專利名稱：發(fā)光二極管器件及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管器件及其制作方法，尤其是涉及一種無金屬電極的發(fā)光二極管器件及其制作方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED, Light Emitting Diode)由于具有壽命長(zhǎng)、耗能低等優(yōu)點(diǎn),應(yīng)用于各種領(lǐng)域，尤其隨著其照明性能指標(biāo)日益大幅提升，LED的應(yīng)用越來越廣泛，例如用于光學(xué)顯示裝置、交通號(hào)志、數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置、通信裝置及照明裝置等。一般而言，現(xiàn)有發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，如圖I所示a，主要設(shè)有一具凹槽Al的基座A，該凹槽Al內(nèi)結(jié)合有一芯片B，該芯片B再通過一連結(jié)線C與另一支架D連結(jié)，最后再借助一透光層E的注塑成型，將基座A、芯片B、連結(jié)線C及另一支架D結(jié)合為一體，完成發(fā)光二極管 的制作，步驟較為繁雜。然而，上述傳統(tǒng)的發(fā)光二極管接通電源時(shí)，由于芯片被結(jié)合于基座的凹杯中，該芯片周緣及底面所發(fā)射的光均被凹杯阻擋、反射，故該芯片僅發(fā)出正向光，于該發(fā)光二極管的背側(cè)無法看到其所發(fā)出的光。目前也有借助表面黏著技術(shù)(Surface Mount，SMT)直接將芯片電性連接于印刷電路板上，如日本公開特許公報(bào)特開平5-327026、特開2000-223752，如圖2 a、3所示，該電路板通電后，該芯片雖可達(dá)五面(前、后、左、右、上)發(fā)光，但其底面仍無法發(fā)光。此外，現(xiàn)有的高亮度白色LED是由各色光混合而成。如利用紅、綠、藍(lán)三色芯片組合后通過光學(xué)透鏡混合形成白光，或采用紫光或者紫外光激發(fā)紅綠藍(lán)(RGB)熒光粉獲得白光，或采用藍(lán)光激發(fā)黃色熒光粉獲得白光。其中采用藍(lán)光LED加YAG黃色熒光粉產(chǎn)生白光應(yīng)用最多，缺點(diǎn)在于如果在封裝過程中黃色熒光粉的涂覆劑量控制不準(zhǔn)，或者不能根據(jù)芯片的形狀進(jìn)行保形涂覆則會(huì)出現(xiàn)出射光偏藍(lán)或者偏黃的現(xiàn)象。由于環(huán)氧樹脂或者硅膠流動(dòng)性很強(qiáng)，涂覆時(shí)混合有熒光粉的封裝膠液不能在芯片的表面和四周形成均勻的涂覆層，從而使白光LED品質(zhì)難以保證。為了克服這個(gè)缺陷，人們提出把混合有熒光粉的膠液先固化成膠片，然后粘貼在發(fā)光芯片之上。但同樣不能保證芯片的側(cè)邊均勻地涂覆熒光粉。此外，隨著芯片結(jié)溫的不斷升高(理論上藍(lán)光芯片結(jié)溫可達(dá)300°C)，但由于膠液難以耐受高溫，會(huì)與發(fā)光芯片接觸產(chǎn)生熱而發(fā)生變質(zhì)，上述封裝方案難以滿足要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種發(fā)光二極管器件及其制作方法，其通過在至少包括兩個(gè)發(fā)光外延單元的發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的底面和頂面分別設(shè)置第一導(dǎo)電基板和第二透光性導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，形成高密度排列的無正負(fù)金屬電極的增加出光的發(fā)光二極管，可以有效地取出發(fā)光層發(fā)出的光線，減少金屬電極的吸光現(xiàn)象，增加出光效率，降低熱阻，延長(zhǎng)發(fā)光二極管的使用壽命，并節(jié)省封裝材料和簡(jiǎn)化工藝流程。本發(fā)明主要包括以下制作工藝步驟1)提供一生長(zhǎng)基板，在其上生長(zhǎng)一整體發(fā)光外延層，發(fā)光外延層從下至上依次包含第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層；
2)將所述整體發(fā)光外延層分隔成若干個(gè)間隔排列的發(fā)光外延單元；
3)在所述若干個(gè)間隔排列的發(fā)光外延單元上形成第二導(dǎo)電基板，用于連接電源正極；
4)去除所述生長(zhǎng)基板，裸露出間隔排列的發(fā)光外延單元的第一半導(dǎo)體層；
5)在所述間隔排列的發(fā)光外延單兀的第一半導(dǎo)體層上形成第一透光性導(dǎo)電基板結(jié)構(gòu)，用于連接電源負(fù)極。所述的發(fā)光二極管器件，包括
發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，其至少包括兩個(gè)發(fā)光外延單兀，每個(gè)發(fā)光外延單兀包括第一半導(dǎo)體層、 發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；
