專利名稱：一種GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制備方法，尤其涉及一種用于高溫大功率開(kāi)關(guān)器件中的GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件及其制備方法。
背景技術(shù)：
GaN基寬禁帶半導(dǎo)體因?yàn)榫邆涓邠舸╇妶?chǎng)、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等特性，同時(shí)采用異質(zhì)結(jié)構(gòu)可以形成高濃度的二維電子氣，這些優(yōu)點(diǎn)使得GaN在大功率電子器件領(lǐng)域有很廣闊的應(yīng)用前景。在實(shí)際應(yīng)用中，增強(qiáng)型功率器件可以滿足“失效安全”要求。然而由于GaN的極化效應(yīng)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的界面處形成高濃度的二維電子氣，使得直接采用AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備的器件為耗盡型器件，即當(dāng)柵極在零偏壓的條件下器件處于導(dǎo)通狀態(tài)，不符合“失效安全”要求。此外，為了避免噪聲等因素造成器件的誤操作，還要求增強(qiáng)型器件具有較 高的閾值電壓。因此，如何采用AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備具有較高正向閾值電壓的增強(qiáng)型功率器件，是目前研究的熱點(diǎn)。傳統(tǒng)上實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的技術(shù)路線主要有肖特基柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和金屬絕緣層半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MISFET)。對(duì)于肖特基柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型的主要方法是采用凹柵結(jié)構(gòu)，即通過(guò)對(duì)柵極區(qū)域利用電感耦合等離子體(ICP)刻蝕凹槽，減小溝道的二維電子氣(2DEG)濃度，使器件達(dá)到常關(guān)的效果，同時(shí)在柵極處蒸鍍Ni/Au電極，與AlGaN形成肖特基接觸，實(shí)現(xiàn)對(duì)器件開(kāi)啟、關(guān)斷的控制。此外，離子注入也是一種常用的技術(shù)，通過(guò)對(duì)柵極區(qū)域的AlGaN進(jìn)行等離子體處理，注入如氟離子等的負(fù)離子對(duì)溝道的二維電子氣進(jìn)行耗盡，使器件達(dá)到常關(guān)的效果。采用上述方法制備的功率器件，其優(yōu)點(diǎn)是具有較小的導(dǎo)通電阻(R )，并且能夠?qū)崿F(xiàn)常關(guān)；其缺點(diǎn)是柵極漏電流過(guò)大，閾值電壓僅為O到IV之間，同時(shí)由于柵極區(qū)域經(jīng)過(guò)等離子體處理后造成晶格損傷，對(duì)器件的穩(wěn)定性和可靠性產(chǎn)生影響。對(duì)于GaN基金屬絕緣層半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MISFET)，與傳統(tǒng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)相似，為了實(shí)現(xiàn)常關(guān)特性，對(duì)GaN進(jìn)行ρ型摻雜獲得ρ型襯底，源漏兩端區(qū)域則進(jìn)行η型重?fù)剑⒄翦冸姌O形成歐姆接觸，柵極區(qū)域沉積絕緣層后蒸鍍電極，形成MIS結(jié)構(gòu)。當(dāng)柵極加較大的正向偏壓時(shí)，GaN靠近絕緣層界面處形成反型層作為導(dǎo)電溝道，器件處于導(dǎo)通狀態(tài)。這種GaN基MISFET雖然能實(shí)現(xiàn)常關(guān)特性，但是由于導(dǎo)通電阻較大等缺點(diǎn)，實(shí)際上并不適用于直接制備大功率器件。目前，為了克服傳統(tǒng)的增強(qiáng)型GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的上述缺點(diǎn)，現(xiàn)在實(shí)現(xiàn)GaN增強(qiáng)型功率器件的主要技術(shù)路線為采用金屬絕緣層半導(dǎo)體(MIS)和異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET)的混合結(jié)構(gòu)，即MIS-HFET。