專利名稱：具有無源器件的封裝件及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地來說，涉及具有無源器件的封裝件及其形成方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體管芯變得越來越小。同時，需要將更多功能集成在半導(dǎo)體管芯中。相應(yīng)地，半導(dǎo)體管芯需要具有封裝在更小的區(qū)域中的更大數(shù)量的I/O焊盤，并且隨著時間的推移，I/o焊盤的密度迅速上升。因此，半導(dǎo)體管芯的封裝變得更加困難，從而對封裝的成品率產(chǎn)生了負面影響。傳統(tǒng)封裝技術(shù)可以分為兩種類型。在第一種封裝件中，在切割之前封裝晶圓上管芯。這種封裝技術(shù)具有一些有利的特征，如高產(chǎn)量和低成本。此外，需要較少的底部填充物或模塑料。然而，這種封裝技術(shù)也具有缺陷。如上面提到的，管芯的尺寸越來越小，相應(yīng)封裝件只能是扇入型封裝件，其中，每個管芯的I/o焊盤都限定直接位于相應(yīng)管芯的表面上方的區(qū)域。對于有限的管芯面積，由于I/o焊盤間距的限制，限制了 I/O焊盤的數(shù)量。如果減小焊盤的間距，可能出現(xiàn)焊橋。另外地，在固定焊球尺寸要求下，焊球必須具有一定的尺寸，從而反過來限制了可以封裝在管芯表面上方的焊球數(shù)量。在另一種封裝件中，在封裝管芯之前就從晶圓上切割管芯，并僅封裝“已知好管芯”。這種封裝技術(shù)的有利特征是形成扇出封裝件的可能，從而意味著管芯上的I/O焊盤可以被再分布到比管芯更大的區(qū)域，因此可能增加封裝在管芯表面的I/o焊盤的數(shù)量。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種器件，包括:襯底；金屬焊盤，位于所述襯底上方；鈍化層，包括位于所述金屬焊盤上方的部分；鈍化后互連(PPI)線，位于所述鈍化層上方并且與所述金屬焊盤電耦合；凸塊底部金屬(UBM)，位于所述PPI線上方并且與所述PPI線電耦合；以及無源器件，包括與所述UBM處于相同水平的部分，所述無源器件的該部分由與所述UBM相同的材料形成。在該器件中，從基本上由電阻器、電容器、電感器、變壓器、共面波導(dǎo)、帶狀線以及它們的組合所組成的組中選擇所述無源器件。在該器件中，所述無源器件的該部分包括鈦層以及位于所述鈦層上方的銅層。該器件進一步包括圍繞所述襯底并與所述襯底處于相同水平的聚合物，所述聚合物進一步包括與所述金屬焊盤處于相同水平的部分，以及所述無源器件包括位于所述聚合物上方并與所述聚合物對準的部分， 在該器件中，所述聚合物包括模塑料。該器件進一步包括:金屬柱，位于所述金屬焊盤上方并與所述金屬焊盤連接，所述金屬柱、所述鈍化層和所述聚合物的頂面基本上彼此平齊；介電層，位于所述金屬柱、所述聚合物和所述鈍化層上方；以及通孔，位于所述介電層中，所述通孔位于所述PPI線和所述金屬柱之間并且互連所述PPI線和所述金屬柱。在該器件中，所述無源器件進一步包括位于所述介電層中的部分。該器件進一步包括:焊料區(qū)，位于所述UBM上方并與所述UBM接觸；封裝元件，與所述焊料區(qū)接合；以及底部填充物，包圍所述焊料區(qū)，所述底部填充物與所述無源器件接觸。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種器件，包括:管芯，包括:半導(dǎo)體襯底；金屬焊盤，位于所述半導(dǎo)體襯底上方；鈍化層，包括位于所述金屬焊盤上方的部分；以及金屬柱，位于所述金屬焊盤上方并延伸到所述鈍化層中；模塑料，包圍所述管芯；第一介電層，位于所述金屬柱、所述鈍化層和所述模塑料上方；鈍化后互連(PPI)線，位于所述第一介電層上方，并且通過所述金屬柱和所述第一介電層中的通孔電耦合至所述金屬焊盤；第二介電層，包括位于所述PPI線上方的部分；凸塊底部金屬(UBM)，位于所述PPI線上方并與所述PPI線電耦合，所述UBM延伸到所述第二介電層中；焊料區(qū)，位于所述UBM上方并與所述UBM連接；以及無源器件，包括位于所述第一介電層中的第一部分以及位于第二介電層上方的第二部分。在該器件中，所述模塑料包括:與所述半導(dǎo)體襯底的底面平齊的底面；以及與所述鈍化層和所述金屬柱的頂面平齊的頂面。