第一導(dǎo)電基板，形成于所述第一半導(dǎo)體層上，用于連接電源負(fù)極；
第二透光性導(dǎo)電基板，形成于所述第二半導(dǎo)體層上，用于連接電源正極。進(jìn)一步地，所述生長(zhǎng)基板材料可選自藍(lán)寶石(A1203)、碳化硅(SiC)、硅(Si)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)中的一種或其組合。進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電基板為透光性基板，從而形成全方位出光的發(fā)光二極管。進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電基板由透明基板和透明導(dǎo)電層組成。進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電基板為反射性基板。進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電基板由散熱基板和反射層構(gòu)成。進(jìn)一步地，所述第二透光性導(dǎo)電基板由透明基板和透明導(dǎo)電層構(gòu)成。進(jìn)一步地，所述透明基板選自透明玻璃、透明柔性塑料或納米陶瓷。進(jìn)一步地，所述透明導(dǎo)電層材料可選用氧化銦錫(ITO)或氧化鋅(ZnO)或In摻雜ZnO或Al摻雜ZnO或Ga摻雜ZnO中的一種或其組合。進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電基板含有突光粉。進(jìn)一步地，所述第二透光性導(dǎo)電基板含有熒光粉。進(jìn)一步地，所述反射層可選用分布布拉格反射層或金屬反射層或全方位反射層。進(jìn)一步地，所述散熱基板材料可選用娃(Si)基板或銅(Cu)基板或招(Al)基板中的一種或其組合。本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。


附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。此外，附圖數(shù)據(jù)是描述概要，不是按比例繪制。圖I是現(xiàn)有發(fā)光二極管的剖面示意圖。圖2是日本特開平5-327026號(hào)發(fā)光二極管的剖面示意圖。圖3是日本特開2000-223752號(hào)發(fā)光二極管的剖面示意圖。圖4 10是本發(fā)明實(shí)施例I制作發(fā)光二極管器件的剖面示意圖。
圖If 17是本發(fā)明實(shí)施例2制作發(fā)光二極管器件的剖面示意圖。圖18是本發(fā)明實(shí)施例3制作發(fā)光二極管器件的剖面示意圖。圖中部件符號(hào)說明
100 :生長(zhǎng)基板；101 :第一半導(dǎo)體層；102 :發(fā)光層；103 :第二半導(dǎo)體層；104，106 :透明導(dǎo)電層；105，107 :透明玻璃；108 :電源正極；109 :電源負(fù)極；200 :生長(zhǎng)基板；201 :第一半導(dǎo)體層；202 :發(fā)光層；203 :第二半導(dǎo)體層；204 :透明導(dǎo)電層；205 :透明玻璃；206 :反射層；207 :散熱基板；208 :熒光粉；209 :電源正極；210 :電源負(fù)極；300 :生長(zhǎng)基板；301 :第一半導(dǎo)體層；302 :發(fā)光層；303 :第二半導(dǎo)體層；304，306 :透明導(dǎo)電層；305 :透明玻璃；307 :透明柔性塑料；308，309 :突光粉；310 :電源正極；311 :電源負(fù)極。
具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。實(shí)施例I
如圖10所示的一種發(fā)光二極管器件，包括3個(gè)間隔排列的LED外延層，其中外延層包含第一半導(dǎo)體層101、發(fā)光層102和第二半導(dǎo)體層103 ;由透明玻璃107和透明導(dǎo)電層106組成的第一透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)，形成于所述第一半導(dǎo)體層101上，用于連接電源負(fù)極109 ；由透明玻璃105和透明導(dǎo)電層104組成的第二透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)，形成于所述第二半導(dǎo)體層103上，用于連接電源正極108。具體來說，上述發(fā)光二極管器件，包括；3個(gè)間隔排列的LED外延層，其中外延層包含N-GaN層101、發(fā)光層102和P-GaN層103 ;由透明玻璃107和透明ITO導(dǎo)電層106組成的第一透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)，形成于所述N-GaN層101上，用于連接電源負(fù)極109 ;由透明玻璃105和透明ITO導(dǎo)電層104組成的第二透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)，形成于所述P-GaN層103上，用于連接電源正極108。