柵極處采用MIS結(jié)構(gòu)，可以降低器件的柵極漏電流，提高器件的閾值電壓；利用AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)形成的高濃度二維電子氣作為導(dǎo)電通道，可以降低器件的導(dǎo)通電阻，提高器件的輸出功率。從目前的研究成果看來(lái)，采用MIS-HFET結(jié)構(gòu)獲得GaN增強(qiáng)型功率器件是一種理想的技術(shù)路線，但是通過(guò)ICP在柵極區(qū)域刻蝕凹槽，或者在柵極區(qū)域注入離子的方法，雖然可以使器件實(shí)現(xiàn)常關(guān)特性，但是也帶來(lái)以下問(wèn)題首先是上述方法制備的器件的閾值電壓不能達(dá)到實(shí)際應(yīng)用的要求；其次等離子體處理對(duì)柵極區(qū)域的溝道造成的晶格損傷，對(duì)器件的可靠性和穩(wěn)定性造成影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種穩(wěn)定性和可靠性高、并且具有高閾值電壓的GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件及其制備方法。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為
一種GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件，包括柵極、源極、漏極、絕緣介質(zhì)層和襯底(I )，所述襯底上由下往上依次設(shè)有應(yīng)力緩沖層、第一 GaN層(3 )和選擇生長(zhǎng)層，所述選擇生長(zhǎng)層包括第二 GaN層和其上的異質(zhì)層；所述選擇生長(zhǎng)層中部具有貫通的凹槽溝道，在凹槽溝道底面覆 蓋有P型GaN層，所述P型GaN層的厚度小于等于第二 GaN層的厚度；異質(zhì)層上表面的兩側(cè)位置覆蓋有歐姆接觸金屬分別形成源極和漏極，絕緣介質(zhì)層覆蓋于器件的上表面除源極和漏極位置外的區(qū)域，柵極覆蓋于絕緣介質(zhì)層上的凹槽溝道處。上述的GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件的制備方法，包括以下步驟
步驟一、在襯底上，依次生長(zhǎng)應(yīng)力緩沖層、第一 GaN層和P型GaN層；
步驟二、在P型GaN層上，均勻生長(zhǎng)一層介質(zhì)層，然后刻蝕接入?yún)^(qū)的介質(zhì)層，保留柵極區(qū)域的介質(zhì)層作為掩膜層；
步驟三、刻蝕接入?yún)^(qū)的P型GaN層，保留柵極區(qū)域的P型GaN層；
步驟四、在接入?yún)^(qū)生長(zhǎng)第二 GaN層和異質(zhì)層，第二 GaN層的厚度大于等于p型GaN層的厚度，由此形成了柵極區(qū)域的凹槽溝道；
步驟五、刻蝕掩膜層，顯露出P型GaN層的界面；
步驟六、在異質(zhì)層上表面兩側(cè)的源漏區(qū)域蒸鍍歐姆金屬分別形成源極和漏極；
步驟七、在器件的上表面除源極和漏極位置外均沉積絕緣介質(zhì)，作為柵極的絕緣介質(zhì)
層；
步驟八、在絕緣介質(zhì)層上凹槽溝道位置處蒸鍍歐姆金屬作為柵極。上述的接入?yún)^(qū)的含義是位于器件中部的柵極和位于器件兩側(cè)的源極和漏極之間的區(qū)域(不包括柵極下方的凹槽溝道區(qū)域，但是包括源極和漏極下方的區(qū)域)，也就是器件上凹槽溝道兩側(cè)的區(qū)域。其中，所述步驟一中應(yīng)力緩沖層、高阻GaN層和P型GaN層的生長(zhǎng)方法以及步驟四中第二 GaN層和異質(zhì)層的生長(zhǎng)方法為金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)或分子束外延法(MBE)0所述步驟二中介質(zhì)層以及步驟七中絕緣介質(zhì)層的生長(zhǎng)方法為物理氣相沉積法(PVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)、原子層沉積法(ALD)或磁控濺鍍法。進(jìn)一步的，所述異質(zhì)層為AlGaN、AlInN、AlInGaN、AlN材料中的一種或任意幾種組合，所述異質(zhì)層為非摻雜層或N型摻雜層；異質(zhì)層厚度范圍是I 50nm。如果是多種材料的組合，則多種材料采用層層疊加的方式結(jié)合，而不是混合物的形式組合。比如AlGaN/AIN組合所表不的含義是AlGaN材料層和AlN材料層疊加一起作為異質(zhì)層。
