專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。更具體地，本發(fā)明涉及具有新穎結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)設(shè)備可以利用從陽(yáng)極提供的空穴和從陰極提供的電子在其有機(jī)層中結(jié)合所產(chǎn)生的光來顯示諸如圖像、字母和/或符號(hào)之類的期望信息。OLED設(shè)備可以具有若干優(yōu)點(diǎn)，例如視角廣、響應(yīng)時(shí)間短、厚度薄及功耗低，因此OLED設(shè)備被廣泛用于各種電力和電子設(shè)備中。近來，OLED設(shè)備已快速發(fā)展為最有前途的顯示設(shè)備之一。為了形成OLED設(shè)備的有機(jī)發(fā)射層，采用了利用噴墨、旋涂或噴涂的印刷工藝、在沉積各層之后的圖案化工藝以及利用熱或激光的轉(zhuǎn)印工藝。然而，通過上述工藝，可能不能以高分辨率和/或?qū)Ρ榷仍贠LED設(shè)備的像素區(qū)域中均勻地形成有機(jī)發(fā)射層。尤其是隨著OLED設(shè)備的尺寸增大，無法以高分辨率在預(yù)定區(qū)域中精確地圖案化有機(jī)發(fā)射層
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種包括中間層的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該中間層可以被劃分為相對(duì)于彼此具有不同的特性的圖案。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。所述OLED設(shè)備包括多個(gè)第一電極、像素限定層、第一中間層、含氟層、發(fā)射層和第二電極。所述第一電極在基板上彼此隔開。所述像素限定層布置在所述基板上。所述像素限定層部分地暴露所述第一電極。所述第一中間層布置在所述基板、所述像素限定層和所暴露的第一電極上。所述含氟層形成在所述第一中間層的與所述像素限定層的上表面重疊的部分上。所述含氟層包括從所述像素限定層或所述第一中間層擴(kuò)散的氟。所述發(fā)射層至少部分地布置在所述第一中間層的上面不包括所述含氟層的部分上。所述第二電極布置在所述發(fā)射層上。在示例性實(shí)施例中，所述第一中間層可以包括與所暴露的第一電極重疊的第一圖案和與所述像素限定層重疊的第二圖案。所述第二圖案可以具有比所述第一圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率或比所述第一圖案的電阻高的電阻。所述第二圖案可以具有比所述第一圖案的上表面高的上表面。所述含氟層可以形成在所述第二圖案上。在示例性實(shí)施例中，所述第一中間層可以進(jìn)一步包括與所述基板的位于彼此隔開的相鄰第一電極之間的部分重疊的第三圖案。所述第三圖案可以具有比所述第一圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率或比所述第一圖案的電阻高的電阻。所述含氟層可以包括位于所述第二圖案上的第一含氟層和位于所述第三圖案上的第二含氟層。所述第三圖案可以具有比所述第一圖案的上表面高的上表面。在示例性實(shí)施例中，所述OLED設(shè)備可以進(jìn)一步包括引線和第三電極。所述引線可以布置在所述基板上，從而與所述第一電極隔開。所述第三電極可以在所述第二電極和所述基板上延伸。所述第三電極可以電連接至所述引線。所述第三電極可以通過一絕緣層圖案與所述第一電極隔開，所述絕緣層圖案包括所述像素限定層和所述第一中間層。在示例性實(shí)施例中，所述絕緣層圖案和所述第二電極可以共享公共的刻蝕表面。根據(jù)示例性實(shí)施例，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。所述OLED設(shè)備包括第一電極、第一中間層、發(fā)射層和第二電極。提供多個(gè)第一電極，并且所述第一電極在所述基板上彼此隔開。覆蓋所述第一電極的第一中間層布置在所述基板上。所述發(fā)射層布置在所述第一中間層上。所述發(fā)射層與所述第一電極重疊。所述第二電極布置在所述發(fā)射層上。所述第一中間層包括與所述第一電極重疊的第一圖案、限制所述發(fā)射層的橫向部分的第二圖案以及與所述基板的位于彼此隔開的相鄰第一電極之間的部分重疊的第三圖案。所述第三圖案具有比所述第一圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率或比所述第一圖案的電阻高的電阻。在示例性實(shí)施例中，所述發(fā)射層可以在所述多個(gè)第一電極上方連續(xù)延伸?？商娲兀霭l(fā)射層可以由所述第二圖案和所述第三圖案限制，從而具有島形。在示例性實(shí)施例中，所述第三圖案可以具有比所述第一圖案的親墨性低的親墨性。在示例性實(shí)施例中，含氟層可以布置在所述第三圖案上。所述含氟層可以包括從所述第一中間層擴(kuò)散的氟。在示例性實(shí)施例中，所述第三圖案可以具有比所述第一圖案的上表面高的上表面。

在示例性實(shí)施例中，所述第二圖案可以具有比所述第一圖案的親墨性低的親墨性。在示例性實(shí)施例中，含氟層可以布置在所述第二圖案上。所述含氟層可以包括從所述第一中間層擴(kuò)散的氟。在示例性實(shí)施例中，所述第二圖案可以具有比所述第一圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率或比所述第一圖案的電阻高的電阻。在示例性實(shí)施例中，所述OLED設(shè)備可以進(jìn)一步包括引線和第三電極。所述引線可以布置在所述基板上，從而與所述第一電極隔開。所述第三電極可以在所述第二電極和所述基板上延伸。所述第三電極可以電連接至所述引線。所述第三電極通過一絕緣層圖案與所述第一電極隔開，所述絕緣層圖案包括所述第一中間層。在示例性實(shí)施例中，所述絕緣層圖案和所述第二電極可以共享公共的刻蝕表面。根據(jù)示例性實(shí)施例，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。所述OLED設(shè)備包括第一電極、第一中間層、發(fā)射層和第二電極。提供多個(gè)第一電極，并且所述第一電極在所述基板上彼此隔開。覆蓋所述第一電極的第一中間層布置在所述基板上。所述發(fā)射層布置在所述第一中間層上。所述發(fā)射層與所述第一電極重疊。所述第二電極布置在所述發(fā)射層上。所述第一中間層包括與所述第一電極重疊的第一圖案、限制所述發(fā)射層的橫向部分的第二圖案以及與所述基板的位于彼此隔開的相鄰第一電極之間的部分重疊的第三圖案。所述第三圖案可以具有比所述第一圖案的親墨性低的親墨性。
在示例性實(shí)施例中，含氟層可以布置在所述第三圖案上。所述含氟層可以包括從所述第一中間層擴(kuò)散的氟。在示例性實(shí)施例中，所述第三圖案可以具有比所述第一圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率或比所述第一圖案的電阻高的電阻。所述第三圖案可以具有比所述第一圖案的上表面高的上表面。在示例性實(shí)施例中，所述第二圖案可以具有比所述第一圖案的親墨性低的親墨性。在示例性實(shí)施例中，含氟層可以布置在所述第二圖案上。所述含氟層可以包括從所述第一中間層擴(kuò)散的氟。在示例性實(shí)施例中，所述第二圖案可以具有比所述第一圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率或比所述第一圖案的電阻高的電阻。在示例性實(shí)施例中，所述發(fā)射層可以在所述多個(gè)第一電極上方連續(xù)延伸?？商娲兀霭l(fā)射層可以由所述第二圖案和所述第三圖案限制，從而具有島形。在示例性實(shí)施例中，所述OLED設(shè)備可以進(jìn)一步包括引線和第三電極。所述引線可以布置在所述基板上，從而與所述第一電極隔開。所述第三電極可以在所述第二電極和所述基板上延伸。所述第三電極可以電連接至所述引線。所述第三電極通過一絕緣層圖案與所述第一電極隔開，所述絕緣層圖案包括所述第一中間層。在示例性實(shí)施例中，所述絕緣層圖案和所述第二電極可以共享公共的刻蝕表面。根據(jù)示例性實(shí)施例，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。所述OLED設(shè)備包括第一電極、第一中間層、發(fā)射層和第二電極。提供多個(gè)第一電極，并且所述第一電極在所述基板上彼此隔開。覆蓋所述第一電極的第一中間層布置在所述基板上。所述發(fā)射層布置在所述第一中間層上。所述發(fā)射層與所 述第一電極重疊。所述第二電極布置在所述發(fā)射層上。所述第一中間層包括與所述第一電極重疊的第一圖案、限制所述發(fā)射層的橫向部分的第二圖案以及與所述基板的位于彼此隔開的相鄰第一電極之間的部分重疊的第三圖案。所述第三圖案可以具有比所述第二圖案的電導(dǎo)率高的電導(dǎo)率或比所述第二圖案的電阻低的電阻。在示例性實(shí)施例中，含氟層可以布置在所述第二圖案上。所述含氟層可以包括從所述第一中間層擴(kuò)散的氟。在示例性實(shí)施例中，所述第二圖案可以具有比所述第三圖案的上表面高的上表面。在示例性實(shí)施例中，所述OLED設(shè)備可以進(jìn)一步包括引線和第三電極。所述引線可以布置在所述基板上，從而與所述第一電極隔開。所述第三電極可以在所述第二電極和所述基板上延伸。所述第三電極可以電連接至所述引線。所述第三電極通過一絕緣層圖案與所述第一電極隔開，所述絕緣層圖案包括所述第一中間層。在示例性實(shí)施例中，所述絕緣層圖案和所述第二電極可以共享公共的刻蝕表面。根據(jù)不例性實(shí)施例,提供一種有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備。所述OLED設(shè)備包括第一電極、第一中間層、發(fā)射層和第二電極。提供多個(gè)第一電極，并且所述第一電極在所述基板上彼此隔開。覆蓋所述第一電極的第一中間層布置在所述基板上。所述發(fā)射層布置在所述第一中間層上。所述發(fā)射層與所述第一電極重疊。所述第二電極布置在所述發(fā)射層上。所述第一中間層包括與所述第一電極重疊的第一圖案、限制所述發(fā)射層的橫向部分的第二圖案以及與所述基板的位于彼此隔開的相鄰第一電極之間的部分重疊的第三圖案。所述第三圖案可以具有比所述第二圖案的親墨性高的親墨性。在示例性實(shí)施例中，含氟層可以布置在所述第二圖案上。所述含氟層可以包括從所述第一中間層擴(kuò)散的氟。在示例性實(shí)施例中，所述第二圖案可以具有比所述第三圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率或比所述第三圖案的電阻高的電阻。所述第二圖案可以具有比所述第三圖案的上表面高的上表面。在示例性實(shí)施例中，所述OLED設(shè)備可以進(jìn)一步包括引線和第三電極。所述引線可以布置在所述基板上，從而與所述第一電極隔開。所述第三電極可以在所述第二電極和所述基板上延伸。所述第三電極可以電連接至所述引線。所述第三電極通過一絕緣層圖案與所述第一電極隔開，所述絕緣層圖案包括所述第一中間層。在示例性實(shí)施例中，所述絕緣層圖案和所述第二電極可以共享公共的刻蝕表面。根據(jù)示例性實(shí)施例，所述OLED設(shè)備可以包括具有相對(duì)較低的親墨性的含氟層。所述含氟層可以形成在所述第一中間層的與所述OLED設(shè)備的像素限定層重疊的部分上。所述第一中間層可以包括第一圖案、第二圖案和/或第三圖案，其中的每一圖案可以具有彼此不同的化學(xué)特性(例如親水性、疏水性、表面能等)和/或電學(xué)特性(例如，電導(dǎo)率、電阻等)。像素區(qū)域可以由所述含氟層、所述第一圖案、所述第二圖案和/或所述第三圖案限制或限定，因而所述發(fā)射層可以選擇性地形成在所述像素區(qū)域中。因此，可以獲得傳統(tǒng)的印刷工藝不容易制造的具有高分辨率的OLED設(shè)備。


