專(zhuān)利名稱(chēng)：功率半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種功率半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及一種具有通過(guò)在電極接觸區(qū)內(nèi)實(shí)現(xiàn)等電位狀態(tài)而增大擊穿電壓、以及實(shí)現(xiàn)高耐受電壓的電極結(jié)構(gòu)的功率半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
通常，功率半導(dǎo)體器件是由硅制成。然而，由于硅的物理性能存在局限，新近開(kāi)發(fā)了一種使用氮化鎵(GaN)基材料的功率半導(dǎo)體器件。GaN基材料的能隙幾乎是硅的能隙的 三倍。另外，GaN基材料在高熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性、高電子飽和速度等方面具有更好的性能。因此，GaN基材料不僅適用于光學(xué)器件還適用于電子器件以實(shí)現(xiàn)高頻率和高輸出。包括GaN基材料的電子器件具有高擊穿電壓、高最大電流密度、以及在高溫下的高操作穩(wěn)定性以及高導(dǎo)熱性。特別是具有氮化鋁鎵(AlGaN)和GaN的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的電子器件在結(jié)界面處具有高頻帶不連續(xù)性(band discontinuity)。因此,這種電子器件可以使高密度電子游離并增大電子遷移率。由于具有前述物理性能，包括GaN基材料的電子器件可以用作功率半導(dǎo)體器件。為此，即使在高電壓下，功率半導(dǎo)體器件也需要維持未達(dá)到擊穿電壓的高耐受電壓。然而，由于體相缺陷(bulk defect)和表面缺陷等，包括GaN基材料的功率半導(dǎo)體器件也難以承受耐受電壓。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面提供了一種通過(guò)將電極布置為在器件區(qū)內(nèi)實(shí)現(xiàn)等電位狀態(tài)而增大擊穿電壓并實(shí)現(xiàn)高耐受電壓的功率半導(dǎo)體器件。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了設(shè)置在器件有源區(qū)(device activation region,器件激活區(qū))上并在朝向第一側(cè)的方向上變寬的源電極、與源電極交替布置在器件有源區(qū)并在朝向面對(duì)第一側(cè)的第二側(cè)的方向上變寬的漏電極、設(shè)置在源電極和漏電極上并配置為包括接觸源電極和漏電極的多個(gè)通路接觸的絕緣層、設(shè)置在絕緣層上第一區(qū)內(nèi)與源電極接觸的源電極墊以及設(shè)置在絕緣層上與第一區(qū)隔開(kāi)的第二區(qū)內(nèi)并與接觸漏電極的多個(gè)通路接觸相接觸的漏電極墊。功率半導(dǎo)體器件還可以包括與設(shè)置在器件有源區(qū)上的源電極和漏電極之間的多條柵電極線(xiàn)相連接并設(shè)置在器件有源區(qū)的至少一側(cè)的柵電極，以及設(shè)置在器件有源區(qū)上的與第一區(qū)和第二區(qū)隔開(kāi)的第三區(qū)內(nèi)并與接觸柵電極的多個(gè)通路接觸相連接的柵電極墊。絕緣層可以包括多個(gè)第一通路孔以露出設(shè)置在第一區(qū)內(nèi)的源電極；多個(gè)第二通路孔以露出設(shè)置在第二區(qū)內(nèi)的漏電極；以及多個(gè)第三通路孔以露出設(shè)置在第三區(qū)內(nèi)的柵電極。絕緣層可以包括設(shè)置在多個(gè)第一通路孔內(nèi)與源電極接觸并與源電極墊相連接的多個(gè)第一通路接觸；設(shè)置在多個(gè)第二通路孔內(nèi)與漏電極接觸并與漏電極墊相連接的多個(gè)第二通路接觸；以及設(shè)置在多個(gè)第三通路孔內(nèi)與柵電極接觸并與柵電極墊相連接的多個(gè)第三通路接觸。多個(gè)第一通路孔可以在第一區(qū)內(nèi)具有朝向第一側(cè)的方向上變寬的梯形形狀，對(duì)應(yīng)于源電極的變寬結(jié)構(gòu)。多個(gè)第二通路孔可以在第二區(qū)內(nèi)具有朝向第二側(cè)的方向上變寬的梯形形狀，對(duì)應(yīng)于漏電極的變寬結(jié)構(gòu)。
器件有源區(qū)可以包括順序地設(shè)置在襯底上的緩沖層、未摻雜氮化物半導(dǎo)體層以及氮化物半導(dǎo)體層。氮化物半導(dǎo)體層可以包括設(shè)置在未摻雜氮化物半導(dǎo)體層上的第一氮化物半導(dǎo)體層以及設(shè)置在第一氮化物半導(dǎo)體層上的第二氮化物半導(dǎo)體層。第一氮化物半導(dǎo)體層可以包括氮化鋁(A1N)，第二氮化物半導(dǎo)體層可以包括氮化鋁鎵(AlGaN)。源電極、漏電極和柵電極可以包括選自鎳(Ni)、鋁(Al)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鉬(Pt)、金(Au)、二氧化釕(RuO2)、釩(V)、鎢(W)、氮化鎢(WN)、鉿(Hf)、氮化鉿(HfN)、鑰(Mo)、硅化鎳(NiSi)、硅化鈷(CoSi2)、硅化鎢(WSi2)、硅化鉬(PtSi)、銥(Ir)、鋯(Zr)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、銅(Cu)、釕(Ru)以及鈷(Co)中的至少一種金屬材料。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種功率半導(dǎo)體器件，其包括設(shè)置在磊晶結(jié)構(gòu)上并配置為在朝向第一側(cè)的方向上變寬的陽(yáng)電極；設(shè)置在磊晶結(jié)構(gòu)上與陽(yáng)電極交替布置并在朝向面對(duì)第一側(cè)的第二側(cè)的方向上變寬的漏電極；設(shè)置在陽(yáng)電極和陰電極上并配置為包括接觸陽(yáng)電極和陰電極的多個(gè)通路接觸的絕緣層；設(shè)置在絕緣層上第一區(qū)內(nèi)與接觸陽(yáng)電極的通路接觸相接觸的陽(yáng)電極墊；以及設(shè)置在絕緣層上與第一區(qū)隔開(kāi)的第二區(qū)內(nèi)并與接觸陰電極的通路接觸相連接的陰電極墊。