專利名稱：晶圓級封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶圓級封裝(wafer lever package)結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，對于使用半導(dǎo)體的電路系統(tǒng)(circuit system)的小型化的要求非常高。為滿足這種要求，半導(dǎo)體電路中有時(shí)會安裝與其芯片尺寸接近的封裝(CSP(Chip SizePackage,芯片級封裝))。 作為實(shí)現(xiàn)CSP的方法之一，已知有被稱為WLP(Wafer Lever Package,晶圓級封裝)的封裝方法。WLP的一例為對通過切割(dicing)而單片化之前的娃晶圓(siliconwafer)形成外部電極等的方法，通過切割而形成的單片化是在形成外部電極等之后而進(jìn)行。如果使用WLP，則可對多個(gè)半導(dǎo)體芯片同時(shí)進(jìn)行再配線圖案(pattern)及外部端子電極(第二電極)等的形成，因此期待可提高生產(chǎn)性。由此，WLP為半導(dǎo)體裝置。晶圓級封裝包含輸入端(fan in)與輸出端(fan out)。輸入端是在與芯片尺寸相同的區(qū)域設(shè)置作為半導(dǎo)體裝置的外部電極(外部端子)。例如，經(jīng)過形成在芯片上的鈍化(passivation)膜上的再配線等，在該芯片的表面區(qū)域內(nèi)形成外部端子。輸出端是在比芯片尺寸大的區(qū)域設(shè)置作為半導(dǎo)體裝置的外部端子。例如，經(jīng)過形成在芯片上的鈍化膜上的再配線等，在埋入該芯片的絕緣樹脂的表面區(qū)域形成外部端子。在輸出端，例如在由埋入有多個(gè)芯片的絕緣樹脂而形成的絕緣樹脂晶圓上形成再配線及外部電極。由此，可提高生產(chǎn)性。另外，硅晶圓是在所謂晶圓前步驟(從電路的燒結(jié)到芯片上的鈍化膜形成為止)結(jié)束后，進(jìn)行切割而單片化為功能單位，并且將這些經(jīng)單片化的多個(gè)芯片搭載于所述絕緣樹脂晶圓。輸出端也是WLP。而且近年來,將LSI封裝(Large-scale integration package,大規(guī)模集成電路封裝)與晶圓工藝(wafer process) 一體加工,而實(shí)現(xiàn)小型化及低成本化,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)性能提高。但是，晶圓上的再配線及絕緣層等的形成是通過將PVD (Physical Vapor Deposition,物理氣相沉積)或電鍍(plating)與光刻法(photolithography method)組合而進(jìn)行，要求更低成本化。作為其對策，研究有通過應(yīng)用類似于金屬鑲嵌工藝(damascene process)的制造方法在永久光阻劑(permanent resist)的凹部內(nèi)將金屬作為配線進(jìn)行圖案化(patterning)的方法,該金屬鑲嵌工藝是將作為永久光阻劑的絕緣材料通過棍模(rolldie)擠壓或光刻法等加工成凹凸，在其上的全面被覆金屬層，并且對永久光阻劑的凸部及金屬層進(jìn)行研磨。然而，當(dāng)該方法中的研磨使用晶圓前步驟中所采用的CMP(Chemical MechanicalPolishing，化學(xué)機(jī)械拋光)法時(shí)，與以往方式即PVD或電鍍與光刻法的組合相比，價(jià)格上不存在優(yōu)點(diǎn)。作為與CMP法不同的方法有機(jī)械研磨法，但機(jī)械研磨法會產(chǎn)生研磨粒等的污染(contamination)等,為保持均質(zhì)的平坦加工面的加工時(shí)間變長。與此相對，專利文獻(xiàn)I 專利文獻(xiàn)4的切割方法的切割時(shí)間較短，可容易進(jìn)行平坦加工，因此作為低價(jià)格方法而提出。先行技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本專利特開平7-326614號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本專利特開2004-319965號公報(bào)專利文獻(xiàn)3 :日本專利特開2005-64451號公報(bào)專利文獻(xiàn)4 :日本專利特開2005-12098號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明所要解決的問題]本發(fā)明的至少一個(gè)課題在于，當(dāng)在永久光阻劑的凹部內(nèi)將金屬作為配線形成時(shí)，在專利文獻(xiàn)I 專利文獻(xiàn)4中所使用的切割方法中，由于是對永久光阻劑材料與金屬的復(fù)合體進(jìn)行切割，因此如果不考慮永久光阻劑材料的材質(zhì)、金屬的材質(zhì)或金屬的形成方法等，則會產(chǎn)生刀片自身振動(dòng)(顫動(dòng))、刀片磨損、刀片上附著被切割物等問題，生產(chǎn)性并不良好。[解決問題的技術(shù)手段]本發(fā)明的晶圓級封裝制造方法的具代表性構(gòu)成的特征在于包含樹脂形成步驟，在基板的表面形成包含形成著配線的槽的絕緣性第一樹脂；第一成膜步驟，在第一樹脂的表面，通過物理氣相生長成膜成為部分配線的第一金屬；第二成膜步驟，在第一金屬的表面成膜成為部分配線的硬度比第一金屬低的第二金屬；設(shè)置步驟，在與槽的側(cè)面未成膜第一金屬的高度或在槽的側(cè)面已成膜的第一金屬的厚度比在第一樹脂的上表面已成膜的第一金屬的厚度薄的部位相當(dāng)?shù)母叨忍帲蛘弑仍诓鄣牡酌嬉殉赡さ牡谝唤饘俚暮穸缺〉牟课幌喈?dāng)?shù)母叨忍幵O(shè)置切割刀；以及切割步驟，通過掃描切割刀而切割至少第一樹脂。根據(jù)所述構(gòu)成，例如第一成膜步驟的結(jié)果為，從第一樹脂的上表面到槽的側(cè)面的上部為止，成膜硬度相對高的第一金屬。但是，在槽的側(cè)面成膜的第一金屬的厚度隨著進(jìn)一步朝向下方(槽的底部)移動(dòng)而逐漸變小，最終變?yōu)榱?。如果接著進(jìn)行第二成膜步驟，則在已成膜在槽的底部、第一樹脂的上表面及槽的側(cè)面的上部的第一金屬上成膜第二金屬。本發(fā)明的特征在于，在進(jìn)行了如上所述的成膜之后的切割步驟中，切割刀例如以在槽的側(cè)面未成膜第一金屬(厚度為零)的高度為目標(biāo)，沿著該高度的切割線進(jìn)行切割。因此切割刀所切割的是例如切割對象中最柔軟的第一樹脂與硬度比第一金屬相對低的第二金屬這兩種。當(dāng)切割刀在靠近第一樹脂的上表面的高度切割第一樹脂的情況下，硬度比第二金屬相對高的第一金屬在槽的側(cè)面的一部分也以相當(dāng)量的厚度成膜。因此，變成對還包含第一金屬的三種材料進(jìn)行切割。如果與這種情況相比，則本發(fā)明(以未成膜第一金屬的(厚度為零)高度為目標(biāo))的切割刀的磨損程度非常小，從而可大幅度延長切割刀的壽命。而且，具有防止形成配線的金屬的配線圖案產(chǎn)生畸變這樣的顯著效果。另一方面，在本發(fā)明中，當(dāng)切割刀以第一金屬的厚度較薄的高度為目標(biāo)時(shí)，變成對還包含第一金屬的三種物質(zhì)進(jìn)行切割。但是本發(fā)明的特征在于，切割刀以在相當(dāng)于在槽的側(cè)面已成膜的第一金屬的厚度比在第一樹脂的上表面已成膜的第一金屬的厚度薄的部位的高度，或者相當(dāng)于比在槽的底面已成膜的第一金屬的厚度薄的部位的高度為目標(biāo)進(jìn)行切害I]。因此，如果與對在槽的側(cè)面已成膜的第一金屬的厚度較大的高度進(jìn)行切割的情況進(jìn)行比較，則切割刀的磨損程度小，從而可延長切割刀的壽命。所述第一樹脂可將苯酹(phenol)樹脂、不飽和聚酯(polyester)樹脂、三聚氰胺(melamine)樹脂或尿素(urea)樹脂作為主要成分。例如，使用金剛石(diamond)制造的車刀(bite)等切割刀進(jìn)行的切割較理想的是不會因切割時(shí)的局部發(fā)熱而產(chǎn)生塑性變形的熱硬化樹脂。這是因?yàn)?，為使切割刀的鋒利程度為良好，而認(rèn)為良好的是具有適當(dāng)?shù)膹椥阅?shù)，應(yīng)力畸變曲線中的斷裂強(qiáng)度相對低的樹脂。例如，應(yīng)該設(shè)為相對于應(yīng)力的畸變優(yōu)選為數(shù)％以下，難以產(chǎn)生裂紋(Craze)且對切割刀的纏繞較少的材料。所述樹脂均含有例如彈性模數(shù)表現(xiàn)為2 4GPa這一程度的穩(wěn)固且延伸較少的型環(huán)狀基。而且這些樹脂具有穩(wěn)固且延伸較少的特性，因此當(dāng)切割這些樹脂時(shí)，在與一起進(jìn)行切割的鄰接的金屬之間很難產(chǎn)生間隙。因此具有防止因樹脂產(chǎn)生畸變而使形成配線的金屬產(chǎn)生畸變這樣的顯著效果。
