專利名稱：大功率led的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種大功率LED。
背景技術(shù)：
如圖I所不,現(xiàn)有技術(shù)中的大功率LED,其一般包括殼體I’、設(shè)于金屬熱沉3’上的發(fā)光芯片2’，與該發(fā)光芯片2’電連接的導(dǎo)線引腳4’，將所述發(fā)光芯片封裝于內(nèi)部的硅膠層5’，這種結(jié)構(gòu)的大功率LED，由于其所用的硅膠量較大，硅膠層5’通常采用的是低折射的硅膠，采用低折射率的硅膠雖然可降低生產(chǎn)成本，但是由于發(fā)光芯片2’外采用的是低折射率的娃膠，其光束輸出量少。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供ー種大功率LED，以提升LED光源的光束
輸出量。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案ー種大功率LED，包括殼體、設(shè)于殼體中的金屬熱沉、設(shè)于金屬熱沉上的發(fā)光芯片、與該發(fā)光芯片電連接的導(dǎo)電引腳、將所述發(fā)光芯片封裝于金屬熱沉上的硅膠層，所述硅膠層包括包裹著該發(fā)光芯片的內(nèi)硅膠層以及包裹于內(nèi)硅膠層外部的外硅膠層，且內(nèi)硅膠層的折射率高于外硅膠層的折射率。進(jìn)ー步地，所述內(nèi)硅膠層由苯環(huán)硅膠制成。進(jìn)ー步地，所述內(nèi)硅膠層呈圓弧頂蓋形。進(jìn)ー步地，所述硅膠層呈半球形。進(jìn)ー步地，所述內(nèi)硅膠層的折射率為1.5 1.7，而外硅膠層的折射率為I. 35 I. 45。進(jìn)ー步地，所述內(nèi)硅膠層是點(diǎn)膠方式成型而成，而外硅膠層是模具注塑成型而成。本實(shí)用新型的有益效果是在所述發(fā)光芯片和外硅膠層之間還設(shè)有內(nèi)硅膠層，內(nèi)硅膠層包裹著發(fā)光芯片封裝于內(nèi)部，通過(guò)內(nèi)外兩次封膠，且內(nèi)硅膠層采用高折射率的硅膠材料制成，這種結(jié)構(gòu)的LED光源提升了光束輸出量。
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)ー步的詳細(xì)描述。

圖I是現(xiàn)有技術(shù)中大功率LED的示意圖。圖2是本實(shí)用新型大功率LED的示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖2所示，本實(shí)用新型提供ー種大功率LED，包括殼體I、發(fā)光芯片2、金屬熱沉3、導(dǎo)電引腳4、由外硅膠層5及內(nèi)硅膠層6形成的硅膠層。[0015]所述殼體I內(nèi)設(shè)有金屬熱沉3，該金屬熱沉3用于給所述發(fā)光芯片2散熱，其固定于所述殼體I內(nèi)，所述發(fā)光芯片2固定于所述金屬熱沉3上，所述導(dǎo)電引腳4與所述發(fā)光芯片2電連接，所述發(fā)光芯片2被所述內(nèi)硅膠層6包裹在所述金屬熱沉3上，內(nèi)硅膠層6采用高折射率(I. 5-1. 7)的娃膠材料制成,例如苯環(huán)娃膠,其形狀如圓弧頂蓋形,便于光線均勻散出。所述內(nèi)硅膠層6外由所述內(nèi)硅膠層6包裹著；所述外硅膠層5由低折射率(I. 35-1. 45)的硅膠材料制成，例如甲基硅膠，所述外硅膠層5呈半球形。本實(shí)施例的大功率LED的制作エ藝如下步驟一，在金屬熱沉3上固置發(fā)光芯片2 ；步驟ニ，在發(fā)光芯片2周圍點(diǎn)內(nèi)硅膠層6，使內(nèi)硅膠層6完全包覆住發(fā)光芯片2 ；步驟三，通過(guò)熱鉚、熱壓邊或粘接的方式將中空的PC Lens定位于殼體I上方，再往所述PC Lens里注入外娃膠層5,完成制作エ藝。所述步驟三也可以是這樣，直接通過(guò)用模具注塑生成外硅膠層5。以上所述是本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.ー種大功率LED，包括殼體、設(shè)于殼體中的金屬熱沉、設(shè)于金屬熱沉上的發(fā)光芯片、與該發(fā)光芯片電連接的導(dǎo)電引腳、將所述發(fā)光芯片封裝于金屬熱沉上的硅膠層，其特征在干所述硅膠層包括包裹著該發(fā)光芯片的內(nèi)硅膠層以及包裹于內(nèi)硅膠層外部的外硅膠層，且內(nèi)硅膠層的折射率高于外硅膠層的折射率。
2.如權(quán)利要求I所述的大功率LED，其特征在于所述內(nèi)硅膠層由苯環(huán)硅膠制成。
3.如權(quán)利要求I所述的大功率LED，其特征在于所述內(nèi)硅膠層呈圓弧頂蓋形。
4.如權(quán)利要求I所述的大功率LED，其特征在于所述硅膠層呈半球形。
5.如權(quán)利要求I所述的大功率LED，其特征在于所述內(nèi)硅膠層的折射率為I.5 I. 7，而外娃膠層的折射率為I. 35 I. 45。
6.如權(quán)利要求I所述的大功率LED，其特征在于所述內(nèi)硅膠層是點(diǎn)膠方式成型而成，而外硅膠層是模具注塑成型而成。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種大功率LED，包括殼體、設(shè)于殼體中的金屬熱沉、設(shè)于金屬熱沉上的發(fā)光芯片、與該發(fā)光芯片電連接的導(dǎo)電引腳、將所述發(fā)光芯片封裝于金屬熱沉上的硅膠層，所述硅膠層包括包裹著該發(fā)光芯片的內(nèi)硅膠層以及包裹于內(nèi)硅膠層外部的外硅膠層，且內(nèi)硅膠層的折射率高于外硅膠層的折射率；所述內(nèi)硅膠層的折射率為1.5~1.7，而外硅膠層的折射率為1.35~1.45。本實(shí)用新型主要解決現(xiàn)有的大功率LED其光束輸出量較少的問(wèn)題；達(dá)到提升大功率LED的光束輸出量的目的。
文檔編號(hào)H01L33/52GK202454610SQ20122001306
公開(kāi)日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2012年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月12日
發(fā)明者周波 申請(qǐng)人:深圳市兆馳節(jié)能照明有限公司