化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明關(guān)于一種化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，由下至上依序包括一基板、一第一磊晶層、一蝕刻終止層、一第二磊晶層、一次集極層、一集極層、一基極層以及一射極層，其中該第一磊晶層為一p型摻雜層，該第二磊晶層為一n型漸變摻雜層，其摻雜濃度從下到上為遞減或遞增，而該次集極層為一n型摻雜層；此晶圓整合結(jié)構(gòu)可用以形成一異質(zhì)接面雙極晶體管(HBT)、一變?nèi)荻O管(Varactor)或一半導(dǎo)體場效晶體管(MESFET)。
【專利說明】化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種包含異質(zhì)接面雙極晶體管、變?nèi)荻O管及金屬半導(dǎo)體場效晶體管磊晶結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，可應(yīng)用于電壓控制振蕩器(voltage-controlled oscillator, VC0)及功率放大器(power amplifier, PA)。
【背景技術(shù)】
[0002]電壓控制振蕩器(voltage-controlled oscillator, VC0)的制作需要兩種組件，分別是異質(zhì)接面雙極晶體管(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)與變?nèi)荻O管(Varactor)。變?nèi)荻O管為一可通過改變外加電壓來改變電容值的電子組件,主要用于各式調(diào)協(xié)電路。在傳統(tǒng)化合物半導(dǎo)體制程中是利用異質(zhì)接面雙極晶體管中基極與集極pn接面的空乏區(qū)做為變?nèi)荻O管來使用，如第IA圖所示的傳統(tǒng)變?nèi)荻O管剖面結(jié)構(gòu)示意圖，其中變?nèi)荻O管的P型摻雜層101、n型摻雜層102以及n型摻雜層103利用一異質(zhì)接面雙極晶體管的基極層(P型)、集極層(n型)與次集極層(n型)，此種做法可直接利用一般HBT制程，具有制程上的便利性。一般HBT的接面設(shè)計(jì)，其集極層的摻雜濃度變化從基極層至次集極層為由低至高，亦即在基極層與集極層的Pn接面上，n型摻雜濃度為低，以維持異質(zhì)接面雙極晶體管的高崩潰電壓與低漏電電流；然而，為獲得較高的電容比(Cratio)，變?nèi)荻O管的Pn接面需要更高的摻雜濃度差，第IB圖為變?nèi)荻O管較理想的設(shè)計(jì)，在n型摻雜層102與p型摻雜層101的接面處設(shè)計(jì)一高摻雜濃度，使此摻雜濃度從p型摻雜層101至n型摻雜層103的變化為遞減，如此可增加變?nèi)荻O管的pn接面的摻雜濃度差，進(jìn)而提高組件的電容比。如上所述，同一種基極集極接面的設(shè)計(jì)因此很難同時(shí)滿足異質(zhì)接面雙極晶體管的高崩潰電壓、低漏電電流與變?nèi)荻O管的高電容比的要求。但目前電壓控制振蕩器市場的需求，組件特性是第一優(yōu)先考慮。因此需要開發(fā)更新的磊晶設(shè)計(jì)與制程以制作更佳性能的半導(dǎo)體組件。
[0003]有鑒于此，為改善上述缺點(diǎn)，本發(fā)明提供了一種化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，可同時(shí)包含分別最佳化的異質(zhì)接面雙極晶體管與變?nèi)荻O管。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的主要目的在于提供一種化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，可同時(shí)包含分別最佳化的異質(zhì)接面雙極晶體管(HBT)以及變?nèi)荻O管(Varactor)，前述晶圓整合結(jié)構(gòu)系于一異質(zhì)接面雙極晶體管下方插入一n型漸變摻雜層、一蝕刻終止層以及一 p型摻雜層，此插入層加上異質(zhì)接面雙極晶體管的次集極層可構(gòu)成一變?nèi)荻O管，其中該n型漸變摻雜層的摻雜濃度從該P(yáng)型摻雜層至異質(zhì)接面雙極晶體管的次集極層為遞減或遞增，因此能在維持異質(zhì)接面雙極晶體管的高崩潰電壓的同時(shí)，提高變?nèi)荻O管的電容比(C ratio);同時(shí)，本發(fā)明所提供的晶圓整合結(jié)構(gòu)亦能用以制作金屬半導(dǎo)體場效晶體管(MESFET);本發(fā)明能同時(shí)整合復(fù)數(shù)種電子組件于單一晶圓磊晶結(jié)構(gòu)中，因此能提高半導(dǎo)體芯片中電子組件的積集度，同時(shí)能縮小芯片面積，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本。
