半導(dǎo)體裝置及形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法
【專利摘要】本發(fā)明是有關(guān)于半導(dǎo)體裝置及形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。該方法，首先形成一第一層于一基板上。之后，形成且圖案化一掩膜層于該第一層之上。蝕刻部分通過(guò)該第一層。形成一第二層于該第一層之上。以及，藉由非微影工藝蝕刻通過(guò)該第一層及該第二層。藉此本發(fā)明可以形成具有較小臨界尺寸的改良接觸窗孔洞/介層孔結(jié)構(gòu)。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體裝置及形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，特別是涉及一種改善孔洞結(jié)構(gòu)的方法與結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]與制造可靠的集成電路相關(guān)的一個(gè)非常重要的因素是必須準(zhǔn)確地控制形成于集成電路單獨(dú)結(jié)構(gòu)中的輪廓。這樣的結(jié)構(gòu)可以是接觸窗孔洞。導(dǎo)電材料然后可以被沉積于此孔洞結(jié)構(gòu)內(nèi)以提供此集成電路中介于水平層次間的垂直導(dǎo)電路徑。集成電路中可以包含許多層次，且使用接觸窗與介層孔在層次之間來(lái)產(chǎn)生介于相鄰層次間的電性通訊。傳統(tǒng)的集成電路需要成千上萬(wàn)個(gè)具有精確且均勻?qū)挾然蚺R界尺寸的接觸孔洞。
[0003]將集成電路的尺寸縮小時(shí)會(huì)導(dǎo)致在此孔洞結(jié)構(gòu)中所允許的臨界尺寸也會(huì)跟著縮小。因此在一臨界尺寸縮小的情況下要形成孔洞結(jié)構(gòu)就會(huì)因?yàn)閷哟伍g對(duì)準(zhǔn)的問(wèn)題而變得更困難。此外，在高深寬比的孔洞結(jié)構(gòu)(具有較陡斜率側(cè)壁的小孔洞)內(nèi)填入導(dǎo)電材料以及均勻地將導(dǎo)電材料填入其中也會(huì)變得更困難。
[0004]由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置及形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、方法及使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問(wèn)題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品及方法又沒(méi)有適切的結(jié)構(gòu)及方法能夠解決上述問(wèn)題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的半導(dǎo)體裝置及形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置及形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法存在的缺陷，而提供一種新的半導(dǎo)體裝置及形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其可以形成具有較小臨界尺寸的改良接觸窗孔洞/介層孔結(jié)構(gòu)，非常適于實(shí)用。
[0006]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其包括以下步驟:形成一第一層于一基板上。之后，形成且圖案化一掩膜層于該第一層之上。蝕刻部分通過(guò)該第一層。形成一第二層于該第一層之上。以及，藉由非微影工藝蝕刻通過(guò)該第一層及該第二層。
[0007]前述的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其中該蝕刻在該第一層中形成一孔洞；以及該孔洞在遠(yuǎn)離該基板的部分的一寬度大于該孔洞在接近該基板的部分的一寬度。
[0008]前述的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其中該孔洞的一第一側(cè)壁包括朝向該孔洞的一中心線傾斜的第一內(nèi)傾突出部分；該孔洞的一第二側(cè)壁包括朝向該孔洞的一中心線傾斜的第二內(nèi)傾突出部分；以及該第一內(nèi)傾突出部分的一寬度與該第二內(nèi)傾突出部分的一寬度相