由于通過參考 以下結(jié)合附圖考慮時(shí)的詳細(xì)描述，本發(fā)明變得更好理解，因此本發(fā)明的更完整理解以及伴隨本發(fā)明的諸多優(yōu)點(diǎn)會(huì)變得更容易明顯，在附圖中相同的附圖標(biāo)記指代相同或相似的部件，附圖中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的截面圖；圖2至圖4是示出圖1的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的透視圖和截面圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明某些示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的截面圖；圖6至圖14是示出圖5的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的透視圖和截面圖；圖15是示出根據(jù)本發(fā)明某些示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的截面圖；圖16至圖26是示出圖15的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的透視圖和截面圖；圖27至圖33是示出制造根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的截面圖；圖34至圖36是示出制造根據(jù)本發(fā)明某些示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的截面圖；并且圖37至圖39是示出制造根據(jù)本發(fā)明某些示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的截面圖。
具體實(shí)施例方式以下參考附圖更充分地描述本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例，附圖中示出某些示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式具體體現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被理解為限于這里所給出的示例性實(shí)施例。相反，提供這些示例性實(shí)施例的目的在于使本說明書全面完整，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清晰起見，可能放大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)提及一元件或?qū)游挥诹硪辉驅(qū)印吧稀?、“連接至”或“聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯游挥诹硪辉驅(qū)由匣蛘咧苯舆B接或聯(lián)接至其它元件或?qū)?，也可以存在中間元件或?qū)?。相反，?dāng)提及一元件“直接”位于另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ爸苯舆B接至”或“直接聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或?qū)?。相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。這里所使用的詞語(yǔ)“和/或”包括所列出的相關(guān)聯(lián)項(xiàng)目中的一個(gè)或多個(gè)的任意和所有組合?？梢岳斫猓M管這里可以使用詞語(yǔ)第一、第二、第三等來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)受限于這些詞語(yǔ)。這些詞語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開來。因此，以下所討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被命名為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不超出本發(fā)明的教導(dǎo)。為了易于描述，這里可以使用空間上相對(duì)的詞語(yǔ)，例如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、和“上”等，以描述如圖中所示的一個(gè)元件或特征與另一元件或特征(或其它元件或特征)的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，空間上相對(duì)的詞語(yǔ)旨在除圖中描繪的取向之外還包含處于使用中或操作中的設(shè)備的不同取向。例如，如果圖中的設(shè)備翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件就會(huì)被定向?yàn)槲挥谄渌蛱卣鳌吧戏健薄Ｒ虼?，示例性詞語(yǔ)“下方”可以包含上方和下方的取向。設(shè)備可以以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或以其它取向)，并且可以對(duì)這里使用的空間上相對(duì)的描述語(yǔ)言進(jìn)行相應(yīng)的解釋。這里所使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述特定的示例性實(shí)施例，并不旨在限定本發(fā)明。這里所使用的單數(shù)形式同樣旨在包括多個(gè)的形式，除非上下文清楚地進(jìn)行了其它方式的指示。進(jìn)一步應(yīng)當(dāng)理解，詞 語(yǔ)“包括”在本說明書中使用時(shí)指明出現(xiàn)了所述特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組，但不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組的出現(xiàn)或附加。這里參考截面圖示描述示例性實(shí)施例,截面圖示是理想的示例性實(shí)施例(及中間結(jié)構(gòu))的示意性圖示。因此，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或容差而導(dǎo)致的圖示形狀的改變。所以，示例性實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于這里所圖示的區(qū)域的特定形狀，而是包括由于例如制造而導(dǎo)致的形狀的偏差。例如，被示為矩形的注入?yún)^(qū)域通常具有圓形或曲線特征，和/或在其它邊緣處具有注入濃度梯度，而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的非此即彼的改變。同樣，通過注入形成的掩埋區(qū)域會(huì)在掩埋區(qū)域與發(fā)生注入所通過的表面之間的區(qū)域中導(dǎo)致一些注入。因此，圖中所示的區(qū)域本質(zhì)上是示意性地，并且它們的形狀并不旨在示出設(shè)備的區(qū)域的實(shí)際形狀，也不旨在限定本發(fā)明的范圍。除非有其它限定，這里所使用的詞語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常的理解相同的含義。進(jìn)一步應(yīng)當(dāng)理解，諸如那些在常用詞典中所限定的詞語(yǔ)應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域的背景中相一致的含義，而不應(yīng)以理想化的或完全形式的意義來解釋，除非這里明確進(jìn)行了這種限定。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的截面圖。參見圖1，有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)設(shè)備可以包括基板100、第一電極110、像素限定層(TOL) 120、第一中間層130、含氟層140、發(fā)射層(EML) 150、第二中間層160、第二電極170
坐寸ο基板100可以包括下基板(未示出)和布置在下基板上的下結(jié)構(gòu)(未示出)。下結(jié)構(gòu)可以包括開關(guān)器件、絕緣層等。下結(jié)構(gòu)還可以包括透明基板，例如玻璃基板、石英基板、透明塑料基板等。例如，透明塑料基板可以包括聚酰亞胺、丙烯基樹脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯、聚丙烯酸脂、聚醚等。開關(guān)器件可以包括薄膜晶體管(TFT)或氧化物半導(dǎo)體器件。第一電極110可以布置在具有下結(jié)構(gòu)的基板100上。在示例性實(shí)施例中，彼此隔開的多個(gè)第一電極110可以整齊地以第一方向布置在基板100上。此外,彼此隔開的多個(gè)第一電極110可以以基本垂直于第一方向的第二方向布置。根據(jù)OLED設(shè)備的類型，例如頂部發(fā)射型或背部發(fā)射型，第一電極110可以用作透明電極或反射電極。在第一電極110用作透明電極的情況下，第一電極110可以包括具有相對(duì)較高功函數(shù)的透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(ITO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化銦(InOx)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化錫(SnOx)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鎵銦鋅(GIZO)、摻鋁氧化鋅(AZO)等。這些材料可以單獨(dú)使用也可以結(jié)合使用。在第一電極110用作反射電極的情況下，第一電極110可以包括諸如銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)等的金屬或這些金屬的合金。在一個(gè)示例性實(shí)施例中 ，第一電極110可以具有包括第一層和第二層的多層堆疊結(jié)構(gòu)。第一層可以包括例如上述金屬或合金，并且第二層可以包括例如上述透明導(dǎo)電材料。在這種情況下，第一電極110可以用作半透明電極。在示例性實(shí)施例中，第一電極110可以用作向第一中間層130中提供空穴的陽(yáng)極。PDL 120可以布置在基板100和第一電極110上。PDL 120可以部分暴露第一電極110，以限定OLED設(shè)備的像素區(qū)域。在示例性實(shí)施例中，PDL 120可以包括包含碳-碳鏈的聚合物。I3DL 120可以用作絕緣體。因此，在OLED設(shè)備是背部發(fā)射型時(shí)，PDL 120可以充