絕緣層可以包括多個(gè)第一通路孔以露出設(shè)置在第一區(qū)內(nèi)的陽(yáng)電極以及多個(gè)第二通路孔以露出設(shè)置在第二區(qū)內(nèi)的陰電極。絕緣層可以包括設(shè)置在多個(gè)第一通路孔內(nèi)與陽(yáng)電極接觸并與陽(yáng)電極墊相連接的多個(gè)第一通路接觸；以及設(shè)置在多個(gè)第二通路孔內(nèi)與陰電極接觸并與陰電極墊相連接的多個(gè)第二通路接觸。多個(gè)第一通路孔可以設(shè)置為在第一區(qū)內(nèi)朝向第一側(cè)的方向上變寬的梯形形狀，對(duì)應(yīng)于陽(yáng)電極的變寬結(jié)構(gòu)。多個(gè)第二通路孔可以設(shè)置為在第二區(qū)內(nèi)朝向第二側(cè)的方向上變寬的梯形形狀，對(duì)應(yīng)于陰電極的變寬結(jié)構(gòu)。磊晶結(jié)構(gòu)可以包括順序地設(shè)置在襯底上的緩沖層、未摻雜氮化物半導(dǎo)體層、氮化物半導(dǎo)體層以及保護(hù)層(cap layer)。陽(yáng)電極可以粘結(jié)至保護(hù)層，陰電極可以設(shè)置在通過(guò)保護(hù)層露出的氮化物半導(dǎo)體層上并與陽(yáng)電極隔開(kāi)預(yù)定距離。氮化物半導(dǎo)體層可以包括設(shè)置在未摻雜氮化物半導(dǎo)體層上的第一氮化物半導(dǎo)體層；以及設(shè)置在第一氮化物半導(dǎo)體層上的第二氮化物半導(dǎo)體層。第一氮化物半導(dǎo)體層可以包括AlN ;第二氮化物半導(dǎo)體層可以包括AlGaN。陽(yáng)電極和陰電極可以包括選自Ni、Al、Ti、TiN, Pt、Au、RuO2, V、W、WN、Hf、HfN, Mo、NiSi、CoSi2、WSi2、PtSi、Ir、Zr、Ta、TaN、Cu、Ru 以及 Co 中的至少一種金屬材料。


根據(jù)以下的結(jié)合

的示例性實(shí)施方式，本發(fā)明的上述和/或其他方面、特征和優(yōu)勢(shì)將變得顯而易見(jiàn)并且更易于理解，其中圖I是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的功率半導(dǎo)體器件的電極結(jié)構(gòu)的示圖；圖2是沿著線(xiàn)A - A’截取的圖I所示功率半導(dǎo)體器件的截面圖；圖3是沿著線(xiàn)B - B’截取的圖I所示功率半導(dǎo)體器件的截面圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的功率半導(dǎo)體器件的電極結(jié)構(gòu)的平面圖；圖5是沿著線(xiàn)C - C’截取的圖4所示功率半導(dǎo)體器件的截面圖；以及圖6是沿著線(xiàn)D - D’截取的圖4所示功率半導(dǎo)體器件的截面圖。
具體實(shí)施例方式下文具體涉及本發(fā)明示例性實(shí)施方式，本發(fā)明的實(shí)施例在附圖中示出，其中，相同的參考號(hào)始終表示相同的元件。在下文說(shuō)明中，如果確定對(duì)本發(fā)明相關(guān)的已知功能及其構(gòu)造的詳細(xì)說(shuō)明會(huì)使本發(fā)明精神變得模糊，則將省略該說(shuō)明。本文所用的術(shù)語(yǔ)僅僅是為了說(shuō)明具體實(shí)施方式
并且定義會(huì)隨著用戶(hù)、操作員或客戶(hù)(custom)的目的而變化。因此，術(shù)語(yǔ)和詞匯應(yīng)根據(jù)本說(shuō)明書(shū)的說(shuō)明而定義。圖I是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的功率半導(dǎo)體器件100的電極結(jié)構(gòu)的示圖。參考圖1，功率半導(dǎo)體器件100可以是包括設(shè)置在器件有源區(qū)(deviceactivation area)110中的源電極120、漏電極130、柵電極140、絕緣層(未示出)、源電極墊160、漏電極墊170以及柵電極墊180的異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET)。源電極120、漏電極130和柵電極140設(shè)置在器件有源區(qū)110內(nèi)。如圖I所示，器件有源區(qū)110可以包括互相面對(duì)的第一側(cè)S1和第二側(cè)s2、以及分別垂直地連接至第一側(cè)S1和第二側(cè)S2同時(shí)互相面對(duì)的第三側(cè)S3和第四側(cè)s4。源電極120可以具有從第二側(cè)S2延伸至第一側(cè)S1的多個(gè)指狀結(jié)構(gòu)。此外，源電極120在朝向第一側(cè)S1的方向上變寬。漏電極130可以具有與源電極120的指狀結(jié)構(gòu)交替布置并與源電極120的指狀結(jié)構(gòu)隔開(kāi)預(yù)定距離的多個(gè)指狀結(jié)構(gòu)。漏電極130的指狀結(jié)構(gòu)可以從第一側(cè)S1朝向第二側(cè)S2延伸并在朝向第二側(cè)S2的方向上變寬。柵電極140可以設(shè)置在器件有源區(qū)110的至少一側(cè)。具體地，柵電極140可以與源電極120和漏電極130隔開(kāi)預(yù)定距離并設(shè)置在器件有源區(qū)110第一側(cè)S1至第四側(cè)S4的至少一側(cè)。在圖I中，柵電極140設(shè)置在從第一側(cè)S1至第四側(cè)S4的區(qū)域并具有封閉的電路結(jié)構(gòu)。此外，柵電極140可以連接至設(shè)置在源電極120和漏電極130之間的多條柵電極線(xiàn)141。多條柵電極線(xiàn)141可以設(shè)置為靠近源電極120的相應(yīng)指狀結(jié)構(gòu)。