坐寸ο
[0009]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的
一種半導(dǎo)體裝置，其包含一基板、一第一層、以及一第二層。此第一層形成于該基板上，該第一層中具有一孔洞部分延伸通過(guò)該第一層。此第二層形成于該基板以及該第一層中的一孔洞側(cè)壁上，且該第二層具有一厚度小于該孔洞寬度的一半。
[0010]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題另外再采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體裝置，其包含一基板、一第一層、以及一第二層。此第一層形成于該基板上，該第一層中具有一孔洞部分延伸通過(guò)該第一層。該孔洞具有一第一部分較遠(yuǎn)離該基板，且延伸通過(guò)該第一層的部分具有一第一寬度。該孔洞具有一第二部分自該第一部分延伸朝向該基板，且延伸通過(guò)該第一層靠近該基板的部分具有一第二寬度。以及該第二寬度小于該第一寬度。
[0011]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
[0012]前述的半導(dǎo)體裝置，其中該孔洞的一側(cè)壁包括朝向該孔洞的一中心線傾斜的內(nèi)傾關(guān)出部分。
[0013]前述的半導(dǎo)體裝置，其中該基板包括一底層結(jié)構(gòu)；以及該孔洞在接近該基板的部分該寬度是小于該底層結(jié)構(gòu)靠近該第一層的部分的一寬度。
[0014]前述的半導(dǎo)體裝置，其中該基板包括至少兩個(gè)底層結(jié)構(gòu)；以及該孔洞的該第二部分蝕刻通過(guò)該第一層及進(jìn)入該兩個(gè)底層結(jié)構(gòu)之間的該基板。
[0015]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題另外還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體裝置，其包含:一底層結(jié)構(gòu)具有一頂表面及一頂尺寸；以及一孔洞結(jié)構(gòu)具有一階梯狀及一底尺寸，其中該孔洞的該底尺寸小于該底層結(jié)構(gòu)的該頂尺寸。
[0016]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
[0017]前述的半導(dǎo)體裝置，其中該孔洞結(jié)構(gòu)是垂直地對(duì)稱。
[0018]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明半導(dǎo)體裝置及形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果:本發(fā)明可以形成具有較小臨界尺寸的改良接觸窗孔洞/介層孔結(jié)構(gòu)。
[0019]綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于半導(dǎo)體裝置及形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。該方法，首先形成一第一層于一基板上。之后，形成且圖案化一掩膜層于該第一層之上。蝕刻部分通過(guò)該第一層。形成一第二層于該第一層之上。以及，藉由非微影工藝蝕刻通過(guò)該第一層及該第二層。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，具有明顯的積極效果，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
[0020]上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1A-圖1C是顯示形成孔洞于一半導(dǎo)體裝置中的剖面圖。
[0022]圖2A-圖2C是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例形成孔洞于一半導(dǎo)體裝置中的剖面圖。
[0023]圖3A-圖3C是顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例形成孔洞于一半導(dǎo)體裝置中的剖面圖。