進(jìn)一步的，所述第一 GaN層為高阻GaN層。進(jìn)一步的，所述絕緣介質(zhì)層的材料為Si02、SiNx、Al203、AlN、Hf02、Mg0、Sc203、Ga203、AlHfOx, HfSiON中的任一種或任意幾種的組合；絕緣介質(zhì)層厚度范圍是I 50nm。進(jìn)一步的，所述P型GaN層的厚度范圍是f500nm，所述第二 GaN層的厚度范圍是I 500nm。進(jìn)一步的,所述形成源極和漏極的歐姆金屬為T(mén)i/Al/Ni/Au合金、Ti/Al/Ti/Au合金或Ti/Al/Mo/Au合金；所述形成柵極的歐姆金屬為Ni/Au合金、Pt/Al合金或Pd/Au合金。其中源極和漏極合金材料的含義以Ti/Al/Ni/Au合金為例進(jìn)行說(shuō)明?！癟i/Al/Ni/Au合金”的含義是從下往上依次蒸鍍上一層Ti、一層Al、一層Ni和一層Au，由這四層金屬的復(fù)合層(即合金)作為源極和漏極。這種表述方式既說(shuō)明這種合金包含了這四種金屬，同時(shí)也包含了一種順序關(guān)系。類似的，“Ti/Al/Ti/Au合金”的含義是從下往上依次蒸鍍上一層Ti、 一層Al、一層Ti和一層Au，由這四層金屬的復(fù)合層(即合金)作為源極和漏極。Ti/Al/Mo/Au合金的含義同上。柵極的歐姆金屬材料的含義也同上。進(jìn)一步的，所述襯底為Si襯底、SiC襯底或藍(lán)寶石襯底。與利用現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明的GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件，通過(guò)在柵極區(qū)域引入P型GaN層，結(jié)合柵極區(qū)域沉積的介質(zhì)層和柵極金屬電極，形成P型襯底MIS結(jié)構(gòu)，當(dāng)柵極處于零偏壓或者負(fù)偏壓狀態(tài)下，P型GaN層以空穴為多數(shù)載流子而無(wú)法形成電子導(dǎo)通溝道，器件處于關(guān)斷狀態(tài)；只有當(dāng)柵極施加較大正向電壓時(shí)，P型GaN層在靠近介質(zhì)層的界面處形成電子反型層，該反型層作為電子導(dǎo)通溝道，此時(shí)器件處于開(kāi)啟狀態(tài)。所以P型GaN層的引入，可以實(shí)現(xiàn)器件的常關(guān)特性，并且有效提高閾值電壓。同時(shí)，本發(fā)明的器件制作方法，為了配合引入P型GaN層的結(jié)構(gòu)，特別設(shè)計(jì)采用選擇性區(qū)域生長(zhǎng)的工藝來(lái)保留柵極區(qū)域的P型GaN層，即通過(guò)選擇性刻蝕的方式，將除柵極區(qū)域以外的P型GaN層都刻蝕掉，進(jìn)而能夠在接入?yún)^(qū)來(lái)生長(zhǎng)異質(zhì)結(jié)構(gòu)，以取代現(xiàn)有技術(shù)中在柵極區(qū)域刻蝕凹槽或者離子注入的方法，避免等離子體造成的晶格損傷對(duì)溝道造成影響，提高器件可靠性和穩(wěn)定性。同時(shí)在接入?yún)^(qū)生長(zhǎng)異質(zhì)結(jié)構(gòu)，還可以獲得高濃度的二維電子氣，降低接入電阻，整體上降低器件的導(dǎo)通電阻，提高器件輸出功率。另外，接入?yún)^(qū)通過(guò)二次外延方式再生長(zhǎng)一層GaN層(即第二 GaN層)，可以修復(fù)刻蝕P型GaN層時(shí)帶來(lái)的表面晶格損傷，實(shí)現(xiàn)了接入?yún)^(qū)二維電子氣界面與刻蝕界面的分離，降低刻蝕工藝對(duì)接入?yún)^(qū)帶來(lái)的影響，進(jìn)一步提高器件可靠性和穩(wěn)定性。


圖I-圖9為本發(fā)明實(shí)施例I的GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件的制備方法的工藝示意圖。圖10為本發(fā)明實(shí)施例2的GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件結(jié)構(gòu)示意具體實(shí)施例方式實(shí)施例I
如圖9所示為本實(shí)施例的GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件的結(jié)構(gòu)示意圖，包括柵極、源極、漏極、絕緣介質(zhì)層和襯底I。襯底通常選用Si襯底或SiC襯底或藍(lán)寶石襯底。襯底上由下往上依次設(shè)有應(yīng)力緩沖層2、第一 GaN層3和選擇生長(zhǎng)層，選擇生長(zhǎng)層包括第二 GaN層7和其上的異質(zhì)層8。其中第一 GaN層為高阻GaN層。選擇生長(zhǎng)層中部具有貫通的凹槽溝道，在凹槽溝道底面覆蓋有P型GaN層6，ρ型GaN層6的厚度小于等于第二 GaN層7的厚度。異質(zhì)層8上表面的兩側(cè)位置覆蓋有歐姆接觸金屬分別形成源極和漏極。