源電極120、漏電極130和柵電極140可以包括選擇鎳(Ni )、鋁(Al )、鈦(Ti )、氮化鈦(TiN)、鉬(Pt)、金(Au)、二氧化釕(RuO2)、釩(V)、鎢(W)、氮化鎢(WN)、鉿(Hf)、氮化鉿(HfN)、鑰(Mo)、硅化鎳(NiSi)、硅化鈷(CoSi2)、硅化鎢(WSi2)、硅化鉬(PtSi)、銥(Ir)、鋯(Zr)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、銅(Cu)、釕(Ru)以及鈷(Co)中的至少一種金屬材料。源電極120、漏電極130和柵電極140的各自的尺寸可以根據(jù)功率半導(dǎo)體器件100的尺寸而變化。也就是說(shuō)，由于所需擊穿電壓或耐受電壓根據(jù)功率半導(dǎo)體器件100的尺寸而變化，源電極120、漏電極130和柵電極140的尺寸可以相應(yīng)地變化。盡管圖中未示出，絕緣層可以設(shè)置在器件有源區(qū)110上以覆蓋源電極120、漏電極130和柵電極140，從而使源電極120、漏電極130和柵電極140絕緣。絕緣層的結(jié)構(gòu)將會(huì)參考圖2和3 (圖I的截面圖)進(jìn)行說(shuō)明。
絕緣層包括多個(gè)通路孔(via hole)以及分別填充多個(gè)通路孔的多個(gè)通路接觸(via contact)。絕緣層的上表面可以分為第一區(qū)R1、第二區(qū)R2和第三區(qū)R3。首先，絕緣層的上表面相對(duì)于第一側(cè)S1和第二側(cè)S2之間的中心線(xiàn)分為第一區(qū)R1和第二區(qū)R2。此外，設(shè)置柵電極140的上表面區(qū)可以定義為第三區(qū)R3。第一區(qū)R1至第三區(qū)R3可以定義為互不重疊。絕緣層包括露出設(shè)置在第一區(qū)R1內(nèi)的源電極120的多個(gè)通路孔120a、120b、120c、120d和120e，露出設(shè)置在第二區(qū)R2內(nèi)的漏電極130的多個(gè)第二通路孔130a、130b、130c、130d和130e以及露出設(shè)置在第三區(qū)R3內(nèi)的柵電極140的多個(gè)通路孔140a、140b、140c、140d 和 140e。多個(gè)第一通路孔120a至120e可以設(shè)置為在第一區(qū)R1內(nèi)朝向第一側(cè)S1的方向上變寬的梯形形狀，對(duì)應(yīng)于源電極120的變寬結(jié)構(gòu)。多個(gè)第二通路孔130a至130e可以設(shè)置為在第二區(qū)R2內(nèi)朝向第二側(cè)S2的方向上變寬的梯形形狀，對(duì)應(yīng)于漏電極130的變寬結(jié)構(gòu)。多個(gè)第三通路孔140a至140d設(shè)置為在第三區(qū)R3內(nèi)具有一致寬度的矩形或方形。絕緣層可以包括分別設(shè)置在多個(gè)第一通路孔120a至120e內(nèi)的第一通路接觸120f、120g、120h、120i和120 j，分別設(shè)置在多個(gè)第二通路孔130a至130e內(nèi)的第二通路接觸130f、130g、130h、130 和130 j以及分別設(shè)置在多個(gè)第三通路孔140a至140d內(nèi)的多個(gè)第三通路接觸140e、140f、140g和140h。多個(gè)第一通路接觸120f至120j、第二通路接觸130f至130j以及第三通路接觸140e至140h經(jīng)絕緣層上表面露出。多個(gè)第一通路接觸120f至120 j可以形成于第一區(qū)R1內(nèi)并與源電極120接觸，多個(gè)第二通路接觸130f至130 j可以形成于第二區(qū)R2內(nèi)并與漏電極130接觸，多個(gè)第三通路接觸140e至140h可以形成于第三區(qū)R3內(nèi)并與柵電極140接觸。多個(gè)第一通路接觸120f至120 j以具有對(duì)應(yīng)于多個(gè)第一通路孔120a至120e的形狀，即，在朝向第一側(cè)S1的方向上變寬的梯形。多個(gè)第二通路接觸130f至130 j可以具有對(duì)應(yīng)于多個(gè)第二通路孔130a至130e的形狀，即，在朝向第二側(cè)S2的方向上變寬的梯形。此外，多個(gè)第三通路接觸140e至140h可以具有對(duì)應(yīng)于多個(gè)第三通路孔140a至140d的形狀，即，在第三區(qū)R3具有一致寬度的矩形或方形。源電極墊160可以設(shè)置在絕緣層上的第一區(qū)R1內(nèi)并與接觸源電極120的多個(gè)第一通路接觸120f至120j相連接。也就是說(shuō)，源電極墊160可以通過(guò)多個(gè)第一通路接觸120f至120 j與源電極120電連接。漏電極墊170可以設(shè)置在絕緣層上的第二區(qū)R2內(nèi)并與接觸漏電極130的多個(gè)第二通路接觸130f至130j相連接。也就是說(shuō)，漏電極墊170可以通過(guò)多個(gè)第二通路接觸130f至130 j與漏電極130電連接。柵電極墊180可以設(shè)置在絕緣層上的第三區(qū)R3內(nèi)并與接觸柵電極140的多個(gè)第三通路接觸140e至140h相連接。也就是說(shuō)，柵電極墊180可以通過(guò)多個(gè)第三通路接觸140e至140h與柵電極140和多條柵電極線(xiàn)141電連接。參考圖I所示功率半導(dǎo)體器件100，可以通過(guò)連接至源電極墊160的多個(gè)第一通路接觸120f至120j對(duì)源電極120提供電壓。在這種情況下，對(duì)源電極120的設(shè)置在第二區(qū)民內(nèi)的部分不是直接提供電壓而是通過(guò)設(shè)置在第一區(qū)R1內(nèi)的多個(gè)第一通路接觸120f至120 j提供電壓。
