專利名稱：一種晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽能電池的制備方法，尤其是涉及一種晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極的制備方法。
背景技術(shù)：
太陽能電池是選擇性發(fā)射極太陽能電池是在金屬柵線與硅片接觸部位進行重?fù)诫s，在電極之間進行清摻雜。這樣的結(jié)構(gòu)可以降低發(fā)射極的復(fù)合，從而提高電池的短波響應(yīng)，減少前金屬柵線與硅之間的接觸電阻，使得短路電流，開路電壓，填充因子有較好的改善，從而提高轉(zhuǎn)化效率。普通的一步擴散的擴散阻擋層通常采用熱氧化的方法來實現(xiàn)，需要兩次高溫，兩次高溫的過程對多晶硅造成熱損傷，同時成本也較高
發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種設(shè)備簡單、價格低廉且能夠?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的一種晶體娃太陽能電池選擇性發(fā)射極的制備方法。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的一種晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極的制備方法，包括以下步驟(a)在晶體硅片絨面上通過陽極氧化的方法生長擴散掩膜，再腐蝕或者激光開槽形成電極柵線區(qū)域；(b)采用一次擴散工藝，在電極柵線區(qū)域形成重?fù)诫s區(qū)，在非電極柵線區(qū)域形成淺摻雜區(qū)，至此這種晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極制備完畢。進一步地，所屬步驟(b)中一次擴散工藝掩膜的制備方法是，包括以下步驟(a’ ) 將硅片與直流電源正極相連，負(fù)極與石墨或者金屬鉬電極相連；(b’)在室溫下，將硅片浸沒到酸或者堿性溶液中；(c’)通入電壓1-100V，時間l-60min ;(d’)關(guān)閉電源，制備完畢， 將硅片清洗干燥。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益之處在于這種晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極的制備方法是采用陽極氧化的方法，在室溫下制備擴散阻擋層，同時不需要真空設(shè)備，設(shè)備簡單，廉價，適合大規(guī)模生產(chǎn)。
具體實施例方式
下面通過具體實施方式
對本發(fā)明進行詳細(xì)描述
實施方案I:
硅片常規(guī)工藝清洗制絨，將硅片正極與直流電源相連，負(fù)極與石墨電極相連，浸入濃度為5%的NaOH溶液中，加電壓50V，時間為lOmin。關(guān)閉直流電源，清洗干燥，激光開槽，放入擴散爐進行擴散，擴散完畢。實施方案2:
硅片常規(guī)工藝清洗制絨，將硅片正極與直流電源相連，負(fù)極與石墨電極相連，浸入濃度為50%的NaOH溶液中，加電壓10V，時間為30min。關(guān)閉直流電源，將硅片清洗干燥，激光開槽，放入擴散爐進行擴散，擴散完畢。實施方案3
硅片常規(guī)工藝清洗制絨，將硅片正極與直流電源相連，負(fù)極與石墨電極相連，浸入濃度為15%的HN03溶液中，加電壓10V，時間為30min。關(guān)閉直流電源，將硅片清洗干燥，然后利用激光開槽，放入擴散爐進行擴散，擴散完畢。實施方案4:
硅片常規(guī)工藝清洗制絨，將硅片正極與直流電源相連，負(fù)極與石墨電極相連，浸入濃度為20%的HP04溶液中，加電壓20V，時間為15min。關(guān)閉直流電源，將硅片清洗干燥，然后利用激光開槽，放入擴散爐進行擴散，擴散完畢。實施方案5:
硅片常規(guī)工藝清洗制絨，將硅片正極與直流電源相連，負(fù)極與石墨電極相連，浸入濃度為30%的CH3C00H溶液中，加電壓100V，時間為5min。關(guān)閉直流電源，將硅片清洗干燥，然后利用激光開槽，放入擴散爐進行擴散，擴散完畢。實施方案6:
硅片常規(guī)工藝清洗制絨，將硅片正極與直流電源相連，負(fù)極與石墨電極相連，浸入濃度為10%的NH4C1溶液中，加電壓80V，時間為15min。關(guān)閉直流電源，將硅片清洗干燥，然后利用激光開槽，放入擴散爐進行擴散，擴散完畢。實施方案7:
硅片常規(guī)工藝清洗制絨，將硅片正極與直流電源相連，負(fù)極與石墨電極相連，浸入濃度為25%的H2S04溶液中，加電壓120V，時間為4min。關(guān)閉直流電源，將硅片清洗干燥，然后利用激光開槽，放入擴散爐進行擴散，擴散完畢。實施方案8:
硅片常規(guī)工藝清洗制絨，將硅片正極與直流電源相連，負(fù)極與石墨電極相連，浸入濃度為15%的NaC03溶液中，加電壓150V，時間為2min。關(guān)閉直流電源，將硅片清洗干燥，然后利用激光開槽，放入擴散爐進行擴散，擴散完畢。需要強調(diào)的是以上僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾， 均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極的制備方法，其特征是，包括以下步驟Ca)在晶體硅片絨面上通過陽極氧化的方法生長擴散掩膜，再腐蝕或者激光開槽形成電極柵線區(qū)域；(b)采用一次擴散工藝，在電極柵線區(qū)域形成重?fù)诫s區(qū)，在非電極柵線區(qū)域形成淺摻雜區(qū)，至此這種晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極制備完畢。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極的制備方法，其特征是，所述步驟(b)中一次擴散工藝掩膜的制備方法是，包括以下步驟Ca')將硅片與直流電源正極相連，負(fù)極與石墨或者金屬鉬電極相連；(b’ )在室溫下，將硅片浸沒到酸或者堿性溶液中；(C，)通入電壓 1-100V,時間 l-60min ；(d’)關(guān)閉電源，制備完畢，將硅片清洗干燥。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極的制備方法，包括以下步驟(a)在晶體硅片絨面上通過陽極氧化的方法生長擴散掩膜，再腐蝕或者激光開槽形成電極柵線區(qū)域；(b)采用一次擴散工藝，在電極柵線區(qū)域形成重?fù)诫s區(qū)，在非電極柵線區(qū)域形成淺摻雜區(qū)，至此這種晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極制備完畢。這種晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極的制備方法是采用陽極氧化的方法，在室溫下制備擴散阻擋層，同時不需要真空設(shè)備，設(shè)備簡單，廉價，適合大規(guī)模生產(chǎn)。
文檔編號H01L31/18GK102610697SQ20121008499
公開日2012年7月25日 申請日期2012年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月28日
發(fā)明者魯偉明 申請人:泰通(泰州)工業(yè)有限公司