所述基板在至少部分表面包含鈍化膜，鈍化膜可與第一樹脂連接。這是因?yàn)?，通過將鈍化膜與第一樹脂連接，第一樹脂的密接性(粘接力)提高，切割性能進(jìn)一步提高。鈍化膜可將聚酰亞胺(polyimide)樹脂作為主要成分。這是因?yàn)椋鳛榕c鈍化膜連接的第一樹脂使用的苯酚樹脂、不飽和聚酯樹脂、三聚氰胺樹脂或尿素樹脂是與聚酰亞胺樹脂粘接的感光性樹脂，具有粘接力強(qiáng)且容易切割的性能。第一成膜步驟可以通過使用在與槽相對應(yīng)的位置具有開口部的金屬遮罩(metalmask)的離子電鍍(ion plating)法而進(jìn)行。根據(jù)所述構(gòu)成，第一成膜步驟的結(jié)果為在金屬遮罩及槽內(nèi)成膜第一金屬。如果接著將金屬遮罩剝離(lift off)進(jìn)行第二成膜步驟，則在已成膜在槽內(nèi)的第一金屬上成膜第二金屬，在第一樹脂的上表面及槽的側(cè)面僅直接成膜第二金屬。因此，在切割步驟中，無需在意槽的側(cè)面的第一金屬的成膜厚度，沿著不存在第一金屬的切割線或第一金屬的厚度較薄的切割線便可進(jìn)行切割。另外，第二成膜步驟可以通過物理氣相生長而進(jìn)行，例如，可以通過使用在與槽相對應(yīng)的位置具有開口部的金屬遮罩的離子電鍍法而進(jìn)行。根據(jù)所述構(gòu)成，第一成膜步驟及第二成膜步驟的結(jié)果為在金屬遮罩及槽內(nèi)成膜第一及第二金屬。如果接著將金屬遮罩剝離，則成為只在槽內(nèi)成膜第一及第二金屬的狀態(tài)。因此在這種情況下，在切割步驟中，也無需考慮槽的側(cè)面的第一金屬的成膜厚度，沿著不存在第一金屬的切割線或第一金屬的厚度較薄的切割線便可進(jìn)行切割。另一方面，第二成膜步驟也可以通過濺鍍(sputtering)法而進(jìn)行。這是因?yàn)?，即使硬度相對比第一金屬低的第二金屬的成膜厚度比使用離子電鍍法的第二金屬的成膜厚度厚，對切割刀的磨損等的影響仍較小。第二成膜步驟也可代替離子電鍍法或?yàn)R鍍等物理氣相生長而通過電鍍法進(jìn)行。這是因?yàn)椋词褂捕认鄬Ρ鹊谝唤饘俚偷牡诙饘俚某赡ず穸缺仁褂梦锢須庀嗌L的第二金屬的成膜厚度厚，對切割刀的磨損等的影響仍較小。在所述樹脂形成步驟中，可將與槽鄰接的第一樹脂的截面以基板的表面為基準(zhǔn)形成為長方形或正錐形(taper)。即使如上所述與槽鄰接的第一樹脂的截面為正錐形狀，隨著沿著槽的側(cè)面朝向下方(槽的底部)移動(dòng)，所成膜的第一金屬的厚度逐漸變小，例如，比在第一樹脂的上表面成膜的第一金屬的厚度小。而且，如果與槽鄰接的第一樹脂的截面為長方形，則槽的側(cè)面成為垂直的面。因此，可實(shí)現(xiàn)如上所述的隨著沿著槽的側(cè)面朝向下方移動(dòng)，第一金屬的成膜厚度逐漸變小且最終變?yōu)榱氵@樣的可應(yīng)用本發(fā)明的切割步驟的結(jié)構(gòu)。所述金屬遮罩的開口部的寬度可以比槽的寬度窄。這是因?yàn)?，由此可有意使槽的?cè)面的第一金屬的成膜厚度進(jìn)一步變薄。在所述樹脂形成步驟中，可將與槽鄰接的第一樹脂的截面以基板的表面為基準(zhǔn)形成為倒錐形。如上所述只要第一樹脂具有該倒錐形截面，則槽的側(cè)面成為第一樹脂的末端狹窄這樣的傾斜面。因此，槽的側(cè)面的第一金屬的成膜厚度比第一樹脂具有長方形截面時(shí)的第一金屬的成膜厚度更薄。由此，槽的側(cè)面的第一金屬的厚度變得更薄。因此，例如在第一金 屬的厚度為零的高度設(shè)置切割刀進(jìn)行切割步驟的范圍(margin)變寬。所述構(gòu)成的特征在于，如此通過將槽的側(cè)面的第一金屬的成膜厚度有意識地變得更薄，而使可應(yīng)用本發(fā)明的切割步驟的第一金屬的厚度薄的范圍(margin)變寬。當(dāng)如上所述將第一樹脂的截面設(shè)為倒錐形狀時(shí)，第一成膜步驟可以通過濺鍍法進(jìn)行。這是因?yàn)?，例如通過將第一樹脂的截面設(shè)為倒錐形狀，槽的側(cè)面的第一金屬的成膜厚度變得與使用離子電鍍法的成膜厚度相同。當(dāng)如上所述將第一樹脂的截面設(shè)為倒錐形狀時(shí)，第二成膜步驟既可以通過離子電鍍法進(jìn)行，也可以通過濺鍍法進(jìn)行。多數(shù)情況下離子電鍍法在特定時(shí)間內(nèi)的金屬的成膜厚度比濺鍍法大，從而實(shí)現(xiàn)了成本削減。另一方面，在通過濺鍍裝置的混載產(chǎn)品的生產(chǎn)線來制造本申請的晶圓級封裝的情況下，例如通過將第一樹脂設(shè)為倒錐形而可在第一及第二成膜步驟中應(yīng)用濺鍍法?？梢种菩碌碾x子電鍍法裝置的設(shè)備投資。這是因?yàn)?，硬度相對比第一金屬低的第二金屬的成膜厚度對切割刀的磨損等的影響較小。所述基板是包含電路及對電路輸入輸出信號的內(nèi)部端子電極的半導(dǎo)體基板，在槽內(nèi)成膜的第一金屬及第二金屬可形成配線層，所述配線層將內(nèi)部端子電極與作為輸入端設(shè)置在相當(dāng)于半導(dǎo)體基板的芯片的區(qū)域內(nèi)的外部端子電極連接。所述基板包含半導(dǎo)體芯片及絕緣性第二樹脂，所述半導(dǎo)體芯片包含電路及對電路輸入輸出信號的內(nèi)部端子電極，所述絕緣性第二樹脂覆蓋半導(dǎo)體芯片的至少側(cè)面，在槽內(nèi)成膜的第一金屬及第二金屬可形成配線層，所述配線層將內(nèi)部端子電極與作為輸出端設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的區(qū)域外的第二樹脂中的外部端子電極連接。例如，所述基板是將對晶圓進(jìn)行切割的多個(gè)芯片重新排列在第二樹脂中的輸出端WLP用基板。[發(fā)明的效果]根據(jù)本發(fā)明，可提供一種能夠抑制切割刀的磨損而延長切割刀的壽命的晶圓級封裝的制造方法。而且，由于防止形成配線的金屬的配線圖案產(chǎn)生畸變，因此具有經(jīng)濟(jì)且可實(shí)現(xiàn)細(xì)微圖案加工這樣的顯著效果。


圖I是表示本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的電路基板(硅晶圓)的結(jié)構(gòu)的示意性截面圖。圖2是從球側(cè)觀察通過本發(fā)明而組裝的封裝的俯視圖。圖3是通過本發(fā)明而組裝的封裝的側(cè)視圖。圖4是說明本發(fā)明的WLP制造方法的再配線部的俯視圖。圖5是說明本發(fā)明的WLP制造方法的第一實(shí)施方式的截面圖。圖6是說明本發(fā)明的WLP制造方法的截面圖。 圖7是說明本發(fā)明的WLP制造方法的截面圖。圖8是說明本發(fā)明的WLP制造方法的截面圖。圖9是說明本發(fā)明的WLP制造方法的截面圖。圖10是說明本發(fā)明的WLP制造方法的截面圖。圖11是本發(fā)明的WLP的配線層21的截面圖。圖12是說明本發(fā)明的WLP制造方法的截面圖。圖13是說明本發(fā)明的WLP制造方法的截面圖。圖14是說明本發(fā)明的WLP制造方法的截面圖。圖15是說明本發(fā)明的WLP制造方法的截面圖。圖16是說明本發(fā)明的WLP制造方法的截面圖。圖17是表示本發(fā)明的WLP制造方法的第二至第七實(shí)施方式中共用流程的流程圖。圖18是表示按照圖17的流程圖而制造的WLP的變化的一例的概略圖。圖19是表示本發(fā)明的WLP制造方法的第二實(shí)施方式的圖。圖20是表示在圖19中WLP制造方法已結(jié)束的結(jié)果所獲得的晶圓級封裝的中間體的圖。圖21是表示本發(fā)明的各實(shí)施方式中所利用的各種樹脂及金屬的物性值的表。圖22是表示不適合作為圖19的第一樹脂的樹脂(聚酰亞胺樹脂等)所產(chǎn)生的裂紋(Craze)的例的示意圖。圖23是表示各種樹脂的應(yīng)力-畸變曲線的圖表。圖24是微觀觀察圖19的高度HO的切割的示意圖。圖25是表示本發(fā)明的WLP制造方法的第三實(shí)施方式的圖。圖26是表示在圖25中WLP制造方法已結(jié)束的結(jié)果所獲得的WLP的中間體的圖。圖27是表示本發(fā)明的WLP制造方法的第四實(shí)施方式的圖。圖28是表示在圖27中WLP制造方法已結(jié)束的結(jié)果所獲得的WLP的中間體的圖。圖29是表示本發(fā)明的WLP制造方法的第五實(shí)施方式的圖。圖30是表示根據(jù)圖29的成膜狀態(tài)將金屬遮罩剝離而進(jìn)行第二成膜步驟的成膜結(jié)果的圖。圖31是表示根據(jù)圖30的成膜狀態(tài)進(jìn)行了切割、平坦化步驟的結(jié)果所獲得的WLP的中間體的圖。圖32是表示本發(fā)明的WLP制造方法的第六實(shí)施方式的圖。圖33是表示本發(fā)明的WLP制造方法的第七實(shí)施方式的圖，是本實(shí)施方式中所使用的基板的俯視圖。
圖34是圖33的截面圖。圖35是例示圖33的輸出端用WLP基板的制造步驟的圖。圖36是例示對于圖33的輸出端用WLP基板應(yīng)用圖17所示的WLP制造方法而制造的WLP的完成體的圖。[符號的說明]I基板2芯片提取電極(內(nèi)部端子電極)3鈍化膜4障壁金屬配線4b槽內(nèi)部的障壁金屬材料4u樹脂上表面的障壁金屬材料5鋁配線5b槽內(nèi)部的鋁配線5u樹脂上表面的鋁配線6用于制作形成配線層的槽的樹脂6a經(jīng)感光的樹脂7障壁金屬配線8銅配線9焊球10硅晶圓11保護(hù)絕緣膜21配線層(第一配線層)22配線層(第二配線層)22s配線層的側(cè)面200遮罩201槽202感光用的光203遮罩開口部300遮罩301遮罩開口部400樹脂形成步驟410第一成膜步驟
420第二成膜步驟430設(shè)置步驟440切割步驟442內(nèi)部端子電極522內(nèi)部端子電極523內(nèi)部端子電極444鈍化膜
528 鈍化膜446 納米壓模450 基板452 第一樹脂452A 第一樹脂460 第一樹脂465 第一樹脂500 第一樹脂 461 聚酰亞胺樹脂454 槽456 槽462 槽502 槽470 第一金屬480 第二金屬490 切割刀(bite)492 有機(jī)物主體部494 裂紋496 原纖維498 空穴510 金屬遮罩512 開口部520 輸出端用WLP基板524 半導(dǎo)體芯片526 第二樹脂530 半導(dǎo)體晶圓532 芯片固定膠帶540 外部端子電極550 外部端子電極560阻焊劑
具體實(shí)施例方式下面，一邊參照附圖，一邊對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。圖I是表示本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的電路基板(包含硅晶圓)的結(jié)構(gòu)的示意性截面圖。如圖I所示，本實(shí)施方式的硅晶圓10包括作為晶圓本體的基板I、形成在基板I的表面的芯片提取電極(內(nèi)部端子電極)2、以及與芯片提取電極2電性連接的焊球(solderball)(外部端子電極)9?；錓是包含其后進(jìn)行單片化的多個(gè)半導(dǎo)體芯片的集合基板。這些半導(dǎo)體芯片中所形成的電路彼此相同。