[0024]圖4A-圖4D是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例形成溝渠隔離結(jié)構(gòu)、類似溝渠結(jié)構(gòu)及其他溝渠結(jié)構(gòu)的剖面圖。[0025]10:底層結(jié)構(gòu)
[0026]12:基底層
[0027]14:金屬層間介電層
[0028]16:先進(jìn)圖案薄膜
[0029]18:介電抗反射涂布層
[0030]20:底部抗反射涂布層
[0031]22:光阻層
[0032]30、36、50、80、100、110、120、140:孔洞
[0033]40、90、150:薄膜
[0034]52、53:突出部分
[0035]124、126:內(nèi)傾突出部分
[0036]160:溝渠
【具體實(shí)施方式】
[0037]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的半導(dǎo)體裝置及形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法其【具體實(shí)施方式】、方法、步驟、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。
[0038]有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效，在以下配合參考圖式的較佳實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明中將可清楚呈現(xiàn)。通過(guò)【具體實(shí)施方式】的說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)可對(duì)本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效獲得一更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說(shuō)明之用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
[0039]當(dāng)半導(dǎo)體裝置的工藝邁向60納米(或更小)技術(shù)節(jié)點(diǎn)時(shí)，例如是接觸窗或是介層孔的孔洞結(jié)構(gòu)需要更小的臨界尺寸(CD)以允許層間對(duì)準(zhǔn)的工藝窗口。例如是接觸窗的這種孔洞結(jié)構(gòu)需要更緊密地控制其臨界尺寸(CD)以獲得層間準(zhǔn)確地對(duì)準(zhǔn)。在某些情況下，其臨界尺寸(⑶)是比微影工藝的最小解析度還更小。
[0040]請(qǐng)參閱圖1A-圖1C所示，其是顯示形成孔洞于一半導(dǎo)體裝置中的剖面圖。其中，一底層結(jié)構(gòu)10形成于一基底12中。一金屬層間介電層14形成于底層結(jié)構(gòu)10及基底12之上。此金屬層間介電層14可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、多晶硅及其組合以及其他合適的材料。一先進(jìn)圖案薄膜16形成于金屬層間介電層14之上。此先進(jìn)圖案薄膜16可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化鈦、非晶碳(APF)、富硅底部抗反射層、有機(jī)底層光阻(ODL)及其組合以及其他合適的材料。此金屬層間介電層14與先進(jìn)圖案薄膜16通常是不同的材質(zhì)以提供較佳的圖案及防止金屬層間介電層14在先進(jìn)圖案薄膜16進(jìn)行蝕刻時(shí)受到傷害。
[0041]請(qǐng)參閱圖1A所示,依序形成一介電抗反射涂布層18、一底部抗反射涂布層20及一光阻層22于此先進(jìn)圖案薄膜16之上，然后進(jìn)行圖案化。此光阻層22可以是193納米的光阻或是其他合適的光阻。
[0042]請(qǐng)參閱圖1B所示，藉由例如是干蝕刻的蝕刻工藝形成孔洞30，之后除去此介電抗反射涂布層18、底部抗反射涂布層20以及光阻層22。
[0043]對(duì)例如是圖1A中所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行蝕刻通過(guò)金屬層間介電層14，或許會(huì)形成一個(gè)不欲見(jiàn)的結(jié)果，即孔洞30與底層結(jié)構(gòu)10交界處的寬度Wl大于此底層結(jié)構(gòu)10上表面處的寬度W3。