[0005]為了達(dá)到上述的目的，本發(fā)明提供一種化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，從下到上依序包括一基板、一第一嘉晶層、一蝕刻終止層、一第二嘉晶層、一次集極層、一集極層、一基極層以及一射極層，其中該第一嘉晶層為一 P型摻雜層；該蝕刻終止層為一 n型摻雜層；該第二磊晶層為一 n型漸變摻雜層，其摻雜濃度從下到上為遞減或遞增；該次集極層、該集極層以及該射極層為一 n型摻雜層，而該基極層為一 p型摻雜層。
[0006]于實(shí)施時(shí)，前述結(jié)構(gòu)中的第一磊晶層、蝕刻終止層、第二磊晶層以及次集極層可用以形成一變?nèi)荻O管(Varactor)或一金屬半導(dǎo)體場效晶體管(MESFET)之；而前述結(jié)構(gòu)中的次集極層、集極層、基極層以及射極層則可用以形成一異質(zhì)接面雙極晶體管(HBT)的磊晶結(jié)構(gòu)。
[0007]此外，本發(fā)明亦提供一種化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，從下到上依序包括一基板、一第一嘉晶層、一第二嘉晶層、一第三嘉晶層、一蝕刻終止層、一次集極層、一集極層、一基極層以及一射極層，其中該第一磊晶層為一n型摻雜層；該第二磊晶層為一n型漸變摻雜層，其摻雜濃度從下到上為遞增或遞減；而該第三磊晶層為一 p型摻雜層。
[0008]于實(shí)施時(shí)，前述結(jié)構(gòu)中的第一磊晶層、第二磊晶層以及第三磊晶層可用以形成一變?nèi)荻O管(Varactor);前述結(jié)構(gòu)中的次集極層、集極層、基極層以及射極層可用以形成一異質(zhì)接面雙極晶體管(HBT)。
[0009]于實(shí)施時(shí)，前述第二磊晶層可包含復(fù)數(shù)層n型摻雜層，該復(fù)數(shù)層n型摻雜層分別具有不同摻雜濃度，且該復(fù)數(shù)層n型摻雜層的摻雜濃度由下至上為遞減或遞增。
[0010]于實(shí)施時(shí)，構(gòu)成前述第二磊晶層的材料可為砷化鎵(GaAs)。
[0011]于實(shí)施時(shí)，前述第二磊晶層的摻雜濃度范圍可介于IX IO15至IX IO22CnT3之間，且其厚度可介于10至IOOOnm之間。
[0012]于實(shí)施時(shí)，構(gòu)成前述蝕刻終止層的材料可為磷化銦鎵(InGaP)。
[0013]于實(shí)施時(shí)，構(gòu)成前述基板的材料可為砷化鎵(GaAs)或磷化銦(InP)。
[0014]本發(fā)明采用上述技術(shù)方案，具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0015]本發(fā)明提供一種化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，可于單一晶圓磊晶結(jié)構(gòu)中包含異質(zhì)接面雙極晶體管(HBT)、變?nèi)荻O管(Varactor)及金屬半導(dǎo)體場效晶體管(MESFET)的磊晶結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)可提供分別最佳化的異質(zhì)接面雙極晶體管與變?nèi)荻O管，因此能提供具有高崩潰電壓以及低漏電電流之異質(zhì)接面雙極晶體管，以及具有高電容比(C ratio)的變?nèi)荻O管；本發(fā)明能同時(shí)整合復(fù)數(shù)種電子組件于單一晶圓磊晶結(jié)構(gòu)中，因此能提高半導(dǎo)體芯片中電子組件的積集度，同時(shí)能縮小芯片面積，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本。其確具產(chǎn)業(yè)利用的價(jià)值。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1A及圖1B為一傳統(tǒng)及本發(fā)明的變?nèi)荻O管磊晶結(jié)構(gòu)剖面示意圖；
