專利名稱：反射樹脂片、發(fā)光二極管裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及反射樹脂片、發(fā)光二極管裝置及其制造方法，詳細來說，本發(fā)明涉及發(fā)光二極管裝置的制造方法、該發(fā)光二極管裝置的制造方法所使用的反射樹脂片、及利用發(fā)光二極管裝置的制造方法獲得的發(fā)光二極管裝置。
背景技術(shù)：
近年來，作為能夠發(fā)出高能量的光的發(fā)光裝置，公知有白色發(fā)光裝置。在白色發(fā)光裝置中例如設(shè)有二極管基板、層疊在該二極管基板上并發(fā)出藍色光的LED(發(fā)光二極管)、能夠?qū)⑺{色光改變?yōu)辄S色光并覆蓋LED的熒光體層、密封LED的密封層。上述白色發(fā)光裝置通過使從被密封層密封并自二極管基板供電的LED發(fā)出的、透過了密封層及熒光體層的藍色光與在熒光體層中改變一部分藍色光的波長而得到的黃色光混合，從而發(fā)出高能量的白色光。作為制造上述白色發(fā)光裝置的方法，例如，提出了下述方法(例如，參照日本特開2005-191420 號公報)。S卩，首先，形成由基板部與從該基板部的周部向上側(cè)突出的白色的反射框部構(gòu)成的基體，接下來，與反射框部的內(nèi)側(cè)隔開間隔地將半導(dǎo)體發(fā)光元件引線接合于基板部的中央處的由反射框部形成的凹部的底部。接下來，提出了下述方法，即，通過涂敷而將熒光體與液體狀的環(huán)氧樹脂的混合物填充到凹部中，接著，使熒光體自然沉降到凹部的底部，之后，使環(huán)氧樹脂加熱固化。在利用日本特開2005-191420號公報所提出的方法獲得的白色發(fā)光裝置中，高濃度地含有由沉降形成的熒光體的熒光體層(波長改變層)被劃分為半導(dǎo)體發(fā)光元件的上側(cè)區(qū)域，高濃度地含有環(huán)氧樹脂的密封部被劃分為熒光體層的上側(cè)區(qū)域。而且，在該白色發(fā)光裝置中，光半導(dǎo)體發(fā)光元件呈放射狀發(fā)出藍色光，其中，從光半導(dǎo)體發(fā)光元件朝向上方發(fā)出的藍色光的一部分在熒光體層處被改變?yōu)辄S色光，并且剩余部分的藍色光通過熒光體層。此外，從光半導(dǎo)體發(fā)光元件朝向側(cè)向發(fā)出的藍色光被反射框部反射，接著，朝向上側(cè)照射。于是，日本特開2005-191420號公報的白色發(fā)光裝置通過上述藍色光及黃色光的混色來發(fā)出白色光。然而，在利用日本特開2005-191420號公報的制造方法獲得的白色發(fā)光裝置中，由于隔開間隔地配置光半導(dǎo)體發(fā)光元件與反射框部，因此從光半導(dǎo)體發(fā)光元件朝向側(cè)向發(fā)出的光的一部分在被反射框部反射之前被密封部吸收。其結(jié)果，存在降低了光的取出效率這樣的不良情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供能夠提高光的取出效率的發(fā)光二極管裝置、該發(fā)光二極管裝置的制造方法及該發(fā)光二極管裝置的的制造方法所使用的反射樹脂片。本發(fā)明的反射樹脂片是用于將反射樹脂層設(shè)置在發(fā)光二極管元件的側(cè)方的反射樹脂片，其包括離型基材及設(shè)在上述離型基材的厚度方向一側(cè)面上的上述反射樹脂層，上述反射樹脂層以能夠與上述發(fā)光二極管元件密合的方式與上述發(fā)光二極管元件相對應(yīng)地形成。 此外，在本發(fā)明的反射樹脂片中，優(yōu)選在上述離型基材的上述厚度方向一側(cè)面上，設(shè)有上述反射樹脂層的部分朝向上述厚度方向另一側(cè)凹陷。此外，本發(fā)明的反射樹脂片的制造方法的特征在于，該制造方法包括通過在離型基材的厚度方向一側(cè)面上設(shè)置反射樹脂層來準備上述反射樹脂片的工序；在二極管基板的厚度方向一側(cè)面上設(shè)置發(fā)光二極管元件的工序；以使上述反射樹脂層與上述發(fā)光二極管元件的側(cè)表面密合的方式在上述二極管基板上層疊上述反射樹脂片的工序。此外，在本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法中，在將上述反射樹脂片層疊到上述二極管基板上的工序中，優(yōu)選使上述離型基材中的從上述反射樹脂層暴露出的暴露部與上述發(fā)光二極管元件的厚度方向一側(cè)面密合。 此外，在本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法中，優(yōu)選準備上述反射樹脂片的工序包括將形成有圖案的掩模以使覆蓋部與上述暴露部相對的方式配置在上述離型基材的上述厚度方向一側(cè)的工序，其中，該圖案包括以與上述暴露部相對應(yīng)的方式彼此隔開間隔地配置的多個覆蓋部和用于架設(shè)各個上述覆蓋部的架設(shè)部；隔著上述掩模將用于形成上述反射樹脂層的反射樹脂組成物涂敷在上述離型基材上、從而以上述覆蓋部的相反圖案形成上述反射樹脂層的工序；除去上述掩模的工序。此外，本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的特征在于，該制造方法包括將發(fā)光二極管元件設(shè)置到基材的厚度方向一側(cè)面上的工序；在上述基材的厚度方向一側(cè)面上，將反射樹脂層設(shè)在上述發(fā)光二極管元件的側(cè)方的工序；通過使形成有與上述反射樹脂層相對應(yīng)地向厚度方向另一側(cè)凹陷的凹部的按壓構(gòu)件的上述凹部按壓上述反射樹脂層、從而使上述反射樹脂層與上述發(fā)光二極管元件的側(cè)表面密合的工序。此外，在本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法中，優(yōu)選設(shè)置上述反射樹脂層的工序包括將形成有圖案的掩模以使覆蓋部與上述發(fā)光二極管元件相對的方式配置在上述基材的上述厚度方向一側(cè)的工序，其中，該圖案包括以與上述發(fā)光二極管元件相對應(yīng)的方式彼此隔開間隔地配置的多個覆蓋部和用于架設(shè)各個上述覆蓋部的架設(shè)部；隔著上述掩模向上述基材涂覆用于形成上述反射樹脂層的反射樹脂組成物、從而以上述覆蓋部的相反圖案形成上述反射樹脂層的工序；除去上述掩模的工序。此外，本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的特征在于，該發(fā)光二極管裝置包括二極管基板；設(shè)在上述二極管基板的厚度方向一側(cè)面上的發(fā)光二極管元件；與上述發(fā)光二極管元件的側(cè)表面密合的反射樹脂層。此外，在本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置中，優(yōu)選上述反射樹脂層形成得比上述發(fā)光二極管元件的厚度厚。此外，優(yōu)選本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置還包括形成在上述發(fā)光二極管元件的上述厚度方向一側(cè)面上的突光體層。若采用使用了本發(fā)明的反射樹脂片的本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法，則以使反射樹脂層與發(fā)光二極管元件的側(cè)表面密合的方式將反射樹脂片層疊在二極管基板上。因此，在由上述方法獲得的本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置中，自發(fā)光二極管元件發(fā)出的光在被其它構(gòu)件吸收之前被反射樹脂層反射。其結(jié)果，能夠提高光取出效率。