在該器件中，所述無源器件包括位于所述模塑料上方并與所述模塑料對準的部分。在該器件中，從基本上由電阻器、電容器、電感器、變壓器、共面波導(dǎo)、帶狀線以及它們的組合所組成的組中選擇所述無源器件。在該器件中，所述無源器件進一步包括位于所述第二介電層中的部分。在該器件中，所述第一介電層和所述第二介電層包括聚酰亞胺。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種方法，包括:將管芯附接在載具上方，所述管芯包括:半導(dǎo)體襯底；金屬焊盤，位于所述半導(dǎo)體襯底上方；鈍化層，包括位于所述金屬焊盤上方的部分；以及金屬柱，位于所述金屬焊盤上方并延伸到所述鈍化層中；通過聚合物模制所述管芯，所述聚合物包圍所述管芯；將第一介電層形成在所述金屬柱、所述鈍化層和所述聚合物上方；將第一開口形成在所述第一介電層中，通過所述第一開口中的一個開口暴露所述金屬柱；將鈍化后互連(PPI)線形成在所述鈍化層上方，并通過所述金屬柱以及位于所述第一開口中的所述一個開口中的通孔電耦合至所述金屬焊盤；形成第二介電層，所述第二介電層包括位于所述PPI線上方的部分；將凸塊底部金屬(UBM)形成在所述PPI線上方并與所述PPI線電耦合；將焊料區(qū)形成在所述UBM上方并與所述UBM連接；以及在形成所述UBM時，同時形成無源器件的第一部分。在該方法中，所述第一開口包括位于所述聚合物上方并與所述聚合物對準的部分，以及在形成所述PPI線時，金屬材料被填充在所述第一開口的部分中以形成所述無源器件的第二部分。該方法進一步包括圖案化所述第二介電層以形成第二開口，在填充所述UBM時，填充所述第二開口以形成所述無源器件的額外部分。該方法進一步包括:將電介質(zhì)掩模層形成在所述無源器件和所述UBM層上方；以及圖案化所述電介質(zhì)掩模層以暴露所述焊料區(qū)，通過所述電介質(zhì)掩模層的剩余部分覆蓋所述無源器件。該方法進一步包括:將所述焊料區(qū)接合至封裝元件；以及將底部填充物散布在所述第二介電層和所述封裝元件之間的間隙中，其中，所述底部填充物與所述無源器件接觸。該方法進一步包括:在形成所述第一介電層的步驟之前，實施研磨步驟以使所述金屬柱、所述鈍化層和所述聚合物的頂面平齊。


為了更好地理解實施例及其優(yōu)點，現(xiàn)在將結(jié)合附圖所進行的以下描述作為參考，其中:圖1至圖11是根據(jù)各種示例性實施例制造封裝件的中間階段的橫截面圖；圖12至圖14是根據(jù)各種可選實施例制造封裝件的中間階段的橫截面圖；以及圖15A至圖19示出了一些示例性的集成無源器件(IPD)。
具體實施例方式以下詳細討論了本公開內(nèi)容的實施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本發(fā)明提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實現(xiàn)的可應(yīng)用的發(fā)明理念。所討論的具體實施例是說明性的，并沒有限定本公開內(nèi)容的范圍。根據(jù)實施例提供包括集成無源器件(IPD)的封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法。示出了制造封裝件的中間階段。還討論了實施例的變型例。在所有的各個附圖和說明性的實施例中，相同的參考標號用于指定相同的元件。參考圖1，提供管芯100。管芯100包括襯底20，該襯底可以是半導(dǎo)體襯底。管芯100可以包括集成電路器件23及形成在其中的上覆互連結(jié)構(gòu)(未示出)。集成電路器件23可以包括諸如晶體管的有源器件。接合焊盤22形成在管芯100中，并且可以通過互連結(jié)構(gòu)電耦合至集成電路器件23。接合焊盤22可以由鋁、銅、鎳或者它們的組合形成。鈍化層24和26形成在接合焊盤22上方。在一些實施例中，接合焊盤22的頂面基本上與鈍化層24的底面24B的部分平齊。可以從阻焊劑、聚酰亞胺、聚苯并惡唑(PBO)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、JSR、模塑料等中選擇鈍化層24和26的材料。鈍化層24和26的邊緣可以與襯底20的相應(yīng)邊緣豎直地對準。鈍化層24和26可以分別地被稱為鈍化-1和鈍化_2。金屬柱28形成在鈍化層24中，并且電耦合至接合焊盤22。在一些實施例中，金屬柱28具有與接合焊盤22的頂面接觸的底面。金屬柱28可以包括銅，因此在通篇描述中可選地被稱為銅柱28。然而，諸如鎳和/或鋁的其他導(dǎo)電材料也可以用于形成銅柱28。在一些實施例中，銅柱28的頂面28A基本上與鈍化層26的頂面26A平齊。在其他實施例中，銅柱28的頂面28A低于頂面26A，因此銅柱28位于鈍化層26中，其中，鈍化層26的較薄部分覆蓋銅柱28。
