和與第一表面I相對的第二表面II，比如為所述基板100的上表面和下表面。
請參考圖4，沿所述第一表面I進(jìn)行刻蝕，形成多個盲孔101，所述盲孔101深度小于基板100厚度，所述盲孔101位置與待封裝芯片對應(yīng)。
所述盲孔101的形成步驟包括在所述第一表面I形成光刻膠層(未圖示)；對所述光刻膠層采用掩膜板進(jìn)行曝光顯影，所述掩膜板的圖案為盲孔101的圖案，形成光刻膠圖形(未圖示)；以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕所述基板100形成盲孔101，需要說明的是，刻蝕時不需要貫穿所述基板100，所述盲孔101的深度小于基板100厚度；所述盲孔的深度本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)的產(chǎn)品選定，以后續(xù)填充工藝能夠較好填充所述盲孔101為準(zhǔn)，在這里特意說明，不應(yīng)過分限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
所述盲孔101的位置與待封裝芯片表面的凸點(diǎn)對應(yīng)，所述盲孔101后續(xù)步驟中填入導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞與待封裝芯片表面的凸點(diǎn)對應(yīng)粘合或者焊接，將待封裝芯片封裝。
在本實(shí)施例中，所述盲孔101不需要貫穿所述基板100，降低了工藝難度，另外，在本實(shí)施例中也不需要對所述基板100進(jìn)行過分的減薄，減少工藝步驟，需要說明的是，在其他實(shí)施例中，適當(dāng)?shù)臏p薄所述基板100也是允許的，但適當(dāng)?shù)臏p薄不應(yīng)該影響基板100不同位置厚度不均。
請參考圖5，在所述盲孔101填充滿導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電插塞102。
所述導(dǎo)電插塞102的形成工藝為物理氣相沉積。
在本實(shí)施例中，由于基板100的材料為硅，所述導(dǎo)電插塞102的形成步驟為采用化學(xué)氣相沉積在盲孔101的側(cè)壁形成鈍化層103，所述鈍化層103材料為氧化硅或氮化硅， 在沉積鈍化層103的過程中所述盲孔101的底部也會沉積氧化硅或氮化硅，需要額外的工藝去除，或者在后續(xù)刻蝕形成溝槽的工藝中再去除；采用物理氣相沉積，比如濺射，在所述盲孔101填充滿導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料可以為鋁、鎢、金、鉬等金屬，或采用電鍍工藝在所述盲孔101填充滿銅；形成導(dǎo)電插塞102。
需要說明的是，在其他實(shí)施例中，如果采用的基底材料為不導(dǎo)電材料，比如玻璃， 則無需在盲孔的側(cè)壁形成鈍化層，可以直接在盲孔填充滿導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電插塞。
請參考圖6，在導(dǎo)電插塞102表面形成導(dǎo)電凸塊104。
所述導(dǎo)電凸塊104凸出所述基板100的第一表面I，且所述導(dǎo)電凸塊104用于電連CN 102543782 A接待封裝芯片的焊球，避免焊球直接與導(dǎo)電插塞102電連接粘附效果差的缺點(diǎn)。
所述導(dǎo)電凸塊104的材料為金屬，比如為銅、鋁、金、鉬等，所述導(dǎo)電凸塊104的形成步驟包括提供金屬板(未圖示)，所述金屬板可以為銅板、鋁板、金板或鉬板；將所述金屬板與所述基板100的第一表面I鍵合；采用去除工藝去除部分金屬板，保留位于導(dǎo)電插塞 102表面的金屬板，形成導(dǎo)電凸塊104。
所述導(dǎo)電凸塊104也可以采用濺射形成金屬厚膜，然后對所述金屬厚膜進(jìn)行蝕刻形成；或直接在所述導(dǎo)電插塞102表面電鍍形成。
還需要說明的是，為了便于后續(xù)與待封裝芯片電連接，所述導(dǎo)電凸塊104表面還可以形成凸點(diǎn)或焊球，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際工藝需要選擇是否形成凸點(diǎn)或焊球，在這里特意說明，不應(yīng)過分限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
請參考圖7，沿所述第二表面II進(jìn)行刻蝕形成凹槽110，所述凹槽110完全暴露出導(dǎo)電插塞102底部的導(dǎo)電材料。
所述凹槽110用于與之前步驟形成的盲孔101 —起，為形成貫穿所述基板100導(dǎo)電線路提供通道。