可以通過(guò)連接至漏電極墊170的多個(gè)第二通路接觸130f至130 j對(duì)漏電極130提供電壓。在這種情況下，對(duì)漏電極130的設(shè)置在第一區(qū)R1內(nèi)的部分不是直接提供電壓而是通過(guò)設(shè)置在第二區(qū)R2內(nèi)的多個(gè)第二通路接觸130f至130j提供電壓。當(dāng)源電極120和漏電極130具有寬度一致的矩形形狀時(shí)，將會(huì)在源電極120和漏電極130中具有多個(gè)第一通路接觸120f至120j和第二通路接觸130f至130j的部分與不具有多個(gè)第一通路接觸120f至120j和第二通路接觸130f至130j的部分之間產(chǎn)生電勢(shì)差。因此，源電極120和漏電極130可以配置為朝向一側(cè)變寬。更具體地，在源電極120中，不具有多個(gè)第一通路接觸120f至120j的部分可以具有相對(duì)較大的寬度。在漏電極130中，不具有多個(gè)第二通路接觸130f至130j的部分可以具有相對(duì)較大的寬度。也就是說(shuō)，在源電極120和漏電極130中，不直接與多個(gè)第一通路接觸120f至120j和第二通路接觸130f至130j相接觸的區(qū)域的表面面積增大，從而補(bǔ)償了電勢(shì)差并在源電極120和漏電極130中實(shí)現(xiàn)等電位狀態(tài)。因此，功率半導(dǎo)體器件100可以實(shí)現(xiàn)高擊穿電壓和高耐受電壓。圖2是沿著線(xiàn)A-A’截取的圖I所示功率半導(dǎo)體器件100的截面圖，圖3是沿著線(xiàn)B-B’截取的功率半導(dǎo)體器件100的截面圖。參考圖2和3，器件有源區(qū)110包括順序地設(shè)置在襯底111上的緩沖層112、未摻雜氮化物半導(dǎo)體層113以及氮化物半導(dǎo)體層114。緩沖層112可以包括氮化鎵(GaN)。未摻雜氮化物半導(dǎo)體層113可以包括未摻雜GaN。氮化物半導(dǎo)體層114可以包括第一氮化物半導(dǎo)體層114a以及第二氮化物半導(dǎo)體層114b。第一氮化物半導(dǎo)體層114a設(shè)置在未摻雜氮化物半導(dǎo)體層113上并包括氮化鋁(A1N)。第二氮化物半導(dǎo)體層114b設(shè)置在第一氮化物半導(dǎo)體層114a上并包括氮化鋁鎵(AlGaN)0也就是說(shuō)，第一氮化物半導(dǎo)體層114a和第二氮化物半導(dǎo)體層114b可以為異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體層。圖2是沿著線(xiàn)A - A’截取的對(duì)應(yīng)于功率半導(dǎo)體器件100的第一區(qū)R1的區(qū)域截面圖。參考圖2，功率半導(dǎo)體器件100可以包括設(shè)置在第二氮化物半導(dǎo)體層114b的上表面上的源電極120、多條柵電極線(xiàn)141和漏電極130。此外，功率半導(dǎo)體器件100還包括覆蓋源電極120、多條柵電極線(xiàn)141和漏電極130的絕緣層150以及設(shè)置在絕緣層150上的源電極墊160。源電極120、多條柵電極線(xiàn)141和漏電極130互相分開(kāi)，絕緣層150置于源電極120、多條柵電極線(xiàn)141和漏電極130之間。絕緣層150包括第一區(qū)R1內(nèi)的露出源電極120的通路孔120b以及設(shè)置在通路孔120b內(nèi)并與源電極120接觸的通路接觸120g。源電極墊160設(shè)置在絕緣層150上并與接觸源電極120的通路接觸120g相連接。源電極墊160通過(guò)諸如電線(xiàn)的導(dǎo)電材料與諸如引線(xiàn)框的外部電路電連接。因此，提供到源電極墊160的電壓可以通過(guò)通路接觸120g提供到源電極120。漏電極130可以通過(guò)絕緣層150在第一區(qū)R1內(nèi)電絕緣。因此，盡管漏電極130在第一區(qū)R1內(nèi)不直接接收的電壓供應(yīng)，但是漏電極130可以通過(guò)具有寬的寬度從設(shè)置在第二區(qū)R2內(nèi)的漏電極墊170接收電壓，從而補(bǔ)償電勢(shì)差。因此，漏電極130可以在第一區(qū)R1和 第二區(qū)R2內(nèi)實(shí)現(xiàn)等電位狀態(tài)。圖3是沿著線(xiàn)B - B’截取的對(duì)應(yīng)于功率半導(dǎo)體器件100的第二區(qū)R2的一部分區(qū)域的截面圖。參考圖3，器件有源區(qū)110具有如圖2所示結(jié)構(gòu)。此外，功率半導(dǎo)體器件100包括設(shè)置在第二氮化物半導(dǎo)體層114b的上表面上的源電極120、柵電極線(xiàn)141和漏電極130。此夕卜，功率半導(dǎo)體器件100可以包括設(shè)置為覆蓋源電極120、柵電極線(xiàn)141、漏電極130的絕緣層150以及設(shè)置在絕緣層150上部的漏電極墊170。絕緣層150可以包括被配置為露出第二區(qū)R2內(nèi)的漏電極130的通路孔130b以及被設(shè)置在通路孔130b內(nèi)并與漏電極130接觸的通路接觸130g。漏電極墊170可以設(shè)置在絕緣層150上并與接觸漏電極130的通路接觸130g相連接。漏電極墊170可以通過(guò)諸如電線(xiàn)的導(dǎo)電材料與諸如引線(xiàn)框的外部電路電連接。因此，提供到漏電極墊170的電壓可以通過(guò)通路接觸130g提供到漏電極130。源電極120可以通過(guò)第二區(qū)R2內(nèi)的絕緣層150電絕緣。因此，盡管源電極120在第二區(qū)R2內(nèi)不直接接收電壓供給，但是源電極120可以通過(guò)具有寬的寬度從設(shè)置在第一區(qū)R1內(nèi)的源電極120接收電壓，從而補(bǔ)償電勢(shì)差。因此，源電極120可以在第一區(qū)R1和第二區(qū)民內(nèi)實(shí)現(xiàn)等電位狀態(tài)。圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的功率半導(dǎo)體器件400的電極結(jié)構(gòu)的平面圖。參考圖4，功率半導(dǎo)體器件400可以是包括設(shè)置在磊晶結(jié)構(gòu)(印i structure)410上的陽(yáng)電極(anode electrode)420、陰電極(cathode electrode)430、絕緣層、陽(yáng)電極墊 450 以及陰電極墊460的異質(zhì)結(jié)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)。陽(yáng)電極420和陰電極430設(shè)置在磊晶結(jié)構(gòu)410上。