參考圖2，粘合層32設(shè)置(例如，層壓)在載具30上。粘合層32可以由粘著劑形成。管芯100通過粘合層32安裝在載具30上。雖然示出了單個管芯100，但是可以有置于載具30上方的多個彼此相同的管芯100。在管芯100包括半導(dǎo)體襯底20的實施例中，半導(dǎo)體襯底20的底面20B與粘合層32接觸。在相鄰的管芯100之間保留間隙。圖3示出了在管芯100上方模制的聚合物34。聚合物34可以是模塑料，因此，此后被稱為模塑料34，但是該聚合物也可以由其他材料形成。模塑料34可以包括填充在管芯100之間的間隙中的有機材料，諸如環(huán)氧樹脂。也可以通過模塑料34覆蓋管芯100的頂面。然后，實施固化工藝以固化模塑料34。此外，如圖3所述，在模塑料34上方實施諸如研磨的平坦化，直到暴露銅柱28以及可能的鈍化層26。相應(yīng)地，鈍化層26的頂面26A、銅柱28的頂面28A以及模塑料34的頂面34A可以基本上彼此平齊。在銅柱28內(nèi)嵌在鈍化層26的實施例中，還研磨鈍化層26的層。作為研磨的結(jié)果，可以沒有位于管芯100上方的模塑料34。在圖3的結(jié)構(gòu)的俯視圖中，管芯100由模塑料34包圍。參考圖4，介電層36形成在模塑料34、鈍化層26及銅柱28上方。例如，可以使用聚酰亞胺、PB0、BCB、JSR形成介電層36。開口 38形成在介電層36中，并通過開口 38暴露銅柱28。在一些實施例中，當形成開口 38時，同時形成開口 40。開口 40可以位于模塑料34上方并且與模塑料34對準，和/或位于鈍化層26上方并且與鈍化層26對準。參考圖5，形成銅鈍化后互連(PPI)結(jié)構(gòu)。銅PPI結(jié)構(gòu)包括形成在開口 38中的通孔42，以及位于介電層36上方的PPI線44。通孔42將銅柱28電耦合至PPI線44。PPI線44可以在模塑料34上方延伸并與模塑料34對準，以形成扇出結(jié)構(gòu)。在形成通孔42和PPI線44時，還形成PPI部件46和部件48，其中PPI部件46位于介電層36中，并且PPI部件48位于介電層36上方。PPI部件46和48中的每一個都可以是金屬線或金屬通孔。在一些實施例中，PPI部件46和48具有彼此對準的相應(yīng)邊緣，以便PPI部件46和48共同形成厚導(dǎo)電部件。在可選實施例中，PPI部件46和48的邊緣未對準，因此PPI部件46和48在俯視圖中具有不同形狀和/或在俯視圖中具有不同尺寸。通孔42、PPI線44以及PPI部件46和48可以包括銅和/或其他導(dǎo)電材料，諸如鋁。示例性的形成工藝包括形成和圖案化光刻膠50，以及在光刻膠50的開口中電鍍部件42、44、46和48。然后去除光刻膠50。接下來，參考圖6,介電層52形成在介電層36和部件42、44、46和48上方?？梢允褂门c介電層36相同的材料形成介電層52。例如，介電層52可以包括聚酰亞胺、PB0、BCB、JSR等。介電層36和52可以由相同材料或不同材料形成。開口 54形成在介電層52中，以便暴露PPI線44。開口 54可以位于模塑料34或鈍化層36上方并與模塑料34或鈍化層36對準。在一些實施例中，當形成開口 54時，同時形成開口 56。通過開口 56暴露PPI部件48中的一些。接下來，形成凸塊底部金屬(UBM)層58，以延伸到開口 54和56中，從而與PPI線44和PPI部件48接觸。在一些示例性實施例中，UBM層58包括鈦層58A和位于鈦層58A上方的銅層58B。在圖7中，形成和圖案化光刻膠60，以便暴露UBM層58的一些部分，而覆蓋一些其他部分。可以實施電鍍工藝以在UBM層58的暴露部分上方電鍍金屬材料,該金屬材料可以包括銅、鎳、鈀、錫、鋁、它們的合金或它們的組合。