當(dāng)黑色矩陣。第一中間層130可以布置在基板100、H)L 120和暴露的第一電極110上。在示例性實(shí)施例中，第一中間層130可以包括空穴傳輸層(HTL)。HTL可以包括空穴傳輸材料，例如4，4’ -雙聯(lián)苯(NPB)、N，N'-聯(lián)苯-N，N’ -雙(3-甲基苯基)-1，I’ - 二苯基-4，4-二胺(TPD)、N，N' -二-1-萘基-N，N’ -聯(lián)苯-1，I’ - 二苯基-4，4’ -二胺(NPD)、N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑或這些材料的混合物。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一中間層130可以包括位于HTL下面的空穴注入層(HIL)(未示出)。HIL可以促使空穴從第一電極110注入到HTL。例如，HIL可以包括銅鈦菁(CuPc)、聚-3，4-乙撐-二氧噻吩(PEDOT)、聚苯胺(PANI)或這些材料的混合物。含氟層140可以基本上與I3DL 120的上表面重疊地形成在第一中間層130的上表面上。在下文中，第一中間層130的其上形成含氟層140的上表面可以稱作第二表面，而第一中間層130的其上沒有形成含氟層140的剩余表面可以稱作第一表面。第一表面可以基本上與暴露的第一電極110重疊。如圖1所示，含氟層140可以基本上與TOL 120的上表面重疊。在示例性實(shí)施例中，含氟層140還可以與TOL 120的側(cè)壁部分地重疊。在示例性實(shí)施例中，包括含氟層140的第二表面可以是疏水的。此外，第二表面可以具有明顯比第一表面的表面能和/或親墨性低的表面能和/或親墨性。含氟層140可以包括氟原子、氟離子或含氟離子，其可從I3DL 120擴(kuò)散并可被固定在第一中間層130的第二表面處?？梢詤⒖际境鲋圃焓纠詫?shí)施例的OLED設(shè)備的方法的圖27至圖33，詳細(xì)描述形成含氟層140的工藝。EML 150可以布置在第一中間層130的第一表面上。EML 150可以包括用于產(chǎn)生不同顏色的光，例如，紅色光、綠色光或藍(lán)色光的發(fā)光材料中的至少一種。EML 150可以包括用于產(chǎn)生白色光的發(fā)光材料的混合物或組合。EML 150可以進(jìn)一步包括具有相對(duì)大的帶隙的熒光宿主材料或磷光宿主材料。在示例性實(shí)施例中，EML 150可以選擇性地布置在沒有形成含氟層140的第一表面上。因此，可以防止EML 150的發(fā)光材料沉積在或擴(kuò)散到與TOL120基本重疊的非像素區(qū)域上，并且防止弄臟或弄污非像素區(qū)域。因而，OLED設(shè)備可以具有改善的亮度特性，包括例如分辨率、對(duì)比度等。第二中間層160可以形成在第一中間層130上，從而覆蓋含氟層140和EML 150。在示例性實(shí)施例中，第二中間層160可以包括電子傳輸層(ETL)。ETL可以包括例如三(8-羥基喹啉)鋁(III) (Alq3)、2-(4-聯(lián)苯基)-5-4-叔丁基苯基-1，3，4-哦二唑(PDB)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4_羥基-鋁(BAlq)、浴銅靈(BCP)等。這些材料可以單獨(dú)使用也可以混合使用。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第二中間層160可以進(jìn)一步包括布置在ETL上的電子注入層(EIL)(未示出)。EIL可以包括堿金屬、堿土金屬、這些金屬的氟化物、這些金屬的氧化物等。這些材料可以單獨(dú)使用也可以混合使用。第二電極170可以布置在第二中間層160上。在第二電極170用作透明電極的情況下，第二電極170可以包 括透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫、氧化鋅錫、氧化銦、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵鋅、氧化鎵銦鋅、摻鋁氧化鋅等。在第二電極170用作反射電極的情況下，第二電極170可以包括諸如銀、鋁、鉬、金、鉻、鎢、鑰、鈦、鈀等的金屬或這些金屬的合金。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第二電極170可以具有包括第一層和第二層的多層堆疊結(jié)構(gòu)。第一層可以包括例如上述金屬或合金，并且第二層可以包括例如上述透明導(dǎo)電材料。第二電極170可以用作向第二中間層160中提供電子的陰極。在某些示例性實(shí)施例中，第三電極(未示出)可以進(jìn)一步布置在第二電極170和基板100上。第三電極可以電連接至引線(未示出)，引線可以形成在基板100的外圍部分從而與第一電極110隔開。第三電極的結(jié)構(gòu)和形成第三電極的方法將參考圖31至圖33詳細(xì)描述。保護(hù)層(未示出)和上基板(未示出)可以順序布置在第二電極170上。保護(hù)層可以包括透明導(dǎo)電材料，而上基板可以包括透明絕緣基板。圖2至圖4是示出圖1的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的透視圖和截面圖。具體來說，圖2和圖4是示出圖1的根據(jù)示例性實(shí)施例的OLED設(shè)備的透視圖。圖3是沿圖2的線II1-1II截取的截面圖。在圖2和圖4中，為了方便解釋沒有示出圖1的第二中間層160和第二電極170。如圖2至圖4所示，第一中間層130可以包括順序形成在基板100、TOL 120和第一電極 110 上的 HIL 130a 和 HTL 130b。參見圖2和圖3，PDL 120可以具有大體為“H”的形狀。例如，PDL 120可以包括第一線圖案120a(參見圖2)和第二線圖案120b (參見圖3)。在示例性實(shí)施例中，多個(gè)第一線圖案120a可以在第二方向上延伸，并且多個(gè)第二線圖案120b可以在第一方向上延伸。第一線圖案120a和第二線圖案120b可以彼此相交，從而限定具有格子或格柵結(jié)構(gòu)的像素區(qū)域。含氟層140可以包括第一含氟層140a (圖2)和第二含氟層140b (圖3)。第一含氟層140a可以與第一線圖案120a的上表面基本重疊，并且第二含氟層140b可以與第二線圖案120b的上表面基本重疊。第一含氟層140a和第二含氟層140b也可以以與第一線圖案120a和第二線圖案120b彼此相交的方式基本相同或相似的方式彼此相交。如圖3所示，PDL 120的第二線圖案120b可以布置于在第二方向上彼此隔開的相鄰的第一電極Iio之間。第二含氟層140b可以基本上與第二線圖案120b的上表面重疊地形成在第一中間層130的上表面上。因此，EML 150可以在第二方向上由第二含氟層140b分開。類似地，EML 150可以在第一方向上由第一含氟層140a分開。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，含氟層140可以僅布置在第一線圖案120a上。例如，可以僅形成第一含氟層140a。參見圖4，roL 120可以具有在第二方向上延伸的線性形狀。例如，H)L120可以僅包括圖2所示的第一線圖案120a。含氟層140可以基本上與TOL120的上表面重疊地形成在第一中間層130的上表面上。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明某些示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的截面圖。除第一中間層的結(jié)構(gòu)之外，圖5的OLED設(shè)備可以具有與圖1的OLED設(shè)備基本相同或相似的結(jié)構(gòu)。因此，相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件，并且這里省略其詳細(xì)描述。

參見圖5，第一中間層135可以包括第一圖案131和第二圖案133。第一圖案131可以布置在第一電極110和I3DL 120的側(cè)壁上，并且第二圖案133可以布置在I3DL 120的上表面上。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第二圖案133可以延伸到TOL 120的側(cè)壁的一部分。第一中間層135可以用作OLED設(shè)備的HTL。另外，HIL(未示出)可以布置在HTL下面。在示例性實(shí)施例中，第二圖案133可以具有明顯比第一圖案131的上表面高的上表面。在示例性實(shí)施例中，第一圖案131可以包括以上所述的空穴傳輸材料。除空穴傳輸材料之外，第二圖案133還可以包括交聯(lián)的或聚合的光敏材料。因此，第二圖案133可以具有明顯比第一圖案131的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率或明顯比第一圖案131的電阻高的電阻。另夕卜，第二圖案133可以具有明顯比第一圖案131的表面能小的表面能。光敏材料可以指能夠通過曝光工藝交聯(lián)和/或聚合的材料。例如，光敏材料可以包括負(fù)型光敏材料。光敏材料可以包括例如丙烯基材料、甲基丙烯基材料、芳香烯烴基材料或具有乙烯基的苯基材料。例如，光敏材料可以包括1，4_ 丁二醇、1，3_ 丁二醇二丙烯酸酯、1，6_己二醇二丙烯酸酯、二甘醇丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、丙二醇、二丙二醇二丙烯酸酯、丙烯酸酯、丙烯酸酯、山梨糖醇丙烯酸酯、雙酚A丙烯酸酯衍生物、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇丙烯酸酯、雙季戊四醇五丙烯酸酯、雙季戊四醇六丙烯酸酯、三甲基丙烷乙氧基丙烯酸酯或這些材料的甲基丙烯酸酯。這些材料可以單獨(dú)使用也可以混合使用。
根據(jù)示例性實(shí)施例，第二圖案133可以具有明顯比第一圖案131的表面能低的表面能，因而第二圖案133可以具有相對(duì)較低的可濕性。因此，EML150可以由于表面能差而選擇性地形成在第一圖案131上。另外，第二圖案133可以具有相對(duì)較低的電導(dǎo)率或相對(duì)較高的電阻，從而可以阻止橫向電荷擴(kuò)散。因此，可以防止相鄰像素區(qū)域之間的串?dāng)_。在某些示例性實(shí)施例中，第三電極(未示出)可以進(jìn)一步布置在第二電極170和基板100上。第三電極可以電連接至引線(未示出)，引線可以形成在基板100的外圍部分從而與第一電極110隔開。在某些示例性實(shí)施例中，保護(hù)層(未示出)和上基板(未示出)可以順序布置在第二電極170上。圖6至圖14是示出圖5的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的透視圖和截面圖。具體來說，圖6和圖9是示出圖5的根據(jù)示例性實(shí)施例的OLED設(shè)備的透視圖，圖7和圖8是沿圖6的線VI1-VII截取的截面圖，并且圖10是沿圖9的線X-X截取的截面圖。為了方便解釋，在圖6和圖9中未示出圖5的EML150、第二中間層160和第二電極170。如圖6至圖10所示，第一中間層135可以包括順序形成在基板IO(KH)L 120和第一電極110上的 HIL 135a 和 HTL135b。參見圖6至圖8，PDL 120可以具有大體為“H”的形狀。例如，PDL 120可以包括在第二方向上延伸的多個(gè)第一線圖案120a(圖6)和在第一方向上延伸的多個(gè)第二線圖案120b (圖7)。第一線圖案120a和第二線圖案120b可以彼此相交，從而限定具有格子或格柵結(jié)構(gòu)的像素區(qū)域。HTL 135b可以包括第一圖案131、第二圖案133和第三圖案137。第二圖案133可以與第一線圖案120a的上表面基本重疊。HTL 135b的與第二線圖案120b的上表面基本重疊的部分可以被定義為第三圖案137。HTL 135b的除第二圖案133和第三圖案137之外的剩余部分可以被定義為第一圖案131。第二圖案133和第三圖案137也可以以與第一線圖案120a和第二線圖案120b 彼此相交的方式基本相同或相似的方式彼此相交。在示例性實(shí)施例中，第三圖案137可以與基板100的處于在第二方向上彼此隔開的相鄰第一電極110之間的部分基本重疊。第二圖案133和/或第三圖案137可以具有明顯比第一圖案131的上表面高的上表面。在示例性實(shí)施例中，第三圖案137可以與第二圖案133具有基本相同或相似的特性。例如，第三圖案137可以包括以上所述的空穴傳輸材料和以上所述的交聯(lián)或聚合光敏材料。因此，第三圖案137可以具有明顯比第一圖案131的電阻高的電阻或明顯比第一圖案131的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率。另外，第三圖案137可以具有明顯比第一圖案131的表面能低的表面能。如圖7所示，PDL 120的第二線圖案120b可以布置于在第二方向上彼此隔開的相鄰的第一電極110之間。EML 150a可以在第二方向上由第三圖案137分開。類似地，EML150a可以在第一方向上由第二圖案133分開。同時(shí)，EML 150b可以如圖8所示在第一圖案131和第三圖案137上以第二方向連