所述發(fā)光二極管用于發(fā)光時(shí)，將第一透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)與電源負(fù)極109相連,將第二透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)與電源正極108相連，發(fā)光二極管中的發(fā)光層102在電流作用下發(fā)光。自發(fā)光層102發(fā)出的光線經(jīng)過所述第一透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)和第二透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)表面都可以透射出去，還可以從LED外延層的各側(cè)面出射，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)全方位地出光，提高了發(fā)光二極管的外量子效率，改善發(fā)光二極管的光電性能。圖4 10圖公開了上述全方位出光的發(fā)光二極管的制作方法，包括以下步驟
如圖4所示，首先，提供一生長(zhǎng)基板100，所述基板100是由藍(lán)寶石形成的，在本實(shí)施例
中，所述襯底100用以形成氮化鎵基藍(lán)光二極管。如圖5所示，在藍(lán)寶石基板100上長(zhǎng)一 LED的整體外延層，外延層從下至上依次為N-GaN 層 101、發(fā)光層 102、P-GaN 層 103。如圖6所示，采用ICP蝕刻工藝，將LED的整體外延層分隔成3個(gè)獨(dú)立間隔排列的外延層。如圖7所示，采用鍵合工藝，在上述3個(gè)獨(dú)立間隔排列的外延層上形成第二透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)，即第二透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)形成于P-GaN層103之上，這樣就把原本在藍(lán)寶石基板100之上的外延層轉(zhuǎn)移到第二透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)上，第二透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)起到支撐和固定獨(dú)立間隔排列的外延層的作用，其中第二透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)由透明玻璃107和透明ITO導(dǎo)電層106組成。如圖8所示，通過激光剝離工藝，去除上述藍(lán)寶石基板100，裸露出間隔排列的外延層的N-GaN層101。如圖9所示，采用鍵合工藝，在所述間隔排列的外延層的N-GaN層101上形成第一透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)，構(gòu)成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中第一透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)由透明玻璃107和透明ITO導(dǎo)電層106組成。如圖10所示，電源正極108連接所述第二透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)，電源負(fù)極109連接所述第一透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)，即可形成導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，使所述發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)正常工作。
綜上所述，本實(shí)施例公開了一種發(fā)光二極管器件及其制作方法，其通過在至少包括兩個(gè)發(fā)光外延單元的發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的底面和頂面分別設(shè)置第一透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)和第二透明導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)，光從發(fā)光層發(fā)出時(shí)可以從底面的第一半導(dǎo)體層和頂面的第二半導(dǎo)體層以及LED外延層的各個(gè)側(cè)面出射，進(jìn)而提升出光效率，而傳統(tǒng)的方式的發(fā)光二極管其發(fā)光層的光線穿過第一半導(dǎo)體層到底部的銀膠時(shí)會(huì)被反射，然后再經(jīng)過第一半導(dǎo)體層，會(huì)造成光損耗，大部分光線易在管芯內(nèi)部經(jīng)多次反射而被吸收，易發(fā)生全反射導(dǎo)致過多光損失。此外，本實(shí)施例形成無正負(fù)金屬電極的發(fā)光二極管器件，可以減少金屬電極的吸光現(xiàn)象，有效增加出光效率；不需制作金屬電極、打線、灌膠等工藝過程，因而可以簡(jiǎn)化工藝流程，節(jié)省成本，提聞生廣效率。實(shí)施例2