電鍍的材料包括部分62A和62B。部分62A位于PPI部件48上方并與PPI部件48連接。部分62B位于PPI線44上方并與PPI線44連接。參考圖8，去除光刻膠60。實施蝕刻以去除當實施電鍍時通過光刻膠60覆蓋的UBM層58的部分。UBM層58的剩余部分包括位于金屬材料部分62A下方的第一部分，以及位于金屬材料部分62B下方的第二部分。在通篇描述中，金屬材料部分62A和UBM層58的第一部分共同被稱為UBM再分布線(RDL)66。金屬材料部分62B和UBM層58的第二部分共同稱為UBM 64。UBM RDL 66和下面的PPI部件46和48形成IPD 200，IPD 200可以是電阻器、電容器、電感器、變壓器、平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器(balun)、帶狀線、共面波導(dǎo)等。IPD 200可以位于模塑料34上方并與模塑料34對準?？蛇x地，IPD 200可以位于管芯100上方并與管芯100對準，其中虛線矩形68示出了可以形成IPD 200的位置。圖9不出了是介電層的掩模層70的形成。在一些實施例中，掩模層70由可以將IPD 200從外部環(huán)境的有害物質(zhì)隔離的材料形成。例如，掩模層70可以由聚酰亞胺、ΡΒ0、BCB或類似材料形成。通過圖案化掩模層70形成開口 72。通過開口 72暴露UBM 64。接下來，如圖10所示，可以是焊球的焊料區(qū)74形成在UBM 64上方。在通篇描述中，形成在粘合層32上方的結(jié)構(gòu)共同被稱為晶圓76，該晶圓包括多個管芯100和相應(yīng)連接的IB)器件200。在后續(xù)步驟中，晶圓76可以與載具30分離，并且可以從晶圓76剝離粘合層32?？梢匝刂鴦澗€77實施管芯切割，以將晶圓76切割為多個封裝件78。在圖11中示出了示例性封裝件78。圖12至圖14示出了根據(jù)可選實施例形成封裝件的中間階段的橫截面圖。除非另有說明，否則這些實施例中的元件的材料及形成方法基本上與通過在圖1至圖11所示的實施例中的相同的參考標號表示的相同元件相同。因此，在圖1至圖11所示的實施例的討論中可以找到示出在圖12至圖14所述的相同元件的細節(jié)。這些實施例的初始步驟基本上與在圖1至圖8中所示的步驟的相同。接下來，如圖12所示，在沒有形成覆蓋IPD 200的掩模層的情況下，形成焊料區(qū)74。將是粘合層32上方的結(jié)構(gòu)的部分的晶圓76切割為多個封裝件78。參考圖13，封裝件78中的一個接合至封裝元件300，封裝元件300可以是中介層、封裝襯底、另一個封裝件、印刷電路板(PCB)等。接下來，如圖14所示，底部填充物80散布在封裝元件300和封裝件78之間的間隙中，然后固化該底部填充物80。底部填充物80保護無源器件200防止外部環(huán)境中的濕氣或其他有害物質(zhì)的損害。圖15A至圖19示出了一些如圖11至圖14所示的示例性的IPD 200。圖15A至圖19中的IPD 200的形成方法可以通過參考圖1至圖11找到。在每個IPD 200中，當形成UBM RDL 66、下導(dǎo)電層、PPI線44，以及通孔42同，同時形成為相同層的上導(dǎo)電層。圖15A示出了是金屬氧化物金屬(MOM)電容器的IPD 200的俯視圖。IH) 200包括第一多個電容器指狀元件66 (上層)，互連形成電容器的一個電容器極板；以及電容器指狀元件46/48(下層)，互連形成電容器的另一個電容器極板。圖15B示出了透視圖。指狀兀件66及46/48可以通過形成電容器絕緣體部分的介電層52的部分(圖15A和圖15B未示出，請參看圖11至圖14)彼此間隔開。圖16A和圖16B分別地示出了 IPD 200的透視圖和橫截面圖，IPD 200是共面波導(dǎo)，并且包括信號線82和位于信號線82相對側(cè)并與信號線82平行的接地線84。參考圖16B，信號線82和接地線84中的每一條都可以包括上部66以及下部46/48，堆疊上部66以及下部46/48以形成較厚線。通過堆疊部分66和46/48，減小了線82和84的線電阻，并且改善了共面波導(dǎo)200的性能。圖17示出了是帶狀線的IPD 200的透視圖，該IPD200包括用作接地面的PPI部件46/48。