專利名稱：一種具有三相共箱結(jié)構(gòu)的罐式高壓真空斷路器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于高壓電器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及高電壓系統(tǒng)中用干燥空氣或氮?dú)饨^緣的一種具有三相共箱結(jié)構(gòu)的罐式高壓真空斷路器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有高壓斷路器產(chǎn)品多采用六氟化硫作為電氣絕緣與電路開斷介質(zhì)，而六氟化硫的大量使用，對(duì)環(huán)境會(huì)產(chǎn)生污染?；谏鲜鲈?，采用真空開斷技術(shù)的開斷電路逐漸在高電壓領(lǐng)域得到了應(yīng)用。現(xiàn)有技術(shù)中，如申請(qǐng)?zhí)枮?3133431. 8專利申請(qǐng)公開的一種戶外高壓真空斷路器，它不使用六氟化硫氣體做絕緣氣體，但是，它采取的技術(shù)方案是在滅弧室外部充入一種液態(tài)硅橡膠絕緣介質(zhì)，冷卻后形成固態(tài)的硅橡膠絕緣體，這種硅橡膠絕緣體與滅弧室固封在一起，制作工藝復(fù)雜，尤其是當(dāng)滅弧室出現(xiàn)故障時(shí)，無法單獨(dú)更換滅弧室。日本AE帕瓦株式會(huì)社生產(chǎn)的一種高壓真空斷路器，它也不使用六氟化硫氣體做絕緣氣體，但是，它·采取的技術(shù)方案是將真空滅弧室直接安裝在高壓力的絕緣氣體中，真空滅弧室直接處于高壓力氣體中，因此真空滅弧室承壓很高，這樣就增加了真空滅弧室的制造難度，為了解決上述述問題，本申請(qǐng)人提出的申請(qǐng)?zhí)枮?01110327141. O的專利申請(qǐng)公開了一種罐式高壓真空斷路器，將真空滅弧室與操作絕緣桿安裝在密封的低壓力氣體隔室中，使真空滅弧室工作在表壓為O O. IMPa的干燥空氣或氮?dú)膺@樣低壓力的氣體中，從而有效地保護(hù)了真空滅弧室和波紋管，而高壓力氣體隔室中充入的表壓為O. 15 O. 6MPa干燥空氣或氮?dú)?，高氣壓又保證了斷路器的絕緣性能，這樣就不需要再使用六氟化硫氣體做絕緣氣體，同時(shí)也降低了真空滅弧室的制造難度，而且，在解決了用干燥空氣或氮?dú)庾鳛榻^緣介質(zhì)同時(shí)，解決了真空滅弧室可更換的技術(shù)問題。但是，上述結(jié)構(gòu)只適用于三相獨(dú)立的情況，且需要進(jìn)行分別連接,裝配難度較大,在實(shí)際使用中，占地面積也較大。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，克服現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，提供用干燥空氣或氮?dú)饨^緣的一種具有三相共箱結(jié)構(gòu)的罐式高壓真空斷路器。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案包括罐體，在罐體上部設(shè)有3對(duì)出線口，在罐體內(nèi)安裝有3個(gè)真空滅弧室，在3個(gè)真空滅弧室外都裝有用環(huán)氧樹脂制作的大絕緣筒，3個(gè)大絕緣筒左右兩端分別安裝有左屏蔽電極和右屏蔽電極，每個(gè)左屏蔽電極的左端安裝小絕緣筒，在小絕緣筒內(nèi)安裝有操作絕緣桿，所述真空滅弧室與大絕緣筒之間的腔體以及小絕緣筒與操作絕緣桿之間的腔體相連通形成密封的低壓氣體隔室，3個(gè)大絕緣筒和3個(gè)小絕緣筒與罐體之間的腔體形成密封的高壓氣體隔室。在所述低壓氣體隔室中充入表壓為O O. IMPa的干燥空氣或氮?dú)?，在所述高壓氣體隔室中充入表壓為O. 15 O. 6MPa干燥空氣或氮?dú)狻Ｅc現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是，3個(gè)真空滅弧室為A、B、C三相獨(dú)立結(jié)構(gòu)，每相都安裝在低壓氣體隔室內(nèi)，再將三相低壓氣體隔室裝入I個(gè)罐體中，罐體內(nèi)充入高氣壓，實(shí)現(xiàn)了采用干燥空氣或氮?dú)庾鳛榻^緣介質(zhì)，采用真空滅弧室進(jìn)行開斷和三相共箱結(jié)構(gòu)，因而結(jié)構(gòu)緊湊，安全環(huán)保，且體積小，相對(duì)于采用三相獨(dú)立分體結(jié)構(gòu)的罐式高壓真空斷路器需要3個(gè)罐體而言，節(jié)約了罐體的制作材料和制造成本，也節(jié)約了安裝空間，降低了現(xiàn)場安裝的難度。

圖I是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是圖I的A-A剖視圖，圖3是本實(shí)用新型的使用狀態(tài)安裝示意圖。圖中I.操作絕緣桿,2.罐體，·3.左屏蔽電極，4.大絕緣筒，5.真空滅弧室，6.右屏蔽電極，7.支柱絕緣子，8.泄壓裝置，9.連接母線，10.高壓氣體隔室，11.低壓氣體隔室，12.小絕緣筒13.出線套管，14.電流互感器，15.操作機(jī)構(gòu)，16.支架。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖提供本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