基板I的表面除設(shè)置有芯片提取電極2的區(qū)域以外的大致整面由絕緣性鈍化膜3覆蓋。雖然并無特別限定，但芯片提取電極2例如包含鋁(Al)。可對芯片提取電極2與下述配線層相連接的表面預(yù)先實(shí)施電鍍(例如Ni+Au)。另外，在本說明書中，當(dāng)提及“基板I”時(shí)，有時(shí)包含芯片提取電極2及鈍化膜3。因此，所謂“基板I的表面”，有時(shí)也指芯片提取電極2的表面及鈍化膜3的表面。包含這些基板I、芯片提取電極2及鈍化膜3的部分是通過所謂的前步驟(擴(kuò)散步驟)而制作的部分。在前步驟中，與電路相關(guān)的極細(xì)微的內(nèi)部配線等通過使用分檔器(stepper)等的極高精度的光刻法而形成在基板上。成為這些內(nèi)部配線的端子的部分為芯片提取電極2。本實(shí)施方式的娃晶圓10是通過對其表面以晶圓級實(shí)施加工,而形成圖I所示的配線層21、22及焊球9等。另外，在本發(fā)明中，外部端子電極并不限定為焊球9。作為本申請發(fā)明的特征之一的樹脂6確定配線層21 (第一金屬配線)與配線層21 (與第一配線物理鄰接的第二金屬配線)的電性絕緣。圖2是通過本發(fā)明而組裝的封裝的俯視圖。在圖2中，使形成有焊球9的面為表 面來進(jìn)行表示。圖3是通過本發(fā)明而組裝的封裝的側(cè)視圖。在圖3中，使形成有焊球9的面為上表面來進(jìn)行表不。如圖I所示，基板I的表面設(shè)置有芯片提取電極2與鈍化膜3。如上所述，鈍化膜3覆蓋基板I的表面中除設(shè)置有芯片提取電極2的區(qū)域以外的大致整面。提取電極2與積層障壁(barrier)金屬配線4b及鋁配線5b而成的配線層21連接。雖然并無特別限定，但作為障壁金屬配線4b的厚度只要設(shè)為0. 3 y m左右便可，作為鋁配線5b的厚度只要設(shè)為5 u m左右便可。另外，即使配線5b的材質(zhì)為銅(Cu)也無問題，在將銅(Cu)作為配線層的情況下，也可以通過電鍍法在障壁金屬上積層銅(Cu)。配線層21的平面形狀的一例如圖4所示，雖然并無特別限定，配線層21的上表面中除由配線層22覆蓋的部分22a以外，全部由保護(hù)絕緣膜11(圖I)覆蓋。在本說明書中，有時(shí)將配線層21、22的上表面中未由保護(hù)絕緣膜11覆蓋的部分稱為“第一部分”，將由保護(hù)絕緣膜11覆蓋的部分稱為“第二部分”。因此，配線層21不包含第一部分。另外，如圖I所示，配線層21的端部與積層障壁金屬配線7及銅配線8而成的第二配線層22連接。雖然并無特別限定，但作為障壁金屬配線7的厚度只要設(shè)為0. 3 左右便可，作為銅配線8的厚度只要設(shè)為10 左右便可。銅配線8也可為鋁配線。第二配線層22是作為成為焊球9的基底的柱狀電極(post electrode)而發(fā)揮功能的配線層，并且相對于基板I的表面垂直設(shè)置。換句話說，第二配線層22與再配線部21 —樣不包含沿著基板I的表面延伸的部分。作為障壁金屬配線4及7，可使用包含Ti、Cr、Ta或Pd的單層膜，或者Ti與Ni的積層膜等。在本發(fā)明中并非必需設(shè)置障壁金屬配線4及7，但一般來說，如果在鈍化膜3的表面直接形成鋁配線5，則兩者的密接性不足，一旦在暴露在大氣中的鋁配線5的表面直接形成銅配線8，則兩者的密接性不足，因此優(yōu)選設(shè)置所述障壁金屬配線4及7。但是，在本發(fā)明中，當(dāng)通過PVD (物理氣相生長)法形成配線5及8時(shí)，通過控制被覆能量而可調(diào)整密接性及被覆應(yīng)力。因此在這種情況下，如果與以往的WLP相比，設(shè)置障壁金屬配線4及7的必然性較低。如圖I所示，基板I的表面中除形成焊球9的區(qū)域以外的整面由保護(hù)絕緣膜11覆蓋。對保護(hù)絕緣膜11的材料并無特別限定，但優(yōu)選使用通過PVD法覆膜電絕緣性無機(jī)物者或通過固化處理(cure)等將液狀的有機(jī)絕緣材料固化的材料。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，配線層21的表面中除由配線層22覆蓋的部分以外全部由保護(hù)絕緣膜11覆蓋。同樣地，配線層22的表面中除由焊球9覆蓋的部分(第一部分)以外全部由保護(hù)絕緣膜11覆蓋(第二部分)。[實(shí)施例I]接下來，對本實(shí)施方式的晶圓級封裝的第一實(shí)施方式的制造方法進(jìn)行說明。圖5 圖16是用于說明本實(shí)施方式的晶圓級封裝的第一實(shí)施方式的制造方法的步驟圖。圖5至圖10相當(dāng)于圖2中的左側(cè)所示的多個(gè)芯片提取電極2沿著Y軸方向展開時(shí)的截面圖。圖11至圖16相當(dāng)于圖2中的左側(cè)所示的任意一個(gè)芯片提取電極2及配線層21以及焊球(外部端子電極)9的X軸方向的截面圖。首先，準(zhǔn)備前步驟已結(jié)束的基板1，如圖5所示，由絕緣性優(yōu)異的樹脂6覆蓋其表面(樹脂涂布步驟)。樹脂涂布膜的厚度雖然并無特別限定，但較理想為5 y m到30 y m左右。對作為本申請發(fā)明的特征之一的樹脂6的材料，在下文進(jìn)行敘述。接下來以應(yīng)該形成配線層21 (圖I)的區(qū)域的部分成為如圖8所示的槽201的方式去除樹脂6 (槽形成步驟)。去除樹脂例如通過光刻法進(jìn)行，因此可實(shí)現(xiàn)槽寬度(再配線寬度)為IOiim以下的細(xì)微加工。作為步驟,如圖6所示,從樹脂6的上方覆蓋遮罩200,該遮罩200將樹脂6中形成槽的部分作為開口部203，如圖7所示通過開口部203照射感光用 的光202，使成為槽201的部分的樹脂6成為經(jīng)感光的樹脂6a。接下來，將遮罩剝離(剝離步驟)，施加固化處理后，通過清洗去除經(jīng)感光的樹脂6a (顯影步驟)，由此形成槽201 (圖8)。另外，形成所述槽201的光刻法步驟通過正片法(positive method)進(jìn)行了說明，當(dāng)然底片法(negative method)的步驟也毫無問題。另外，槽201的形成法也可以通過蝕刻(etching)法或雷射(laser)加工法而形成。如此形成應(yīng)該形成配線層21的區(qū)域部分的槽201，接下來，如圖9所示，不使用遮罩而是通過PVD法使障壁金屬材料4及鋁5依序被覆在基板I整面(成膜步驟)。此處，被覆在槽201的內(nèi)部的障壁金屬材料4b和鋁5b經(jīng)過后面的步驟而形成第一配線層21。另外，鋁5b也可以為銅(Cu)，在設(shè)為銅(Cu)的情況下，可不通過PVD法而是通過電鍍法進(jìn)行積層。在將銅(Cu)進(jìn)行積層的情況下，可選擇PVD法、電鍍法中的任一種制作方法。在被覆成為第一配線層21的成膜之后，通過切割刀從已成膜的表面相對于基板I的表面平行地切割，去除4u和5u部分使得配線層21僅殘留在通過樹脂而形成的槽201的內(nèi)部(切割步驟)。由此完成配線21 (參照圖10、圖11)。另外，即使在切割步驟中切割部分樹脂6也無問題。關(guān)于從基板I的表面(或背面)到切割刀為止的位置(高度)，最理想的是切割線(掃描線)處于不存在障壁金屬材料4的位置(高度)。詳情于下文進(jìn)行敘述。接著形成第二配線層22。第二配線層22的形成方法如圖12所示，準(zhǔn)備設(shè)置有與配線層22的平面形狀相對應(yīng)的開口部301的金屬遮罩300，將金屬遮罩300以應(yīng)該形成配線層22的區(qū)域經(jīng)過開口部301而露出的方式覆蓋在基板I的表面上(遮蔽步驟)。接下來，在如圖13所示覆蓋著金屬遮罩300的狀態(tài)下，通過PVD法使障壁金屬材料7及銅8依序被覆(成膜步驟)。由此，成為在經(jīng)過金屬遮罩300的開口部301而露出的基板I的表面(準(zhǔn)確說是鋁配線5b的表面)及金屬遮罩300的上表面堆積著障壁金屬材料7及銅8的狀態(tài)。接著，如圖14所示，只要將金屬遮罩300從基板I剝離(剝離步驟)，則無需使用光刻法便形成包含障壁金屬配線7及銅配線8的第二配線層 22。接下來，如圖15所示，在去除應(yīng)該形成焊球9的部分的基板I的表面，通過PVD法選擇性地覆膜具有電絕緣性無機(jī)物質(zhì)(保護(hù)絕緣膜形成步驟)。如果選擇性地供給絕緣材料，則配線層21的整面及配線層22的側(cè)面22s由保護(hù)絕緣膜11覆蓋。在供給絕緣材料之前的階段，配線層22在基板上最突出，因此只要以避開配線層22的方式選擇性地供給絕緣材料，則配線層22的整個(gè)上表面不會被絕緣材料覆蓋。另外，對于保護(hù)絕緣膜11的形成，也可以通過使用絲網(wǎng)印刷(screen print)法選擇性地供給具有流動(dòng)性的絕緣材料,并且進(jìn)行固化處理而固化的方法。其后，只要對配線層22的露出部分供給焊料并且使該焊料熔融，則如圖16所示形成焊球9(電極形成步驟)。根據(jù)所述內(nèi)容，一系列的WLP步驟結(jié)束。其后，只要沿著劃線(scribe line)將基板I切割，則可對各半導(dǎo)體芯片進(jìn)行單片化(切割步驟)。另外，基板I的切割也可以在形成保護(hù)絕緣膜11之后且形成焊球9之前進(jìn)行。另外，也可以將配線層22的柱狀電極當(dāng)作外部端子電極以代替焊球9。如以上所說明那樣，根據(jù)本實(shí)施方式的硅晶圓10的制造方法，通過兩次PVD覆膜和一次光刻法步驟而直接形成配線層21、22。另外，形成槽201的周圍的樹脂6與通過以往的光刻法而制作的WLP不同，并非去除而是成為構(gòu)成WLP的一部分。有時(shí)將樹脂6稱為永久光阻劑。