續(xù)延伸。參見圖9和圖10，第三圖案可以不形成在TOL 120的第二線圖案120b上方。在這種情況下，HTL 135b的第二圖案133可以與TOL 120的第一線圖案120a的上表面基本重疊，并且HTL 135b的除第二圖案133之外的剩余部分可以被定義為第一圖案131。如圖10中所不，EML 150c可以在第一圖案131上以第二方向延伸，并且可以在第一方向上由第二圖案133分開。圖11是示出圖5的OLED設(shè)備的一個(gè)示例性實(shí)施例的透視圖，并且圖12是沿圖11的線XI1-XII截取的截面圖。參見圖11，I3DL 120可以具有在第二方向上延伸的線性形狀或條形。例如，I3DL120可以僅包括圖6所示的第一線圖案120a。HTL 135b可以包括與TOL 120的上表面基本重疊的第二圖案133。HTL 135b的除第二圖案133之外的剩余部分可以被定義為第一圖案131。在這種情況下，EML 150d(圖12)可以具有在第一圖案131上以第二方向延伸的線性形狀或條形，如圖12所示。EML 150d可以在第一方向上由第二圖案133分開。圖13是示出圖5的OLED設(shè)備的一個(gè)示例性實(shí)施例的透視圖，并且圖14是沿圖13的線XIV-XIV截取的截面圖。參見圖13和圖14，PDL 120可以具有在第二方向上延伸的線性形狀或條形。HTL135b可以包括第一圖案131、第二圖案133和第三圖案137a。第二圖案133(圖13)可以與TOL 120的上表面基本重疊，并且可以具有在第二方向上延伸的線性形狀。第三圖案137a(圖14)可以與基板100的處于在第二方向上彼此隔開的相鄰第一電極110之間的部分基本重疊。第三圖案137a可以具有在第一方向上延伸的線性形狀。HTL 135b的除第二圖案133和第三圖案137a之外的剩余部分可以被定義為第一圖案131。第三圖案137a可以具有明顯比第二圖案133的上表面低的上表面。第三圖案137a的上表面可以與第一圖案131的上表面基本共面。在示例性實(shí)施例中，第三圖案137a可以與第二圖案133具有基本相同或相似的特性。例如，第三圖案137a可以包括以上所述的空穴傳輸材料和以上所述的交聯(lián)或聚合光敏材料。因此，第三圖案137a可以具有明顯比第一圖案131的電阻高的電阻或明顯比第一圖案131的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率。此外，第三圖案137a可以具有明顯比第一圖案 131的表面能低的表面能。在這種情況下，EML 150e (圖14)可以具有在第一圖案131和第三圖案137a上以第二方向延伸的線性形狀。EML 150e可以在第一方向上由第二圖案133分開。圖15是示出根據(jù)某些示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的截面圖。除第一中間層的結(jié)構(gòu)之外，圖15的OLED設(shè)備可以與圖5的OLED設(shè)備具有基本相同或相似的結(jié)構(gòu)。因此，相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件，并且這里省略其詳細(xì)描述。參見圖15,與參考圖5所描述的一樣,第一中間層136可以包括第一圖案132和第二圖案134。第一圖案132可以布置在第一電極110上和TOL 120的側(cè)壁上。第二圖案134可以布置在I3DL 120的上表面上。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第二圖案134可以延伸到PDL 120的側(cè)壁的一部分。第一中間層136可以用作OLED設(shè)備的HTL。HIL可以進(jìn)一步布置在HTL下面。與參考圖5所描述的一樣,第一圖案132可以包括以上所述的空穴傳輸材料,并且第二圖案134可以除空穴傳輸材料之外還包括以上所述的交聯(lián)和/或聚合光敏材料。在示例性實(shí)施例中，第一中間層136可以進(jìn)一步包括形成在第二圖案134上的含氟層143。含氟層143可以包括氟原子、氟離子或含氟離子，其可從TOL 120和/或第一中間層136擴(kuò)散并可被固定在第一中間層136的上表面處。含氟層143可以是疏水的。含氟層143可以具有相對(duì)較低的表面能和相對(duì)較低的親墨性。因此，EML 150可以選擇性地布置在第一圖案132上。在某些示例性實(shí)施例中，第三電極(未示出)可以進(jìn)一步布置在第二電極170和基板100上。第三電極可以電連接至引線(未示出)，引線可以形成在基板100的外圍部分從而與第一電極110隔開。保護(hù)層(未示出)和上基板(未示出)可以順序布置在第二電極170上。圖16至圖26是示出圖15的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的透視圖和截面圖。圖16、圖19、圖21、圖23和圖25是示出圖15的OLED設(shè)備的示例性實(shí)施例的透視圖。為了方便解釋，在這些圖中未示出圖15的EML 150、第二中間層160和第二電極170。此外，第一中間層136被示出為包括順序堆疊在基板IO(KH)L 120和第一電極110上的HIL136a 和 HTL 136b。圖17和圖18是沿圖16的線XVI1-XVII截取的截面圖。圖20、圖22、圖24和圖26 分別是沿圖 19、圖 21、圖 23 和圖 25 的線 XX-XX、XXI1-XXI1、XXIV_XXIV 和 XXV1-XXVI 截取的截面圖。參見圖16和圖17，PDL 120可以具有大體為“H”的形狀。例如，PDL120可以包括在第二方向上延伸的多個(gè)第一線圖案120a(圖16)和在第一方向上延伸的多個(gè)第二線圖案120b (圖17)。第一線圖案120a和第二線圖案120b可以彼此相交，從而限定具有格子或格柵結(jié)構(gòu)的像素區(qū)域。HTL 136b可以包括第一圖案132、第二圖案134和第三圖案138。第二圖案134(圖16)可以與第一線圖案120a 的上表面基本重疊。第三圖案138 (圖17)可以與第二線圖案120b的上表面基本重疊。HTL 136b的除第二圖案134和第三圖案138之外的剩余部分可以被定義為第一圖案132。第二圖案134和第三圖案138也可以以與第一線圖案120a和第二線圖案120b彼此相交的方式基本相同或相似的方式彼此相交。第三圖案138可以與基板100的處于在第二方向上彼此隔開的相鄰第一電極100之間的部分基本重疊。第二圖案134和第三圖案138可以具有明顯比第一圖案132的上表面高的上表面。在示例性實(shí)施例中，第三圖案138可以與第二圖案134具有基本相同或相似的特性。例如，第三圖案138可以包括以上所述的空穴傳輸材料和以上所述的交聯(lián)或聚合光敏材料。因此，第三圖案138可以具有明顯比第一圖案132的電阻高的電阻或明顯比第一圖案132的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率。另外，第三圖案138可以具有明顯比第一圖案132的表面能低的表面能。含氟層143(圖16)可以包括第一含氟層143a和第二含氟層143b。第一含氟層143a可以布置在第二圖案134上，并且第二含氟層143b可以布置在第三圖案138上。第一含氟層143a和第二含氟層143b可以以與第一線圖案120a和第二線圖案120b彼此相交的方式基本相同或相似的方式彼此相交。第一含氟層143a可以包括可從第一線圖案120a和/或第二圖案134擴(kuò)散的氟原子、氟離子或含氟離子。第二含氟層143b可以包括可從第二線圖案120b和/或第三圖案138擴(kuò)散的氟原子、氟離子或含氟離子。如圖17所示，EML 150f可以布置在第一圖案132上，并且可以在第二方向上由第二含氟層143b分開。EML 150f可以在第一方向上由第一含氟層143a分開。在不例性實(shí)施例中，EML 150f可以具有由疏水的、相對(duì)較低親墨性的、相對(duì)較低表面能等的第一含氟層143a和第二含氟層143b所限制的島形。
如圖18所示，EML 150g可以在第一圖案132和第二含氟層143b上以第二方向連續(xù)延伸。在這種情況下，EML 150g可以在第一方向上由第一含氟層143a分開。參見圖19和圖20，第三圖案138和(圖18的)第二含氟層143b可以不形成在PDL 120的第二線圖案120b(圖20)上。在這種情況下，第二圖案134(圖19)可以與第一線圖案120a的上表面基本重疊，并且HTL 136b的除第二圖案134之外的剩余部分可以被定義為第一圖案132。含氟層143可以布置在第二圖案134上，并且可以具有在第二方向上延伸的線形或條形。在這種情況下，EML 150h(圖20)可以在第一圖案132上以第二方向連續(xù)延伸。EML 150h可以在第一方向上由含氟層143分開。參見圖21和圖22，PDL 120可以具有在第二方向上延伸的線性形狀或條形。HTL136b可以包括第一圖案132、第二圖案134和含氟層143。第二圖案134可以與TOL 120的上表面基本重疊。含氟層143可以布置在第二圖案134上。HTL 136b的除第二圖案134和含氟層143之外的剩余部分可以被定義為第一圖案132。如圖22所示，EML 150i可以具有在第一圖案132上以第二方向延伸的線性形狀。EML 150i可以在第一方向上由含氟層143分開。參見圖23和圖24，PDL 120可以如圖21所示具有在第二方向上延伸的線性形狀或條形。HTL 136b可以包括第一圖案132、第二圖案134和第三圖案138a。第二圖案134可以與TOL 120的上表面基本重疊，并且可以具有在第二方向上延伸的線性形狀。含氟層143可以布置在第二圖案134上。第三圖案138a可以具有在第一方向上延伸的線性形狀。第三圖案138a可以與基板100的處于在第二方向上彼此隔開的相鄰第一電極110之間的部分基本重疊。HTL 136b的除第二圖案134、第三圖案138a和含氟層143之外的剩余部分可以被定義為第一圖案132。第三圖案138a可以具有明顯比第二圖案134的上表面低的上表面。第三圖案138a的上表面可以與第一圖案132的上表面基本共面。在示例性實(shí)施例中，第三圖案138a可以與第二圖案134具有基本相同或相似的特性。例如，第三圖案138a可以包括以上所述的空穴傳輸材料和以上所述的交 聯(lián)或聚合光敏材料。因此，第三圖案138a可以具有明顯比第一圖案132的電阻高的電阻或明顯比第一圖案132的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率。此外，第三圖案138a可以具有明顯比第一圖案132的表面能低的表面能。在這種情況下，EML 150j (圖24)可以具有在第一圖案132和第三圖案138a上以第二方向延伸的線性形狀。EML 150j可以在第一方向上由含氟層143分開。參見圖25和圖26，除含氟層的形狀之外，圖25的OLED設(shè)備可以與圖23具有基本相同或相似的構(gòu)造。具體來說，含氟層143可以包括在第二圖案134上以第二方向延伸的第一含氟層143a以及在第三圖案138a上以第一方向延伸的第二含氟層143c。在示例性實(shí)施例中，第一含氟層143a可以包括可從I3DL 120和/或HTL136b擴(kuò)散的氟原子、氟離子或含氟離子。第二含氟層143c可以包括可從HTL136b擴(kuò)散的氟原子、氟離子或含氟離子。在這種情況下，EML 150k(圖26)可以具有在第一圖案132和第二含氟層143c上沿第二方向延伸的線性形狀。下文中將描述制造參考圖1至圖26所示的OLED設(shè)備的方法。圖27至圖33是示出制造根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的截面圖。具體來說，圖27至圖33示出制造圖1至圖4的OLED設(shè)備的方法。