[0017]圖2為本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3為本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施例應(yīng)用于半導(dǎo)體組件中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；[0019]圖4A及圖4B為先前技術(shù)及本發(fā)明中變?nèi)荻O管的基極集極電容(Cbc)對外加電壓(Va)變化圖以及相對應(yīng)的電容比(C Ratio)值變化圖；
[0020]圖5為本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)的另一種實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖6為本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)的另一種實(shí)施例應(yīng)用于半導(dǎo)體組件中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]附圖標(biāo)記說明:p型摻雜層101 ；n型摻雜層102 ；n型摻雜層103 ;基板201 ；p型摻雜層202 ;蝕刻終止層203 ;第二磊晶層204 ;次集極層206 ;集極層207 ;基極層208 ;射極層209 ;集極電極301 ;基極電極302 ;射極電極303 ;正極電極304 ;負(fù)極電極305 ;源極電極306;閘極電極307 ;汲極電極308 ;基極電極309 ;異質(zhì)接面雙極晶體管310 ;變?nèi)荻O管320 ;金屬半導(dǎo)體場效晶體管330 ;基板501 ；n型摻雜層502 ;第二磊晶層503 ；p型摻雜層504 ;蝕刻終止層505 ;次集極層506 ;集極層507 ;基極層508 ;射極層509 ;集極電極601 ；基極電極602 ;射極電極603 ;正極電極604 ;負(fù)極電極605 ;異質(zhì)接面雙極晶體管610 ;變?nèi)荻O管620。
【具體實(shí)施方式】
[0023]本發(fā)明所提供包含最佳化的異質(zhì)接面雙極晶體管(HBT)以及變?nèi)荻O管(Varactor)的化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)如第2圖所示,其包含一基板201、一第一嘉晶層202、一蝕刻終止層203、一第二磊晶層204、一次集極層206、一集極層207、一基極層208以及一射極層209。
[0024]前述結(jié)構(gòu)中，構(gòu)成該基板201的材料可為砷化鎵(GaAs)或磷化銦(InP)等半絕緣性半導(dǎo)體材料；該第一嘉晶層202位于該基板201之上,其為一 p型摻雜層，構(gòu)成該第一磊晶層202的材料以砷化鎵(GaAs)為較佳，其厚度可選擇為10至lOOOnm，其中以介于10至IOOnm為較佳，其摻雜濃度范圍可選擇為介于IX IO15與IX IO22CnT3之間，其中以介于I X IO18CnT3與I X IO22CnT3之間為較佳；該蝕刻終止層203位于該第一磊晶層202之上，其為一 n型摻雜層，構(gòu)成該蝕刻終止層的材料以磷化銦鎵(InGaP)為較佳，其厚度可選擇為介于10至lOOOnm，其中以介于10至50nm為較佳，其摻雜濃度范圍可選擇為介于IXlO15與I X IO22CnT3之間，其中以介于IX IO17至IX IO18CnT3之間為較佳；該第二磊晶層204位于該蝕刻終止層203之上，其為一 n型漸變摻雜層，構(gòu)成該第二磊晶層204的材料以砷化鎵(GaAs)為較佳，其厚度可選擇為介于10至IOOOnm之間，其摻雜濃度可選擇為從下到上遞減或遞增，其中以遞減為較佳，其摻雜濃度范圍可選擇為介于I X IO15與I X IO22Cm-3之間，其中以介于I X IO16至I X