因此，與使用以往一般性的方法的WLP相比，步驟數(shù)減少到二分之一以下。而且，遮罩200與遮罩300價(jià)格便宜而可大量生產(chǎn)，并且可重復(fù)使用遮罩200及遮罩300。根據(jù)這些，可提供生產(chǎn)性高且低成本的硅晶圓10。(晶圓級封裝制造方法)圖17是表示本發(fā)明的晶圓級封裝制造方法的第二至第七實(shí)施方式中共用流程的流程圖。另外，所述第一實(shí)施方式也按照圖17的流程。圖18是表示按照圖17的流程圖而制造的晶圓級封裝的變化的一例的概略圖。如圖18所示，在本方法中，使用基板450，基板450例如可為半導(dǎo)體基板(例如硅晶圓)?；?50中排列著內(nèi)部端子電極(芯片提取電極)442及絕緣體的鈍化膜444(只要無特別說明，則將這些統(tǒng)稱為基板450)。在本方法中，首先進(jìn)行樹脂形成步驟400 (圖17)，該樹脂形成步驟400是在所述基板450的表面形成凹凸形狀的具有絕緣性第一樹脂452。在樹脂形成步驟400中，例如圖18 (a)所示，在基板450的表面涂布第一樹脂452。第一樹脂452可將苯酚樹脂、不飽和聚酯樹脂、三聚氰胺樹脂或尿素樹脂作為主要成分。接下來，如圖18(b) (C)所示，通過光刻法去除部分第一樹脂452 (內(nèi)部端子電極442的位置)，在所殘留的第一樹脂452A之間形成槽454。當(dāng)形成槽454時(shí)，隔著光罩(photo mask)(省略圖示)照射紫外線，由此形成經(jīng)曝光的部分452和未曝光的第一樹脂452A (圖18(b))。如果將所述經(jīng)曝光的部分452和未曝光的第一樹脂452A浸入到顯影液中并去除經(jīng)曝光的部分452，則如圖18(c)所示，在所殘留的第一樹脂452A之間形成槽454。第一樹脂452A相當(dāng)于“凸”，槽454相當(dāng)于“凹”。如果將基板450作為視點(diǎn)，則第一樹脂452所具有的“凹”為槽有時(shí)也為孔。這種情況可根據(jù)使圖2及圖4所示的配線層21為絕緣材料的樹脂6的形狀而理所當(dāng)然地理解。另外，第一樹脂452與樹脂6相同。但是，樹脂形成步驟400中所使用的技術(shù)并不限定為如上所述的光刻法。也可如圖18(d)所示,通過納米壓印(nanoimprint)而形成槽456,該納米壓印是將形成有納米級(nanoscale)凹凸圖案的納米壓模(nanostamper) 446與第一樹脂452抵壓而將凹凸圖案轉(zhuǎn)錄。如此只要樹脂形成步驟400中所形成的第一樹脂452中存在由槽454、456所產(chǎn)生的高低差即凹凸便可。可如圖18(c)的槽454那樣底處不包含第一樹脂452，也可如圖18 (d)的槽456那樣底處包含第一樹脂452。在本方法中，如圖17所示，在樹脂形成步驟400之后包含成膜成為部分配線的第一金屬470的第一成膜步驟410及成膜成為部分配線的第二金屬480的第二成膜步驟420。在第一成膜步驟410、第二成膜步驟420中，均通過物理氣相生長(PVD :Physical VaporDeposition)來成膜第一金屬470及第二金屬480。作為PVD的例，可列舉蒸鍍(電阻加熱蒸鍍、電子束蒸鍍、分子束外延(molecular beam epitaxy)法等)、離子電鍍法、離子束沉積(ion beam deposition)、灘鍛等。另外，在本方法中，包含設(shè)置步驟430及切割步驟440，所述設(shè)置步驟430是在特定位置設(shè)置切割刀490，所述切割步驟440是通過切割刀490將金屬(配線)及第一樹脂切割并且進(jìn)行平坦化。關(guān)于這些步驟將在下面的本發(fā)明的各實(shí)施方式中說明。[實(shí)施例2](第二實(shí)施方式)圖19是表示本發(fā)明的晶圓級封裝制造方法的第二實(shí)施方式的圖。圖20是表示在圖19中晶圓級封裝制造方法已結(jié)束的結(jié)果所獲得的晶圓級封裝的中間體的圖。在本實(shí)施方式中，圖17的樹脂形成步驟400中，將與槽462鄰接的第一樹脂460的截面設(shè)為長方形。對所述第一樹脂460及槽462進(jìn)行成膜硬度相對高的第一金屬470的第一成膜步驟410及進(jìn)一步成膜硬度相對低的第二金屬480的第二成膜步驟420。其結(jié)果，獲得圖19所示的成膜狀態(tài)。第一金屬470可設(shè)為Ti、Cr、Ta或Pd，第二金屬480可設(shè)為Cu或Al。由這些材質(zhì)可知，作為障壁金屬使用的第一金屬470與作為配線金屬使用的第二金屬480之間存在硬度差。接下來，如圖17所示，進(jìn)行設(shè)置步驟430。在設(shè)置步驟430中，在圖19的槽462的側(cè)面(第一樹脂460的側(cè)壁)已成膜的第一金屬470并未成膜的相當(dāng)于厚度為零的部位的高度即高度HO處設(shè)置切割刀490并且切割第一樹脂460及第二金屬480。其結(jié)果，獲得圖20所示的晶圓級封裝的中間體。根據(jù)本實(shí)施方式，第一成膜步驟410的結(jié)果如圖19所示，在第一樹脂460的上表、面到槽462的側(cè)面的上部為止，成膜硬度相對高的第一金屬470。但是隨著進(jìn)一步朝向下方移動(dòng)，在第一樹脂460的側(cè)面成膜的第一金屬470的厚度逐漸變小，最終變?yōu)榱恪Ｈ艚又M(jìn)行第二成膜步驟420，則如圖19所示，在成膜在槽462的底部、第一樹脂460的上表面及槽462的側(cè)面的上部的第一金屬470上成膜第二金屬480。另外，第二成膜步驟420也可如圖9的配線5那樣，以填埋槽462的方式成膜第二金屬480。另外，在第一樹脂460的上表面成膜的第一金屬470的厚度與在槽462的底部成膜的第一金屬470的厚度為大致相同的厚度。(由切割刀切割未成膜第一金屬的部位)本實(shí)施方式的特征在于，在進(jìn)行了如上所述的成膜之后，在設(shè)置步驟430中，例如沿著未成膜第一金屬470的相當(dāng)于厚度為零的部位的高度HO的切割線設(shè)置切割刀490，并且在圖17所示的切割步驟440中沿著基板450的表面掃描切割刀490，由此進(jìn)行切割。因此，切割刀490所切割的是最柔軟的第一樹脂460和硬度比第一金屬470相對低的第二金 屬480這兩種。另外，第二金屬480的成膜的厚度為任意，與切割刀490的設(shè)置高度H并無直接關(guān)聯(lián)。例如，當(dāng)?shù)诙饘?80的成膜厚度較薄時(shí)，也存在切割刀490以高度HO的切割線進(jìn)行切割的只是第一樹脂460的情況。例如，當(dāng)?shù)诙饘?80的成膜厚度較薄時(shí)，也存在高度Hl的切割線為槽462中所形成的第二金屬480的表面的情況。另外，所謂“最柔軟”，是指被切割的對象的多個(gè)材料中最柔軟的材質(zhì)。另外，本申請的技術(shù)范圍也包含固定切割刀490并掃描基板450，或者將兩者分別獨(dú)立掃描的情況。當(dāng)在比所述高度HO高的位置進(jìn)行切割的情況下，硬度相對高的第一金屬470也在槽462的側(cè)面成膜。因此，變成對還包含第一金屬470的三種材料進(jìn)行切割。如果與所述情況進(jìn)行比較，則本實(shí)施方式中切割刀490的磨損程度最小，從而可最大限度延長切割刀490的壽命。(由切割刀切割第一金屬的成膜厚度較小的部位)但是，在設(shè)置步驟430及切割步驟440中，如果在槽462的側(cè)面已成膜的硬度最高的第一金屬470的厚度較小，則以其高度為目標(biāo)進(jìn)行切割便可。例如圖19的區(qū)域A放大圖所示，為高度Hl時(shí)，第一金屬470的成膜厚度Tl比在第一樹脂460的上表面已成膜的相同的第一金屬470的厚度T2 (參照圖19的區(qū)域B放大圖)薄。也可以該高度Hl的切割線進(jìn)行切割。根據(jù)所述構(gòu)成，切割刀490對第一金屬470、第二金屬480及第一樹脂460這三種進(jìn)行切割，但第一金屬470的成膜厚度Tl小到滿足所述條件的程度。如果將這種情況與在比所述高度Hl更高的位置進(jìn)行切割的情況相比，則切割刀490的磨損程度小，從而可延長切割刀490的壽命。(截面長方形的樹脂)另外，在本實(shí)施方式中，第一樹脂460具有長方形的截面，因此第一樹脂460的側(cè)面成為垂直的面。因此，隨著沿著第一樹脂460的側(cè)面朝向下方移動(dòng)，第一金屬470的成膜厚度逐漸變小且最終變?yōu)榱?，從而可?shí)現(xiàn)能夠應(yīng)用本實(shí)施方式的切割步驟440的結(jié)構(gòu)。(比較例)將專利文獻(xiàn)I作為比較例與本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行比較。在專利文獻(xiàn)I的技術(shù)中，如該文獻(xiàn)的圖10及段落所述，雖然公開了在SiO2層間絕緣膜22的邊緣(edge)面上、且比和障壁金屬24的界面略低的位置上抵接切割刀6，并且沿著X方向進(jìn)行切割的內(nèi)容，但是并未公開有關(guān)障壁金屬24的硬度及切割刀的劣化(磨損)的課題，并且既未公開也未暗示有關(guān)以抑制切割刀的劣化為視點(diǎn)的切割刀的高度的研究。另外，也未公開暗示有關(guān)下述層間絕緣膜22的材質(zhì)與切割刀的關(guān)系的研究。另一方面，在本發(fā)明中，具有如下顯著效果，即通過嚴(yán)格規(guī)定切割刀的設(shè)定高度與第一金屬470的關(guān)系來抑制切割刀的磨損，也可提高切割性能。另外，在本發(fā)明中，具有如下顯著效果，即通過嚴(yán)格規(guī)定作為下述電性絕緣的第一樹脂460的材質(zhì)與切割刀的關(guān)系來抑制切割刀的磨損，也可提高切割性能。