參見圖27，可以在基板100上形成第一電極110，并且可以在基板100上形成部分暴露第一電極110的初始I3DL 115。基板100可以包括下基板(未示出)和形成在下基板上的下結(jié)構(gòu)(未示出)。下結(jié)構(gòu)可以包括例如開關(guān)器件、覆蓋開關(guān)器件的絕緣層等。開關(guān)器件可以包括具有半導(dǎo)體層、柵絕緣層、柵電極、源電極和漏電極等的TFT?？商娲?，開關(guān)器件可以包括具有柵電極、柵絕緣層和半導(dǎo)體氧化物的有源層的氧化物半導(dǎo)體器件。第一電極110可以使用諸如氧化銦錫(ITO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化銦(InOx)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化錫(SnOx)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鎵銦鋅(GIZO)、摻鋁氧化鋅(AZO)等的透明導(dǎo)電材料形成，或者第一電極110可以使用諸如銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、釹(Nd)等的金屬和/或這些金屬的合金形成。第一電極110可以通過濺射工藝、化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝、原子層沉積(ALD)工藝、脈沖激光沉積(PLD)工藝、真空蒸發(fā)工藝、印刷工藝等獲得。在某些示例性實(shí)施例中，第一電極110可以具有包括透明導(dǎo)電層和金屬層的多層堆疊結(jié)構(gòu)。在示例性實(shí)施例中，多個(gè)第一電極110可以形成為在第一方向上彼此隔開。另外，多個(gè)第一電極110可以形成為在基本垂直于第一方向的第二方向上彼此隔開。第一電極110可以電連接至開關(guān)器件的漏電極。初始TOL 115可以使用包含碳-氟鍵的分子(下文中稱作碳-氟結(jié)合分子)形成。碳-氟結(jié)合分子可以包括一個(gè)碳原子與一個(gè)氟原子結(jié)合的CF1分子，一個(gè)碳原子與兩個(gè)氟原子結(jié)合的CF2分子，一個(gè)碳原子與三個(gè)氟原子結(jié)合的CF3分子，一個(gè)碳原子與四個(gè)氟原子結(jié)合的CF4分子等。CF” CF2, CF3和CF4分子的示例可以包括分別包括CH3F、CH2F2, CHF3>CF4。這些材料可以單獨(dú)使用也可以混合使用。在示例性實(shí)施例中，可以通過例如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝使用碳-氟結(jié)合分子在基板10 0和第一電極110上形成碳-氟含有層(未示出)?？梢酝ㄟ^例如刻蝕工藝對(duì)碳-氟含有層進(jìn)行圖案化，從而形成初始TOL 115。碳-氟含有層可以包括氟原子與碳-碳主鏈結(jié)合的聚合物。在示例性實(shí)施例中，初始I3DL 115可以圖案化為具有大體為“H”的形狀。例如，初始F1DL 115可以包括在第二方向上延伸的多個(gè)第一線圖案(未不出)和在第一方向上延伸的多個(gè)第二線圖案(未示出)。在這種情況下，第一線圖案和第二線圖案可以彼此交叉。可替代地，初始I3DL 115可以具有在第二方向上延伸的線性形狀或條形。參見圖28，可以在基板100上形成覆蓋初始I3DL 115和第一電極110的第一中間層130。在示例性實(shí)施例中，第一中間層130可以包括順序堆疊在基板100、初始TOL 115和第一電極110上的HIL 130a和HTL 130b。HIL 130a可以使用例如CuPc、PED0T、PANI等的空穴注入材料形成。HTL 130b可以使用例如NPB、TPD、NPD、N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑等的空穴傳輸材料形成。HIL 130a和HTL 130b可以通過旋涂工藝、輥涂工藝、真空蒸發(fā)工藝、熱蒸發(fā)工藝等涂覆在或整個(gè)表面地沉積在基板100、初始TOL115和第一電極110上。參見圖29，可以在與初始TOL 115的上表面基本重疊的區(qū)域上選擇性地執(zhí)行利用例如紫外光源的曝光工藝。相應(yīng)地，可以在HTL 130b的與初始TOL115的上表面基本重疊的上表面處形成含氟層140，并且初始TOL 115可以轉(zhuǎn)變?yōu)門OL 120。在示例性實(shí)施例中，紫外光源可以發(fā)射波長(zhǎng)在大約180nm到大約260nm范圍內(nèi)的紫外光。在曝光工藝期間，氟原子、氟離子和/或含氟離子可以與初始TOL 115中包括的碳-碳主鏈分開或分離，從而擴(kuò)散到與初始TOL 115的上表面基本重疊的第一中間層130的上部分。擴(kuò)散的氟原子、氟離子和/或含氟離子可以由紫外光固定在HTL 130b的上表面處，從而形成含氟層140。從其中去除了氟原子、氟離子和/或含氟離子的初始TOL 115可以轉(zhuǎn)變?yōu)門OL120。在示例性實(shí)施例中，TOL 120可以包括具有重復(fù)的碳-碳鏈的聚合物。相應(yīng)地，PDL 120可以用作絕緣體。在OLED設(shè)備根據(jù)背部發(fā)射型操作的情況下，PDL 120可以充當(dāng)黑色矩陣。在示例性 實(shí)施例中，含氟層140可以與I3DL 120的上表面基本重疊。在某些示例性實(shí)施例中，含氟層140可以與TOL 120的側(cè)壁部分地重疊。從初始I3DL 115分離的氟原子、氟離子和/或含氟離子可以通過初始H)L115的側(cè)壁橫向擴(kuò)散到第一中間層130的與第一電極110基本重疊的部分。然而，這些橫向擴(kuò)散的氟原子、氟離子和/或含氟離子可能不會(huì)被紫外光固定，因而它們可以通過蒸發(fā)被去除。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，可以進(jìn)一步執(zhí)行熱處理，以去除橫向擴(kuò)散的氟原子、氟離子和/或含氟離子?，F(xiàn)在參見圖2和圖3，H)L 120可以具有大體為“H”的形狀。例如，PDL120可以包括在第二方向上延伸的多個(gè)第一線圖案120a(圖2)和在第一方向上延伸的多個(gè)第二線圖案120b (圖3)。第一線圖案120a和第二線圖案120b可以彼此相交，從而限定具有格子或格柵結(jié)構(gòu)的像素區(qū)域。在這種情況下，曝光工藝可以通過包括與TOL 120的上表面基本重疊的“H”形透明部分的掩膜來實(shí)施。相應(yīng)地，可以在HTL 130b上表面的與第一線圖案120a基本重疊的部分上形成第一含氟層140a (圖2)，并在HTL 130b上表面的與第二線圖案120b基本重疊的部分上形成第二含氟層140b (圖2和圖3)。第一含氟層140a和第二含氟層140b可以以與第一線圖案120a和第二線圖案120b彼此相交的方式基本相同或相似的方式彼此相交。在下文中，HTL 130b上表面的不包括含氟層的部分被稱作第一表面。HTL 130b上表面的包括第一含氟層140a的部分被稱作第二表面。HTL 130b上表面的包括第二含氟層140b的部分被稱作第三表面。在不例性實(shí)施例中，第二表面和第三表面可以相對(duì)于第一表面是疏水的。另外，第二表面和第三表面可以具有明顯比第一表面低的親墨性。在某些示例性實(shí)施例中，曝光工藝可以通過包括與第一線圖案120a的上表面基本重疊的線形透明部分的掩膜來實(shí)施。在這種情況下，含氟層140可以僅布置在第一線圖案120a上方。例如，可以不形成圖2的第二含氟層140b。HTL 130b的上表面可以劃分為包括含氟層140的第二表面和不包括含氟層140的第一表面。參見圖4，H)L 120可以具有基本在第二方向上延伸的線性圖形。曝光工藝可以通過包括與TOL 120的上表面基本重疊的線形透明部分的掩膜來實(shí)施。相應(yīng)地，含氟層140可以形成在HTL 130b上表面的基本上與TOL 120的上表面重疊的部分上。在這種情況下，HTL 130b的上表面可以劃分為包括含氟層140的第二表面和不包括含氟層140的第一表面。參見圖30，可以在HTL 130b的不包括含氟層140的部分上形成EML150。EML 150可以使用用于產(chǎn)生不同顏色的光，例如，紅色光、綠色光或藍(lán)色光的發(fā)光材料中的至少一種來形成。EML 150可以使用用于產(chǎn)生白色光的發(fā)光材料的混合物或組合來形成。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，發(fā)光材料可以用作EML 150的摻雜物材料。在這種情況下，EML 150可以進(jìn)一步包括具有相對(duì)較大的帶隙的宿主材料。合適的摻雜物和宿主材料可以根據(jù)EML 150的發(fā)光機(jī)制，例如熒光機(jī)制或磷光機(jī)制來選擇。EML 150可以通過噴涂印刷工藝、噴墨印刷工藝、通過熱或激光的轉(zhuǎn)印工藝等獲得?，F(xiàn)在參見圖2和圖3，EML 150可以通過例如噴墨印刷工藝形成。在這種情況下，包括含氟層140a和140b的第二表面和第三表面可以具有相對(duì)較低的親墨性，因而EML 150可以選擇性地形成在不包括含氟層的第一表面上。此外，第一表面可以明顯低于第二表面和第三表面，因而EML 150可以通過重力選擇性地形成在第一表面上。因此，可以防止墨弄臟或弄污非像素區(qū)域，因而OLED設(shè)備可以具有改善的分辨率或?qū)Ρ榷?。同時(shí)，在含氟層不形成在第二線圖案120b上方的情況下，EML 150可以通過例如噴涂印刷工藝形成。在這種情況下，EML 150可以形成在不包括含氟層140的第一表面上，從而在第二方向上延伸。如圖4所示，在PDL可以具有以第二方向延伸的大致線性的形狀的情況下，EML150可以通過例如噴涂印刷工藝形成。在這種情況下，EML 150可以形成在不包括含含氟層140的第一表面上,從而在第二方向上延伸。現(xiàn)在參見圖30，可以在HTL 130b、EML 150和含氟層140上形成第二中間層160。第二中間層160可以通過真空沉積工藝、熱蒸發(fā)工藝、狹縫涂覆工藝、旋涂工藝、印刷工藝等獲得。第二中間層160可以包括ETL。ETL可以使用例如Alq3、PBD、BAlq、BCP等形成。這些材料可以單獨(dú)使用也可以混合使用。第二中間層160可以進(jìn)一步包括形成在ETL上的EIL0 EIL可以使用例如堿 金屬、堿土金屬、這些金屬的氟化物、這些金屬的氧化物等形成?？梢栽诘诙虚g層160上形成第二電極170。第二電極170可以使用諸如氧化銦錫、氧化鋅錫、氧化銦、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵鋅、氧化鎵銦鋅、摻鋁氧化鋅等的透明導(dǎo)電材料形成，或者第二電極170可以使用諸如銀、鋁、鉬、金、鉻、鎢、鑰、鈦、鈀、釹等的金屬和/或這些金屬的合金形成。第二電極170可以通過濺射工藝、CVD工藝、ALD工藝、PLD工藝、真空蒸發(fā)工藝、印刷工藝等獲得。在某些示例性實(shí)施例中，第二電極170可以具有包括透明導(dǎo)電層和金屬層的多層堆疊結(jié)構(gòu)。第二電極170可以用作向第二中間層160中提供電子的陰極?？梢栽诘诙姌O170上形成保護(hù)層(未示出)和上基板(未示出)，從而獲得根據(jù)示例性實(shí)施例的OLED設(shè)備。在某些示例性實(shí)施例中，可以進(jìn)一步在第二電極170上形成電連接至形成在基板100外圍部分上的引線的第三電極。參見圖31，可以在基板100的外圍部分上形成與第一電極110和I3DL 120隔開的引線180。引線180可以電連接至形成在基板100中的布線(未示出)。在示例性實(shí)施例中，引線180可以在用于形成第一電極110的刻蝕工藝中與第一電極Iio同時(shí)形成。第二電極170可以形成在第二中間層160上，從而與第一電極110基