圖I表示本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的一實施方式的俯視圖。圖2是用于說明本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的一實施方式的制造工序圖，圖2的(a)表示準備反射樹脂片的工序，圖2的(b)表示將反射樹脂片配置在二極管基板之上的工序，圖2的(C)表示使暴露部與發(fā)光二極管元件的上表面接觸的工序。、圖3是接著圖2來說明本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的一實施方式的制造工序圖，圖3的(d)表示按壓反射樹脂片的工序，圖3的(e)表示剝下第I離型基材的工序，圖3的(f)表示形成熒光體層的工序。圖4是用于說明準備圖2的(a)的反射樹脂片的工序的制造工序圖，圖4的(a)表示準備第I離型基材的工序，圖4的(b)表示將掩模配置在第I離型基材上的工序，圖4的(C)表示借助掩模將反射樹脂組成物涂敷到第I離型基材上、接著除去掩模的工序。圖5表示以圖4的(b)的工序配置的掩模的俯視圖。圖6是用于說明本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的其它實施方式(在第I離型基材上設(shè)置凹部的技術(shù)方案)的制造工序圖，圖6的(a)表示將反射樹脂層設(shè)在第I離型基材的凹部的工序，圖6的(b)表示將反射樹脂片配置在二極管基板之上的工序，圖6的(C)表示將反射樹脂片層疊并按壓在二極管基板上的工序。圖7是接著圖6來說明本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的其它實施方式(在第I離型基材上設(shè)置凹部的技術(shù)方案)的制造工序圖，圖7的(d)表示剝下第I離型基材的工序，圖7的(e)表不形成突光體層的工序。圖8是用于說明本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的其它實施方式(將反射樹脂層直接設(shè)在二極管基板上的技術(shù)方案)的制造工序圖，圖8的(a)表示將發(fā)光二極管元件設(shè)在二極管基板上的工序，圖8的(b)表示將反射樹脂層設(shè)在二極管基板上的工序，圖8的(C)表示利用按壓板按壓反射樹脂層的工序。圖9是接著圖8來說明本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的其它實施方式(將反射樹脂層直接設(shè)在二極管基板上的技術(shù)方案)的制造工序圖，圖9的(d)表示除去按壓板的工序，圖9的(e)表示設(shè)置熒光體層的工序。
具體實施例方式圖I表示本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的一實施方式的俯視圖，圖2及圖3表示用于說明本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的一實施方式的制造工序圖，圖4表示用于說明準備圖2的(a)的反射樹脂片的工序的制造工序圖，圖5表示以圖4的(b)的工序配置的掩模的俯視圖。在圖I及圖3的(f)中，該發(fā)光二極管裝置I包括二極管基板2、倒裝安裝在二極管基板2上的發(fā)光二極管元件3、設(shè)在發(fā)光二極管元件3的側(cè)方的反射樹脂層4、設(shè)在發(fā)光二極管元件3之上(厚度方向一側(cè))的熒光體層5。此外，發(fā)光二極管裝置I在面方向(具體來說為圖3的(f)中的紙面左右方向及紙面上下方向)上彼此隔開間隔地設(shè)有多個。二極管基板2呈大致平板狀，具體來說，二極管基板2是由在絕緣基板上層疊有作 為電路圖案的導(dǎo)體層而成的層疊板形成的。絕緣基板例如由硅基板、陶瓷基板、聚酰亞胺樹 脂基板等構(gòu)成，優(yōu)選由陶瓷基板、具體來說為藍寶石(Al2O3)基板構(gòu)成。導(dǎo)體層例如由金、銅、銀、鎳等導(dǎo)體形成。上述導(dǎo)體能夠單獨使用或者組合使用。此外，導(dǎo)體層含有端子6。端子6在面方向上隔開間隔地形成在絕緣基板的上表面上，形成為與后述的電極部8相對應(yīng)的圖案。此外，雖未圖示，端子6經(jīng)由導(dǎo)體層與電力供給部電連接。發(fā)光二極管元件3設(shè)在二極管基板2的上表面(厚度方向一側(cè)面)上，形成為俯視大致矩形狀。此外，在一個二極管基板2的上表面上，在面方向上彼此隔開間隔地設(shè)有多個發(fā)光二極管元件3。發(fā)光二極管元件3包括光半導(dǎo)體層7及形成在該光半導(dǎo)體層7的下表面上的電極部8。光半導(dǎo)體層7形成為與發(fā)光二極管元件3的外形形狀相對應(yīng)的俯視大致矩形狀，此外，該光半導(dǎo)體層7形成為在面方向上較長的剖視大致矩形狀。雖未圖示，光半導(dǎo)體層7例如包括在厚度方向上依次層疊的緩沖層、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及P型半導(dǎo)體層。光半導(dǎo)體層7由公知的半導(dǎo)體材料形成，利用外延生長法等公知的生長法形成。光半導(dǎo)體層7的厚度例如為O. I μ m 500 μ m,優(yōu)選為O. 2 μ m 200 μ m。電極部8與光半導(dǎo)體層7電連接，該電極部8在向厚度方向投影時被包含于光半導(dǎo)體層7。此外，電極部8例如包括與P型半導(dǎo)體層相連接的正極電極和形成在N型半導(dǎo)體層上的負極電極。電極部8由公知的導(dǎo)體材料形成,其厚度例如為IOnm lOOOnm。在二極管基板2的上表面上，反射樹脂層4俯視看來形成在形成有發(fā)光二極管元件3的區(qū)域(基板側(cè)二極管區(qū)域)9以外的區(qū)域(基板側(cè)反射區(qū)域)10中?；鍌?cè)反射區(qū)域10是在基板側(cè)二極管區(qū)域9的周圍被基板側(cè)二極管區(qū)域9劃分到該基板側(cè)二極管區(qū)域9的外側(cè)的區(qū)域，該基板側(cè)反射區(qū)域10由沿前后方向延伸的區(qū)域與沿左右方向延伸的區(qū)域構(gòu)成，上述區(qū)域形成為彼此正交(交叉)的、俯視大致網(wǎng)格狀。反射樹脂層4設(shè)在發(fā)光二極管元件3的外側(cè)，具體來說，其設(shè)在各個發(fā)光二極管元件3的左右方向兩外側(cè)及前后方向兩外側(cè)。
而且，如圖3的(f)所示，反射樹脂層4密合在發(fā)光二極管元件3的外側(cè)表面上，具體來說，該反射樹脂層4密合在各個發(fā)光二極管元件3的左表面、右表面、前表面(參照圖I)及后表面(參照圖I)的各表面上。由此，反射樹脂層4使發(fā)光二極管元件3的上表
面暴露出。此外，如圖I所示，反射樹脂層4連續(xù)地形成為一體，由此，例如，如圖3的(f)所示，反射樹脂層4的左端部與配置在反射樹脂層4的左側(cè)的發(fā)光二極管元件3A的右端面密合，并且反射樹脂層4的右端部與配置在反射樹脂層4的右側(cè)的發(fā)光二極管元件3B的左端面密合，該反射樹脂層4形成于沿左右方向隔開間隔地配置的兩個發(fā)光二極管元件3 (3A及