如圖4所示，磊晶結(jié)構(gòu)410包括互相面對(duì)的第一側(cè)S1和第二側(cè)S2,以及分別垂直地連接至第一側(cè)S1和第二側(cè)S2同時(shí)互相面對(duì)的第三側(cè)S3和第四側(cè)s4。陽(yáng)電極420可以具有從第二側(cè)S2延伸至第一側(cè)S1的多個(gè)指狀結(jié)構(gòu)。此外，陽(yáng)電極420在朝向第一側(cè)S1的方向上變寬。陽(yáng)電極420可以連接至沿著第二側(cè)S2設(shè)置的陽(yáng)極連接引線(xiàn)421。陰電極430可以具有與陽(yáng)電極420的指狀結(jié)構(gòu)交替布置并與陽(yáng)電極420的指狀結(jié)構(gòu)隔開(kāi)預(yù)定距離的多個(gè)指狀結(jié)構(gòu)。陰電極430的指狀結(jié)構(gòu)可以從第一側(cè)S1朝向第二側(cè)S2延伸并在朝向第二側(cè)S2的方向上變寬。陰電極430可以連接至沿著第一側(cè)S1設(shè)置的陰極連接引線(xiàn)431。陽(yáng)電極420 和陰電極 430 可以包括選自 Ni、Al、Ti、TiN、Pt、Au、Ru02、V、W、WN、Hf、HfN、Mo、NiSi、CoSi2、WSi2、PtSi、Ir、Zr、Ta、TaN、Cu、Ru 以及 Co 中的至少一種金屬材料。盡管圖4未示出，絕緣層可以設(shè)置在磊晶結(jié)構(gòu)410上以覆蓋陽(yáng)電極420和陰電極430并因此使其絕緣。絕緣層的結(jié)構(gòu)將會(huì)參考圖5和6 (圖4的截面圖)進(jìn)行說(shuō)明。絕緣層包括多個(gè)通路孔以及填充各個(gè)通路孔的多個(gè)通路接觸。絕緣層的上表面可以分為第一區(qū)R1和第二區(qū)R2。在本文中，絕緣層的上表面相對(duì)
于第一側(cè)S1和第二側(cè)S2之間的中心線(xiàn)分為第一區(qū)R1和第二區(qū)R2。絕緣層可以包括露出設(shè)置在第一區(qū)R1內(nèi)的陽(yáng)電極420的多個(gè)第一通路孔420a、420b、420c、420d和420e，以及露出設(shè)置在第二區(qū)R2內(nèi)的陰電極430的多個(gè)第二通路孔430a、430b、430c、430d和 430e。多個(gè)第一通路孔420a至420e可以為在第一區(qū)R1內(nèi)朝向第一側(cè)S1的方向上變寬的梯形形狀，對(duì)應(yīng)于陽(yáng)電極420的變寬結(jié)構(gòu)。此外，多個(gè)第二通路孔430a至430e可以設(shè)置為在第二區(qū)R2內(nèi)朝向第二側(cè)S2的方向上變寬的梯形形狀，對(duì)應(yīng)于陰電極430的變寬結(jié)構(gòu)。此外，絕緣層可以包括分別設(shè)置在多個(gè)第一通路孔420a至420e內(nèi)的多個(gè)第一通路接觸420f、420g、420h、420i和420 j，以及分別設(shè)置在多個(gè)第二通路孔430a至430e內(nèi)的多個(gè)第二通路接觸430f、430g、430h、430i和430j。多個(gè)第一通路接觸420f至420j和第二通路接觸430f至430 j可以經(jīng)絕緣層上表面露出。多個(gè)第一通路接觸420f至420j設(shè)置在第一區(qū)R1內(nèi)并與陽(yáng)電極420接觸，多個(gè)第二通路接觸，430f至430 j設(shè)置在第二區(qū)R2內(nèi)并與陰電極430接觸。多個(gè)第一通路接觸420f至420 j具有與多個(gè)第一通路孔420a至420e對(duì)應(yīng)的形狀，即為在朝向第一側(cè)方向上變寬的梯形。多個(gè)第二通路接觸430f至430 j具有與多個(gè)第二通路孔430a至430e的形狀對(duì)應(yīng)的形狀，即為在朝向第二側(cè)S2的方向上變寬的梯形。也就是說(shuō)，多個(gè)第一通路接觸420f至420j與陽(yáng)電極420之間的接觸面積在朝向第一側(cè)S1的方向上增大，多個(gè)第二通路接觸430f至430j與陰電極430之間的接觸面積在朝向第二側(cè)S2的方向上增大。陽(yáng)電極墊450設(shè)置在絕緣層上的第一區(qū)R1內(nèi)并與接觸陽(yáng)電極420的多個(gè)第一通路接觸420f至420 j相連接，S卩，陽(yáng)電極墊450可以通過(guò)多個(gè)第一通路接觸420f至420 j與陽(yáng)電極420電連接。陰電極墊460設(shè)置在絕緣層上的第二區(qū)R2內(nèi)并與多個(gè)第二通路接觸430f至430 j相連接，即，陰電極墊460可以通過(guò)多個(gè)第二通路接觸430f至430j與陰電極430電連接。參考圖4所示功率半導(dǎo)體器件400，可以通過(guò)連接至陽(yáng)電極墊450的多個(gè)第一通路接觸420f至420j對(duì)陽(yáng)電極420供應(yīng)電壓。在這種情況下，對(duì)陽(yáng)電極420的設(shè)置在第二區(qū)R2內(nèi)的部分不直接提供電壓而是通過(guò)設(shè)置在第一區(qū)R1內(nèi)的多個(gè)第一通路接觸420f至420j提供電壓?？梢酝ㄟ^(guò)連接至陰電極墊460的多個(gè)第二通路接觸430f至430 j對(duì)陰電極430提供電壓。在這種情況下，對(duì)陰電極430的設(shè)置在第一區(qū)R1內(nèi)的部分不直接提供電壓而是通過(guò)設(shè)置在第二區(qū)R2內(nèi)的多個(gè)第二通路接觸430f至430j提供電壓。當(dāng)陽(yáng)電極420和陰電極430設(shè)置為具有一致寬度的矩形形狀時(shí)，將會(huì)在陽(yáng)電極420和陰電極430中具有多個(gè)第一通路接觸420f至420j和第二通路接觸430f至430j的部分與不具有多個(gè)第一通路接觸420f至420j和第二通路接觸430f至430j的部分之間產(chǎn)生電勢(shì)差。