本重疊，并且與引線180基本不重疊。參見圖32，第二中間層160、含氟層140、第一中間層130和TOL 120可以使用第二電極170作為刻蝕掩膜被順序刻蝕。相應(yīng)地，可以暴露基板100上的引線180。另外，可以形成包括刻蝕后的第二中間層160、含氟層140、第一中間層130和TOL 120的絕緣層圖案185。在示例性實(shí)施例中，刻蝕工藝可以包括使用例如氧氣(O2)等離子體的干法刻蝕工藝。參見圖33，可以在基板100、絕緣層圖案185的刻蝕表面和第二電極170上形成第三電極190。第三電極190可以使用與第二電極170的材料基本相同或相似的材料形成。第三電極190可以通過濺射工藝、CVD工藝、ALD工藝、真空沉積工藝、PLD工藝、印刷工藝等獲得。第三電極190也可以用作陰極，并且可以電連接至基板100上的引線180。絕緣層圖案185可以介于第一電極110與第三電極190之間。因此，可以防止第一電極110與第三電極190之間的短路。圖34至圖36是示出制造根據(jù)本發(fā)明某些示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的截面圖。例如，圖34至圖36示出制造圖5至圖14的OLED設(shè)備的方法。省略對(duì)與參見圖27至圖33所示出的工藝基本相同或相似的工藝的詳細(xì)描述。參見圖34，可以在基板100上形成第一電極110，并且可以在基板100上形成部分暴露第一電極110的I3DL 120?？梢栽诨?00上形成覆蓋TOL120和第一電極110的第一中間層135。在示例性實(shí)施例中，第一中間層135可以包括順序堆疊在基板IO(KH)L 120和第一電極110上的HIL 135a和HTL135b。PDL 120可以使用諸如丙烯基樹脂、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯等的光敏材料形成。例如，可以在基板100和第一電極110上沉積光敏材料，然后執(zhí)行曝光和顯影工藝以形成TOL120。在示例性實(shí)施例中，I3DL 120可以具有如圖6至圖10所示的大體為“H”的形狀。例如，PDL 120可以包括在第二方向上延伸的多個(gè)第一線圖案120a和在第一方向上延伸的多個(gè)第二線圖案120b。在這種情況下，第一線圖案120a和第二線圖案120b可以彼此交叉?？商娲兀琍DL 120可以具有如圖11至圖14所示的在第二方向上延伸的線性形狀或條形?，F(xiàn)在參見圖34，HT L 135b可以使用可包括以上所述的空穴傳輸材料和以上所述的光敏材料的光敏組分來形成。在示例性實(shí)施例中，光敏組分可以進(jìn)一步包括光引發(fā)劑。光引發(fā)劑可以是可產(chǎn)生活性組分的化合物，其中活性組分在曝光工藝中引發(fā)光敏材料的交聯(lián)和/或聚合反應(yīng)。光引發(fā)劑的示例可以包括乙酰苯衍生物、二苯甲酮衍生物、三嗪衍生物、聯(lián)咪唑基或肟酯基材料等。這些材料可以單獨(dú)使用也可以混合使用。參見圖35，可以對(duì)與初始TOL 120的上表面基本重疊的區(qū)域選擇性地執(zhí)行利用例如紫外光源的曝光工藝。相應(yīng)地，HTL 135b可以轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝粓D案131和第二圖案133。在示例性實(shí)施例中，HTL 135b的與TOL 120的上表面基本重疊的部分可以轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙D案133。HTL 135b的不會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙D案133的剩余部分可以被定義為第一圖案131。在不例性實(shí)施例中，可以在HTL 135b的選擇性暴露于光的部分處引起光敏材料的交聯(lián)和/或聚合反應(yīng)。因此，除空穴傳輸材料之外，第二圖案133還可以包括交聯(lián)的或聚合的光敏材料。因此，第二圖案133可以具有明顯比第一圖案131的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率或明顯比第一圖案131的電阻高的電阻。另外，第二圖案133可以具有明顯比第一圖案131的表面能低的表面能。因此，可以通過后續(xù)工藝在第一圖案131上選擇性地形成EML 150，并且可以由第二圖案133阻止電荷的橫向擴(kuò)散，從而防止相鄰像素區(qū)域之間的串?dāng)_。在示例性實(shí)施例中，可以附加地執(zhí)行熱處理，從而可以通過蒸發(fā)來去除第一圖案131中剩余的光敏材料和/或光引發(fā)劑。
現(xiàn)在參見圖6，PDL 120可以具有大體為“H”的形狀。在這種情況下，曝光工藝可以通過包括與I3DL 120的上表面基本重疊的“H”形透明部分的掩膜來實(shí)施。相應(yīng)地，HTL135b的與第一線圖案120a的上表面基本重疊的部分可以轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙D案133，并且HTL135b的與第二線圖案120b (圖7)的上表面基本重疊的部分可以轉(zhuǎn)變?yōu)榈谌龍D案137。第二線圖案133和第三線圖案137可以以與第一線圖案120a和第二線圖案120b彼此交叉的方式基本相同或相似的方式彼此交叉。在示例性實(shí)施例中，第三圖案137可以與第二圖案133具有基本相同或相似的電學(xué)特性和表面特性。第二圖案133和第三圖案137可以具有明顯比第一圖案131的上表面高的上表面?，F(xiàn)在參見圖9，曝光工藝可以通過包括與第一線圖案120a的上表面基本重疊的線形透明部分的掩膜來實(shí)施。在這種情況下，可以不形成圖6所示的第三圖案137。例如，可以形成與第一線圖案120a的上表面基本重疊的第二圖案133。HTL 135b的除第二圖案133之外的剩余部分可以被定義為第一圖案131。參見圖11，I3DL 120可以具有在第二方向上延伸的線性形狀或條形。在這種情況下，曝光工藝可以通過包括與TOL 120的上表面基本重疊的線形透明部分的掩膜來實(shí)施。相應(yīng)地，HTL 135b的與TOL 120的上表面基本重疊的部分可以轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙D案133。HTL135b的除第二圖案133之外的剩余部分可以被定義為第一圖案131。現(xiàn)在參見圖13，I3DL 120可以具有如圖13所示的在第二方向上延伸的線性形狀或條形。同時(shí)，曝光工藝可以通過包括“H”形透明部分的掩膜來實(shí)施。在這種情況下，HTL135b的與TOL 120的上表面基本重疊的部分可以轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙D案133。HTL 135b的與基板100的位于在第二方向上彼此隔開的相鄰第一電極110之間的部分基本重疊的部分可以轉(zhuǎn)變?yōu)榈谌龍D案137a。HTL 135b的除第二圖案133和第三圖案137a之外的剩余部分可以被定義為第一圖案131。第三圖案137a的上表面可以明顯比第二圖案133的上表面低，并且可以與第一圖案131的上表面共面。在示例性實(shí)施例中，第三圖案137a可以與第二圖案133具有基本相同或相似的電學(xué)特性和表面特性。參見圖36，EML 150可以形成在第一圖案131上。EML 150可以通過噴墨印刷工藝、噴涂印刷工藝、使用熱或激光的轉(zhuǎn)印工藝等形成?，F(xiàn)在參見圖6和圖7，EML 150a可以通過例如噴墨印刷工藝形成。第二圖案133和第三圖案137相比于第一圖案131可以具有明顯低的表面能和可濕性。另外，第二圖案133和第三圖案137可以具有明顯比第一圖案131的上表面高的上表面。因此，EML 150a可以如圖7所示，通過以上所述表面特性和重力選擇性地形成在第一圖案131上。因此，可以防止墨弄臟或弄污非像素區(qū)域，因而OLED設(shè)備可以具有改善的分辨率或?qū)Ρ榷取，F(xiàn)在參見圖8，EML 150b可以通過例如噴涂印刷工藝形成。在這種情況下，EML150b可以形成在第一圖案131和第三圖案137上，從而在第二方向上連續(xù)延伸?，F(xiàn)在參見圖9和圖10，EML 150c可以通過例如噴涂印刷工藝形成。在這種情況下，EML 150c可以具有在第一圖案131上以第二方向延伸的線性形狀?，F(xiàn)在參見圖11和圖12，EML 150d可以通過例如噴涂印刷工藝形成。在這種情況下，EML 150d可以具有在第一圖案131上以第二方向延伸的線性形狀?，F(xiàn)在參見圖13和圖14，EML 150e可以通過例如噴涂印刷工藝形成。在這種情況下，EML 150e可以具有在第一圖案131和第三圖案137a上以第二方向延伸的線性形狀。
現(xiàn)在參見圖36，可以在HTL 135b和EML 150上形成第二中間層160，然后可以在第二中間層160上形成第二電極170。此外，可以在第二電極170上形成保護(hù)層(未示出)和上基板(未示出)，從而獲得根據(jù)示例性實(shí)施例的OLED設(shè)備。在某些示例性實(shí)施例中，可以通過與參考圖31至圖33所示出的工藝基本相同或相似的工藝，在第二電極170上進(jìn)一步形成電連接至基板100外圍部分上的引線的第三電極。圖37至圖39是示出制造根據(jù)本發(fā)明某些示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的截面圖。例如，圖37至圖39示出制造圖15至圖26的OLED設(shè)備的方法。省略對(duì)與參見圖27至圖33所示出的工藝基本相同或相似的工藝的詳細(xì)描述。參見圖37，可以在基板100上形成第一電極110，并且可以在基板100上形成部分暴露第一電極110的I3DL 120?？梢栽诨?00上形成覆蓋TOL120和第一電極110的第一中間層136。在示例性實(shí)施例中，第一中間層136可以包括順序堆疊在基板IO(KH)L 120和第一電極110上的HIL 136a和HTL136b。

PDL 120可以使用諸如丙烯基樹脂、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯等的光敏材料形成。例如，可以在基板100和第一電極110上沉積光敏材料，然后執(zhí)行曝光和顯影工藝以形成TOL120。可替代地，可以通過例如PECVD工藝，使用以上所述的碳-氟結(jié)合分子，在基板100和第一電極110上形成碳-氟含有層?？梢酝ㄟ^例如刻蝕工藝對(duì)碳-氟含有層進(jìn)行圖案化，從而形成roL 120o PDL 120可以包括在第二方向上延伸的多個(gè)第一線圖案120a和在第一方向上延伸的多個(gè)第二線圖案120b，如圖16至圖19所示。在這種情況下，第一線圖案120a和第二線圖案120b可以彼此交叉?？商娲兀琍DL 120可以具有如圖21至圖26所示的在第二方向上延伸的線性形狀或條形?，F(xiàn)在參見圖37，HTL 136b可以使用可包括以上所述的空穴傳輸材料和以上所述的光敏材料的光敏組分來形成。光敏組分可以進(jìn)一步包括以上所述光引發(fā)劑。在示例性實(shí)施例中，光敏組分可以進(jìn)一步包括以上所述的碳-氟結(jié)合分子。在某些示例性實(shí)施例中，PDL 120和HTL 136b中至少之一可以包括碳-氟結(jié)合分子。參見圖38，可以在與I3DL 120的上表面基本重疊的區(qū)域上選擇性地執(zhí)行使用例如紫外光源的曝光工藝，因而HTL 136b可以劃分為第一圖案132和第二圖案134。在示例性實(shí)施例中，HTL 136b的與TOL 120的上表面基本重疊的部分可以轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙D案134。HTL136b的除第二圖案134之外的剩余部分可以被定義為第一圖案132。第二圖案134可以包括交聯(lián)的和/或聚合的光敏材料。含氟層143可以形成在第二圖案134上。在曝光工藝期間，氟原子、氟離子和/或含氟離子可以與包括在I3DL 120和/或HTL 136b中的碳原子分開或分離，從而擴(kuò)散到HTL136b的上部分中。