IO18CnT3之間為較佳；該第二磊晶層204可包含復(fù)數(shù)層n型摻雜層，該復(fù)數(shù)層n型摻雜層分別具有不同摻雜濃度，且該復(fù)數(shù)層n型摻雜層的摻雜濃度由下至上可選擇為遞減或遞增，其中以遞減為較佳；該次集極層206位于該第二磊晶層204之上，選擇為其摻雜濃度可選擇為介于I X IO15與I X IO22CnT3之間，其中以介于I X IO18與I X IO22CnT3之間為較佳；該集極層207位于該次集極層206之上，其為一 n型摻雜層；該基極層208位于該集極層207之上，其為一 p型摻雜層；而該射極層209位于該基極層208之上，其為一 n型摻雜層。
[0025]應(yīng)用于半導(dǎo)體組件中，如第3圖所示，可于前述晶圓整合結(jié)構(gòu)的次集極層206上設(shè)置一集極電極301,于基極層208上設(shè)置一基極電極302,于射極層209上設(shè)置一射極電極303，則該次集極層206、該集極層207、該基極層208、該射極層209、該集極電極301、該基極電極302以及該射極電極303可構(gòu)成一異質(zhì)接面雙極晶體管(HBT)310 ;穿過前述晶圓整合結(jié)構(gòu)的蝕刻終止層203，可于p型摻雜層202設(shè)置一正極電極304，并可于該次集極層206上設(shè)置一負(fù)極電極305，則該p型摻雜層202、該蝕刻終止層203、該第二磊晶層204、該次集極層206、該正極電極304以及該負(fù)極電極305可構(gòu)成一變?nèi)荻O管(Varactor) 320 ;此外，亦可于前述晶圓整合結(jié)構(gòu)的次集極層206上蝕刻出一深達(dá)下方第二磊晶層204之凹槽以作為閘極，位于凹槽兩側(cè)的次集極層206則可作為源極與汲極，于此凹底部設(shè)置一閘極電極307，于凹槽兩側(cè)的次集極層206上設(shè)置一源極電極306以及一汲極電極308，并穿過蝕刻終止層203，于p型摻雜層202設(shè)置一基極電極309，則該p型摻雜層202、該蝕刻終止層203、該第二磊晶層204、該次集極層206、該源極電極306、該閘極電極307、該汲極電極308以及該基極電極309可構(gòu)成一金屬半導(dǎo)體場效晶體管(MESFET)330 ;因此，本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體晶圓整合結(jié)構(gòu)可同時(shí)用以制作異質(zhì)接面雙極晶體管(HBT)、變?nèi)荻O管(Varactor)以及金屬半導(dǎo)體場效晶體管(MESFET)等不同組件。
[0026]表I為本發(fā)明中變?nèi)荻O管磊晶結(jié)構(gòu)層的一實(shí)施例，在本實(shí)施例中第二磊晶層204以超陸峭(hyperabrupt)方式摻雜，以提高變?nèi)荻O管的電容比(C ratio);該變?nèi)荻O管的正極，亦即該P(yáng)型摻雜層202，其摻雜濃度選擇為大于I X IO19Cm-3,該變?nèi)荻O管的負(fù)極，亦即該次集極層206 (n型摻雜層)，其摻雜濃度選擇為大于I X IO18Cm-3,而介于其中的第二磊晶層204，其摻雜濃度范圍選擇為介于I X IO16至I X IO18Cm-3之間，其摻雜方式為將厚度為400nm的第二磊晶層分為八層，每層的厚度為50nm，每層摻雜濃度從上至下非線性增加如表I所列。
[0027]圖4A及圖4B分別為先前技術(shù)以及本發(fā)明中變?nèi)荻O管的基極集極電容對外加電壓變化圖(實(shí)線)以及相對應(yīng)的電容比變化圖(虛線)。電容比的計(jì)算為Cx/C_，其中Cx為外加電壓為X時(shí)所測得的電容值，而Cmax為提供最大外加電壓時(shí)所測得的電容值，在此實(shí)施例中最大外加電壓為5伏；圖中顯示先前技術(shù)中的變?nèi)荻O管的電容比最大值(CW/C5V)為1.7，而本實(shí)施例中的變?nèi)荻O管所測得的電容比最大值則可提高為2.3。
[0028]為進(jìn)一步提高變?nèi)荻O管的電容比以及Q值，本發(fā)明另提供一種化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，其剖面結(jié)構(gòu)示意圖如圖5所示，包含一基板501、一第一磊晶層502、一第二磊晶層503、一第三磊晶層504、一蝕刻終止層505、一次集極層506、一集極層507、一基極層508以及一射極層509。