。如圖I和圖2所示，本實(shí)用新型包括I個(gè)整體鑄造的圓筒形罐體2，在罐體2上部設(shè)有3對(duì)出線口，在罐體2內(nèi)呈三角形均勻分布安裝有3個(gè)真空滅弧室5，3個(gè)真空滅弧室為A、B、C三相獨(dú)立結(jié)構(gòu)，在3個(gè)真空滅弧室5外都裝有用環(huán)氧樹脂制作的大絕緣筒4，3個(gè)大絕緣筒4左右兩端分別安裝有左屏蔽電極3和右屏蔽電極6，每個(gè)左屏蔽電極3的左端安裝小絕緣筒12，在小絕緣筒12內(nèi)安裝有操作絕緣桿1，所述真空滅弧室5與大絕緣筒4之間的腔體以及小絕緣筒12與操作絕緣桿I之間的腔體相連通形成密封的低壓氣體隔室11，3個(gè)大絕緣筒4和3個(gè)小絕緣筒12與罐體2之間的腔體形成密封的高壓氣體隔室10，3個(gè)真空滅弧室5左端連接安裝在小絕緣筒12內(nèi)的操作絕緣桿I，右端固定在支柱絕緣子7上，在左屏蔽電極3和右屏蔽電極6外側(cè)上端分別連接有連接母線9，在罐體2右側(cè)安裝泄壓裝置8。在所述低壓氣體隔室11中充入表壓為O O. IMPa的干燥空氣或氮?dú)猓谒龈邏簹怏w隔室10中充入表壓為O. 15 O. 6MPa干燥空氣或氮?dú)?。如圖3所示，使用時(shí)，本實(shí)用新型的罐體2以橫臥形式安裝在支架16上，罐體2的左端通過操作絕緣桿I與操作機(jī)構(gòu)15連接，罐體2的上方左右各安裝電流互感器14，電流互感器14的上端與出線套管13連接，斷路器合閘時(shí)，操作機(jī)構(gòu)15同時(shí)帶動(dòng)3個(gè)真空滅弧室5的動(dòng)觸頭向右運(yùn)動(dòng)，動(dòng)靜觸頭接觸實(shí)現(xiàn)合閘，電流由左側(cè)的出線套管13流入，經(jīng)左側(cè)的連接母線9流至左屏蔽電極3，再經(jīng)真空滅弧室5流至右屏蔽電極6，經(jīng)右側(cè)的連接母線9流至右側(cè)出線套管13 ;分閘時(shí)，操作機(jī)構(gòu)15帶動(dòng)真空滅弧室5的動(dòng)觸頭向左運(yùn)動(dòng)，動(dòng)靜觸頭接觸分離實(shí)現(xiàn)分閘。
權(quán)利要求1.一種具有三相共箱結(jié)構(gòu)的罐式高壓真空斷路器，包括罐體(2)，其特征在于，在罐體(2)上部設(shè)有3對(duì)出線口，在罐體(2)內(nèi)安裝有3個(gè)真空滅弧室(5)，在3個(gè)真空滅弧室(5)外都裝有用環(huán)氧樹脂制作的大絕緣筒(4)，3個(gè)大絕緣筒(4)左右兩端分別安裝有左屏蔽電極(3 )和右屏蔽電極(6 )，每個(gè)左屏蔽電極(3 )的左端安裝小絕緣筒(12 )，在小絕緣筒(12)內(nèi)安裝有操作絕緣桿(1)，所述真空滅弧室(5)與大絕緣筒(4)之間的腔體以及小絕緣筒(12)與操作絕緣桿(I)之間的腔體相連通形成密封的低壓氣體隔室(11)，3個(gè)大絕緣筒(4)和3個(gè)小絕緣筒(12)與罐體(2)之間的腔體形成密封的高壓氣體隔室(10)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述一種具有三相共箱結(jié)構(gòu)的罐式高壓真空斷路器，其特征在于，在所述低壓氣體隔室(11)中充入表壓為O O. IMPa的干燥空氣或氮?dú)?，在所述高壓氣體隔室(10)中充入表壓為O. 15 O. 6MPa干燥空氣或氮?dú)狻！ぁ?br> 專利摘要一種具有三相共箱結(jié)構(gòu)的罐式高壓真空斷路器，克服了現(xiàn)有用干燥空氣或氮?dú)庾鳛榻^緣介質(zhì)的罐式高壓真空斷路器只適用于三相獨(dú)立的情況，裝配難度和占地面積較大的問題，特征是在罐體上部設(shè)有3對(duì)出線口，罐體內(nèi)安裝有3個(gè)真空滅弧室，在所有的低壓氣體隔室中充入表壓為0～0.1MPa的干燥空氣或氮?dú)猓诟邏簹怏w隔室中充入表壓為0.15～0.6MPa干燥空氣或氮?dú)?，有益效果是，?shí)現(xiàn)了采用干燥空氣或氮?dú)庾鳛榻^緣介質(zhì)，采用真空滅弧室進(jìn)行開斷和三相共箱結(jié)構(gòu)，且結(jié)構(gòu)緊湊，體積小，安全環(huán)保，相對(duì)于采用三相獨(dú)立分體結(jié)構(gòu)的罐式高壓真空斷路器需要3個(gè)罐體而言，節(jié)約了罐體的制作材料和制造成本，也節(jié)約了安裝空間，降低了現(xiàn)場安裝的難度。
文檔編號(hào)H01H33/66GK202712037SQ20122021866
公開日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2012年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月16日
發(fā)明者國世崢, 張交鎖, 劉廣斧, 張軍 申請(qǐng)人:沈陽華德海泰電器有限公司