具體地，在陽(yáng)電極420和陰電極430中，不具有多個(gè)第一通路接觸420f至420 j和第二通路接觸430f至430j的部分可能具有相對(duì)較低的電勢(shì)。由于這種電勢(shì)差，功率半導(dǎo)體器件400在具有低耐受電壓的同時(shí)可能很快達(dá)到擊穿電壓。為了克服這個(gè)問(wèn)題，陽(yáng)電極420和陰電極430可以配置為在朝向一側(cè)的方向上變寬(如圖4所示)。更具體地，在陽(yáng)電極420中，不具有多個(gè)第一通路接觸420f至420 j的部分可以具有相對(duì)較大的寬度。在陰電極430中，不具有多個(gè)第二通路接觸430f至430 j的部分具有相 對(duì)較大的寬度。也就是說(shuō)，可以通過(guò)增加陽(yáng)電極420和陰電極430內(nèi)不直接接觸的多個(gè)第一通路接觸420f至420j和第二通路接觸430f至430j的區(qū)域的表面面積而補(bǔ)償電勢(shì)差。從而，可以在陽(yáng)電極420和陰電極430中實(shí)現(xiàn)等電位狀態(tài)。因此，功率半導(dǎo)體器件400可以實(shí)現(xiàn)聞?chuàng)舸╇妷汉吐勀褪茈妷骸D5是沿著線(xiàn)C-C’截取的圖4所示功率半導(dǎo)體器件的截面圖，圖6是沿著線(xiàn)D-D’截取的圖4所示功率半導(dǎo)體器件的截面圖。參考圖5和6，磊晶結(jié)構(gòu)410可以包括諸如硅(Si)襯底、碳化硅(SiC)襯底、AlN襯底、GaN襯底或藍(lán)寶石襯底的襯底411。此外，磊晶結(jié)構(gòu)410包括順序地設(shè)置在襯底上的緩沖層412、未摻雜氮化物半導(dǎo)體層413、氮化物半導(dǎo)體層414以及保護(hù)層415。在磊晶結(jié)構(gòu)中，緩沖層412可以包括GaN，未摻雜氮化物半導(dǎo)體層413可以包括未摻雜GaN。氮化物半導(dǎo)體層414可以包括第一氮化物半導(dǎo)體層414a和第二氮化物半導(dǎo)體層414b。第一氮化物半導(dǎo)體層414a可以設(shè)置在未摻雜氮化物半導(dǎo)體層413上并包括A1N。第二氮化物半導(dǎo)體層414b可以設(shè)置在第一氮化物半導(dǎo)體層414a上并包括AlGaN。也就是說(shuō)，第一氮化物半導(dǎo)體層414a和第二氮化物半導(dǎo)體層414b可以為異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體層。保護(hù)層415設(shè)置在氮化物半導(dǎo)體層414上，具體地，設(shè)置在第二氮化物半導(dǎo)體層414b上。保護(hù)層415可以包括SiC、GaN或P型GaN。此外，保護(hù)層415只設(shè)置在第二氮化物半導(dǎo)體層414b上用于形成陽(yáng)電極420和絕緣層440的區(qū)域內(nèi)。換句話(huà)說(shuō)，保護(hù)層415不形成于第二氮化物半導(dǎo)體層414b上用于形成陰電極430的區(qū)域上。因此，第二氮化物半導(dǎo)體層414b可以在用于形成陰電極430的區(qū)域經(jīng)保護(hù)層415露出。圖5是沿著線(xiàn)C - C’截取并對(duì)應(yīng)于圖4所示功率半導(dǎo)體器件400中第一區(qū)R1的一部分區(qū)域的截面圖。參考圖5，功率半導(dǎo)體器件400包括設(shè)置在磊晶結(jié)構(gòu)410的上表面上的陽(yáng)電極420和陰電極430。此外，功率半導(dǎo)體器件400包括覆蓋陽(yáng)電極420和陰電極430的絕緣層440、以及設(shè)置在絕緣層440上部的陽(yáng)電極墊450。陽(yáng)電極420和陰電極430互相分開(kāi)，絕緣層440置于陽(yáng)電極420和陰電極430之間。絕緣層440可以包括露出第一區(qū)R1內(nèi)的陽(yáng)電極420的多個(gè)通路孔420b以及設(shè)置在多個(gè)通路孔420b內(nèi)與陽(yáng)電極420接觸的多個(gè)通路接觸420g。
陽(yáng)電極墊450設(shè)置在絕緣層440上并與接觸陽(yáng)電極420的多個(gè)通路接觸420g相連接。陽(yáng)電極墊450可以通過(guò)諸如電線(xiàn)的導(dǎo)電材料與諸如引線(xiàn)框的外部圖案(externalpattern)電連接。因此，提供到陽(yáng)電極墊450的電壓可以通過(guò)多個(gè)通路接觸420g提供到陽(yáng)電極420。陽(yáng)電極420通過(guò)第二區(qū)R2內(nèi)的絕緣層440電絕緣，因此，陽(yáng)電極420在第二區(qū)R2內(nèi)不直接接收的電壓。然而，陽(yáng)電極420可以通過(guò)具有比第一區(qū)R1更寬的寬度從設(shè)置在第一區(qū)R1內(nèi)的多個(gè)通路接觸420g接收電壓，從而補(bǔ)償電勢(shì)差。因此，陽(yáng)電極420可以在第一區(qū)R1和第二區(qū)R2內(nèi)實(shí)現(xiàn)等電位狀態(tài)。圖6是沿著線(xiàn)D - D’截取并對(duì)應(yīng)于圖4所示功率半導(dǎo)體器件400第二區(qū)R2的一部分區(qū)域的截面圖。參考圖6，磊晶結(jié)構(gòu)410具有幾乎與圖5所示相同的結(jié)構(gòu)。此外，功率半導(dǎo)體器件400可以包括設(shè)置在磊晶結(jié)構(gòu)410上表面的陽(yáng)電極420和陰電極430。此外，功率半導(dǎo)體器 件400包括覆蓋陽(yáng)電極420和陰電極430的絕緣層440以及設(shè)置在絕緣層440上部的陰電極墊460。陽(yáng)電極420和陰電極430互相分開(kāi)，絕緣層440置于陽(yáng)電極420和陰電極430之間。絕緣層440可以包括露出第二區(qū)R2內(nèi)的陰電極430的多個(gè)通路孔430b以及設(shè)置在多個(gè)通路孔430b內(nèi)與陰電極430接觸的多個(gè)通路接觸430g。陰電極墊460可以設(shè)置在絕緣層440上并與接觸陰電極430的多個(gè)通路接觸430g相連接。