(本發(fā)明能抑制切割刀磨損的理由)如上所述，越是大量切割硬度相對高的第一金屬470，換句話說，第一金屬470的線段長度占切割線的線段長度的比率越大，切割刀490的磨損越激烈，因此本發(fā)明的各實(shí)施方式的特征之一在于，以第一金屬470的厚度較薄的部位或變?yōu)榱愕牟课粸槟繕?biāo)進(jìn)行切害I]，盡可能抑制第一金屬470的切割量。下面，關(guān)于物理常數(shù)與切割刀490的磨損進(jìn)行研究。 圖21是表示本發(fā)明的各實(shí)施方式中所利用的各種樹脂及金屬的物性值的表。圖21中，包含苯酚樹脂作為可用作第一樹脂460(標(biāo)注了其他符號的“第一樹脂”也相同)的原材料的代表。而且，包含Ti作為可用作第一金屬470的金屬的代表，包含Cu或Al作為可用作第二金屬480的金屬的代表。另外，聚酰亞胺樹脂是苯酚樹脂的比較例。當(dāng)使用切割刀490進(jìn)行切割時(shí)，切割刀490感受到所切割的材料的阻力感，由此切割刀490產(chǎn)生磨損的原因有，第一，所切割的材料具有硬度，第二，材料具有粘性(即彈性伸展的大小)。這是因?yàn)?，如果切割?90對具有粘性的材料進(jìn)行切割，則切割刀490將未切斷的材料拖延。由于Ti的所述硬度、粘性這兩者均高，因此是特別磨損切割刀490的材料。但是，本發(fā)明的各實(shí)施方式是對未成膜有以Ti為代表的高硬度的第一金屬470的部位或者相當(dāng)于其厚度較薄的部位的高度進(jìn)行切割。由此抑制了第一金屬470的切割量。因此，抑制切割刀490的磨損，從而可大幅度延長其壽命。而且，苯酚樹脂中聚合物(polymer)構(gòu)成所需要的官能烷基、羥基等網(wǎng)絡(luò)(network)形成基一般較多，與聚酰亞胺的胺基等網(wǎng)絡(luò)形成基相比，采用密集的三維結(jié)構(gòu)。因此，彈性模數(shù)相對高，硬度也高，塑性變形(裂紋變形)范圍小。特別是由于苯酚樹脂的主體為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，因此不會產(chǎn)生切割對象物附著在切割刀而使加工性能劣化等問題，容易進(jìn)行切割加工。如此與經(jīng)切割的金屬的特性上的差變小，由此排除加工上的問題。(本發(fā)明能提高切割性能的理由第一樹脂的原材料)如上所述，第一樹脂460除了苯酚樹脂以外，也將不飽和聚酯樹脂、三聚氰胺樹脂或尿素樹脂作為主要成分。這是因?yàn)?，使用切割刀進(jìn)行的切割較理想的是不會因切割時(shí)的局部發(fā)熱而產(chǎn)生塑性變形的熱硬化樹脂。而且，為使切割刀的鋒利程度良好，認(rèn)為第一樹脂460良好為具有適度的彈性模數(shù)，相對于極限應(yīng)力的畸變小且強(qiáng)度相對低的樹脂。圖22是表示不適合作為圖19的第一樹脂460的樹脂(聚酰亞胺樹脂等)所產(chǎn)生的裂紋(Craze)的例的示意圖。所謂裂紋，是指排列二維纏繞原子鏈的二維鏈而變得難以切斷的狀態(tài)。如圖22所示，如果在想要開封塑料袋時(shí)施加力F，則出現(xiàn)分成了有機(jī)物主體(bulk)部492和延伸而變成白濁部分的裂紋494，阻力非常強(qiáng)的現(xiàn)象。出現(xiàn)白濁的裂紋494包含微小纖維即原纖維(fibril)496與空隙部分即空穴(void)498。
圖23是表不各種樹脂的應(yīng)力-畸變曲線的圖表。作為第一樹脂460,優(yōu)選相對于應(yīng)力的畸變?yōu)閿?shù)％以下的樹脂，該樹脂為難以產(chǎn)生裂紋且對切割刀的纏繞較少的材料。如圖23(b)所示，所述苯酚樹脂、不飽和聚酯樹脂、三聚氰胺樹脂或尿素樹脂均滿足該條件。其原因在于含有穩(wěn)固且延伸較少的n型環(huán)狀基。另一方面，如圖23(a)所示，聚酰亞胺樹脂為相對于應(yīng)力的畸變達(dá)到數(shù)十％的高強(qiáng)度的樹脂，容易產(chǎn)生圖22所示的裂紋。因此作為第一樹脂460的原材料，存在使切割刀490的切割性能下降之虞，因此聚酰亞胺樹脂不適合。此處，對將苯酚樹脂、不飽和聚酯樹脂、三聚氰胺樹脂或尿素樹脂“作為主要成分”這樣的語句的定義進(jìn)行說明。苯酚樹脂中存在將苯酚與甲醛混合，通過酸性催化劑縮合聚合，并且高分子化的被稱為酚醛(novolac)型的樹脂，以及通過堿性催化劑縮合聚合的被稱為可溶酚醛(resole)型的樹脂。前者在其原本狀態(tài)下為熱塑性，在低分子狀態(tài)下為液體。如果在所述前者中混合I 20重量％的環(huán)六亞甲基四胺等作為硬化劑，則進(jìn)行縮合聚合而成為熱硬化樹脂。后者本身具有自身反應(yīng)性活性基，因此通過加熱而進(jìn)行熱硬化。有關(guān)電子零件用途，主要使用容易控制熱硬化聚合反應(yīng)的酚醛型。本申請中稱為永久光阻劑的是酚醛型，在作為光阻劑(Photo resist)進(jìn)行加工的情況下，酚醛型苯酚樹脂在其成分中占100%。在作為光阻劑以外的例如涂布材料使用的情況下，有時(shí)也混入各種高強(qiáng)度的宏單體(macromonomer),例如纖維素(cellulose)等填充劑或顏料(特別是黑色顏料等)或填充料(filler)(娃玻璃(silica glass)微粒子)等以添加物總量計(jì)0. I 50重量％左右。由圖23(a)的應(yīng)力畸變曲線可知，苯酚樹脂的延伸較少，強(qiáng)度也并非如此高，因此作為電子材料較為脆弱。對應(yīng)稍微提升強(qiáng)度等的要求，可使用環(huán)氧改質(zhì)苯酚樹脂(進(jìn)行改質(zhì)的部分，即對應(yīng)混合百分比而使環(huán)氧的性質(zhì)變強(qiáng))，或者因耐熱性較差而使用聚乙烯縮醛改質(zhì)苯酹樹脂。而且，為提高熱循環(huán)(cycle)可靠性而使用腈橡膠(nitrile rubber)改質(zhì)苯酚樹脂，或者為提高印刷性而使用松香(rosin)改質(zhì)苯酚樹脂等，為改善各種性質(zhì)而進(jìn)行改質(zhì)。以該改質(zhì)樹脂的混合比為1%到50重量％的級別(level)進(jìn)行。因此本文中所謂“將苯酚樹脂作為主要成分”，定義為苯酚樹脂50重量％以上。三聚氰胺樹脂是使由三聚氰胺與甲醛的縮合反應(yīng)而獲得的羥甲基三聚氰胺發(fā)生聚合縮合反應(yīng)而合成，但由于制作氮環(huán)狀基，因此沖擊強(qiáng)度比尿素樹脂強(qiáng)。一般來說，使羥甲基三聚氰胺浸潰在纖維等中而制作強(qiáng)化塑料，但作為電子零件添加5 40重量％的纖維素添加劑使用。當(dāng)然也可使用百分之百的樹脂。環(huán)氧或尿素樹脂的改質(zhì)加工是通過在合成時(shí)適當(dāng)添加環(huán)氧單體或尿素而自由進(jìn)行。而且，也可為通過混合而具有中間性質(zhì)的樹脂。本文中所謂“將三聚氰胺樹脂作為主要成分”，此處定義為50重量％以上。不飽和聚酯樹脂是由順丁烯二酸酐、間苯二甲酸系等不飽和聚酯與乙二醇等多元醇的縮合聚合而制作的熱硬化性樹脂，由于順丁烯二酸酐和苯乙烯均為環(huán)狀基，因此特征在于機(jī)械強(qiáng)度強(qiáng)。因此也可以使用百分之百的樹脂。特別是作為浸潰在纖維中的強(qiáng)化塑 料的用途優(yōu)異。由各種酯化合物制作各種種類，而為了確保異種樹脂的改質(zhì)樹脂的表面平滑性，合成時(shí)要考慮混合戊二烯等的改質(zhì)、防止具有相容性的丙烯酸胺基甲酸酯等因混合透明性或光導(dǎo)致黃變的改質(zhì)等。一般來說，作為合成時(shí)混合制作的反應(yīng)基，有苯酚、環(huán)氧、胺基甲酸酯，并且可自由調(diào)配，但是本文中所謂“將不飽和聚酯樹脂作為主要成分”，定義為50
重量％以上。尿素樹脂(urea resin)是使尿素與甲醛發(fā)生縮合反應(yīng)而合成者，由于是不具有環(huán)狀化合物的直鏈網(wǎng)絡(luò)，因此破壞韌性下降。因此，考慮有很少使 用百分之百的樹脂，為增加破壞韌性而在合成時(shí)添加環(huán)狀化合物即具有雙酚A骨架的甘氨酸化合物0. 5 30重量％進(jìn)行改質(zhì)等。而且纖維素優(yōu)選作為填充劑使用，通過添加5 40重量％而可調(diào)整機(jī)械性質(zhì)。與三聚氰胺樹脂或苯酚樹脂的匹配性也為良好，通過在反應(yīng)時(shí)添加三聚氰胺或苯酚而生成彼此性質(zhì)的中間性質(zhì)。本文中所謂“將尿素樹脂作為主要成分”，定義為50重量％以上。圖24是從截面觀察圖19的高度HO時(shí)的切割后的樹脂與金屬的示意圖。圖24(a)是表示直接使用圖19的原材料，交替切割第一樹脂460 (苯酚樹脂等)與第二金屬480 (Cu或Al)的情況。另一方面，圖24(b)是表示假設(shè)將圖19的第一樹脂460變更為聚酰亞胺樹脂461的情況。直接使用圖19的原材料的情況如圖24(a)所示，可無問題地進(jìn)行切割。由于第一樹脂460具有穩(wěn)固且延伸較少的特性，因此切割時(shí)，在與一起進(jìn)行切割的鄰接的第二金屬480之間很難產(chǎn)生空隙。而且，第一樹脂460也很難從基板450剝離。因此，具有防止形成配線的金屬的配線圖案產(chǎn)生畸變這樣的顯著效果。但是如圖24(b)所示，如果使用聚酰亞胺樹脂461代替第一樹脂460，則由于其強(qiáng)度較高，因此聚酰亞胺樹脂461與切割刀擠壓而產(chǎn)生畸變，與先行進(jìn)行切割的第二金屬480 (左側(cè))之間產(chǎn)生空隙463，也容易與基板450產(chǎn)生剝離467。而且，如果聚酰亞胺樹脂461產(chǎn)生畸變，則也使其后續(xù)的切割對象即第二金屬480 (右側(cè))產(chǎn)生畸變，也會使第二金屬480與基板450產(chǎn)生剝離469。如果產(chǎn)生所述空隙及剝離，則存在配線、樹脂圖案畸變之虞。即，容易產(chǎn)生金屬的脫落、樹脂的脫落、內(nèi)部空穴等，并且有可能產(chǎn)生配線的斷線、配線的短路(short)。