3B)之間。此外，參照圖1，形成于沿前后方向隔開間隔地配置的兩個發(fā)光二極管元件3之間的反射樹脂層4也與上述內(nèi)容相同地分別與發(fā)光二極管元件3的前表面及后表面密合，具體來說，反射樹脂層4的前端部與配置在該反射樹脂層4的前側(cè)的發(fā)光二極管元件3的后表面密合，反射樹脂層4的后端部與配置在該反射樹脂層4的后側(cè)的發(fā)光二極管元件3的前表面密合。此外，如圖3的(f)所示，在反射樹脂層4的上表面上形成有樹脂凹部11，該樹脂凹部11是由后述的反射樹脂片13的按壓(參照圖3的(d)的箭頭)形成的。也就是說，在反射樹脂層4中，樹脂凹部11的上表面形成為平坦狀，形成在發(fā)光二極管元件3的周端部的部分形成得比樹脂凹部11高。上述反射樹脂層4例如含有光反射成分，具體來說，反射樹脂層4由含有樹脂、光反射成分的反射樹脂組成物形成。作為樹脂，例如列舉出熱固化性有機硅樹脂、環(huán)氧樹脂、熱固化性聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂、脲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙基酯樹脂、熱固化性聚氨酯樹脂等熱固化性樹脂，優(yōu)選列舉出熱固化性有機硅樹脂、環(huán)氧樹脂。光反射成分例如為白色的化合物，作為上述白色的化合物，具體來說，列舉出白色顏料。作為白色顏料，例如列舉出白色無機顏料，作為上述白色無機顏料，例如列舉出氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯等氧化物，例如列舉出鉛白(堿式碳酸鉛)、碳酸鈣等碳酸鹽，例如列舉出聞嶺土(聞嶺石)等黏土礦物等。作為白色無機顏料，優(yōu)選列舉出氧化物，進一步優(yōu)選列舉出氧化鈦。若采用氧化鈦，能夠獲得較高的白度、較高的光反射性、優(yōu)良的遮蓋性(遮蓋力)、優(yōu)良的著色性(著色能力)、較高的分散性、優(yōu)良的耐候性、較高的化學(xué)穩(wěn)定性等特性。上述氧化鈦具體來說為TiO2 (氧化鈦(IV)，二氧化鈦)。氧化鈦的晶體構(gòu)造沒有特別限定，例如為金紅石、板鈦礦(板鈦石)、銳鈦礦(anatase)等,優(yōu)選為金紅石。此外，氧化鈦的晶系沒有特別限定，例如為四方晶系、斜方晶系等，優(yōu)選為四方晶系O若氧化鈦的晶體構(gòu)造及晶系是金紅石及四方晶系，則即使在使密封樹脂層4長時間處于高溫的情況下，也能夠有效地防止對光(具體來說，可見光，特別是波長450nm附近的光)的反射率降低。光反射成分為顆粒狀，但是并不限定于該形狀，例如列舉出球狀、板狀、針狀等。光反射成分的最大長度的平均值(在為球狀的情況下為其平均粒徑)例如為Inm lOOOnm。最大長度的平均值是使用激光衍射散射式粒度分布儀測定的。光反射成分的配合比例相對于100質(zhì)量份的樹脂例如為O. 5質(zhì)量份 90質(zhì)量份，從著色性、光反射性及反射樹脂組成物的處理性的觀點來說，優(yōu)選為I. 5質(zhì)量份 70質(zhì)量份。上述光反射成分均勻地分散混合到樹脂中。此外，也能夠在反射樹脂組成物中進 一步添加填充劑。也就是說，能夠組合使用填充劑與光反射成分(具體來說為白色顏料)。作為填充劑，除上述的白色顏料之外，可以列舉出公知的填充劑，具體來說，列舉出無機填充劑，作為上述無機填充劑例如列舉出二氧化硅粉末、滑石粉末、氧化鋁粉末、氮化鋁粉末、氮化硅粉末等。作為填充劑，從降低反射樹脂層4的線膨脹率的觀點來說，優(yōu)選列舉出二氧化硅粉末。作為二氧化硅粉末，例如列舉出熔融二氧化硅粉末、晶體二氧化硅粉末等，優(yōu)選列舉出熔融二氧化硅粉末(即，石英玻璃粉末)。作為填充劑的形狀，例如列舉出球狀、板狀、針狀等。從優(yōu)良的填充性及流動性的觀點來說，優(yōu)選列舉出球狀。從而，作為二氧化硅粉末，優(yōu)選列舉出球狀熔融二氧化硅粉末。填充劑的最大長度的平均值(在為球狀的情況下為平均粒徑)例如為5μπι 60 μ m,優(yōu)選為15 μ m 45 μ m。最大長度的平均值是用激光衍射散射式粒度分布儀測定的。調(diào)整填充劑的添加比例，使得填充劑及光反射成分的總量例如相對于100質(zhì)量份的樹脂為10質(zhì)量份 80質(zhì)量份，從降低線膨脹率及確保流動性的觀點來說，調(diào)整填充劑的添加比例，使得填充劑及光反射成分的總量相對于100質(zhì)量份的樹脂優(yōu)選為25質(zhì)量份 75質(zhì)量份，進一步優(yōu)選為40質(zhì)量份 60質(zhì)量份。反射樹脂組成物是通過配合上述樹脂、光反射成分、根據(jù)需要添加的填充劑并使其均勻混合來制備的。此外，反射樹脂組成物是以B階段狀態(tài)制備的。上述反射樹脂組成物例如形成為液體狀或者半固體狀,其運動粘度例如為IOmm2/s 30mm2/s。如上所述，發(fā)光元件3的外側(cè)面被反射樹脂層4密封。此外，在光半導(dǎo)體層7的下側(cè)形成有與電極部8的厚度相對應(yīng)的下部間隙12 (參照圖2的(b))，在該下部間隙12中填充有反射樹脂層4，該反射樹脂層4也與自電極部8暴露出的光半導(dǎo)體層7的下表面及電極部8的側(cè)表面密合。如圖3的(f)所示，反射樹脂層4的端部的厚度Tl與上述發(fā)光二極管元件3的厚度(光半導(dǎo)體層7及電極部8的總厚度)相同。此外，反射樹脂層4的中央部的厚度T2相對于端部的厚度Tl例如為50%以上，優(yōu)選為90%以上，進一步優(yōu)選為95%以上，通常不足100%，具體來說，例如為ΙΟμπι 500μπι，優(yōu)選為15μπι 500μπι。突光體層5形成在發(fā)光二極管兀件3的整個上表面(厚度方向一側(cè)面)上，在向厚度方向投影時，該熒光體層5形成為與發(fā)光二極管元件3的外形形狀相同的圖案。
熒光體層5例如由含有熒光體的熒光體組成物形成。優(yōu)選熒光體組成物含有熒光體及樹脂。作為熒光體，例如列舉出能夠?qū)⑺{色光改變?yōu)辄S色光的黃色熒光體。作為上述熒光體，例如列舉出在復(fù)合金屬氧化物、金屬硫化物等中例如摻雜有鈰(Ce)、銪(Eu)等金屬原子的突光體。具體來說，作為熒光體，例如列舉出具有Y3Al5O12: Ce (YAG (釔鋁石榴石)Ce)、(Y，GcO3Al5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2 (Si, Ge)3012:Ce 等石槽石型晶體構(gòu)造的石槽石型突光體，例如(Sr, Ba)2Si04:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu、Li2SrSiO4:Eu、Ca3Si2O7 = Eu等娃酸鹽突光體,例如CaAl12O19:Mn、SrAl2O4:Eu等招酸鹽突光體,例如ZnS: Cu,Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu 等硫化物熒光體，例如 CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2IEu, Ca- a -SiAlON 等氮氧化物熒光體，例如 CaAlSiN3: Eu、CaSi5N8: Eu 等氮化物熒光體，例如K2SiF6:Mn、K2TiF6IMn等氟化物系熒光體等。