[0044]請(qǐng)參閱圖1C所示，孔洞32是藉由與圖1A中所示的類似的光阻圖案蝕刻形成，但是圖案化成與底層結(jié)構(gòu)10之間對(duì)應(yīng)的孔洞。這樣的蝕刻后也或許會(huì)形成一個(gè)不欲見(jiàn)的結(jié)果，即孔洞32與底層結(jié)構(gòu)10交界處的寬度W7大于此底層結(jié)構(gòu)10之間的距離W5。
[0045]請(qǐng)參閱圖2A-圖2C所示，其是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例形成孔洞于一半導(dǎo)體裝置中的剖面圖。此半導(dǎo)體裝置會(huì)先如圖1A般準(zhǔn)備。之后，如圖2A中所示，進(jìn)行氧氣等離子體為主的非等向性蝕刻以蝕刻通過(guò)此先進(jìn)圖案薄膜16，同時(shí)也將底部抗反射涂布層20以及光阻層22除去。此處所使用的等離子體配方必須對(duì)介電抗反射涂布層18具有良好的選擇性以降低介電抗反射涂布層18的損失。再進(jìn)行另一次非等向性干蝕刻以部分除去直到金屬層間介電層14的材料及形成孔洞36。此金屬層間介電層14的蝕刻深度是由所進(jìn)行的蝕刻工藝持續(xù)的時(shí)間來(lái)控制。
[0046]請(qǐng)參閱圖2B所示，一層薄膜40在相對(duì)低的溫度下沉積于在仍具有先進(jìn)圖案薄膜16的經(jīng)圖案化的金屬層間介電層14之上。此薄膜40可以是例如氧化物，而相對(duì)低的溫度例如是低于150°C。在較低溫度下的沉積可以防止或減少對(duì)于先進(jìn)圖案薄膜16及其所定義的結(jié)構(gòu)的傷害。此薄膜40是與先進(jìn)圖案薄膜16不同的材料，是作為硬式掩膜之用。使用與先進(jìn)圖案薄膜16不同的材料作為薄膜40允許特別是高深寬比的孔洞結(jié)構(gòu)中較佳的邊緣覆蓋沉積特性。此薄膜40的厚度可以是小于所形成孔洞底部尺寸的寬度的一半。在某些實(shí)施例中，薄膜40的厚度可以是小于20納米。
[0047]請(qǐng)參閱圖2C所示，進(jìn)行非等向性蝕刻且移除此薄膜40及先進(jìn)圖案薄膜16以形成孔洞50。此先進(jìn)圖案薄膜16可以是可烘烤的材料。因此，若是介電抗反射涂布層18、底部抗反射涂布層20以及光阻層22在移除先進(jìn)圖案薄膜16時(shí)存在的話，可以在移除先進(jìn)圖案薄膜16時(shí)一并移除。
[0048]此孔洞50在此孔洞50的上方具有一寬度W9，其是較此孔洞50與下層結(jié)構(gòu)10的交會(huì)處的寬度Wll更大。在某些實(shí)施例中，此下層結(jié)構(gòu)10的上方具有一小于80納米的上方尺寸(或是在某些實(shí)施例中小于60納米)，而寬度Wll則是小于下層結(jié)構(gòu)10的上方尺寸。
[0049]此孔洞50具有一階梯狀輪廓包括突出部分52和53向孔洞50的中心線內(nèi)縮。此孔洞50側(cè)壁的斜率可以在突出部分52和53之上與之下是不同的。寬度W9和Wll的差距是與此薄膜40的厚度對(duì)應(yīng)，但是不需要是一模一樣。突出部分52和53朝向孔洞50的中心線內(nèi)縮的距離也是與此薄膜40的厚度對(duì)應(yīng)，但是不需要是一模一樣，也不需要是與寬度W9和Wll的差距一模一樣。因此，寬度W9和Wll的差距及突出部分52和53朝向孔洞50的中心線內(nèi)縮的距離可以由此薄膜40的厚度控制。突出部分52和53的寬度可以是相等的。
[0050]下層結(jié)構(gòu)10至突出部分52的高度為Hl而突出部分52至金屬層間介電層14表面的高度為H2可以根據(jù)形成薄膜40之前的孔洞36的深度而變動(dòng)。這樣允許控制孔洞50較窄底部部分的深寬比而可以使填充材料更均勻的沉積進(jìn)入孔洞50之內(nèi)。
[0051]使用類似于薄膜40的間隔物來(lái)形成孔洞36允許使用非微影工藝而不是嵌鑲工藝來(lái)進(jìn)行蝕刻。因此，所形成的孔洞36是垂直對(duì)稱的。
[0052]使用上述的工藝，產(chǎn)生比微影工藝極限的最小解析度更小的臨界尺寸(⑶)就變得可能。舉例而言，193納米光阻先前被認(rèn)為其極限僅能定義出大于80納米的結(jié)構(gòu)，而使用上述的工藝卻能達(dá)成小于60納米或更小的特征尺寸。使用上述較小特征尺寸孔洞的范例應(yīng)用包括浮動(dòng)?xùn)艠O記憶體、電荷捕捉記憶體、非揮發(fā)記憶體或是嵌入式記憶體，當(dāng)然也可以有其他更多的應(yīng)用。
[0053]一個(gè)范例的優(yōu)點(diǎn)是在與接近底層結(jié)構(gòu)接觸處形成較小特征尺寸孔洞，其斜率是朝向此接觸窗(在某些實(shí)施例中具有兩段斜率)。因此，導(dǎo)電材料相比較于高深寬比的孔洞較易沉積于此種接觸窗內(nèi)，且可以提供較佳的材料填充表現(xiàn)。