UBM RDL 66用作信號線，UBM RDL 66通過介電層52的上部(圖11和圖14)與接地面46/48分離。圖18示出了帶狀線。與圖17所示的結(jié)構(gòu)相反，在該實施例中，信號線是PPI部件46/48的一部分，而接地線是UBM RDL 66的一部分。圖19示出了變壓器或平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器200，其中，變壓器/平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器200中的線圈可以包括堆疊的部件46/48，而UBM 66可以用作線圈之間的連接件。通過使用UBM RDL形成IPD，更好地使用封裝區(qū)域。提高了 IPD的性能。形成IPD不要求額外的掩模和光刻步驟。根據(jù)實施例，器件包括襯底、位于襯底上方的金屬焊盤以及具有位于金屬焊盤上方部分的鈍化層。鈍化后互連(PPI)線置于鈍化層上方并且電耦合至金屬焊盤。凸塊底部金屬(UBM)設(shè)置在PPI線上方并與PPI線電耦合。無源器件包括位于與UBM相同的水平面處的部分。無源器件的部分由與UBM相同的材料形成。根據(jù)其他實施例，器件包括管芯，該管芯包括半導(dǎo)體襯底、位于半導(dǎo)體襯底上方的金屬焊盤、包括位于金屬焊盤上方部分的鈍化層以及位于金屬焊盤上方并且延伸到鈍化層中的金屬柱。模塑料包圍管芯。第一介電層位于金屬柱、鈍化層以及模塑料上方。PPI線位于第一介電層上方并且通過金屬柱和位于第一介電層中的通孔電稱合至金屬焊盤。第二介電層具有位于PPI線上方的部分。UBM位于PPI線上方并與PPI線電耦合，其中，UBM延伸到第二介電層中。焊料層位于UBM上方并與UBM連接。無源器件包括位于第一介電層中的第一部分，以及位于第二介電層上方的第二部分。根據(jù)又一個實施例，方法包括在載具上方附接管芯。管芯包括半導(dǎo)體襯底、位于半導(dǎo)體襯底上方的金屬焊盤、包括位于金屬焊盤上方部分的鈍化層以及位于金屬焊盤上方并延伸到鈍化層中的金屬柱。用聚合物模制管芯，其中，聚合物包圍管芯。方法進一步包括在金屬柱、鈍化層以及聚合物上方形成第一介電層，以及在第一介電層內(nèi)形成第一開口。通過第一開口中的一個開口暴露金屬柱。PPI線形成在鈍化層上方并通過金屬柱和位于第一開口的一個開口中的通孔電耦合至金屬焊盤。形成第二介電層，并且包括位于PPI線上方的部分。形成UBM以位于PPI線上方并與PPI線電耦合。焊料區(qū)形成在UBM上方并與UBM連接。在形成UBM時，同時形成無源器件的部分。盡管已經(jīng)詳細地描述了本實施例及其優(yōu)點，但是應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的本實施例的主旨和范圍的情況下，做各種不同的改變、替換和更改。而且，本申請的范圍并不僅限于本說明書中描述的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，通過本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所采用的所述相應(yīng)實施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。此外，每條權(quán)利要求構(gòu)成單獨的實施例，并且多個權(quán)利要求和實施例的組合在本公開內(nèi)容的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種器件，包括: 襯底； 金屬焊盤，位于所述襯底上方； 鈍化層，包括位于所述金屬焊盤上方的部分； 鈍化后互連(PPI)線，位于所述鈍化層上方并且與所述金屬焊盤電耦合； 凸塊底部金屬(UBM)，位于所述PPI線上方并且與所述PPI線電耦合；以及無源器件，包括與所述UBM處于相同水平的部分，所述無源器件的該部分由與所述UBM相同的材料形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，從基本上由電阻器、電容器、電感器、變壓器、共面波導(dǎo)、帶狀線以及它們的組合所組成的組中選擇所述無源器件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述無源器件的該部分包括鈦層以及位于所述鈦層上方的銅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進一步包括圍繞所述襯底并與所述襯底處于相同水平的聚合物，所述聚合物進一步包括與所述金屬焊盤處于相同水平的部分，以及所述無源器件包括位于所述聚合物上方并與所述聚合物對準的部分，