特別是在高配線密度的配線的情況下，由于樹脂與金屬、金屬與基板、樹脂與基板的粘接面積原本就小，因此容易產(chǎn)生如上所述的與金屬的剝離(例如空隙463)、從基板的剝離(例如剝離467,469) 0由此，關(guān)鍵在于如圖24(a)那樣使用容易切割的第一樹脂460。(通過本發(fā)明而使切割性能提高的原因鈍化膜)如圖19所示，基板450在至少部分表面包含鈍化膜444，鈍化膜444與第一樹脂460連接。通過將鈍化膜444與第一樹脂460連接而提高第一樹脂460的密接性(粘接力)，并且進(jìn)一步提聞切割性能。本實(shí)施方式的鈍化膜444是將聚酰亞胺樹脂作為主要成分。作為與鈍化膜444連接的第一樹脂460使用的苯酚樹脂、不飽和聚酯樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂中的任一種均是與聚酰亞胺樹脂粘接的感光性樹脂，具有粘接力強(qiáng)，容易切割的性能。這是因?yàn)?，所述第一樹?60的材料相對較多地包含鈍化膜444的材料即聚酰亞胺樹脂的反應(yīng)基，即與羧基或胺基具有反應(yīng)性的羧基、羥基、胺基，并且鑲嵌在主鏈或副鏈上。[實(shí)施例3](第三實(shí)施方式第一樹脂的截面為正錐形狀)圖25是表示本發(fā)明的晶圓級封裝制造方法的第三實(shí)施方式的圖，對于圖18(c)所示的第一樹脂452A實(shí)施第一成膜步驟410、第二成膜步驟420、設(shè)置步驟430及切割步驟440。圖26是表示在圖25中晶圓級封裝制造方法已結(jié)束的結(jié)果所獲得的晶圓級封裝的中間體的圖。在本實(shí)施方式中，圖17的樹脂形成步驟400中，將與槽454鄰接的第一樹脂452A的截面設(shè)為正錐形狀即上底比下底短的梯形。對于形成具有如圖25所示的正錐形狀的截面的第一樹脂452A，作為一例，只要利用正型光阻劑(positive resist)作為圖18(a)的第一樹脂452進(jìn)行樹脂形成步驟400便可。即，正型光阻劑是經(jīng)曝光的部分通過顯影而消失的光阻劑。這是因?yàn)?，正型光阻劑是越往曝光部分的光阻膜的上層部，顯影液的溶解性越高，所獲得的圖案容易形成正錐形。第一樹脂452A的截面是上底短下底長的梯形。因此第一樹脂452A的側(cè)面成為末端擴(kuò)展的傾斜面。在這種情況下，第一金屬470的槽454的側(cè)面的成膜厚度與具有長方形截面的第一樹脂460(圖19)相比變厚。 但是，即使第一樹脂452A具有正錐形狀的截面，隨著沿著槽454的側(cè)面朝向下方移動(dòng)，所成膜的第一金屬470的厚度逐漸變小，最終小于在第一樹脂452A的上表面所成膜的第一金屬470的厚度。因此，只要以滿足該條件的高度H5進(jìn)行切割，則切割刀490的磨損得到抑制，并且可以制造圖26所示的中間體。[實(shí)施例4](第四實(shí)施方式第一樹脂的截面為倒錐形狀)圖27是表示本發(fā)明的晶圓級封裝制造方法的第四實(shí)施方式的圖。圖28是表示在圖27中晶圓級封裝制造方法已結(jié)束的結(jié)果所獲得的晶圓級封裝的中間體。在本實(shí)施方式中，圖17的樹脂形成步驟400中，將與槽502鄰接的第一樹脂500的截面設(shè)為倒錐形狀即下底比上底短的梯形。對于形成具有如圖27所示的倒錐形狀的截面的第一樹脂500，作為一例，只要利用負(fù)型光阻劑(negative resist)進(jìn)行樹脂形成步驟400便可。負(fù)型光阻劑是經(jīng)曝光的部分通過顯影而殘留(未曝光的部分消失)光阻劑。這是因?yàn)?，?fù)型光阻劑是越往曝光部分的光阻膜的上層部，顯影液的溶解性越低，所獲得的圖案容易成為倒錐形。由于第一樹脂500具有所述梯形截面，因此第一樹脂500的側(cè)面成為下端狹窄這樣的傾斜面。第一樹脂500的側(cè)面的傾斜角度通過在曝光及顯影時(shí)調(diào)節(jié)光源的波長及強(qiáng)度而可控制在例如45 80度左右之間。因此，第一金屬470的成膜厚度比使用具有長方形截面的第一樹脂460 (圖19)的第二實(shí)施方式的情況更薄。即在槽502的側(cè)面的上部，第一金屬470的厚度急劇變薄。這是因?yàn)?，第一金?70很難停留在這種峭壁狀的傾斜面上。因此，在第一金屬470的厚度為零的高度設(shè)置切割刀490并進(jìn)行切割步驟440的范圍變寬。在本實(shí)施方式中，以所述高度H2的切割線進(jìn)行切割步驟440。該情況緩和制造范圍(margin)。如此一來，本實(shí)施方式的特征在于，通過強(qiáng)制使槽502的側(cè)面的第一金屬470的成膜厚度變薄，而使可應(yīng)用切割步驟440的第一金屬470的厚度較薄的范圍變寬。如上所述當(dāng)將第一樹脂500的截面設(shè)為倒錐形狀時(shí)，第一成膜步驟410可以通過濺鍍法進(jìn)行。這是因?yàn)?，通過將第一樹脂500的截面設(shè)為倒錐形狀，槽502的側(cè)面的第一金屬的成膜厚度變薄，也可以通過離子電鍍法不將成膜厚度控制為較薄。如上所述當(dāng)將第一樹脂的截面設(shè)為倒錐形狀時(shí)，第二成膜步驟可以通過離子電鍍法進(jìn)行，也可以通過濺鍍法或電鍍法來進(jìn)行。這是因?yàn)?，硬度相對低的第二金屬的成膜厚度對切割刀的磨損等的影響較小。[實(shí)施例5](第五實(shí)施方式第一成膜步驟中使用金屬遮罩)圖29是表示本發(fā)明的晶圓級封裝制造方法的第五實(shí)施方式的圖。在本實(shí)施方式中，圖17的樹脂形成步驟400中，與第二實(shí)施方式相同，以使具有長方形截面的第一樹脂460殘留的方式形成槽462。其后，經(jīng)過在與槽462相對應(yīng)的位置具有開口部512的金屬遮罩510進(jìn)行第一成膜步驟410。其結(jié)果，如圖29所示，在位于 第一樹脂460上的金屬遮罩510及槽462上成膜第一金屬470。由于使用金屬遮罩510，因此在槽462的側(cè)面成膜的第一金屬470少。但并非是在側(cè)面完全未成膜，而是在槽462的底面附近且在側(cè)面上也成膜第一金屬470。圖30是表示根據(jù)圖29的成膜狀態(tài)將金屬遮罩510剝離并且進(jìn)行第二成膜步驟420的成膜結(jié)果的圖。在成膜在槽462內(nèi)的第一金屬470上成膜第二金屬480，在第一樹脂460的上表面僅直接成膜第二金屬480。因此，在切割步驟440中，無需在意第一樹脂460側(cè)面的第一金屬470的成膜厚度，便可沿著不存在第一金屬470的高度H3的切割線進(jìn)行切害I]。圖31是表示根據(jù)圖30的成膜狀態(tài)進(jìn)行了切割步驟440的結(jié)果所獲得的晶圓級封裝的中間體的圖。在本實(shí)施方式中，如圖29所示，較理想的是金屬遮罩510的開口部512的寬度Wl比槽462的寬度W2窄。這是因?yàn)椋纱丝蓮?qiáng)制使槽462的側(cè)面的第一金屬470的成膜厚度變得更薄。[實(shí)施例6](第六實(shí)施方式第一、第二成膜步驟中使用金屬遮罩)圖32是表示本發(fā)明的晶圓級封裝制造方法的第六實(shí)施方式的圖。在本實(shí)施方式中，圖17的樹脂形成步驟400中，也與第二實(shí)施方式相同，以使具有長方形截面的第一樹脂460殘留的方式形成槽462。其后，經(jīng)過在與槽462相對應(yīng)的位置具有開口部512的金屬遮罩510進(jìn)行第一成膜步驟410及第二成膜步驟420。金屬遮罩510的設(shè)置(set)與剝離為一次。其結(jié)果，如圖32所示，在位于第一樹脂460上的金屬遮罩510及槽462中成膜第一及第二金屬470、480。如果根據(jù)圖32的成膜狀態(tài)將金屬遮罩510剝離，則成為只在槽462內(nèi)成膜有第一及第二金屬470、480的狀態(tài)。因此本實(shí)施方式中，也與第五實(shí)施方式相同，在切割步驟440中，無需考慮第一樹脂460側(cè)面的第一金屬470的成膜厚度，便可沿著不存在第一金屬470的高度H4的切割線進(jìn)行切割。表示根據(jù)圖32的成膜狀態(tài)進(jìn)行了切割步驟440的結(jié)果所獲得的晶圓級封裝的中間體的圖與所述圖31相同。在本實(shí)施方式中，第二成膜步驟也可以通過濺鍍法或電鍍法進(jìn)行。這是因?yàn)?，即使硬度相對低的第二金屬的成膜厚度變厚，對切割刀的磨損等的影響也較小。(第一至第六實(shí)施方式的基板)到此為止的各實(shí)施方式中的基板450假設(shè)為包含電路及對電路輸入輸出信號的內(nèi)部端子電極的半導(dǎo)體基板(例如硅晶圓)。即為切割成各芯片之前的晶圓。