陰電極墊460可以通過(guò)諸如電線(xiàn)的導(dǎo)電材料與諸如引線(xiàn)框的外部圖案電連接。因此，提供到陰電極墊460的電壓可以通過(guò)多個(gè)通路接觸430g提供到陰電極430。在第一區(qū)R1內(nèi)，陰電極430通過(guò)絕緣層440電絕緣。因此，陰電極430在第一區(qū)R1內(nèi)不直接接收電壓，然而，陰電極430可以通過(guò)具有比第二區(qū)R2更寬的寬度從設(shè)置在第二區(qū)R2內(nèi)的多個(gè)通路接觸430g接收電壓，從而補(bǔ)償電勢(shì)差。因此，陰電極430可以在第一區(qū)R1和第二區(qū)R2內(nèi)實(shí)現(xiàn)等電位狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式，電極布置為在器件區(qū)內(nèi)實(shí)現(xiàn)等電位狀態(tài)。因此，功率半導(dǎo)體器件可以具有高擊穿電壓和高耐受電壓。結(jié)果，可以降低由擊穿電壓產(chǎn)生的損壞和故障并且提高功率半導(dǎo)體器件的可靠性。盡管已經(jīng)示出并說(shuō)明了本發(fā)明的幾個(gè)示例性實(shí)施方式，但本發(fā)明不限于上述示例性實(shí)施方式。相反，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不背離本發(fā)明原理和精神的情況下可對(duì)這些示例性實(shí)施方式進(jìn)行改變，本發(fā)明范圍由權(quán)利要求書(shū)及其等同方案限定。
權(quán)利要求
1.一種功率半導(dǎo)體器件，包括 源電極，設(shè)置在器件有源區(qū)上并在朝向第一側(cè)的方向上變寬； 漏電極，與所述源電極交替布置在所述器件有源區(qū)上并在朝向面對(duì)所述第一側(cè)的第二側(cè)的方向上變寬； 絕緣層，設(shè)置在所述源電極和所述漏電極上并被配置為包括接觸所述源電極和所述漏電極的多個(gè)通路接觸； 源電極墊，設(shè)置在所述絕緣層上第一區(qū)內(nèi)與所述源電極接觸；以及漏電極墊，設(shè)置在所述絕緣層上與所述第一區(qū)隔開(kāi)的第二區(qū)內(nèi)并與接觸所述漏電極的多個(gè)通路接觸相接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的功率半導(dǎo)體器件，還包括 柵電極，與設(shè)置在所述器件有源區(qū)上的所述源電極和所述漏電極之間的多條柵電極線(xiàn)連接，并且設(shè)置在所述器件有源區(qū)的至少一側(cè)，以及 柵電極墊，設(shè)置在所述器件有源區(qū)上的與所述第一區(qū)和所述第二區(qū)隔開(kāi)的第三區(qū)內(nèi)，并且與接觸所述柵電極的多個(gè)通路接觸相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率半導(dǎo)體器件，其中，所述絕緣層包括 多個(gè)第一通路孔，使設(shè)置在所述第一區(qū)內(nèi)的所述源電極露出； 多個(gè)第二通路孔，使設(shè)置在所述第二區(qū)內(nèi)的所述漏電極露出；以及 多個(gè)第三通路孔，使設(shè)置在所述第三區(qū)內(nèi)的所述柵電極露出。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率半導(dǎo)體器件，其中，所述絕緣層包括 多個(gè)第一通路接觸，設(shè)置在所述多個(gè)第一通路孔內(nèi)與所述源電極接觸，并與所述源電極墊相連接； 多個(gè)第二通路接觸，設(shè)置在所述多個(gè)第二通路孔內(nèi)與所述漏電極接觸，并與所述漏電極墊相連接；以及 多個(gè)第三通路接觸，設(shè)置在所述多個(gè)第三通路孔內(nèi)與所述柵電極接觸，并與所述柵電極墊相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)第一通路孔設(shè)置為在所述第一區(qū)中朝向所述第一側(cè)的方向上變寬的梯形形狀，對(duì)應(yīng)于所述源電極的變寬結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)第二通路孔設(shè)置為在所述第二區(qū)中朝向所述第二側(cè)的方向上變寬的梯形形狀，對(duì)應(yīng)于所述漏電極的變寬結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的功率半導(dǎo)體器件，其中，所述器件有源區(qū)包括順序地設(shè)置在襯底上的緩沖層、未摻雜氮化物半導(dǎo)體層以及氮化物半導(dǎo)體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率半導(dǎo)體器件，其中，所述氮化物半導(dǎo)體層包括 第一氮化物半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述未摻雜氮化物半導(dǎo)體層上；以及 第二氮化物半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第一氮化物半導(dǎo)體層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的功率半導(dǎo)體器件，其中， 所述第一氮化物半導(dǎo)體層包括氮化鋁(A1N)，以及 所述第二氮化物半導(dǎo)體層包括氮化鋁鎵(AlGaN)。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的功率半導(dǎo)體器件，其中，所述源電極、所述漏電極和所述柵電極包括選自鎳(Ni)、鋁(Al)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鉬(Pt)、金(Au)、二氧化釕(RuO2)、釩(V)、鎢(W)、氮化鎢(WN)、鉿(Hf)、氮化鉿(HfN)、鑰(Mo)、硅化鎳(NiSi)、硅化鈷(CoSi2)、硅化鎢(WSi2)、硅化鉬(PtSi)、銥(Ir)、鋯(Zr)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)^If(Cu)JT(Ru)以及鈷(Co)中的至少一種金屬材料。