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中，所述聚合物包括模塑料。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，進一步包括: 金屬柱，位于所述金屬焊盤上方并與所述金屬焊盤連接，所述金屬柱、所述鈍化層和所述聚合物的頂面基本上彼此平齊； 介電層，位于所述金屬柱、所述聚合物和所述鈍化層上方；以及通孔，位于所述介電層中，所述通孔位于所述PPI線和所述金屬柱之間并且互連所述PPI線和所述金屬柱。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中，所述無源器件進一步包括位于所述介電層中的部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進一步包括: 焊料區(qū)，位于所述UBM上方并與所述UBM接觸； 封裝元件，與所述焊料區(qū)接合；以及 底部填充物，包圍所述焊料區(qū)，所述底部填充物與所述無源器件接觸。
9.一種器件，包括: 管芯，包括: 半導(dǎo)體襯底； 金屬焊盤，位于所述半導(dǎo)體襯底上方； 鈍化層，包括位于所述金屬焊盤上方的部分；以及 金屬柱，位于所述金屬焊盤上方并延伸到所述鈍化層中； 模塑料，包圍所述管芯； 第一介電層，位于所述金屬柱、所述鈍化層和所述模塑料上方； 鈍化后互連(PPI)線，位于所述第一介電層上方，并且通過所述金屬柱和所述第一介電層中的通孔電耦合至所述金屬焊盤； 第二介電層，包括位于所述PPI線上方的部分；凸塊底部金屬(UBM)，位于所述PPI線上方并與所述PPI線電耦合，所述UBM延伸到所述第二介電層中； 焊料區(qū)，位于所述UBM上方并與所述UBM連接；以及 無源器件，包括位于所述第一介電層中的第一部分以及位于第二介電層上方的第二部分。
10.一種方法，包括: 將管芯附接在載具上方，所述管芯包括: 半導(dǎo)體襯底； 金屬焊盤，位于所述半導(dǎo)體襯底上方； 鈍化層，包括位于所述金屬焊盤上方的部分；以及 金屬柱，位于所述金屬焊盤上方并延伸到所述鈍化層中； 通過聚合物模制所述管芯，所述聚合物包圍所述管芯； 將第一介電層形成在所述金屬柱、所述鈍化層和所述聚合物上方； 將第一開口形成在所述第一介電層中，通過所述第一開口中的一個開口暴露所述金屬柱； 將鈍化后互連(PPI)線形成在所述鈍化層上方，并通過所述金屬柱以及位于所述第一開口中的所述一個開口中的通孔電耦合至所述金屬焊盤； 形成第二介電層，所述第二介電層包括位于所述PPI線上方的部分； 將凸塊底部金屬(UBM)形成在所述PPI線上方并與所述PPI線電耦合； 將焊料區(qū)形成在所述UBM上方并與所述UBM連接；以及 在形成所述UBM時，同時形成無源器件的第一部分。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種器件，包括襯底、位于襯底上方的金屬焊盤，以及具有位于金屬焊盤上方部分的鈍化層。鈍化后互連(PPI)線設(shè)置在鈍化層上方并且電耦合至金屬焊盤。凸塊底部金屬(UBM)設(shè)置在PPI線上方并且電耦合至PPI線。無源器件包括位于與UBM相同水平面處的部分。無源器件的部分由與UBM相同的材料形成。本發(fā)明還提供了具有無源器件的封裝件及其形成方法。
文檔編號H01L23/31GK103187394SQ201210419270
公開日2013年7月3日 申請日期2012年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月29日
發(fā)明者余振華, 侯上勇, 葉德強, 陳碩懋, 葉炅翰, 林儀柔 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司