作為這些輸入端的代表，表示有圖I所示的第一實(shí)施方式中的晶圓級封裝的完成體。由于基板I如上所述為硅晶圓，因此在槽內(nèi)成膜的配線21形成有配線層(再配線層)，所述配線層是將內(nèi)部端子電極2與作為輸入端設(shè)置在相當(dāng)于半導(dǎo)體基板I的芯片的區(qū)域內(nèi)的外部端子電極9相連接。[實(shí)施例7](第七實(shí)施方式輸出端用WLP基板)圖33是表示本發(fā)明的晶圓級封裝制造方法的第七實(shí)施方式的圖，是本實(shí)施方式中所使用的基板的俯視圖。圖34是圖33的截面圖。圖34(a)是圖33的X-X截面圖，圖34(b)是圖34(a)的區(qū)域C放大圖。在本實(shí)施方式中，與第一至第六實(shí)施方式不同，并非對簡單的半導(dǎo)體基板450 (硅晶圓)，而是對輸出端用WLP基板520應(yīng)用了圖17所示的晶圓級 封裝制造方法。如圖34(a)及(b)所示，輸出端用WLP基板520包含半導(dǎo)體芯片524及絕緣性第二樹脂526 (密封樹脂)，所述半導(dǎo)體芯片524包含電路(省略圖示)及對電路輸入輸出信號的內(nèi)部端子電極522、523，所述絕緣性第二樹脂526覆蓋半導(dǎo)體芯片524的至少側(cè)面。內(nèi)部端子電極522、523可設(shè)為鋁墊(Al pad)。在半導(dǎo)體芯片524的表面，在內(nèi)部端子電極522、523以外的區(qū)域設(shè)置有鈍化膜528，內(nèi)部端子電極522、523露出。鈍化膜528可設(shè)為聚酰亞胺樹脂、氮化硅、氧化硅等。圖35是例示圖33的輸出端用WLP基板520的制造步驟的圖。首先，如圖35(a)所示，在表面，使用磨石531從設(shè)置有內(nèi)部端子電極與鈍化膜的半導(dǎo)體晶圓530切割芯片，從而進(jìn)行單片化。接下來，如圖35(b)所示，將經(jīng)單片化的半導(dǎo)體芯片524的內(nèi)部端子電極522、523的側(cè)與其他芯片一起以面朝下(face down)的方式排列在芯片固定膠帶(tape)532上。芯片固定膠帶532包含所積層的基材534及粘接層536，并且通過粘接層536來固定半導(dǎo)體芯片 524。接下來，如圖35(c)所示，通過絕緣性第二樹脂526來密封半導(dǎo)體芯片524，如圖35 (d)所示，將芯片固定膠帶532剝下。由此完成圖33、圖34所示的輸出端用WLP基板520。圖36是例示對圖33的輸出端用WLP基板520應(yīng)用圖17所示的晶圓級封裝制造方法而制造的晶圓級封裝的完成體的一部分的圖。在槽內(nèi)成膜的第一金屬470及第二金屬480形成有配線層，該配線層是將內(nèi)部端子電極522、523與作為輸出端設(shè)置在半導(dǎo)體芯片524的區(qū)域外的第二樹脂526中的外部端子電極(例如焊球)540、550連接。在外部端子電極540、550的周圍成膜有絕緣性阻焊劑(solder resist) 560o如上所述，本發(fā)明的所有實(shí)施方式中所謂“基板”，并不限定為半導(dǎo)體基板，也包含玻璃基板或其他原材料(有機(jī)物、無機(jī)物)的基板。另一方面，所謂“半導(dǎo)體基板”，可為硅晶圓，也可如第七實(shí)施方式那樣為輸出端WLP用基板。(附記)下面，作為附記，將本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置作為附記公開?！锤接?> (圖 19)半導(dǎo)體裝置包含半導(dǎo)體基板450 ;絕緣性第一樹脂層460，形成在所述半導(dǎo)體基板450的表面且包含形成著配線的槽462 ；以及金屬層，作為所述配線形成在所述槽462中；所述第一樹脂層460將苯酚樹脂、不飽和聚酯樹脂、三聚氰胺樹脂或尿素樹脂作為主要成分。< 附記 2> (圖 19)在附記I所記載的半導(dǎo)體裝置中，所述半導(dǎo)體基板450在至少部分表面包含鈍化膜444，鈍化膜444與所述第一樹脂層460連接。< 附記 3> (圖 19)在附記2所記載的半導(dǎo)體裝置中，所述鈍化膜444將聚酰亞胺樹脂作為主要成分。< 附記 4> (圖 19)在附記3所記載的半導(dǎo)體裝置中，所述第一樹脂層460是相對于所述聚酰亞胺樹脂進(jìn)行粘接的樹脂。< 附記 5> (圖 19)在附記4所記載的半導(dǎo)體裝置中，所述第一樹脂層460為感光性樹脂。< 附記 6> (圖 19)在附記I至5中任一項(xiàng)所記載的半導(dǎo)體裝置中，所述金屬層包含障壁金屬即第一金屬470及Cu或Al即第二金屬480。< 附記 7> (圖 19)在附記6所記載的半導(dǎo)體裝置中，所述第一金屬470為Ti、Cr、Ta或Pd。< 附記 8> (圖 19)在附記I至7中任一項(xiàng)所記載的半導(dǎo)體裝置中，所述第一樹脂層460的截面以所述半導(dǎo)體基板450的表面為基準(zhǔn)為長方形、正錐形或倒錐形。< 附記 9> (圖 I)在附記I至3中任一項(xiàng)所記載的半導(dǎo)體裝置中，所述半導(dǎo)體基板I更包含電路及對該電路輸入輸出信號的內(nèi)部端子電極2、以及作為輸入端設(shè)置在相當(dāng)于所述半導(dǎo)體基板I的芯片的區(qū)域內(nèi)的外部端子電極9，所述配線將所述內(nèi)部端子電極2與所述外部端子電極9連接。< 附記 10> (圖 36)在附記I至3中任一項(xiàng)所記載的半導(dǎo)體裝置中，所述半導(dǎo)體基板520包含半導(dǎo)體芯片524，包含電路及對該電路輸入輸出信號的內(nèi)部端子電極522、523 ;絕緣性第二樹脂層526，覆蓋該半導(dǎo)體芯片524的至少側(cè)面；以及外部端子電極(焊球)540、550，作為輸出端設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片524的區(qū)域外的第二樹脂層526中；所述第一樹脂層460形成在所述半導(dǎo)體芯片524及該芯片524的區(qū)域外的所述第二樹脂層526的表面，所述配線(第一金屬(例如Ti)470與第二金屬(例如Cu)480)將所述內(nèi)部端子電極522、523與所述外部端子電極540、550連接。[工業(yè)利用可能性]本發(fā)明例如可利用于晶圓級封裝制造方法中。權(quán)利要求
1.一種晶圓級封裝的制造方法，其特征在于包含 樹脂形成步驟，在基板的表面上形成包含形成著配線的槽的絕緣性第一樹脂； 第一成膜步驟，在所述第一樹脂的表面，通過物理氣相生長成膜成為部分所述配線的第一金屬; 第二成膜步驟，在所述第一金屬的表面，成膜成為所述配線的一部分的硬度比所述第一金屬低的第二金屬； 設(shè)置步驟，在所述槽的側(cè)面的未成膜所述第一金屬的高度設(shè)置切割刀；以及 切割步驟，通過掃描所述切割刀，至少切割所述第一樹脂。
2.一種晶圓級封裝的制造方法，其特征在于包含 樹脂形成步驟，在基板的表面形成包含形成著配線的槽的絕緣性第一樹脂； 第一成膜步驟，在所述第一樹脂的表面，通過物理氣相生長成膜成為部分所述配線的第一金屬; 第二成膜步驟，在所述第一金屬的表面成膜成為所述配線的一部分的硬度比所述第一金屬低的第二金屬；以及 設(shè)置步驟，在與所述槽的側(cè)面未成膜所述第一金屬的高度或在所述槽的側(cè)面已成膜的所述第一金屬的厚度比在所述第一樹脂的上表面已成膜的所述第一金屬的厚度薄的部位相當(dāng)?shù)母叨忍?，或者比在所述槽的底面已成膜的所述第一金屬的厚度薄的部位相?dāng)?shù)母叨忍幵O(shè)置切割刀；以及 切割步驟，通過掃描所述切割刀，至少切割所述第一樹脂； 所述第一樹脂將苯酚樹脂、不飽和聚酯樹脂、三聚氰胺樹脂或尿素樹脂作為主要成分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述基板在至少部分表面包含鈍化膜，該鈍化膜與所述第一樹脂連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述鈍化膜將聚酰亞胺樹脂作為主要成分。
5.一種晶圓級封裝的制造方法，其特征在于包含 樹脂形成步驟，在基板的表面形成包含形成著配線的槽的絕緣性第一樹脂； 第一成膜步驟，在所述第一樹脂的表面，通過物理氣相生長成膜成為部分所述配線的第一金屬; 第二成膜步驟，在所述第一金屬的表面成膜成為所述配線的一部分的硬度比所述第一金屬低的第二金屬； 設(shè)置步驟，在與所述槽的側(cè)面未成膜所述第一金屬的高度或在所述槽的側(cè)面已成膜的所述第一金屬的厚度比在所述第一樹脂的上表面已成膜的所述第一金屬的厚度薄的部位相當(dāng)?shù)母叨忍帲蛘弑仍谒霾鄣牡酌嬉殉赡さ乃龅谝唤饘俚暮穸缺〉牟课幌喈?dāng)?shù)母叨忍幵O(shè)置切割刀；以及 切割步驟，通過掃描所述切割刀，至少切割所述第一樹脂； 所述第一成膜步驟是通過使用在與所述槽相對應(yīng)的位置具有開口部的金屬遮罩的離子電鍍法而進(jìn)行。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第二成膜步驟是通過物理氣相生長而進(jìn)行。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第二成膜步驟是通過使用在與所述槽相對應(yīng)的位置具有開口部的金屬遮罩的離子電鍍法而進(jìn)行。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第二成膜步驟是通過濺鍍法而進(jìn)行。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第二成膜步驟是通過電鍍法而進(jìn)行。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 在所述樹脂形成步驟中，將與所述槽鄰接的所述第一樹脂的截面以所述基板的表面為基準(zhǔn)形成為長方形或正錐形。
11.根據(jù)權(quán)利要求5或10所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述開口部的寬度比所述槽的寬度窄。
12.—種晶圓級封裝的制造方法，其特征在于包含 樹脂形成步驟，在基板的表面形成包含形成著配線的槽的絕緣性第一樹脂； 第一成膜步驟，在所述第一樹脂的表面，通過物理氣相生長成膜成為部分所述配線的第一金屬; 第二成膜步驟，在所述第一金屬的表面成膜成為所述配線的一部分的硬度比所述第一金屬低的第二金屬； 設(shè)置步驟，在與所述槽的側(cè)面未成膜所述第一金屬的高度或在所述槽的側(cè)面已成膜的所述第一金屬的厚度比在所述第一樹脂的上表面已成膜的所述第一金屬的厚度薄的部位相當(dāng)?shù)母叨忍?，或者比在所述槽的底面已成膜的所述第一金屬的厚度薄的部位相?dāng)?shù)母叨忍幵O(shè)置切割刀；以及 切割步驟，通過掃描所述切割刀，至少切割所述第一樹脂； 在所述樹脂形成步驟中，將與所述槽鄰接的所述第一樹脂的截面以所述基板的表面為基準(zhǔn)形成為倒錐形。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第一成膜步驟是通過濺鍍法或離子電鍍法而進(jìn)行。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第二成膜步驟是通過物理氣相生長而進(jìn)行。