如圖17所示的一種發(fā)光二極管器件，包括3個(gè)間隔排列的LED外延層，其中外延層包含第一半導(dǎo)體層201、發(fā)光層202和第二半導(dǎo)體層203 ;由反射層206和散熱基板207組成的第一基板結(jié)構(gòu)，形成于所述第一半導(dǎo)體層201上，用于連接電源負(fù)極210 ；由透明玻璃205和透明導(dǎo)電層204組成的含熒光粉的第二基板結(jié)構(gòu)，形成于所述第二半導(dǎo)體層203上，用于連接電源正極209。具體來說，上述發(fā)光二極管器件，包括；3個(gè)間隔排列的LED外延層，其中外延層包含N-GaN層201、發(fā)光層202和P-GaN層203 ;由全方位反射層206和Si散熱基板207組成的不含熒光粉的第一反射散熱基板結(jié)構(gòu)，形成于所述N-GaN層201上，用于連接電源負(fù)極210 ;第二基板結(jié)構(gòu)為含熒光粉208的透明導(dǎo)電基板結(jié)構(gòu)，形成于所述P-GaN層203上，用于連接電源正極209，其中透明導(dǎo)電基板結(jié)構(gòu)由透明玻璃205和透明ITO導(dǎo)電層204組成。所述發(fā)光二極管用于發(fā)光時(shí)，將不含突光粉的第一基板結(jié)構(gòu)與電源負(fù)極210相連，將含熒光粉的第二基板結(jié)構(gòu)與電源正極209相連，發(fā)光二極管中的發(fā)光層202在電流作用下發(fā)光。自發(fā)光層202發(fā)出的光線直接透過頂面的含熒光粉的第二基板結(jié)構(gòu)，經(jīng)過熒光粉的激發(fā)獲得白光，從而避免金屬電極的吸光現(xiàn)象，有效提升出光效率，改善發(fā)光二極管的光電性能。其次，LED外延層與熒光粉不直接接觸，避免由于散熱可能產(chǎn)生失效現(xiàn)象，降低熱阻，延長(zhǎng)發(fā)光二極管的使用壽命；再者，本發(fā)明制作的發(fā)光二極管器件，不需制作金屬電極、打線等工藝過程，因而可以簡(jiǎn)化工藝流程，節(jié)省成本，提高生產(chǎn)效率。圖If 17公開了前述發(fā)光二極管的制作方法，包括以下步驟
如圖11所示，首先，提供一生長(zhǎng)基板200，所述基板200是由碳化硅形成的，在本實(shí)施例中，所述襯底200用以形成氮化鎵基藍(lán)光二極管。
如圖12所示,在碳化娃基板200上嘉晶一 LED的整體外延層,外延層從下至上依次為 N-GaN 層 201、發(fā)光層 202、P-GaN 層 203。如圖13所示，采用ICP蝕刻工藝，將LED的整體外延層分隔成3個(gè)獨(dú)立間隔排列的外延層。如圖14所示，采用鍵合工藝，在上述3個(gè)獨(dú)立間隔排列的外延層上形成含熒光粉的第二透明導(dǎo)電基板結(jié)構(gòu)，即含熒光粉的第二透明導(dǎo)電基板結(jié)構(gòu)形成于P-GaN層203之上，這樣就把原本在碳化硅基板200之上的外延層轉(zhuǎn)移到含熒光粉的第二透明導(dǎo)電基板結(jié)構(gòu)上，所述含熒光粉的第二透明導(dǎo)電基板結(jié)構(gòu)起到支撐和固定獨(dú)立間隔排列的外延層的作用，其中第二透明導(dǎo)電基板結(jié)構(gòu)由透明玻璃205和透明ITO導(dǎo)電層204組成。如圖15所示，通過激光剝離工藝，去除上述碳化硅基板200，裸露出間隔排列的外 延層的N-GaN層201。如圖16所示，采用鍵合工藝，在所述間隔排列的外延層的N-GaN層201上形成不含熒光粉的第一反射散熱基板結(jié)構(gòu)，構(gòu)成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中不含熒光粉的第一反射散熱基板結(jié)構(gòu)由全方位反射層206和Si散熱基板207組成。如圖17所示，電源正極209連接所述含熒光粉的第二基板結(jié)構(gòu)，電源負(fù)極210連接所述不含熒光粉的第一基板結(jié)構(gòu)，即可形成導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，使所述發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)正常工作。實(shí)施例3
如圖18所示，發(fā)光二極管器件與實(shí)施例I不同的是，LED外延層的個(gè)數(shù)為5個(gè)，可以形成高密度排列；第一基板結(jié)構(gòu)由含熒光粉的透明導(dǎo)電基板結(jié)構(gòu)組成，其中透明導(dǎo)電基板結(jié)構(gòu)由透明柔性塑料307和透明ITO導(dǎo)電層306構(gòu)成。上述發(fā)光二極管器件的制作方法與實(shí)施例2不同之處在于