優(yōu)選列舉出石榴石型熒光體，進一 步優(yōu)選列舉出Y3Al5O12: Ce (YAG)。熒光體能夠單獨使用或者兩種以上組合使用。對于熒光體的配合比例，例如相對于熒光體組成物、例如為I質(zhì)量％ 50質(zhì)量％，優(yōu)選為5質(zhì)量％ 30質(zhì)量％。此外,突光體相對于100質(zhì)量份的樹脂的配合比例例如為I質(zhì)量份 100質(zhì)量份，優(yōu)選為5質(zhì)量份 40質(zhì)量份。樹脂是使熒光體分散的基體，例如列舉出有機硅樹脂、環(huán)氧樹脂、丙烯樹脂等透明樹脂等。從耐久性的觀點來說，優(yōu)選列舉出有機硅樹脂。有機硅樹脂主要在分子內(nèi)具有由硅氧烷鍵(-Si-O-Si-)構(gòu)成的主鏈和與主鏈的娃原子(Si)相結(jié)合的、由燒基(例如甲基等)或者燒氧基(例如甲氧基)等有機基構(gòu)成的側(cè)鏈。具體來說，作為有機硅樹脂，例如列舉出脫水縮合型有機硅樹脂、加成反應(yīng)型有機硅樹脂、過氧化物固化型有機硅樹脂、潮氣固化型有機硅樹脂、固化型有機硅樹脂等。優(yōu)選列舉出加成反應(yīng)型有機硅樹脂等。有機硅樹脂的25°C時的運動粘度例如為10mm2/s 30mm2/s。樹脂能夠單獨使用或者兩種以上組合使用。樹脂的配合比例相對于熒光體組成物例如為50質(zhì)量％ 99質(zhì)量％，優(yōu)選為70質(zhì)
量％ 95質(zhì)量％。熒光體組成物是通過以上述配合比例配合熒光體及樹脂并進行攪拌混合來制備的。接下來，參照圖2 圖5對制造上述發(fā)光二極管裝置I的方法進行說明。在該方法中，首先，如圖2的(a)所示，準備反射樹脂片13。反射樹脂片13是用于將反射樹脂層4設(shè)置在發(fā)光二極管元件3的側(cè)方的轉(zhuǎn)印片。反射樹脂片13以與上述發(fā)光二極管元件3相對應(yīng)的方式形成為能夠在后述的按壓(圖3的(d))下與發(fā)光二極管元件3密合的圖案。反射樹脂片13包括作為離型基材的第I離型基材14、設(shè)在該第I離型基材14的上表面(厚度方向一側(cè)面)上的反射樹脂層4。能夠通過將反射樹脂層4設(shè)在第I離型基材14的上表面上來獲得上述反射樹脂片13。為了將反射樹脂層4設(shè)在第I離型基材14的上表面上，首先，如圖4的(a)所示，準備第I離型基材14。第I離型基材14例如是大致矩形狀的離型片(離型薄膜)，其上表面及下表面形成為平坦狀。第I離型基材14由例如聚烯烴(具體來說為聚乙烯、聚丙烯)、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)等乙烯共聚物、例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯等聚酯、例如聚四氟乙烯等氟樹脂等樹脂材料等形成。此外，第I離型基材14例如也能夠由鐵、鋁、不銹鋼等金屬材料等形成。此外，第I離型基材14也能夠由熱剝離片形成，該熱剝離片能夠利用加熱容易自反射樹脂層4剝離。如圖4的(a)的虛擬線所示，熱剝離片例如包括支承層15、層疊在支承層15的上表面上的粘合層16。 支承層15例如由聚酯等耐熱性樹脂形成。粘合層16例如由在常溫(25°C )下具有粘合性、在加熱時粘合性降低(或者喪失粘合性)的熱膨脹性粘合劑等形成。作為上述熱剝離片，能夠使用市面上銷售的商品，具體來說，能夠使用'J 〃 r )V 77 (REVALPHA)系(注冊商標，日東電工株式會社制)等。熱剝離片利用支承層15隔著粘合層16可靠地支承反射樹脂層4，并且基于之后的加熱及熱膨脹所導(dǎo)致的粘合層16的粘合性下降，自反射樹脂層4剝離。第I離型基材14的厚度例如為10 μ m 1000 μ m。接下來，如圖4的(b)所示，將掩模20配置在第I離型基材14之上(厚度方向一側(cè))。如圖5所示，掩模20形成為一體地具有框部17、隔開間隔配置在框部17的面方向內(nèi)側(cè)的覆蓋部18、用于架設(shè)框部17及覆蓋部18的架設(shè)部19的圖案?？虿?7形成為俯視大致矩形框狀。此外，框部17以能夠借助架設(shè)部19支承覆蓋部18的寬度(能夠確保強度的寬度)形成。與上述發(fā)光二極管元件3 (參照圖I)相對應(yīng)地彼此隔開間隔地配置有多個覆蓋部18。也就是說，各個覆蓋部18獨立地形成。各個覆蓋部18形成為俯視看來其外形形狀稍微大于發(fā)光二極管元件3的外形形狀的相似形狀(具體來說為俯視大致矩形狀)。此外，覆蓋部18的最大長度LI為L2(發(fā)光二極管元件3的最大長度)+0. 22mm以下，優(yōu)選為L2+0. 15mm以下，通常例如為L2以上，具體來說，例如為O. 3mm 3mm,優(yōu)選為O. 42mm 2. 1mm。架設(shè)部19用于架設(shè)框部17及覆蓋部18,并且用于對在面方向上相鄰接的覆蓋部18彼此進行架設(shè)。各個架設(shè)部19呈俯視大致X字狀，各個架設(shè)部19以例如將面方向上相鄰接的四個覆蓋部18(18A、18B、18C及18D)的左右方向端部及前后方向端部連接起來的方式架設(shè)。此外，架設(shè)部19例如由電線等線狀構(gòu)件構(gòu)成，該架設(shè)部19以顯著窄于覆蓋部18的最大長度LI的寬度形成,具體來說，例如該寬度為100 μ m以下,優(yōu)選為50 μ m以下,通常，例如為25 μ m以上。
掩模20由例如不銹鋼、鐵等金屬材料、例如聚對苯二甲酸乙二酯等樹脂材料形成。優(yōu)選由金屬材料形成。掩模20例如通過蝕刻、激光加工等公知的圖案形成法而形成為上述圖案。掩模20的厚度例如為20 μ m 500 μ m。如圖4的(b)所示，以使覆蓋部18和在第I離型基材14的上表面上與基板側(cè)二極管區(qū)域9(參照圖2的(b))相對應(yīng)的區(qū)域(離型基材側(cè)二極管區(qū)域21)在厚度方向上相對配置的方式將上述掩模20配置(載置)在第I離型基材14的上表面上。此外，覆蓋部18以在俯視看來其周端部包圍離型基材側(cè)二極管區(qū)域21的方式與離型基材側(cè)二極管區(qū)域21相對配置。接下來，在該方法中，如圖4的(C)所示，借助掩模20在第I離型基材14之上涂敷反射樹脂組成物。 在反射樹脂組成物的涂敷過程中，例如使用印刷、分配器(dispenser)等的涂敷方法。由此，在第I離型基材14的上表面上以掩模20的相反圖案形成由反射樹脂組成物構(gòu)成的反射皮膜22。此外，反射皮膜22也形成在掩模20的上表面上。接下來，如圖4的(C)的虛擬線的箭頭所示，從第I離型基材14除去掩模20。具體來說，向上方提起掩模20。通過向上方提起掩模20，從而除去被形成在覆蓋部18的上表面上的反射皮膜22。此外，通過提起上述掩模20，使得架設(shè)部19 (參照圖5)的周圍的反射皮膜22 (具體來說為形成在架設(shè)部19的側(cè)表面上的反射樹脂組成物)稍微流動，由此，不會使配置有架設(shè)部19的區(qū)域暴露出，配置有架設(shè)部19的區(qū)域被反射皮膜22覆蓋(填充)。由此，如圖2的(a)所示，以覆蓋部18 (參照圖5)的相反圖案(參照圖2的(b))形成反射皮膜22。也就是說，反射皮膜22在第I離型基材14的上表面上形成在與基板側(cè)反射區(qū)域10相對應(yīng)的區(qū)域(離型基材側(cè)反射區(qū)域)23上。