15.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第二成膜步驟是通過電鍍法而進(jìn)行。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第二成膜步驟是通過濺鍍法或離子電鍍法而進(jìn)行。
17.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 通過掃描所述切割刀而切割所述第二金屬。
18.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 通過掃描所述切割刀而切割厚度比形成在所述第一樹脂的上表面或所述槽的底面的所述第一金屬薄的所述第一金屬。
19.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于所述基板是包含電路及對該電路輸入輸出信號的內(nèi)部端子電極的半導(dǎo)體基板， 在所述槽內(nèi)已成膜的所述第一金屬及所述第二金屬形成配線層，所述配線層是將所述內(nèi)部端子電極與作為輸入端設(shè)置在相當(dāng)于所述半導(dǎo)體基板的芯片的區(qū)域內(nèi)的外部端子電極連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述基板包含半導(dǎo)體芯片及絕緣性第二樹脂，所述半導(dǎo)體芯片包含電路及對該電路輸入輸出信號的內(nèi)部端子電極，所述絕緣性第二樹脂覆蓋該半導(dǎo)體芯片的至少側(cè)面， 在所述槽內(nèi)已成膜的所述第一金屬及所述第二金屬形成配線層，所述配線層是將所述內(nèi)部端子電極與作為輸出端設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的區(qū)域外的第二樹脂中的外部端子電極連接。
21.一種晶圓級封裝的制造方法，其特征在于包含 樹脂形成步驟，在基板的表面形成包含形成著配線的槽的絕緣性第一樹脂； 第一成膜步驟，在所述第一樹脂的表面，通過物理氣相生長成膜成為部分所述配線的第一金屬; 第二成膜步驟，在所述第一金屬的表面成膜成為所述配線的一部分的硬度比所述第一金屬低的第二金屬； 設(shè)置步驟，在成膜在所述槽的側(cè)面的厚度發(fā)生變化的所述第一金屬的較薄部分，且在與所述第一樹脂的上表面已成膜的所述第一金屬相比或者與所述槽的底面已成膜的所述第一金屬相比厚度較薄的部分相當(dāng)?shù)母叨忍幵O(shè)置切割刀；以及切割步驟，通過掃描所述切割刀，至少切割所述第一樹脂。
22.根據(jù)權(quán)利要求I或21所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第一樹脂將苯酚樹脂、不飽和聚酯樹脂、三聚氰胺樹脂或尿素樹脂作為主要成分。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述基板在至少部分表面包含鈍化膜，該鈍化膜與所述第一樹脂連接。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述鈍化膜將聚酰亞胺樹脂作為主要成分。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第一成膜步驟是通過使用在與所述槽相對應(yīng)的位置具有開口部的金屬遮罩的離子電鍍法而進(jìn)行。
26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第二成膜步驟是通過物理氣相生長而進(jìn)行。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第二成膜步驟是通過在與所述槽相對應(yīng)的位置具有開口部的金屬遮罩的離子電鍍法而進(jìn)行。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第二成膜步驟是通過濺鍍法而進(jìn)行。
29.根據(jù)權(quán)利要求21所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第二成膜步驟是通過電鍍法而進(jìn)行。
30.根據(jù)權(quán)利要求25所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于在所述樹脂形成步驟中，將與所述槽鄰接的所述第一樹脂的截面以所述基板的表面為基準(zhǔn)形成為長方形或正錐形。
31.根據(jù)權(quán)利要求25或30所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述開口部的寬度比所述槽的寬度窄。
32.根據(jù)權(quán)利要求21所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 在所述樹脂形成步驟中，將與所述槽鄰接的所述第一樹脂的截面以所述基板的表面為基準(zhǔn)形成為倒錐形。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第一成膜步驟是通過濺鍍法或離子電鍍法而進(jìn)行。
34.根據(jù)權(quán)利要求32或33所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第二成膜步驟是通過物理氣相生長而進(jìn)行。
35.根據(jù)權(quán)利要求32或33所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第二成膜步驟是通過電鍍法而進(jìn)行。
36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第二成膜步驟是通過濺鍍法或離子電鍍法而進(jìn)行。
37.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 通過掃描所述切割刀而切割所述第二金屬。
38.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述基板是包含電路及對該電路輸入輸出信號的內(nèi)部端子電極的半導(dǎo)體基板， 在所述槽內(nèi)已成膜的所述第一金屬及所述第二金屬形成配線層，所述配線層將所述內(nèi)部端子電極與作為輸入端設(shè)置在相當(dāng)于所述半導(dǎo)體基板的芯片的區(qū)域內(nèi)的外部端子電極連接。
39.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述基板包含半導(dǎo)體芯片及絕緣性第二樹脂，所述半導(dǎo)體芯片包含電路及對該電路輸入輸出信號的內(nèi)部端子電極，所述絕緣性第二樹脂覆蓋該半導(dǎo)體芯片的至少側(cè)面， 在所述槽內(nèi)已成膜的所述第一金屬及所述第二金屬形成配線層，所述配線層將所述內(nèi)部端子電極與作為輸出端設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的區(qū)域外的第二樹脂中的部端子電極連接。
40.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第一樹脂的斷裂強(qiáng)度(tensile strength)為80MPa以下。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第一樹脂將苯酚樹脂作為主要成分。
42.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 在所述樹脂形成步驟中，將與所述槽鄰接的所述第一樹脂的截面以所述基板的表面為基準(zhǔn)形成為長方形或正錐形。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述第一樹脂將苯酚樹脂、不飽和聚酯樹脂、三聚氰胺樹脂或尿素樹脂作為主要成分。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的晶圓級封裝的制造方法，其特征在于 所述基板在至少部分表面包含鈍化膜，該鈍化膜與所述第一樹脂連接。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可抑制切割刀磨損而延長切割刀壽命的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。晶圓級封裝制造方法例如包含樹脂形成步驟(400)，在基板(450)的表面上，形成包含形成著配線的槽(462)的絕緣性第一樹脂(460)；第一成膜步驟(410)，在第一樹脂(460)的表面，通過物理氣相生長成膜成為部分配線的第一金屬(470)；第二成膜步驟(420)，在第一金屬(470)的表面上，進(jìn)一步成膜成為配線的一部分的硬度比第一金屬(470)低的第二金屬(480)；設(shè)置步驟(430)，在和槽(462)的側(cè)面未成膜第一金屬(470)的部位或變薄的部位相當(dāng)?shù)母叨菻0、H1處設(shè)置切割刀(490)；以及切割步驟(440)，通過掃描切割刀(490)，至少將第一樹脂(460)切割。
文檔編號H01L21/768GK102683226SQ201210066189
公開日2012年9月19日 申請日期2012年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月14日
發(fā)明者大塚寬治, 目黑弘一 申請人:SKLink株式會社