絕緣介質(zhì)層10覆蓋于器件的上表面除源極和漏極位置外的區(qū)域，柵極覆蓋于絕緣介質(zhì)層上的凹槽溝道處。異質(zhì)層8的厚度需要控制到既能夠在第二 GaN層7的界面形成高濃度的二維電子氣，同時(shí)又能夠降低源漏極歐姆接觸電阻和器件導(dǎo)通電阻為最適宜。經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，該異質(zhì)層8厚度控制在I 50nm范圍內(nèi)為最適宜。柵極的絕緣介質(zhì)層11的厚度，既要求滿足柵極12能很好控制溝道的導(dǎo)電特性，使器件具有較大的跨導(dǎo)，也要求保持良好的絕緣性。經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，該厚度為f50nm為最佳。
上述GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件制作工藝如圖1_9所示
步驟一、利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(M0CVD)，在襯底上依次生長(zhǎng)應(yīng)力緩沖層2、第一GaN層3和ρ型GaN層6 ;p型GaN層6的厚度范圍是I 500nm，如圖I所示。步驟二、在ρ型GaN層6上，通過(guò)物理氣相沉積(PVD)或者等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)或者原子層沉積(ALD)或者磁控濺鍍等均勻生長(zhǎng)一層介質(zhì)層4，如圖2所示，然后刻蝕接入?yún)^(qū)的介質(zhì)層，并保留柵極區(qū)域的介質(zhì)層作為掩膜層5，如圖3所示。步驟三、刻蝕接入?yún)^(qū)的ρ型GaN層，保留柵極區(qū)域的ρ型GaN層6，如圖4所示。步驟四、利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(M0CVD)，在接入?yún)^(qū)生長(zhǎng)第二 GaN層7和非摻雜的AlInGaN異質(zhì)層8。第二 GaN層7的厚度大于等于ρ型GaN層6的厚度，由此形成了柵極區(qū)域的凹槽溝道；第二 GaN層7的厚度范圍是f500nm，如圖5所示。步驟五、刻蝕掩膜層5，顯露出ρ型GaN層6的界面9，如圖6所示。步驟六、在異質(zhì)層8上表面兩側(cè)的源漏區(qū)域蒸鍍Ti/Al/Ni/Au合金分別形成源極和漏極10 ;源極和漏極可互換，即如果一側(cè)是源極，那另一側(cè)就是漏極，如圖7所示。步驟七、通過(guò)物理氣相沉積(PVD)或者等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)或者原子層沉積(ALD)或者磁控濺鍍等在器件的上表面除源極和漏極位置外均沉積一層Al2O3,作為柵極的絕緣介質(zhì)層11，如圖8所示。步驟八、在絕緣介質(zhì)層11上凹槽溝道位置處蒸鍍Ni/Au合金作為柵極12，如圖9所示。實(shí)施例2
如圖10所示，為本發(fā)明的GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件的另一種結(jié)構(gòu)示意圖，它與實(shí)施例I的器件結(jié)構(gòu)基本相同，區(qū)別僅在于，在選擇生長(zhǎng)異質(zhì)層時(shí)通過(guò)調(diào)制N型摻雜，即形成N型摻雜的異質(zhì)層13，以進(jìn)一步降低源、漏區(qū)域的歐姆接觸電阻，提高器件的電流密度。
權(quán)利要求
1.一種GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件，包括柵極、源極、漏極、絕緣介質(zhì)層和襯底(I )，其特征在于，所述襯底上由下往上依次設(shè)有應(yīng)力緩沖層(2)、第一 GaN層(3)和選擇生長(zhǎng)層，所述選擇生長(zhǎng)層包括第二 GaN層(7)和其上的異質(zhì)層(8);所述選擇生長(zhǎng)層中部具有貫通的凹槽溝道，在凹槽溝道底面覆蓋有P型GaN層(6)，所述P型GaN層(6)的厚度小于等于第二 GaN層(7)的厚度；異質(zhì)層(8)上表面的兩側(cè)位置覆蓋有歐姆接觸金屬分別形成源極和漏極，絕緣介質(zhì)層(10)覆蓋于器件的上表面除源極和漏極位置外的區(qū)域，柵極覆蓋于絕緣介質(zhì)層上的凹槽溝道處。