為了更有效地提升光轉(zhuǎn)換效率，第一基板為含熒光粉的透明導(dǎo)電基板結(jié)構(gòu)，這樣可以與LED外延層、含突光粉的第二基板結(jié)構(gòu)形成夾層結(jié)構(gòu),構(gòu)成全方位無正負(fù)金屬電極遮擋的白色發(fā)光二極管，更有效地取出發(fā)光層發(fā)出的光線，減少金屬電極的吸光現(xiàn)象，增加出光效率，而且不需制作金屬電極、打線等工藝過程，可以節(jié)省封裝材料，簡(jiǎn)化工藝流程，提高生產(chǎn)效率，此外，LED外延層與熒光粉不直接接觸，避免由于散熱可能產(chǎn)生失效現(xiàn)象，降低熱阻，延長(zhǎng)發(fā)光二極管的使用壽命。
權(quán)利要求
1.發(fā)光二極管器件，包括 發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，其至少包括兩個(gè)發(fā)光外延單兀，每個(gè)發(fā)光外延單兀包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層； 第一導(dǎo)電基板，形成于所述第一半導(dǎo)體層上，用于連接電源負(fù)極； 第二透光性導(dǎo)電基板，形成于所述第二半導(dǎo)體層上，用于連接電源正極。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于所述第一導(dǎo)電基板為透光性基板，從而形成全方位出光的發(fā)光二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于所述第一導(dǎo)電基板由透明基板和透明導(dǎo)電層組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于所述第一導(dǎo)電基板為反射性基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管器件,其特征在于所述第一導(dǎo)電基板由散熱基板和反射層構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于所述第二透光性導(dǎo)電基板由透明基板和透明導(dǎo)電層構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于所述透明基板選自透明玻璃、透明柔性塑料或納米陶瓷。
8.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于所述透明導(dǎo)電層的材料選自氧化銦錫、氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅中的一種或其組合。
9.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于所述第一導(dǎo)電基板含有熒光粉。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于所述第二透光性導(dǎo)電基板含有熒光粉。
11.發(fā)光二極管器件的制作方法，其包括步驟 1)提供一生長(zhǎng)基板，在其上生長(zhǎng)一整體發(fā)光外延層，發(fā)光外延層從下至上依次包含第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層； 2)將所述整體發(fā)光外延層分隔成若干個(gè)間隔排列的發(fā)光外延單元； 3)在所述若干個(gè)間隔排列的發(fā)光外延單元上形成第二導(dǎo)電基板，用于連接電源正極； 4)去除所述生長(zhǎng)基板，裸露出間隔排列的發(fā)光外延單元的第一半導(dǎo)體層； 5)在所述間隔排列的發(fā)光外延單兀的第一半導(dǎo)體層上形成第一透光性導(dǎo)電基板結(jié)構(gòu)，用于連接電源負(fù)極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管器件的制作方法，其特征在于所述生長(zhǎng)基板材料選自藍(lán)寶石、碳化硅、硅、氮化鎵、磷化鎵中的一種或其組合。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管器件及其制作方法，其通過在至少包括兩個(gè)發(fā)光外延單元的發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的底面和頂面分別設(shè)置第一導(dǎo)電基板和第二透光性導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，形成高密度排列的無正負(fù)金屬電極的增加出光的發(fā)光二極管，可以有效地取出發(fā)光層發(fā)出的光線，減少金屬電極的吸光現(xiàn)象，增加出光效率，降低熱阻，延長(zhǎng)發(fā)光二極管的使用壽命，并節(jié)省封裝材料和簡(jiǎn)化工藝流程。
文檔編號(hào)H01L33/50GK102800800SQ20121030884
公開日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2012年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月28日
發(fā)明者林素慧, 莊家銘, 彭康偉, 洪靈愿, 鄭建森, 其他發(fā)明人請(qǐng)求不公開姓名 申請(qǐng)人:安徽三安光電有限公司