擴(kuò)散的氟原子、氟離子和/或含氟離子可以由紫外光固定在第二圖案134的上表面處，從而形成含氟層143。在TOL 120包括碳-氟結(jié)合分子的情況下，從其中去除了氟原子的I3DL 120可以包括包含重復(fù)的碳-碳鍵的聚合物。相應(yīng)地，PDL 120可以用作絕緣體。在這種情況下，當(dāng)OLED設(shè)備通過背部發(fā)射模式操作時(shí)，PDL 120可以充當(dāng)黑色矩陣。在示例性實(shí)施例中，含氟層143可以與I3DL 120的上表面基本重疊。在某些示例性實(shí)施例中，含氟層143可以與TOL 120的側(cè)壁部分地重疊。氟原子、氟離子和/或含氟離子可以橫向擴(kuò)散到第一圖案132中。然而，這些橫向擴(kuò)散的氟原子、氟離子和/或含氟離子可能不會(huì)被紫外光固定，從而可以通過蒸發(fā)被去除。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，可以進(jìn)一步執(zhí)行用于蒸發(fā)擴(kuò)散到第一圖案132中的氟原子、氟離子和/或含氟離子的熱處理。現(xiàn)在參見圖16至圖18，PDL 120可以具有大體為“H”的形狀。在這種情況下，曝光工藝可以通過包括與I3DL 120的第一線圖案120a和第二線圖案120b的上表面基本重疊的“H”形透明部分的掩膜來實(shí)施。相應(yīng)地，HTL136b的與第一線圖案120a的上表面基本重疊的部分可以轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙D案134，并且HTL 136b的與第二線圖案120b的上表面基本重疊的部分可以轉(zhuǎn)變?yōu)榈谌龍D案138。HTL 136b的除第二圖案134和第三圖案138之外的剩余部分可以被定義為第一圖案132。第二圖案134和第三圖案138可以以與第一線圖案120a和第二線圖案120b彼此交叉的方式基本相同或相似的方式彼此交叉。在示例性實(shí)施例中，第三圖案138可以與第二圖案134具有基本相同或相似的電學(xué)特性和表面特性。另外，第二圖案134和第三圖案138可以具有明顯比第一圖案132的上表面高的上表面?？梢苑謩e在第二圖案134和第三圖案138上形成第一含氟層143a和第二含氟層143b。第一含氟層143a可以包括可從第一線圖案120a和/或第二圖案134擴(kuò)散的氟原子、氟離子和/或含氟離子。第二含氟層143b可以包括可從第二線圖案120b和/或第三圖案138擴(kuò)散的氟原子、氟離子和/或含氟離子?，F(xiàn)在參見圖19和圖20，曝光工藝可以通過包括與第一線圖案120a的上表面基本重疊的線形透明部分的掩膜來實(shí)施。相應(yīng)地，HTL 136b的與第一線圖案120a的上表面基本重疊的部分可以轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙D案134。HTL 136b的除第二圖案134之外的剩余部分可以被定義為第一圖案132。在這種情況下，可以不形成圖16至圖18所示的第三圖案138。包括從第一線圖案120a和/或第二圖案134擴(kuò)散的氟原子、氟離子和/或含氟離子的含氟層143可以形成在第二圖案134上。

現(xiàn)在參見圖21和圖22，PDL 120可以具有在第二方向上延伸的線性形狀，并且曝光工藝可以通過包括與I3DL 120的上表面基本重疊的線形透明部分的掩膜來實(shí)施。相應(yīng)地，HTL 136b的與I3DL 120的上表面基本重疊的部分可以轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙D案134。HTL 136b的除第二圖案133之外的剩余部分可以被定義為第一圖案132。包括從TOL 120和/或第二圖案134擴(kuò)散的氟原子、氟離子和/或含氟離子的含氟層143可以形成在第二圖案134上。現(xiàn)在參見圖23和圖24，PDL 120可以具有在第二方向上延伸的線性形狀，并且曝光工藝可以通過包括大體為“H”形的透明部分的掩膜來實(shí)施。在這種情況下，HTL 136b的與TOL 120的上表面基本重疊的部分可以轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙D案134。HTL 136b的與基板100的位于在第二方向上彼此隔開的相鄰第一電極110之間的部分基本重疊的部分可以轉(zhuǎn)變?yōu)榈谌龍D案138a。在某些示例性實(shí)施例中，如圖23所示，PDL 120可以包括碳-氟結(jié)合分子。然而，HTL 136b可以不包括碳-氟結(jié)合分子。在這種情況下，從TOL 120擴(kuò)散的氟離子和/或含氟離子可以被固定，從而在第二圖案134上形成含氟層143。然而，可以不在第三圖案138a上形成含氟層。第三圖案138a可以具有與第一圖案132的上表面基本共面的上表面?，F(xiàn)在參見圖25和圖26，PDL 120可以具有在第二方向上延伸的線性形狀，并且曝光工藝可以通過包括大體為“H”形的透明部分的掩膜來實(shí)施。在這種情況下，HTL 136b的與roL 120的上表面基本重疊的部分可以轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙D案134。HTL 136b的與基板100的位于在第二方向上彼此隔開的相鄰第一電極110之間的部分基本重疊的部分可以轉(zhuǎn)變?yōu)榈谌龍D案138a。從TOL 120和/或第二圖案134擴(kuò)散的氟原子、氟離子和/或含氟離子可以被固定，從而在第二圖案134上形成第一含氟層143a，并且從第三圖案138a擴(kuò)散的氟原子、氟離子和/或含氟離子可以被固定，從而在第三圖案138a上形成第二含氟層143c。如圖25所不，第二含氟層143c可以具有與第一圖案132的上表面基本共面的上表面。參見圖39，EML 150可以形成在第一圖案132上。EML 150可以通過噴涂印刷工藝、噴墨印刷工藝、通過熱或激光的轉(zhuǎn)印工藝等獲得?，F(xiàn)在參見圖16和圖17，EML 150f可以通過例如噴墨工藝形成。在這種情況下，可以在第二圖案134和第三圖案138上分別形成具有疏水性和相對(duì)較低的親墨性的含氟層143a和143b。此外，第二圖案134和第三圖案138可以分別具有明顯比第一圖案132的上表面高的上表面。因此，可以通過化學(xué)特性和重力在第一圖案132上選擇性地形成具有大體為島形的EML 150f。因此，可以防止墨弄臟或弄污非像素區(qū)域，因而OLED設(shè)備可以具有改善的分辨率或?qū)Ρ榷取，F(xiàn)在參見圖16和圖18，EML 150g可以通過例如噴涂印刷工藝形成。在這種情況下，EML 150b可以以第二方向連續(xù)形成在第一圖案132和第二含氟層143b上?，F(xiàn)在參見圖19和圖20，EML 150h可以通過例如噴涂印刷工藝形成。在這種情況下，EML 150h可以以第二方向連續(xù)形成在第一圖案132上?，F(xiàn)在參見圖21和圖22，EML 150 可以通過例如噴涂印刷工藝形成。在這種情況下，EML 150i可以以第二方向連續(xù)形成在第一圖案132上?，F(xiàn)在參見圖23和圖24，EML 150j可以通過例如噴涂印刷工藝形成。在這種情況下，EML 150j可以具有在第一圖案132和第三圖案138a上以第二方向延伸的線性形狀。

現(xiàn)在參見圖25和圖26，EML 150k可以通過例如噴涂印刷工藝形成。在這種情況下，EML 150k可以具有在第一圖案132和第二含氟層143c上沿第二方向延伸的線性形狀?，F(xiàn)在參見圖39，可以在HTL 136b和EML 150上形成第二中間層160，然后可以在第二中間層160上形成第二電極170。另外，可以在第二電極170上形成保護(hù)層(未示出)和上基板(未示出)，從而獲得根據(jù)示例性實(shí)施例的OLED設(shè)備。在某些示例性實(shí)施例中，可以通過與參考圖31至圖33所示出的工藝基本相同或相似的工藝，在第二電極170上進(jìn)一步形成電連接至基板100外圍部分上的引線的第三電極。前文圖示了示例性實(shí)施例，但不應(yīng)當(dāng)被解釋為對(duì)示例性實(shí)施例的限制。盡管已描述了若干示例性實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解，可以對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行多種修改，而本質(zhì)上不超出本發(fā)明的新穎教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)。相應(yīng)地，旨在將所有這種修改包括在權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的范圍內(nèi)。在權(quán)利要求中，功能性限定從句旨在覆蓋這里所描述的執(zhí)行記載的功能的結(jié)構(gòu)，并且不僅僅覆蓋結(jié)構(gòu)上的等同物，還覆蓋等同結(jié)構(gòu)。因此，應(yīng)當(dāng)理解，前文是各種示例性實(shí)施例的例示，不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于所公開的具體示例性實(shí)施例，并且旨在將對(duì)所公開的示例性實(shí)施例的修改以及其它示例性實(shí)施例包括在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備，包括 位于基板上的彼此隔開的多個(gè)第一電極； 布置在所述基板上的像素限定層，所述像素限定層部分地暴露所述第一電極； 布置在所述像素限定層和所暴露的第一電極上的第一中間層； 形成在所述第一中間層的與所述像素限定層的上表面重疊的部分上的含氟層，所述含氟層包括從所述像素限定層或所述第一中間層擴(kuò)散的氟； 至少部分地布置在所述第一中間層的上面不包括所述含氟層的部分上的發(fā)射層；以及 布置在所述發(fā)射層上的第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一中間層包括與所暴露的第一電極重疊的第一圖案和與所述像素限定層重疊的第二圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二圖案具有比所述第一圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率或比所述第一圖案的電阻高的電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二圖案具有比所述第一圖案的上表面高的上表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述含氟層形成在所述第二圖案上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一中間層進(jìn)一步包括與所述基板的位于彼此隔開的相鄰第一電極之間的部分重疊的第三圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第三圖案具有比所述第一圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率或比所述第一圖案的電阻高的電阻。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述含氟層包括布置在所述第二圖案上的第一含氟層和布置在所述第三圖案上的第二含氟層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第三圖案具有比所述第一圖案的上表面高的上表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括 位于所述基板上的引線，所述引線與所述第一電極隔開；以及 在所述第二電極和所述基板上布置并延伸的第三電極，所述第三電極電連接至所述弓I線. 其中所述第三電極通過一絕緣層圖案與所述第一電極隔開，所述絕緣層圖案包括所述像素限定層和所述第一中間層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述絕緣層圖案和所述第二電極共享公共的刻蝕表面。