[0054]另一個(gè)范例的優(yōu)點(diǎn)是在掩膜層之后所施加的層次(例如層40)可以填入此孔洞中。因?yàn)檠谀有纬晒に囍械腻e(cuò)誤會(huì)產(chǎn)生細(xì)縫或是裂縫。因此，例如是氧化層中的細(xì)縫或是裂縫等問(wèn)題可以藉由填入此層而減少。
[0055]另一個(gè)范例的優(yōu)點(diǎn)是減少或消除細(xì)縫問(wèn)題可以防止例如是細(xì)縫或是裂縫等孔洞結(jié)構(gòu)穿過(guò)此元件層次中(例如層間介電層14)的空間，且防止接觸窗/介層孔短路。
[0056]可以理解的是，此層(例如40)可以沉積于包括光阻層、類光阻層、含碳層或是圖案層等其他層次之上以改善半導(dǎo)體裝置中的不同孔洞結(jié)構(gòu)。此外，也可以理解的是，此工藝可以應(yīng)用于半導(dǎo)體裝置中例如是周邊接觸窗、介層孔以及溝渠等不同結(jié)構(gòu)層之中。
[0057]圖3A-圖3C是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例形成孔洞于一半導(dǎo)體裝置中的剖面圖。其中顯示了上述所描述的工藝的結(jié)構(gòu)可以在一半導(dǎo)體裝置的工藝中重復(fù)若干次。
[0058]請(qǐng)參閱圖3A所不,一底層結(jié)構(gòu)10形成于一基底12中。一金屬層間介電層14形成于底層結(jié)構(gòu)10及基底12之上。一先進(jìn)圖案薄膜16形成于金屬層間介電層14之上。一孔洞80藉由蝕刻通過(guò)此先進(jìn)圖案薄膜16以及一部分的金屬層間介電層14形成。在蝕刻此孔洞80之后，形成一層例如是氧化硅的薄膜90。此薄膜90可以是在先進(jìn)圖案薄膜16存在之下而以相對(duì)低的溫度例如是低于150°C沉積。
[0059]請(qǐng)參閱圖3B所示，在圖3A的結(jié)構(gòu)進(jìn)行非等向性蝕刻，然后形成一層例如是氧化硅的薄膜100。此非等向性蝕刻進(jìn)行的夠久使得孔洞110現(xiàn)在繼續(xù)朝向底層結(jié)構(gòu)10延伸但是不會(huì)穿過(guò)金屬層間介電層14。此薄膜100可以是在先進(jìn)圖案薄膜16存在之下而以相對(duì)低的溫度例如是低于150°C沉積。
[0060]請(qǐng)參閱圖3C所示，在圖3B的結(jié)構(gòu)進(jìn)行第二次非等向性蝕刻。此第二次非等向性蝕刻進(jìn)行的夠久使得孔洞120穿過(guò)金屬層間介電層14而抵達(dá)底層結(jié)構(gòu)10。
[0061]此孔洞120包括三個(gè)部分。第一部分122a是靠近底層結(jié)構(gòu)10而具有最小的寬度W15。第二部分122b是中間區(qū)域具有大于寬度W15的寬度W17。第三部分122c是靠近金屬層間介電層14表面的區(qū)域具有大于寬度W17的寬度W19。此孔洞120包括一內(nèi)傾突出部分124介于第一部分122a與第二部分122b之間，以及一內(nèi)傾突出部分126介于第二部分122b與第三部分122c之間，兩者皆朝向孔洞120的中心線傾斜。
[0062]此寬度W19是由圖案化此孔洞80的掩膜尺寸所控制。因?yàn)樵谖g刻工藝中材料損失的緣故，寬度W19是較孔洞80的掩膜尺寸略大。
[0063]此寬度W17和W19之間的差距可以由薄膜90的厚度所控制。此寬度W15和W17之間的差距可以由薄膜100的厚度所控制。
[0064]第三部分122c的高度H5可以由形成孔洞80的蝕刻工藝的時(shí)間所控制。第二部分122b的高度H7可以由第一非等向蝕刻的時(shí)間所控制。第一部分122a的高度H9可以在考慮金屬層間介電層14的厚度情況下由調(diào)整此高度H5和H7所控制。
[0065]因此，可以理解的是許多不同類型的孔洞輪廓可以藉由本發(fā)明所揭露的方法而獲得。
[0066]本發(fā)明并不局限于使用于接觸窗孔洞，也可以使用于例如淺溝渠隔離(STI)結(jié)構(gòu)。
[0067]請(qǐng)參閱圖4A所示，先進(jìn)圖案薄膜16形成于此基底12之上。介電抗反射涂布層18形成于此先進(jìn)圖案薄膜16之上。一底部抗反射涂布層20形成于介電抗反射涂布層18之上。及一光阻層22形成于此底部抗反射涂布層20及介電抗反射涂布層18之上。圖中所示的介電抗反射涂布層18、底部抗反射涂布層20及光阻層22是進(jìn)行圖案化之后的結(jié)果。