11.一種功率半導(dǎo)體器件，包括 陽(yáng)電極，設(shè)置在磊晶結(jié)構(gòu)上并被配置為在朝向第一側(cè)的方向上變寬； 漏電極，設(shè)置在所述磊晶結(jié)構(gòu)上并與所述陽(yáng)電極交替布置，并且在朝向面對(duì)所述第一側(cè)的第二側(cè)的方向上變寬； 絕緣層，設(shè)置在所述陽(yáng)電極和所述陰電極上并被配置為包括與所述陽(yáng)電極和所述陰電極接觸的多個(gè)通路接觸； 陽(yáng)電極墊，設(shè)置在所述絕緣層上第一區(qū)內(nèi)與接觸所述陽(yáng)電極的通路接觸相接觸；以及陰電極墊，設(shè)置在所述絕緣層上與所述第一區(qū)隔開(kāi)的第二區(qū)內(nèi)，并與接觸所述陰電極的通路接觸相連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的功率半導(dǎo)體器件，其中，所述絕緣層包括 多個(gè)第一通路孔，使設(shè)置在所述第一區(qū)內(nèi)的所述陽(yáng)電極露出；以及 多個(gè)第二通路孔，使設(shè)置在所述第二區(qū)內(nèi)的所述陰電極露出。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的功率半導(dǎo)體器件，其中，所述絕緣層包括 多個(gè)第一通路接觸，設(shè)置在所述多個(gè)第一通路孔內(nèi)與所述陽(yáng)電極接觸，并與所述陽(yáng)電極墊相連接；以及 多個(gè)第二通路接觸，設(shè)置在所述多個(gè)第二通路孔內(nèi)與所述陰電極接觸，并與所述陰電極墊相連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的功率半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)第一通路孔設(shè)置為在所述第一區(qū)中朝向所述第一側(cè)的方向上變寬的梯形形狀，對(duì)應(yīng)于所述陽(yáng)電極的變寬結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的功率半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)第二通路孔具有在所述第二區(qū)中朝向所述第二側(cè)的方向上變寬的梯形形狀，對(duì)應(yīng)于所述陰電極的變寬結(jié)構(gòu)。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的功率半導(dǎo)體器件，其中，所述磊晶結(jié)構(gòu)包括順序地設(shè)置在襯底上的緩沖層、未摻雜氮化物半導(dǎo)體層、氮化物半導(dǎo)體層以及保護(hù)層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的功率半導(dǎo)體器件，其中， 所述陽(yáng)電極粘結(jié)至所述保護(hù)層，以及 所述陰電極設(shè)置在通過(guò)所述保護(hù)層露出的所述氮化物半導(dǎo)體層上，并與所述陽(yáng)電極隔開(kāi)預(yù)定距離。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的功率半導(dǎo)體器件，其中，所述氮化物半導(dǎo)體層包括 第一氮化物半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述未摻雜氮化物半導(dǎo)體層上；以及 第二氮化物半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第一氮化物半導(dǎo)體層上。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的功率半導(dǎo)體器件，其中， 所述第一氮化物半導(dǎo)體層包括氮化鋁(AlN);以及 所述第二氮化物半導(dǎo)體層包括氮化鋁鎵(AlGaN)。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的功率半導(dǎo)體器件，其中，所述陽(yáng)電極和所述陰電極包括選自鎳(Ni)、鋁(Al)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鉬(Pt)、金(Au)、二氧化釕(RuO2)、釩(V)、鎢(W)、氮化鎢(WN)、鉿(Hf)、氮化鉿(HfN)、鑰(Mo)、硅化鎳(NiSi )、硅化鈷(CoSi2)、硅化鎢(W Si2)、硅化鉬(PtSi)、銥(Ir)、鋯(Zr)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、銅(Cu)、釕(Ru)以及鈷(Co)中的至少一種金屬材料。
全文摘要
提供了一種功率半導(dǎo)體器件。該功率半導(dǎo)體器件包括設(shè)置在器件有源區(qū)并在朝向第一側(cè)的方向上變寬的源電極、與源電極交替布置在器件有源區(qū)并在朝向面對(duì)第一側(cè)的第二側(cè)的方向上變寬的漏電極、設(shè)置在源電極和漏電極上并被配置為包括接觸源電極和漏電極的多個(gè)通路接觸的絕緣層、設(shè)置在絕緣層上第一區(qū)內(nèi)與源電極接觸的源電極墊以及設(shè)置在絕緣層上與第一區(qū)隔開(kāi)的第二區(qū)內(nèi)并與接觸漏電極的多個(gè)通路接觸相接觸的漏電極墊。
文檔編號(hào)H01L29/417GK102903755SQ20121026556
公開(kāi)日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2012年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月27日
發(fā)明者許承培, 李憲福, 金基世 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社