[0029]上述結(jié)構(gòu)中，構(gòu)成該基板501的材料可為砷化鎵(GaAs)或磷化銦(InP)等半絕緣性化合物半導(dǎo)體材料；該第一嘉晶層502位于該基板501之上，為一 n型摻雜層,其厚度可選擇為介于10至lOOOnm，其中以10至IOOnm為較佳，其摻雜濃度范圍可選擇為介于I X IO15至IX IO22CnT3之間，其中以大于I X IO18CnT3為較佳；該第二磊晶層503位于該第一磊晶層502之上，其為一 n型漸變摻雜層，構(gòu)成該第二磊晶層503的材料以砷化鎵(GaAs)為較佳，其厚度可選擇為介于10至IOOOnm之間，其摻雜濃度可選擇為從下到上遞減或遞增，其中以遞增為較佳，其摻雜濃度范圍可選擇為介于I X IO15至I X IO22CnT3之間，其中以介于IO16至I X IO18CnT3之間為較佳；該第二磊晶層503可包含復(fù)數(shù)層n型摻雜層，該復(fù)數(shù)層n型摻雜層分別具有不同摻雜濃度，且該復(fù)數(shù)層n型摻雜層的摻雜濃度由下至上為遞增或遞增減，其中以遞增為較佳；該第三磊晶層504位于第二磊晶層503之上，其為一 p型漸變摻雜層，其厚度可介于10至lOOOnm，其中以50至200nm為較佳，其摻雜濃度范圍可介于I X IO15至I X IO22CnT3之間，其中以大于I X IO18CnT3為較佳；該蝕刻終止層505位于該第三磊晶層504之上，構(gòu)成該蝕刻終止層的材料以磷化銦鎵(InGaP)為較佳；該次集極層506位于該蝕刻終止層505之上，其為一 n型摻雜層；該集極層507位于該次集極層506之上，其為一 n型摻雜層；該基極層508位于該集極層507之上,其為一 p型摻雜層；而該射極層509位于該基極層508之上，其為一 n型摻雜層。
[0030]應(yīng)用于半導(dǎo)體組件中，如圖6所示，可于前述晶圓整合結(jié)構(gòu)的次集極層506上設(shè)置一集極電極601,于基極層508上設(shè)置一基極電極602,于射極層509上設(shè)置一射極電極603，則該次集極層506、該集極層507、該基極層508、該射極層509、該集極電極601、該基極電極602以及該射極電極603可構(gòu)成一異質(zhì)接面雙極晶體管(HBT)610 ;穿過前述晶圓整合結(jié)構(gòu)的蝕刻終止層505，可于p型摻雜層504設(shè)置一正極電極604，并于n型摻雜層502上設(shè)置一負(fù)極電極605,則該n型摻雜層502、該第二嘉晶層503、該p型摻雜層504、該正極電極604以及該負(fù)極電極605可構(gòu)成一變?nèi)荻O管(varactor)620。因此,本發(fā)明的化合物半導(dǎo)體晶圓整合結(jié)構(gòu)可同時(shí)用以制作異質(zhì)接面雙極晶體管(HBT)以及變?nèi)荻O管(Varactor)等不同組件。
[0031]前述結(jié)構(gòu)中的第二嘉晶層503可以超陸峭(hyperabrupt)方式摻雜以提高變?nèi)荻O管的電容比(C Ratio);該變?nèi)荻O管的正極，亦即該p型摻雜層504，其摻雜濃度以大于I X IO19CnT3為較佳，該變?nèi)荻O管的負(fù)極，亦即該n型摻雜層502，其摻雜濃度以大于I X IO18CnT3為較佳，而介于其中的第二磊晶層503，其摻雜濃度范圍可選擇為介于I X IO16至I X IO17Cm-3之間，摻雜濃度從下至上非線性增加。
[0032]表1
[0033]
【權(quán)利要求】
1.一種化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，依序包括: 一基板； 一第一嘉晶層，位于該基板之上，為一 P型摻雜層； 一蝕刻終止層，位于該第一嘉晶層之上，為一 n型摻雜層； 一第二磊晶層，位于該蝕刻終止層之上，為一 n型漸變摻雜層，其摻雜濃度從下到上為遞減或遞增； 一次集極層，位于該第二嘉晶層之上，為一 n型摻雜層； 一集極層，位于該次集極層之上，為一 n型摻雜層； 一基極層，位于該集極層之上，為一 P型摻雜層；以及 一射極層，位于該基極層之上，為一 n型摻雜層。