12.—種有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備,包括 位于基板上的彼此隔開的多個(gè)第一電極； 位于所述基板上的覆蓋所述第一電極的第一中間層； 布置在所述第一中間層上的發(fā)射層，所述發(fā)射層與所述第一電極重疊；以及 布置在所述發(fā)射層上的第二電極； 其中所述第一中間層包括 與所述第一電極重疊的第一圖案；限制所述發(fā)射層的橫向部分的第二圖案；以及 與所述基板的位于彼此隔開的相鄰第一電極之間的部分重疊的第三圖案，所述第三圖案具有比所述第一圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率或比所述第一圖案的電阻高的電阻。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述發(fā)射層在所述多個(gè)第一電極上方連續(xù)延伸。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述發(fā)射層由所述第二圖案和所述第三圖案限制，從而具有島形。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第三圖案具有比所述第一圖案的親墨性低的親墨性。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括布置在所述第三圖案上的含氣層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述含氟層包括從所述第一中間層擴(kuò)散的氟。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第三圖案具有比所述第一圖案的上表面高的上表面。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二圖案具有比所述第一圖案的親墨性低的親墨性。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括布置在所述第二圖案上的含氣層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述含氟層包括從所述第一中間層擴(kuò)散的氟。
22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二圖案具有比所述第一圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率或比所述第一圖案的電阻高的電阻。
23.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括 位于所述基板上的引線，所述引線與所述第一電極隔開；以及 在所述第二電極和所述基板上布置并延伸的第三電極，所述第三電極電連接至所述弓I線. 其中所述第三電極通過一絕緣層圖案與所述第一電極隔開，所述絕緣層圖案包括所述第一中間層。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述絕緣層圖案和所述第二電極共享公共的刻蝕表面。
25.—種有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備,包括 位于基板上的彼此隔開的多個(gè)第一電極； 位于所述基板上的覆蓋所述第一電極的第一中間層； 布置在所述第一中間層上的發(fā)射層，所述發(fā)射層與所述第一電極重疊；以及 布置在所述發(fā)射層上的第二電極； 其中所述第一中間層包括 與所述第一電極重疊的第一圖案； 限制所述發(fā)射層的橫向部分的第二圖案；以及與所述基板的位于彼此隔開的相鄰第一電極之間的部分重疊的第三圖案，所述第三圖案具有比所述第一圖案的親墨性低的親墨性。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括布置在所述第三圖案上的含氣層。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述含氟層包括從所述第一中間層擴(kuò)散的氟。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第三圖案具有比所述第一圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率或比所述第一圖案的電阻高的電阻。
29.根據(jù)權(quán)利要求25所述的設(shè)備，其中所述第三圖案具有比所述第一圖案的上表面高的上表面。
30.根據(jù)權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二圖案具有比所述第一圖案的親墨性低的親墨性。
31.根據(jù)權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括布置在所述第二圖案上的含氣層。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述含氟層包括從所述第一中間層擴(kuò)散的氟。
33.根據(jù)權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二圖案具有比所述第一圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率或比所述第一圖案的電阻高的電阻。
34.根據(jù)權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述發(fā)射層在所述多個(gè)第一電極上連續(xù)延伸。
35.根據(jù)權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述發(fā)射層由所述第二圖案和所述第三圖案限制，從而具有島形。
36.根據(jù)權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括 位于所述基板上的引線，所述引線與所述第一電極隔開；以及 在所述第二電極和所述基板上布置并延伸的第三電極，所述第三電極電連接至所述弓I線. 其中所述第三電極通過一絕緣層圖案與所述第一電極隔開，所述絕緣層圖案包括所述第一中間層。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的設(shè)備，其中所述絕緣層圖案和所述第二電極共享公共的刻蝕表面。
38.一種有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備,包括 位于基板上的彼此隔開的多個(gè)第一電極； 位于所述基板上的覆蓋所述第一電極的第一中間層； 布置在所述第一中間層上的發(fā)射層，所述發(fā)射層與所述第一電極重疊；以及 布置在所述發(fā)射層上的第二電極； 其中所述第一中間層包括 與所述第一電極重疊的第一圖案； 限制所述發(fā)射層的橫向部分的第二圖案；以及 與所述基板的位于彼此隔開的相鄰第一電極之間的部分重疊的第三圖案，所述第三圖案具有比所述第二圖案的電導(dǎo)率高的電導(dǎo)率或比所述第二圖案的電阻低的電阻。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括布置在所述第二圖案上的含氣層。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述含氟層包括從所述第一中間層擴(kuò)散的氟。
41.根據(jù)權(quán)利要求38所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二圖案具有比所述第三圖案的上表面高的上表面。
42.根據(jù)權(quán)利要求38所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括 布置在所述基板上的引線，所述引線與所述第一電極隔開；以及 在所述第二電極和所述基板上布置并延伸的第三電極，所述第三電極電連接至所述弓I線. 其中所述第三電極通過一絕緣層圖案與所述第一電極隔開，所述絕緣層圖案包括所述第一中間層。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的設(shè)備，其中所述絕緣層圖案和所述第二電極共享公共的刻蝕表面。
44.一種有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備,包括 位于基板上的彼此隔開的多個(gè)第一電極； 位于所述基板上的覆蓋所述第一電極的第一中間層； 布置在所述第一中間層上的發(fā)射層，所述發(fā)射層與所述第一電極重疊；以及 布置在所述發(fā)射層上的第二電極， 其中所述第一中間層包括 與所述第一電極重疊的第一圖案； 限制所述發(fā)射層的橫向部分的第二圖案；以及 與所述基板的位于彼此隔開的相鄰第一電極之間的部分重疊的第三圖案，所述第三圖案具有比所述第二圖案的親墨性高的親墨性。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括布置在所述第二圖案上的含氣層。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述含氟層包括從所述第一中間層擴(kuò)散的氟。
47.根據(jù)權(quán)利要求44所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二圖案具有比所述第三圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率或比所述第三圖案的電阻高的電阻。
48.根據(jù)權(quán)利要求44所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二圖案具有比所述第三圖案的上表面高的上表面。
49.根據(jù)權(quán)利要求44所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括 布置在所述基板上的引線，所述引線與所述第一電極隔開；以及 在所述第二電極和所述基板上布置并延伸的第三電極，所述第三電極電連接至所述弓I線. 其中所述第三電極通過一絕緣層圖案與所述第一電極隔開，所述絕緣層圖案包括所述第一中間層。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述絕緣層圖案和所述第二電極共享公共的刻蝕表面。
全文摘要
一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，包括多個(gè)第一電極、像素限定層、第一中間層、含氟層、發(fā)射層和第二電極。所述第一電極在基板上彼此隔開。所述像素限定層布置在所述基板上。所述像素限定層部分地暴露所述第一電極。所述第一中間層布置在所述基板、所述像素限定層和所暴露的第一電極上。所述含氟層形成在所述第一中間層的與所述像素限定層的上表面重疊的部分上。所述含氟層包括從所述像素限定層或所述第一中間層擴(kuò)散的氟。所述發(fā)射層至少部分地布置在所述第一中間層的上面不包括所述含氟層的部分上。所述第二電極布置在所述發(fā)射層上。
文檔編號(hào)H01L51/50GK103066211SQ20121006129
公開日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2012年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月20日
發(fā)明者樸明緒 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司