所述凹槽110的形成步驟為在所述第二表面II形成光刻膠(未圖示)；采用掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形要能夠使得后續(xù)形成的凹槽110完全暴露出導(dǎo)電插塞102底部的導(dǎo)電材料；以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕所述基板100，直至完全暴露出導(dǎo)電插塞102底部的導(dǎo)電材料；需要說明的是，若之前形成鈍化層103的工藝步驟中沒有去除盲孔101底部的鈍化層，則可以在刻蝕形成凹槽110的步驟中一并去除，以節(jié)約工藝步驟。
需要說明的是，凹槽110的剖面形狀可以為矩形或者梯形，所述凹槽110的剖面為所述基板的第一表面垂直的面。
較優(yōu)地，凹槽110的剖面形狀為梯形，具體為沿第二表面至第一表面方向，所述凹槽110的橫截面積依次減小。凹槽110的剖面形狀為梯形能夠降低后續(xù)形成再分布線路 111的工藝難度，具體體現(xiàn)在沉積形成再分布線路111的金屬層工藝難度低及刻蝕金屬層形成再分布線路111的工藝難度低。
請一并參考參考圖8和圖9，在所述凹槽110表面和第二表面II形成對應(yīng)電連接所述導(dǎo)電插塞102的再分布線路111。
圖8為在所述凹槽110表面和第二表面II形成對應(yīng)電連接所述導(dǎo)電插塞102的再分布線路111的剖面示意圖，圖9為在所述凹槽110表面和第二表面II形成對應(yīng)電連接所述導(dǎo)電插塞102的再分布線路111的俯視圖，需要說明的是圖9還示出了后續(xù)步驟形成的凸點(diǎn)。
所述再分布線路111用于與對應(yīng)的所述導(dǎo)電插塞102電連接，并延伸至接觸面較大的第二表面II，使得后續(xù)與PCB焊接時，焊接難度低。
在本實(shí)施例中，以基板100的材料為硅做示范性說明，所述再分布線路111的形成步驟包括
參考圖8，在所述凹槽110表面和第二表面II形成絕緣層120，所述絕緣層120用于電學(xué)隔離后續(xù)形成的再分布線路111和基板100，需要說明的是，在其他實(shí)施例中，如果基板100采用的材料為絕緣材料，比如玻璃，則不需要額外形成絕緣層120 ；
對所述絕緣層120進(jìn)行部分刻蝕，形成暴露出所述導(dǎo)電插塞102底部的開口(未標(biāo)識)；所述開口的形成工藝可以采用光刻或者激光穿孔。
在所述絕緣層120表面形成金屬層，所述金屬層填充滿所述開口，所述金屬層的形成工藝為物理氣相沉積，比如濺鍍。
然后在所述金屬層表面形成光刻膠，對所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形與再分布線路111對應(yīng)。
以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕所述金屬層直至暴露出所述絕緣層120，形成所述再分布線路111。
圖9為一實(shí)施例的再分布線路111的俯視圖，需要說明的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際的需要和后續(xù)待連接的PCB板選擇合理的所述再分布線路111分布，在這里特意指出，不應(yīng)過分限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
請參考圖10，在所述再分布線路111表面形成保護(hù)層130。
所述保護(hù)層130用于避免所述再分布線路111暴露導(dǎo)致?lián)p傷以及避免所述再分布線路111氧化。
所述保護(hù)層130的形成工藝為沉積工藝或旋涂工藝。
所述保護(hù)層130的材料為樹脂膠、氧化硅或氮化硅，較佳地選用樹脂膠采用旋涂工藝，形成所述保護(hù)層130。
請參考圖11，在位于第二表面II的保護(hù)層130形成暴露所述再分布線路111表面的開口 ；在所述開口暴露出的所述再分布線路111表面形成與后續(xù)連接的PCB板對應(yīng)的凸點(diǎn) 140。
所述開口用于在后續(xù)工藝中填充金屬形成凸點(diǎn)140，在圖11中只給出填充凸點(diǎn) 140的示意圖，故所述開口未標(biāo)識。
所述開口的工藝為光刻工藝，在這里不再贅述。
在形成開口后，在所述開口暴露出的所述再分布線路111表面形成與后續(xù)連接的 PCB板對應(yīng)的凸點(diǎn)140，所述凸點(diǎn)140與PCB板的焊點(diǎn)位置對應(yīng)。
請參考圖12，在所述凹槽110內(nèi)填充絕緣材料150。
所述絕緣材料150與直至與第二表面齊平或者仍然形成有一凹槽。
在本實(shí)施例中，以所述絕緣材料150與直至與第二表面齊平為例作示范性說明。
所述絕緣材料150與PCB板熱膨脹系數(shù)相差小的材料，比如為樹脂膠或光刻膠。
在所述凹槽110內(nèi)填充絕緣材料150能夠降低本實(shí)施例的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)與PCB板的熱膨脹系數(shù)，在后續(xù)與PCB板連接后，降低了由于熱膨脹系數(shù)不匹配造成的應(yīng)力，提高產(chǎn)品的可靠性。