2.如權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一磊晶層、該蝕刻終止層、該第二磊晶層以及該次集極層構(gòu)成一變?nèi)荻O管或一金屬半導(dǎo)體場效晶體管的磊晶結(jié)構(gòu)；該次集極層、該集極層、該基極層以及該射極層構(gòu)成一異質(zhì)接面雙極晶體管的嘉晶結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二磊晶層包含復(fù)數(shù)層n型摻雜層，該復(fù)數(shù)層n型摻雜層分別具有不同摻雜濃度，且該復(fù)數(shù)層n型摻雜層的摻雜濃度由下至上為遞減或遞增。
4.如權(quán)利要求1或3所述的化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，構(gòu)成該第二嘉晶層的材料為神化嫁。
5.如權(quán)利要求1或3所述的化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二磊晶層的摻雜濃度范圍為I X IO15至I X IO22CnT3,且其厚度為10至lOOOnm。
6.如權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，該蝕刻終止層由磷化銦鎵所構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求1所述的化合物半 導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，構(gòu)成該基板的材料為砷化鎵或磷化銦。
8.一種化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，依序包括: 一基板； 一第一嘉晶層，位于該基板之上，為一 n型摻雜層； 一第二磊晶層，位于該第一磊晶層之上，為一 n型漸變摻雜層，其摻雜濃度從下到上為遞增或遞減； 一第三磊晶層，位于該第二磊晶層之上，為一 P型摻雜層； 一蝕刻終止層，位于該第三磊晶層之上； 一次集極層，位于該蝕刻終止層之上； 一集極層，位于該次集極層之上； 一基極層，位于該集極層之上；以及 一射極層，位于該基極層之上。
9.如權(quán)利要求8所述的化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，該n型摻雜層、該第二磊晶層以及該第三磊晶層構(gòu)成一變?nèi)荻O管的磊晶結(jié)構(gòu)；該次集極層、該集極層、該基極層以及射極層構(gòu)成一異質(zhì)接面雙極晶體管的磊晶結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求8所述的化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二磊晶層包含復(fù)數(shù)層n型摻雜層，該復(fù)數(shù)層n型摻雜層分別具有不同摻雜濃度，且該復(fù)數(shù)層n型摻雜層的摻雜濃度由下至上為遞增或遞減。
11.如權(quán)利要求8或10所述的化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，構(gòu)成該第二磊晶層的材料為砷化鎵。
12.如權(quán)利要求8或10所述的化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二磊晶層的摻雜濃度范圍為I X IO15至I X 1022cnT3，且其厚度為10至lOOOnm。
13.如權(quán)利要求8所述的化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，該蝕刻終止層由磷化銦鎵所構(gòu)成。、
14.如權(quán)利要求8所述的化合物半導(dǎo)體組件晶圓整合結(jié)構(gòu)，其特征在于，構(gòu)成該基板的材料為砷化鎵或磷化銦。
【文檔編號】H01L27/02GK103489859SQ201210195093
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2012年6月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月13日
【發(fā)明者】林正國, 李思儒, 許榮豪, 蔡緒孝 申請人:穩(wěn)懋半導(dǎo)體股份有限公司