然后，通過加熱(后述)上述圖案的反射皮膜22，從而獲得上述圖案的B階段狀態(tài)的反射樹脂層4。反射樹脂層4形成為下述圖案，即，參照后述的圖2的(b)，使反射樹脂片13上下翻轉(zhuǎn)，在翻轉(zhuǎn)的反射樹脂片13與二極管基板2相對配置時，自反射樹脂層4暴露出的第I離型基材14的下表面(暴露部25)在向厚度方向投影時包含發(fā)光二極管元件3。更具體來說，參照后述的圖2的(c)，反射樹脂層4形成為在將接下來說明的反射樹脂片13層疊在二極管基板2上時與二極管基板2接觸的圖案。由此，獲得包括反射樹脂層4及第I離型基材14的反射樹脂片13。另一方面，在該方法中，如圖2的(b)的下部所示，將發(fā)光二極管元件3設(shè)在二極管基板2的上表面(厚度方向一側(cè)面)上。具體來說，電極部8與端子6電連接起來，將發(fā)光二極管元件3倒裝片安裝(倒裝片安裝也稱為倒裝安裝)在二極管基板2上。接下來，在該方法中，如圖2的(b)所示，將反射樹脂片13相對配置在二極管基板2的上方。具體來說，首先，使反射樹脂片13自圖2的(a)的狀態(tài)上下翻轉(zhuǎn)，接著，與二極管基板2的上表面的基板側(cè)反射區(qū)域10相對地配置反射樹脂層4。此外，將緩沖片26設(shè)在第I離型基材14的上表面上。緩沖片26是用于在接下來說明的按壓(參照圖3的(d)的箭頭)中緩沖按壓力的片(墊片)，該緩沖片通過緩沖使得該按壓力不會不均勻地施加于發(fā)光二極管元件3，該緩沖片26例如由彈性片(薄膜)等形成。 作為形成緩沖片26的緩沖材料，利用與形成上述第I離型基材的樹脂材料相同的樹脂材料形成該緩沖片26,優(yōu)選由乙烯聚合物形成,進一步優(yōu)選由EVA形成。緩沖片26的厚度例如為O. Olmm Imm,優(yōu)選為O. 05mm O. 2mm。接下來，在該方法中，如圖2的(C)及圖3的(d)所示，將反射樹脂片13層疊在二極管基板2上。S卩，首先，如圖2的(C)所示，使反射樹脂層4的下表面與二極管基板2的基板側(cè)反射區(qū)域10接觸，并且使暴露部25與發(fā)光二極管元件3的上表面接觸。也就是說，將反射樹脂層4及發(fā)光二極管元件3在厚度方向上共同夾在第I離型基材14及二極管基板2之間。此外，在進行上述的接觸時，在面方向上的反射樹脂層4與發(fā)光二極管元件3之間形成有微小的側(cè)部間隙27。側(cè)部間隙27形成為在面方向上稍微隔開反射樹脂層4與發(fā)光二極管元件3的空間。接下來，如圖3的(d)的箭頭所示，朝向下方按壓反射樹脂片13。具體來說，例如，利用壓力機等隔著緩沖片26將反射樹脂片13按壓于二極管基板2。壓力例如為O. OlMPa 7MPa，優(yōu)選為O. 05MPa 4MPa。此外，可以根據(jù)需要一邊加熱一邊實施上述按壓，也就是說，也能夠進行熱壓(具體來說，利用熱板進行按壓的熱壓等)。加熱溫度例如為25°C 140°C。由此,第I離型基材14的暴露部25與發(fā)光二極管兀件3的上表面(厚度方向一側(cè)面)密合。與此同時，反射樹脂層4向側(cè)向、具體來說向面方向外方(左側(cè)方向、右側(cè)方向、前側(cè)方向及后側(cè)方向)流動。因此，側(cè)部間隙27(參照圖2的(c))被反射樹脂層4填充。此夕卜，下部間隙12(參照圖2的(c))也被反射樹脂層4填充。由此，反射樹脂層4與發(fā)光二極管元件3的側(cè)表面(左表面、右表面、前表面及后表面)密合。此外，樹脂凹部11形成在反射樹脂層4上。接下來，如圖3的(e)所示，從反射樹脂層4及發(fā)光二極管元件3剝下第I離型基材14。一同除去第I離型基材14與緩沖片26。由此，將反射樹脂層4從第I離型基材14轉(zhuǎn)印到二極管基板2上。之后，加熱B階段狀的反射樹脂層4并使其固化。加熱溫度例如為40°C 150°C，優(yōu)選為50°C 140°C，加熱時間例如為I分鐘 60分鐘，優(yōu)選為3分鐘 20分鐘。接下來，如圖3的(f)所示，將熒光體層5設(shè)在發(fā)光二極管元件3的上表面上。
為了設(shè)置熒光體層5，例如，首先，在發(fā)光二極管元件3的上表面上將上述熒光體組成物涂敷為上述圖案，從而形成熒光體皮膜(未圖示)。之后,通過例如將熒光體皮膜加熱成50°C 150°C并使其干燥,從而使熒光體皮膜形成為上述圖案。由此，作為聚合體片獲得了發(fā)光二極管裝置1，該發(fā)光二極管裝置I包括二極管基板2、倒裝安裝在二極管基板2上的發(fā)光二極管元件3、與發(fā)光二極管元件3的側(cè)表面密合的反射樹脂層4、設(shè)在發(fā)光二極管元件3的上表面上的熒光體層5。之后，如圖3的(f)的單點劃線所示，對各個發(fā)光二極管元件3之間的反射樹脂層4及形成在該反射樹脂層4之下的二極管基板2進行切斷(切割)加工。也就是說，沿厚度方向切割反射樹脂層4及二極管基板2，切分出多個發(fā)光二極管元件3。即，使發(fā)光二極管元件3個體化(單片化)。
并且，采用上述方法，如圖3的(d)所示，將反射樹脂片13以反射樹脂層4與發(fā)光二極管元件3的側(cè)表面密合的方式層疊在二極管基板2上。因此，在由上述方法獲得的發(fā)光二極管裝置I中，從發(fā)光二極管元件3發(fā)出的光在被其它構(gòu)件吸收之前被反射樹脂層4反射。其結(jié)果，能夠提高光取出效率。另外，在圖3的(d)的實施方式中，使第I離型基材14的暴露部25與發(fā)光二極管元件3的上表面密合，因此可以防止反射樹脂層4進入到發(fā)光二極管元件3的上表面上(流入的情況)。因此，如圖3的(f)所示，能夠?qū)晒怏w層5直接層疊在發(fā)光二極管元件3的上表面上。其結(jié)果，能夠可靠地防止自發(fā)光二極管元件3朝向上方發(fā)出的光被反射樹脂層4反射到下方及/或側(cè)方，利用熒光體層5有效地對上述光進行波長轉(zhuǎn)換，提高光的取出效率。雖然在圖4的(b)及圖4的(C)的實施方式中，使用掩模20形成反射樹脂層4 (參照圖2的(a))，但是例如在樹脂為粉末狀的熱固化性樹脂的情況下，參照圖2的(a)，也能夠通過利用壓縮成形機對樹脂組成物進行加熱及壓縮成形來使其固化，在該反射樹脂層4形成在第I離型基材14的整個上表面上之后，利用蝕刻等使其形成為上述圖案。另一方面，若使用掩模20形成反射樹脂層4，由于能夠在提起掩模20時作為原料回收附著在掩模20的上表面上的反射樹脂組成物，因此能夠提高反射樹脂組成物的成品率。此外，在圖2的(b) 圖3的(f)的實施方式中，雖然將發(fā)光二極管元件3預(yù)先倒裝安裝在二極管基板2上，將反射樹脂層4轉(zhuǎn)印到該二極管基板2上，但是，例如也能夠參照圖2的(b) 圖3的(f)的括號表示的附圖標記33，代替二極管基板2，首先準備第2離型基材33，在其上表面上設(shè)置發(fā)光二極管元件3，之后，在將反射樹脂層4轉(zhuǎn)印到第2離型基材33上后，將發(fā)光二極管元件3及反射樹脂層4轉(zhuǎn)印到另外準備的二極管基板2上。在該情況下，第2離型基材33由與上述第I離型基材14相同的離型基材形成。在上述情況下，參照圖2的(b)的括號中的附圖標記33，將反射樹脂層4配置在第2離型基材33之上，參照圖2的(c)及圖3的(d)，使反射樹脂片13與第2離型基材33相對配置，接著，通過按壓使反射樹脂層4與發(fā)光二極管元件3的側(cè)表面密合。