需要說明的是，所述絕緣材料150與直至與第二表面齊平，在后續(xù)與PCB板連接后熱膨脹系數(shù)不匹配效果佳，若所述絕緣材料150填充凹槽后依然形成有凹槽，且所述凹槽位置與待封裝芯片對應(yīng)，在后續(xù)形成多層堆疊封裝結(jié)構(gòu)時，所述待封裝芯片可以卡在凹槽中，減小封裝結(jié)構(gòu)的體積。
本發(fā)明實(shí)施例的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法不需要刻蝕較大寬長比的溝槽，也不需對基板100進(jìn)行減薄，在降低工藝難度的同時還能保證形成的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)的質(zhì)量，并且，本發(fā)明實(shí)施例的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法在基板100的一面形成再分布線路111，降低整體的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)熱膨脹系數(shù)差異，此外，本發(fā)明實(shí)施例在凹槽110內(nèi)填入與PCB板熱膨脹系數(shù)相差小的材料，在后續(xù)與PCB板連接后，降低了由于熱膨脹系數(shù)不匹配造成的應(yīng)力，提高產(chǎn)品的可靠性。
依照上述的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法形成的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)，請參考圖12，包括
基板100，所述基板100具有第一表面I和與第一表面I相對的第二表面II (圖 12中沒有顯示出II)；
位于基板100第一表面I 一側(cè)的導(dǎo)電插塞102，所述導(dǎo)電插塞102包括位于基板第一表面一側(cè)的盲孔(未在圖12中標(biāo)識)，位于盲孔側(cè)壁的鈍化層103，填充滿所述盲孔的導(dǎo)電材料；
位于基板100第二表面II 一側(cè)的凹槽(未在圖12中標(biāo)識)，所述凹槽完全暴露出導(dǎo)電插塞102底部的導(dǎo)電材料；
位于導(dǎo)電插塞102表面的導(dǎo)電凸塊104 ；
位于所述凹槽表面和第二表面II的絕緣層120 ；
位于所述絕緣層120表面且與導(dǎo)電插塞102電連接的再分布線路111 ；
覆蓋所述再分布線路111的保護(hù)層130 ；
位于第二表面II的保護(hù)層130內(nèi)、所述再分布線路111表面的凸點(diǎn)140，且所述凸點(diǎn)140位置與后續(xù)連接的PCB板對應(yīng)；
填充滿所述凹槽的絕緣材料150。
本發(fā)明實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)導(dǎo)電插塞內(nèi)部沒有空洞，導(dǎo)電性能優(yōu)異，本發(fā)明實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)簡單，良率高，且本發(fā)明實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)再分布線路位于基板的一側(cè)，與后續(xù)的印刷電路板熱膨脹系數(shù)相差較小。
進(jìn)一步的，所述凹槽內(nèi)填充滿絕緣材料，后續(xù)與PCB連接后，降低了由于熱膨脹系數(shù)不匹配造成的應(yīng)力，提高產(chǎn)品的可靠性。
本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，包括提供基板，所述基板具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；沿所述第一表面對所述基板進(jìn)行刻蝕，形成多個盲孔，所述盲孔深度小于基板厚度，所述盲孔位置與待封裝芯片對應(yīng)；在所述盲孔填充滿導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電插塞；沿所述第二表面對所述基板進(jìn)行刻蝕，形成凹槽，所述凹槽完全暴露出導(dǎo)電插塞底部的導(dǎo)電材料；在所述凹槽表面和第二表面形成對應(yīng)電連接所述導(dǎo)電插塞的再分布線路。
2.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，還包括在導(dǎo)電插塞表面形成導(dǎo)電凸塊；在所述再分布線路表面形成保護(hù)層；在位于第二表面的保護(hù)層內(nèi)形成暴露所述再分布線路表面的開口 ；在所述開口暴露出的所述再分布線路表面形成與后續(xù)連接的 PCB板對應(yīng)的凸點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，還包括在所述凹槽內(nèi)填充滿絕緣材料。