[0068]請(qǐng)參閱圖4B所示，進(jìn)行一蝕刻通過(guò)此先進(jìn)圖案薄膜16而將基底12裸露出來(lái)。請(qǐng)參閱圖4C所示，此蝕刻繼續(xù)部分通過(guò)此基底12而形成溝渠140。在蝕刻形成溝渠140后，可以將底部抗反射涂布層20及光阻層22除去，之后再形成一層例如是氧化硅的薄膜150。此薄膜150可以是在先進(jìn)圖案薄膜16存在之下而以相對(duì)低的溫度例如是低于150°C沉積。
[0069]請(qǐng)參閱圖4D所示，在圖4C的結(jié)構(gòu)進(jìn)行非等向性蝕刻。此非等向性蝕刻進(jìn)行的夠久使得溝渠160現(xiàn)在延伸穿過(guò)基底12而將底層結(jié)構(gòu)10隔離。此溝渠160可以填充一層例如是氧化硅的介電材料。
[0070]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于其包括以下步驟: 形成一第一層于一基板上； 形成且圖案化一掩膜層于該第一層之上； 蝕刻部分通過(guò)該第一層； 形成一第二層于該第一層之上；以及 藉由非微影工藝蝕刻通過(guò)該第一層及該第二層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于其中: 該蝕刻在該第一層中形成一孔洞；以及 該孔洞在遠(yuǎn)離該基板的部分的一寬度大于該孔洞在接近該基板的部分的一寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于其中: 該孔洞的一第一側(cè)壁包括朝向該孔洞的一中心線傾斜的第一內(nèi)傾突出部分； 該孔洞的一第二側(cè)壁包括朝向該孔洞的一中心線傾斜的第二內(nèi)傾突出部分；以及 該第一內(nèi)傾突出部分的一寬度與該第二內(nèi)傾突出部分的一寬度相等。
4.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于其包含: 一基板； 一第一層形成于該基板上，該第一層中具有一孔洞部分延伸通過(guò)該第一層；以及一第二層形成于該基板以及該第一層中的一孔洞側(cè)壁上，該第二層具有一厚度小于該孔洞寬度的一半。
5.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于其包含: 一基板； 一第一層形成于該基板上，該第一層中具有一孔洞部分延伸通過(guò)該第一層，其中該孔洞具有一第一部分遠(yuǎn)離該基板，且延伸通過(guò)該第一層的部分具有一第一寬度；該孔洞具有一第二部分自該第一部分延伸朝向該基板，且延伸通過(guò)該第一層靠近該基板的部分具有一第二寬度；以及該第二寬度小于該第一寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中該孔洞的一側(cè)壁包括朝向該孔洞的一中心線傾斜的內(nèi)傾突出部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中: 該基板包括一底層結(jié)構(gòu)；以及 該孔洞在接近該基板的部分該寬度是小于該底層結(jié)構(gòu)靠近該第一層的部分的一寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中: 該基板包括至少兩個(gè)底層結(jié)構(gòu)；以及 該孔洞的該第二部分蝕刻通過(guò)該第一層及進(jìn)入該兩個(gè)底層結(jié)構(gòu)之間的該基板。
9.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于其包含: 一底層結(jié)構(gòu)具有一頂表面及一頂尺寸；以及 一孔洞結(jié)構(gòu)具有一階梯狀及一底尺寸，其中該孔洞的該底尺寸小于該底層結(jié)構(gòu)的該頂尺寸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中該孔洞結(jié)構(gòu)是垂直地對(duì)稱。
【文檔編號(hào)】H01L21/768GK103579086SQ201210260017
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2012年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月25日
【發(fā)明者】裘元杰 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司