之后，參照圖3的(e)，自反射樹脂層4 (參照圖3的⑷)及發(fā)光二極管元件3剝下第I離型基材14，接下來，參照圖3的(f)，將熒光體層5設(shè)在發(fā)光二極管元件3的上表面上。接下來，如圖3的(f)的單點劃線所示，通過沿厚度方向切割反射樹脂層4及第2離型基材33，從而使發(fā)光二極管元件3個體化(單片化)。之后，如圖3的(f)的虛擬線所示，自反射樹脂層4及發(fā)光二極管元件3剝離第2離型基材33，接下來，參照圖2的(b)的下部，將側(cè)表面被反射樹脂層4密合的發(fā)光二極管元件3倒裝安裝在二極管基板2上。由此，獲得發(fā)光二極管裝置I。利用使用第2離型基材33的實施方式，也能夠獲得與將發(fā)光二極管元件3預(yù)先倒裝安裝到二極管基板2上的實施方式相同的作用效果。、
另外，在使用第2離型基材33的實施方式中，由于不需要將發(fā)光二極管元件3預(yù)先倒裝安裝在二極管基板2上，因此能夠簡便地使反射樹脂層4與發(fā)光二極管元件3的側(cè)表面密合。另一方面，在二極管基板2上預(yù)先倒裝安裝發(fā)光二極管元件3的實施方式中，由于在使反射樹脂層4與預(yù)先倒裝安裝于二極管基板2的發(fā)光二極管元件3的側(cè)表面密合后，不需要另行將發(fā)光二極管元件3倒裝安裝在二極管基板2上，因此能夠簡便地制造發(fā)光二極管裝置I。此外，在圖3的(d)的箭頭所示的按壓反射樹脂片13的工序中，隔著緩沖片26將反射樹脂片13按壓于二極管基板2。然而，也能夠不設(shè)置緩沖片26(參照圖2的(c))就參照圖3的(d)的括號中的附圖標記28那樣對反射樹脂片13進行直接熱壓。如圖3的(d)所示，該熱壓是通過使用熱板28來代替緩沖片26、并按壓第I離型基材14來實施的。在利用熱板28按壓第I離型基材14的實施方式中，不需要預(yù)先設(shè)置緩沖片26，因此，能夠相應(yīng)地簡化制造工序。另一方面，在隔著緩沖片26將反射樹脂片13按壓于二極管基板2的實施方式中，能夠有效地防止發(fā)光二極管元件3的因按壓力不均勻所引起的損傷。圖6及圖7表示用于說明本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的其它實施方式(在第I離型基材上設(shè)有凹部的技術(shù)方案)的制造工序圖。此外，在之后的各個附圖中，對與上述各部分相對應(yīng)的構(gòu)件標注相同的附圖標記，省略其詳細說明。雖然在圖3的(e)及圖3的(f)的實施方式中，反射樹脂層4以與發(fā)光二極管元件3相同的厚度或者薄于該發(fā)光二極管元件3的厚度形成，但是，例如，也能夠如圖7的(d)及圖7的(e)所示，以厚于發(fā)光二極管元件3的厚度形成。如圖7的(d)及圖7的(e)所示，在向面方向進行投影時，反射樹脂層4以其上部29自發(fā)光二極管元件3朝向上方突出的方式形成。此外，對上部29的角進行倒角。上部29的厚度為發(fā)光二極管元件3的厚度的例如100% 200%，優(yōu)選為150% 200%,具體來說，該上部29的厚度例如為20 μ m 1000 μ m,優(yōu)選為50 μ m 600 μ m。熒光體層5以在發(fā)光二極管元件3之上填充到相鄰的上部29之間的方式形成。
接下來，參照圖6及圖7對用于制造圖7的(e)所示的發(fā)光二極管裝置I的方法進行說明。在該方法中，首先，如圖6的(a)所示，形成反射樹脂片13。為了形成反射樹脂片13，首先，準備第I離型基材14。第I離型基材14以使離型基材側(cè)反射區(qū)域23凹陷的方式形成。具體來說，在第I離型基材14的上表面(厚度方向一側(cè)面)上使離型基材側(cè)反射區(qū)域23成為朝向下方(厚度方向另一側(cè))凹陷的凹部30，離型基材側(cè)二極管區(qū)域21成為自凹部30的周端部向上方突出的突出部31 (暴露部25)。S卩，第I離型基材14形成為如下的凹凸形狀俯視大致網(wǎng)格狀配置突出部31 (與基板側(cè)反射區(qū)域10相對應(yīng)的區(qū)域，參照圖I)、并利用突出部31包圍凹部30 (與基板側(cè)二極·管區(qū)域9相對應(yīng)的區(qū)域，參照圖I)。第I離型基材14是例如利用壓花加工等公知的成形加工來形成的。接下來，如圖6的(a)所示，按照與上述相同的方法，在第I離型基材14的上表面上設(shè)置反射樹脂層4。由此，形成反射樹脂片13。另一方面，如圖6的(b)的下部所示，將發(fā)光二極管元件3倒裝安裝在二極管基板2上。接下來，使反射樹脂片13相對配置于二極管基板2的上方。接下來，如圖6的(C)所示，將反射樹脂片13層疊在二極管基板2上，接下來，將反射樹脂片13按壓(或者熱壓)于二極管基板2。由于上述按壓，反射樹脂層4以與凹部30的形狀相對應(yīng)地對上部29的角進行倒角的方式形成。接下來，如圖7的(d)所示，從反射樹脂層4及發(fā)光二極管元件3剝下第I離型基材14(參照圖6的(c))，之后，如圖7的(e)所示，在發(fā)光二極管元件3的上表面上將熒光體層5填充到相鄰的上部29之間。由此，獲得發(fā)光二極管裝置I。圖7的(e)所示的實施方式能夠發(fā)揮與圖3的(f)所示的實施方式相同的作用效
果O另外，在圖7的(e)所示的實施方式中，由于反射樹脂層4以厚于發(fā)光二極管元件3的方式形成，因此，能夠利用反射樹脂層4的上部29來使自發(fā)光二極管元件3朝向側(cè)向傾斜上側(cè)發(fā)出的光反射。其結(jié)果，能夠進一步提高光的取出效率。圖8及圖9表示用于說明本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的其它實施方式(將反射樹脂層直接設(shè)置在二極管基板上的技術(shù)方案)的制造工序圖。在圖2、圖3、圖6及圖7的實施方式中，雖然使用反射樹脂片(轉(zhuǎn)印片)13而將反射樹脂層4轉(zhuǎn)印到二極管基板2上，但是，例如，也能夠如圖8及圖9所示，不使用反射樹脂片(轉(zhuǎn)印片)13而將反射樹脂層4直接設(shè)置在二極管基板2上。接下來，參照圖8及圖9對通過將反射樹脂層4直接設(shè)置在二極管基板2上來獲得發(fā)光二極管裝置I的方法進行說明。在該方法中，首先，如圖8的(a)所示，將發(fā)光二極管元件3設(shè)在作為基材的二極管基板2的上表面(厚度方向一側(cè)面)上。接下來，如圖8的(b)所示，在二極管基板2的上表面(厚度方向一側(cè)面)上，將反射樹脂層4設(shè)在發(fā)光二極管元件3的側(cè)方、具體來說為面方向外側(cè)。反射樹脂層4是以在面方向上與發(fā)光二極管元件3之間形成有側(cè)部間隙27的方式設(shè)置的。為了在二極管基板2的上表面上設(shè)置反射樹脂層4，例如使用涂敷、壓縮成形等方法，上述涂敷是借助圖5所示的掩模20進行的反射樹脂組成物的涂敷。接下來，在該方法中，如圖8的(C)的虛擬線所示，準備作為按壓構(gòu)件的按壓板32。按壓板32形成為與圖6的(b)所示的設(shè)有凹部30及突出部31的第I離型基材14相同的形狀。