4.如權(quán)利要求3所述的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述絕緣材料為與后續(xù)連接的PCB板熱膨脹系數(shù)匹配的材料。
5.如權(quán)利要求4所述的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述絕緣材料為樹脂膠或光刻膠。
6.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述凹槽剖面為矩形或者梯形。
7.如權(quán)利要求6所述的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，當(dāng)所述凹槽的剖面為梯形時，沿第二表面至第一表面方向，所述凹槽的橫截面積依次減小。
8.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述基板材料為硅或玻璃。
9.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，當(dāng)所述基板材料為硅時， 還包括在所述盲孔側(cè)壁形成鈍化層；在所述凹槽和基板第二表面與再分布電路之間形成絕緣層。
10.一種轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)，包括基板，所述基板具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；其特征在于，還包括位于基板第一表面一側(cè)的導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞包括位于基板第一表面一側(cè)的盲孔，填充滿所述盲孔的導(dǎo)電材料；位于基板第二表面一側(cè)的凹槽，所述凹槽完全暴露出導(dǎo)電插塞底部的導(dǎo)電材料；位于導(dǎo)電插塞表面的導(dǎo)電凸塊；位于凹槽表面和第二表面且與導(dǎo)電插塞電連接的再分布線路；覆蓋所述再分布線路的保護(hù)層；位于第二表面的保護(hù)層內(nèi)、所述再分布線路表面的凸點(diǎn)，且所述凸點(diǎn)位置與后續(xù)連接的PCB板對應(yīng)。
11.如權(quán)利要求10所述的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括填充滿所述凹槽的絕緣材料。
12.如權(quán)利要求11所述的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)，所述絕緣材料為與后續(xù)連接的PCB板熱膨脹系數(shù)匹配的材料。
13.如權(quán)利要求12所述的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣材料為樹脂膠或光刻膠。
14.如權(quán)利要求10所述的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板材料為硅或玻璃。
15.如權(quán)利要求11所述的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)所述基板材料為硅時，還包括位于盲孔側(cè)壁的鈍化層；位于所述凹槽和基板第二表面與再分布電路之間的絕緣層。
全文摘要
一種轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)包括基板，所述基板具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；位于基板第一表面一側(cè)的導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞包括位于基板第一表面一側(cè)的盲孔，填充滿所述盲孔的導(dǎo)電材料；位于基板第二表面一側(cè)的凹槽，所述凹槽完全暴露出導(dǎo)電插塞底部的導(dǎo)電材料；位于導(dǎo)電插塞表面的導(dǎo)電凸塊；位于凹槽表面和第二表面且與導(dǎo)電插塞電連接的再分布線路；覆蓋所述再分布線路的保護(hù)層；位于第二表面的保護(hù)層內(nèi)、所述再分布線路表面的凸點(diǎn)，且所述凸點(diǎn)位置與后續(xù)連接的PCB板對應(yīng)。本發(fā)明實(shí)施例的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)封裝效果佳，本發(fā)明實(shí)施的轉(zhuǎn)接封裝結(jié)構(gòu)形成方法工藝簡單。
文檔編號H01L23/14GK102543782SQ201210041019
公開日2012年7月4日 申請日期2012年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月22日
發(fā)明者俞國慶, 喻瓊, 王之奇, 王文斌, 王蔚 申請人:蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司