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件，其特征在于，所述異質(zhì)層(8)為AlGaN, AlInN, AlInGaN, AlN材料中的一種或任意幾種組合，所述異質(zhì)層為非摻雜層或N型摻雜層；異質(zhì)層(8)厚度范圍是I 50nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件，其特征在于，所述第一GaN層(3)為高阻GaN層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)層(10)的材料為 Si02、SiNx、Al203、AlN、Hf02、Mg0、Sc203、Ga203、AlHf0x、HfSiON 中的任一種或任意幾種的組合；絕緣介質(zhì)層(11)厚度范圍是I 50nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件，其特征在于，所述p型GaN層(6)的厚度范圍是f500nm，所述第二 GaN層(7)的厚度范圍是f500nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件，其特征在于，所述形成源極和漏極的歐姆金屬為T(mén)i/Al/Ni/Au合金、Ti/Al/Ti/Au合金或Ti/Al/Mo/Au合金；所述形成柵極的歐姆金屬為Ni/Au合金、Pt/Al合金或Pd/Au合金。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件，其特征在于，所述襯底(I)為Si襯底、SiC襯底或藍(lán)寶石襯底。
8.一種GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟 步驟一、在襯底上，依次生長(zhǎng)應(yīng)力緩沖層(2)、第一 GaN層(3)和P型GaN層(6); 步驟二、在P型GaN層(6)上，均勻生長(zhǎng)一層介質(zhì)層(4)，刻蝕接入?yún)^(qū)的介質(zhì)層，保留柵極區(qū)域的介質(zhì)層作為掩膜層(5)； 步驟三、刻蝕接入?yún)^(qū)的P型GaN層，保留柵極區(qū)域的P型GaN層(6)； 步驟四、在接入?yún)^(qū)生長(zhǎng)第二 GaN層(7)和異質(zhì)層(8)，第二 GaN層(7)的厚度大于等于p型GaN層(6)的厚度，由此形成了柵極區(qū)域的凹槽溝道； 步驟五、刻蝕掩膜層(5)，顯露出P型GaN層(6)的界面(9); 步驟六、在異質(zhì)層(8)上表面兩側(cè)的源漏區(qū)域蒸鍍歐姆金屬分別形成源極和漏極(10)； 步驟七、在器件的上表面除源極和漏極位置外均沉積絕緣介質(zhì)，作為柵極的絕緣介質(zhì)層(11); 步驟八、在絕緣介質(zhì)層(11)上凹槽溝道位置處蒸鍍歐姆金屬作為柵極(12)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件的制備方法，其特征在于，所述步驟一中應(yīng)力緩沖層(2)、高阻GaN層(3)和P型GaN層(6)的生長(zhǎng)方法以及步驟四中第二 GaN層(7)和異質(zhì)層(8)的生長(zhǎng)方法為金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法或分子束外延法。
10.權(quán)利要求8所述的GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件的制備方法，其特征在于，所述步驟二中介質(zhì)層以及步驟七中絕緣介質(zhì)層的 生長(zhǎng)方法為物理氣相沉積法、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法、原子層沉積法或磁控濺鍍法。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種GaN增強(qiáng)型MIS-HFET器件及其制作方法。本發(fā)明的器件包括柵極、源極、漏極、絕緣介質(zhì)層和襯底，所述襯底上由下往上依次設(shè)有應(yīng)力緩沖層、第一GaN層和選擇生長(zhǎng)層，所述選擇生長(zhǎng)層包括第二GaN層和其上的異質(zhì)層；所述選擇生長(zhǎng)層中部具有貫通的凹槽溝道，在凹槽溝道底面覆蓋有p型GaN層，所述p型GaN層的厚度小于等于第二GaN層的厚度；異質(zhì)層上表面的兩側(cè)位置覆蓋有歐姆接觸金屬分別形成源極和漏極，絕緣介質(zhì)層覆蓋于器件的上表面除源極和漏極位置外的區(qū)域，柵極覆蓋于絕緣介質(zhì)層上的凹槽溝道處。本發(fā)明制作工藝簡(jiǎn)單，器件穩(wěn)定性高，同時(shí)提高了器件的閾值電壓。
文檔編號(hào)H01L21/335GK102856374SQ20121038151
公開(kāi)日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月10日
發(fā)明者劉揚(yáng), 張金城, 賀致遠(yuǎn), 張佰君 申請(qǐng)人:中山大學(xué)