按壓板32由與圖6的(b)所示的第I離型基材14相同的材料形成，優(yōu)選由金屬材料形成。若是金屬材料，則能夠在按壓反射樹脂層4時(參照圖8的(c)的實線)確?？煽康陌磯骸４送?，也能夠?qū)Π磯喊?2的下表面實施公知的離型處理(表面處理)。如圖8的(C)的虛擬線所示，以使凹部30與反射樹脂層4相對、且使突出部31與發(fā)光二極管元件3相對的方式在二極管基板2之上配置按壓板32。接下來，在該方法中，如圖8的(C)的虛擬線的箭頭及實線所示，利用按壓板32按壓反射樹脂層4。具體來說，通過使按壓板32朝向二極管基板2下降，從而使突出部31與發(fā)光二極管元件3的上表面密合，并且使凹部30朝向下方來按壓反射樹脂層4。由此，反射樹脂層4與發(fā)光二極管元件3的各側(cè)表面密合。此外，在反射樹脂層4中，自發(fā)光二極管元件3朝向上方突出的上部29形成為與按壓板32的凹部30相對應(yīng)的形狀。接下來，如圖9的(d)所示，除去按壓板32 (參照圖8的(C))。接下來，如圖9的(e)所示，在發(fā)光二極管元件3的上表面上，將熒光體層5填充到相鄰的上部29之間。之后，如圖9的(e)的單點劃線所示，通過沿厚度方向切割反射樹脂層4及二極管基板2，從而使發(fā)光二極管元件3個體化(單片化)。由此，獲得發(fā)光二極管裝置I。在圖8及圖9的實施方式中，由于不使用轉(zhuǎn)印片(反射樹脂片)13而以在二極管基板2之上與發(fā)光二極管元件3的側(cè)表面密合的方式設(shè)置反射樹脂層4，因此，不需要準備轉(zhuǎn)印片13，從而能夠相應(yīng)地簡化制造工序。另一方面，在圖2、圖3、圖6及圖7的實施方式中，由于將反射樹脂層4形成為規(guī)定圖案的反射樹脂片13用作轉(zhuǎn)印片，因此，能夠以與發(fā)光二極管元件3的側(cè)表面密合的方式可靠且簡便地在二極管基板2之上設(shè)置反射樹脂層4。此外，在圖8及圖9的實施方式中，雖然如圖8的(a)所示，對本發(fā)明的基材為二極管基板2的情況進行了說明，但是，例如參照圖8的(a) 圖9的(e)的括號表示的附圖標記33，也能夠代替二極管基板2而使用第2離型基材33，在該第2離型基材33的上表面上直接設(shè)置發(fā)光二極管元件3。
在該情況下，參照圖8的(a)的帶括號的附圖標記33，將發(fā)光二極管元件3設(shè)在第2離型基材33的上表面上，接下來，參照圖8的(b)，將反射樹脂層4層疊到第2離型基材33的上表面上，接下來，參照圖8的(c)，通過將按壓板32朝向下方而按壓于反射樹脂層4，使反射樹脂層4與發(fā)光二極管元件3的側(cè)表面密合。之后，參照圖9的(d)，除去按壓板32，接下來，參照圖9的(e)，將熒光體層5設(shè)在發(fā)光二極管兀件3的上表面上。接下來，如圖9的(e)的單點劃線所示，通過沿厚度方向切割反射樹脂層4及第2離型基材33，從而使發(fā)光二極管元件3個體化(單片化)。之后，參照圖9的(e)的虛擬線，自反射樹脂層4及發(fā)光二極管元件3剝離第2離型基材33，接下來，將側(cè)表面被反射樹脂層4密合的發(fā)光二極管元件3倒裝安裝在參照圖8的(a)的二極管基板2上。由此，獲得發(fā)光二極管裝置I。即使采用將第2離型基材33用作基材的實施方式，也能夠?qū)崿F(xiàn)與將二極管基板2用作基材的實施方式相同的作用效果。另外，在將第2離型基材33用作基材的實施方式中，不需要將發(fā)光二極管元件3預(yù)先倒裝安裝在二極管基板2上，因此能夠簡便地使發(fā)光二極管元件3的側(cè)表面與反射樹脂層4密合。 另一方面，在將二極管基板2用作基材的實施方式中，由于在使發(fā)光二極管元件3的側(cè)表面與反射樹脂層4密合之后，不需要另行將上述結(jié)構(gòu)倒裝安裝在二極管基板2上，因此，能夠簡便地制造發(fā)光二極管裝置I。實施例以下表示實施例，進一步具體地說明本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限定于下述實施例。實施例I (圖2及圖3的技術(shù)方案)首先，準備反射樹脂片(參照圖2的(a))。S卩，準備上表面及下表面形成為平坦狀、由氟樹脂構(gòu)成的厚度50 μ m的第I離型基材(參照圖4的(a))。接下來，將由不銹鋼構(gòu)成的厚度100 μ m的掩模配置到第I離型基材的上表面上(參照圖4的(b))。掩模形成為一體地包括框部、覆蓋部及架設(shè)部的圖案(參照圖5)。此外，覆蓋部為俯視大致矩形狀，其最大長度(LI)為O. 56mm。接下來，制備反射樹脂組成物，利用印刷將該反射樹脂組成物借助掩模涂覆到第I離型基材之上(參照圖4的(C))。反射樹脂組成物是通過均勻地混合100質(zhì)量份的熱固化性有機硅樹脂及20質(zhì)量份的球狀的平均粒徑300nm的氧化鈦(TiO2 :金紅石的四方晶系)顆粒來制備的。由此，以掩模的相反圖案形成由反射樹脂組成物構(gòu)成的反射皮膜。接下來，自第I離型基材除去掩模(參照圖4的(C)的虛擬線的箭頭)。由此，通過使架設(shè)部的周圍的反射皮膜稍微流動，從而將反射皮膜配置到配置有架設(shè)部的區(qū)域中。由此，以覆蓋部的相反圖案形成了反射皮膜。此外，反射皮膜處于B階段狀態(tài)。由此，形成了具有由第I離型基材及反射皮膜構(gòu)成的反射樹脂層的反射樹脂片(轉(zhuǎn)印片)。接下來，使第I離型基材上下翻轉(zhuǎn)，在該第I離型基材的上表面上設(shè)置由EVA構(gòu)成的厚度O. 12mm的緩沖片(參照圖2的(b))。此外，另行將厚度O. 1mm、最大長度(L2)0. 42mm的發(fā)光二極管元件倒裝安裝在厚度Imm的二極管基板的上表面上(參照圖2的(b)的下部)，該發(fā)光二極管元件包括包含緩沖層(GaN)、N型半導(dǎo)體層(n-GaN)、發(fā)光層(InGaN)及P型半導(dǎo)體層(P_GaN:Mg)的光半導(dǎo)體層；包含正極電極及負極電極的電極部。此外，二極管基板包括由藍寶石構(gòu)成的絕緣基板和導(dǎo)體層，該導(dǎo)體層在該絕緣基板的上表面上，該導(dǎo)體層包含由銅、鎳及金構(gòu)成的端子。接下來，將反射樹脂片層疊到二極管基板上(參照圖2的(C)及圖3的(d))。具體來說，使反射樹脂層的下表面與二極管基板的基板側(cè)反射區(qū)域接觸，并且使暴露部與發(fā)光二極管元件的上表面接觸(參照圖2的(C))。
接下來，朝向下方按壓反射樹脂片(參照圖3的(d)的箭頭)。具體來說，利用壓力機，隔著緩沖片以O(shè). 3MPa的壓力將反射樹脂片按壓于二極管基板。由此，第I離型基材的暴露部與發(fā)光二極管元件的上表面密合，并且反射樹脂層與發(fā)光二極管元件的側(cè)表面密合。此外，樹脂凹部形成于反射樹脂層的上表面的中央部。此外，樹脂凹部的厚度(T2)為 90 μ m。接下來，自反射樹脂層及發(fā)光二極管元件除去第I離型基材及緩沖片(參照圖3的(e))。由此，將反射樹脂層從第I離型基材轉(zhuǎn)印到二極管基板上。之后，利用加熱使反射樹脂層固化。接下來，將熒光體層設(shè)在發(fā)光二極管元件的上表面上(參照圖3的(f))。詳細來說，通過配合26質(zhì)量份的由Y3Al5O12 = Ce構(gòu)成的熒光體顆粒(球形狀,平均粒徑8 μ m)及74質(zhì)量份的有機硅樹脂(加成反應(yīng)型有機硅樹脂，動態(tài)粘度(25°C ) 20mm2/s,WACKER ASAHIKASEI SILICON CO.，LTD.制)并進行均勻攪拌，從而制備了熒光體組成物。接下來，在利用印刷將制備的熒光體組成物涂覆到發(fā)光二極管元件的上表面上而形成了熒光體皮膜之后，以ioo°c使熒光體皮膜干燥而形成熒光體層。之后，通過沿厚度方向切割反射樹脂層及二極管基板，從而制造了包括二極管基板、發(fā)光二極管元件、反射樹脂層及熒光體層的發(fā)光二極管裝置(圖3的(f)的單點劃線)。實施例2 (圖6及圖7的技術(shù)方案)除了在第I離型基材的上表面上形成凹部及突出部(參照圖6的(a))并在第I離型基材的上表面上不設(shè)置緩沖片之外，與實施例I同樣進行處理，從而制造了發(fā)光二極
管裝置。S卩，在反射樹脂片中，將反射樹脂層形成在第I離型基材的凹部上(參照圖6的(a))，接下來，將發(fā)光二極管元件倒裝安裝在二極管基板上(參照圖6的(b))，接下來，將反射樹脂片層疊到二極管基板上，接下來，將反射樹脂片按壓于二極管基板(參照圖6的
(C))。由此，將反射樹脂層的上部形成為與凹部相對應(yīng)的錐狀。接下來，自反射樹脂層及發(fā)光二極管元件剝下第I離型基材(參照圖7的(d))，之后，在發(fā)光二極管元件的上表面上將熒光體層填充在相鄰的上部之間(參照圖7的(e))。之后，通過沿厚度方向切割反射樹脂層及二極管基板，從而制造了發(fā)光二極管裝置(圖7的(e)的單點劃線)。實施例3 (圖8及圖9的技術(shù)方案)除了不使用反射樹脂片(轉(zhuǎn)印片)而將反射樹脂層直接設(shè)在二極管基板上(參照圖8的(a))、并在反射樹脂層的按壓過程中使用按壓板(參照圖8的(C))以外，與實施例I同樣進行處理，從而獲得了發(fā)光二極管裝置(參照圖9的(e))。即，首先，將發(fā)光二極管元件設(shè)置到二極管基板的上表面上(參照圖8的(a))。接下來，在二極管基板的上表面上，使用掩模(參照圖5)，以在發(fā)光二極管元件的面方向外方形成側(cè)部間隙的方式設(shè)置反射樹脂層(參照圖8的(b))。 接下來，在該方法中，準備設(shè)有凹部及突出部的由不銹鋼構(gòu)成的按壓板(參照圖8的(C)的虛擬線)。接下來，利用按壓板按壓反射樹脂層(參照圖8的(C)的虛擬線的箭頭及實線)。由此，使反射樹脂層與發(fā)光二極管元件的各側(cè)表面密合，并且使反射樹脂層的上部形成為與按壓板的凹部相對應(yīng)的形狀。接下來，除去按壓板(參照圖9的(d))，之后，在發(fā)光二極管元件的上表面上，將熒光體層填充在相鄰的上部之間(參照圖9的(e))。之后，通過沿厚度方向切割反射樹脂層及二極管基板，從而使發(fā)光二極管元件單片化，獲得了發(fā)光二極管裝置(參照圖9的(e)的單點劃線)。此外，上述說明是作為本發(fā)明的示例的實施方式提供的，但是該說明只是示例，不能進行限定性解釋。對于本技術(shù)領(lǐng)域的從業(yè)人員來說可以明確得知的本發(fā)明的變形例包含在權(quán)利要求書中。
權(quán)利要求
1.一種反射樹脂片，該反射樹脂片用于將反射樹脂層設(shè)置在發(fā)光二極管元件的側(cè)方，其特征在于， 該反射樹脂片包括 離型基材； 上述反射樹脂層，其設(shè)在上述離型基材的厚度方向一側(cè)面上； 上述反射樹脂層是以能夠與上述發(fā)光二極管元件密合的方式與上述發(fā)光二極管元件相對應(yīng)地形成的。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的反射樹脂片，其特征在于， 在上述離型基材的上述厚度方向一側(cè)面上，設(shè)有上述反射樹脂層的部分朝向上述厚度方向另一側(cè)凹陷。
3.一種發(fā)光二極管裝置的制造方法，其特征在于， 該發(fā)光二極管裝置的制造方法包括 通過在離型基材的厚度方向一側(cè)面設(shè)置以能夠與發(fā)光二極管元件密合的方式與上述發(fā)光二極管元件相對應(yīng)地形成的反射樹脂層來準備反射樹脂片的工序； 將發(fā)光二極管元件設(shè)在二極管基板的厚度方向一側(cè)面上的工序； 以使上述反射樹脂層與上述發(fā)光二極管元件的側(cè)表面密合的方式將上述反射樹脂片層疊到上述二極管基板上的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管裝置的制造方法，其特征在于， 在將上述反射樹脂片層疊到上述二極管基板上的工序中，使上述離型基材中的自上述反射樹脂層暴露出的暴露部與上述發(fā)光二極管元件的厚度方向一側(cè)面密合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管裝置的制造方法，其特征在于， 準備上述反射樹脂片的工序包括 將形成有圖案的掩模以使覆蓋部與上述暴露部相對的方式配置在上述離型基材的上述厚度方向一側(cè)的工序，其中，該圖案包括以與上述暴露部相對應(yīng)的方式彼此隔開間隔地配置的多個覆蓋部和用于架設(shè)各個上述覆蓋部的架設(shè)部； 隔著上述掩模將用于形成上述反射樹脂層的反射樹脂組成物涂敷在上述離型基材上、從而以上述覆蓋部的相反圖案形成上述反射樹脂層的工序； 除去上述掩模的工序。
6.一種發(fā)光二極管裝置的制造方法，其特征在于， 該發(fā)光二極管裝置的制造方法包括 將發(fā)光二極管元件設(shè)置到基材的厚度方向一側(cè)面上的工序； 在上述基材的厚度方向一側(cè)面上，將反射樹脂層設(shè)在上述發(fā)光二極管元件的側(cè)方的工序; 通過使形成有與上述反射樹脂層相對應(yīng)地向厚度方向另一側(cè)凹陷的凹部的按壓構(gòu)件的上述凹部按壓上述反射樹脂層、從而使上述反射樹脂層與上述發(fā)光二極管元件的側(cè)表面密合的工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管裝置的制造方法，其特征在于， 設(shè)置上述反射樹脂層的工序包括 將形成有圖案的掩模以使覆蓋部與上述發(fā)光二極管元件相對的方式配置在上述基材的上述厚度方向一側(cè)的工序，其中，該圖案包括以與上述發(fā)光二極管元件相對應(yīng)的方式彼此隔開間隔地配置的多個覆蓋部和用于架設(shè)各個上述覆蓋部的架設(shè)部； 隔著上述掩模向上述基材涂覆用于形成上述反射樹脂層的反射樹脂組成物、從而以上述覆蓋部的相反圖案形成上述反射樹脂層的工序； 除去上述掩模的工序。
8.一種發(fā)光二極管裝置，其特征在于， 該發(fā)光二極管裝置包括 二極管基板； 設(shè)于上述二極管基板的厚度方向一側(cè)面的發(fā)光二極管元件； 與上述發(fā)光二極管元件的側(cè)表面密合的反射樹脂層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于， 上述反射樹脂層形成得比上述發(fā)光二極管元件的厚度厚。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于， 該發(fā)光二極管裝置還包括形成在上述發(fā)光二極管元件的上述厚度方向一側(cè)面上的熒光體層。
全文摘要
本發(fā)明提供反射樹脂片、發(fā)光二極管裝置及其制造方法。反射樹脂片是用于將反射樹脂層設(shè)置在發(fā)光二極管元件的側(cè)方的反射樹脂片。該反射樹脂片包括離型基材及設(shè)在離型基材的厚度方向一側(cè)面上的反射樹脂層。反射樹脂層以能夠與發(fā)光二極管元件密合的方式與發(fā)光二極管元件相對應(yīng)地形成。
文檔編號H01L33/50GK102738362SQ201210110390
公開日2012年10月17日 申請日期2012年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月14日
發(fā)明者伊藤久貴, 內(nèi)藤俊樹, 大藪恭也, 西岡務(wù) 申請人:日東電工株式會社