專利名稱：三相整流模塊的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及對三相整流模塊的改進。
背景技術：
傳統(tǒng)三相整流模塊的結構是芯片需通過鑰片焊接在底板上，從截面看，從上到下逐層將連接端子(極片)、上下帶鑰片的芯片、極片、底板通過焊料焊接在一起，組成橋式整流器。這種加工方法帶來的不足是1、由于疊加的層數(shù)多，熱阻相對較大，對產(chǎn)品可靠性有重要影響，同時尺寸大；2、鑰片屬于貴金屬，資源稀缺，使得產(chǎn)品成本相對較高。
實用新型內(nèi)容本實用新型針對以上問題，提供了一種集成度高、體積小、低功耗，有效降低生產(chǎn)成本的三相整流模塊。本實用新型的技術方案是包括交流引線、直流引線、跳線、六只芯片、導熱陶瓷覆銅板和底板，在所述導熱陶瓷覆銅板的背面全部鍍覆有連接銅層，所述連接銅層與所述底板焊接相連；在所述導熱陶瓷覆銅板的正面鍍覆有正極層、負極層和三個交流層；所述六只芯片中的三只焊接在所述正極層上、另外三只分別焊接在所述三個交流層上，所述六只芯片同極向；所述長跳線的一端連接所述正極層上的芯片、另一端連接交流層；所述短跳線的一端連接交流層上的芯片、另一端連接負極層。所述導熱陶瓷覆銅板的銅面厚度為O. 1-0. 5mm。所述底板上設有安裝孔。本實用新型充分利用DBC陶瓷覆銅板之熱膨脹系數(shù)接近硅、銅箔的高載流量、優(yōu)良的導熱性、熱阻低等優(yōu)點和性能穩(wěn)定可靠的GPP芯片、通過先進工藝生產(chǎn)出高性能、低功耗、集成度高、體積小的功率整流模塊。本實用新型與傳統(tǒng)方法生產(chǎn)的產(chǎn)品相比體積可減小40%，熱阻可降低30%。

圖I是本實用新型的結構示意圖，圖2是圖I的俯視圖，圖3是本實用新型中導熱陶瓷覆銅板的結構示意圖，圖4是圖3的俯視圖，圖5是圖3的后視圖，圖6是本實用新型的電路原理圖；圖中I是底板，10是安裝孔，2是導熱陶瓷覆銅板，21是背面，22是正面，3是正極層，31是正極引線，4是交流層，41是交流弓I線，5是芯片，61是長跳線，62是短跳線，7是負極層，71是負極引線。
具體實施方式
本實用新型如圖1-6所示，包括交流引線41、直流引線包括正極引線31和負極引線71、跳線包括長跳線61和短跳線62、六只芯片5、導熱陶瓷覆銅板2和底板1，在所述導熱陶瓷覆銅板2的背面21全部鍍覆有連接銅層，所述連接銅層與所述底板I焊接相連；在所述導熱陶瓷覆銅板2的正面22鍍覆有正極層3、負極層7和三個交流層4 ;所述六只芯片5中的三只焊接在所述正極層3上、另外三只分別焊接在所述三個交流層4上，所述六只芯片5同極向；所述長跳線61的一端連接所述正極層3上的芯片5、另一端連接交流層4 ；所述短跳線62的一端連接交流層上4的芯片5、另一端連接負極層7。所述導熱陶瓷覆銅板2的銅面厚度為0. 1-0. 5_。所述底板I上設有安裝孔10。本實用新型的特點是a)從導熱陶瓷覆銅板2 (DBC)的絕緣、熱阻、覆銅的載流溫升等特點考慮，DBC陶瓷片采用厚0. 3mm 97%氧化鋁，雙面各0. 3mm覆銅(無氧銅)；b)在覆銅上設計線路圖形，集成化程度高；c)根據(jù)DBC的熱膨脹系數(shù)接近硅片的特性，直接將GPP芯片焊接在陶瓷片覆銅上；d)采用跳線連接，減小連接應力對芯片5的影響；e)為提高焊接效果，減少焊接孔洞，采用真空焊接技術。
權利要求1.三相整流模塊，包括交流引線、直流引線、跳線、六只芯片、導熱陶瓷覆銅板和底板，其特征在于，在所述導熱陶瓷覆銅板的背面全部鍍覆有連接銅層，所述連接銅層與所述底板焊接相連；在所述導熱陶瓷覆銅板的正面鍍覆有正極層、負極層和三個交流層；所述六只芯片中的三只焊接在所述正極層上、另外三只分別焊接在所述三個交流層上，所述六只芯片同極向； 所述長跳線的一端連接所述正極層上的芯片、另一端連接交流層； 所述短跳線的一端連接交流層上的芯片、另一端連接負極層。
2.根據(jù)權利要求I所述的三相整流模塊，其特征在于，所述導熱陶瓷覆銅板的銅面厚度為 0. 1-0. 5mm。
3.根據(jù)權利要求I所述的三相整流模塊，其特征在于，所述底板上設有安裝孔。
專利摘要三相整流模塊。涉及對三相整流模塊的改進。提供了一種集成度高、體積小、低功耗，有效降低生產(chǎn)成本的三相整流模塊。包括交流引線、直流引線、跳線、六只芯片、導熱陶瓷覆銅板和底板，在所述導熱陶瓷覆銅板的背面全部鍍覆有連接銅層，所述連接銅層與所述底板焊接相連；在所述導熱陶瓷覆銅板的正面鍍覆有正極層、負極層和三個交流層；所述六只芯片中的三只焊接在所述正極層上、另外三只分別焊接在所述三個交流層上，所述六只芯片同極向；所述長跳線的一端連接所述正極層上的芯片、另一端連接交流層；所述短跳線的一端連接交流層上的芯片、另一端連接負極層。本實用新型與傳統(tǒng)方法生產(chǎn)的產(chǎn)品相比體積可減小40%，熱阻可降低30%。
文檔編號H01L23/373GK202585405SQ20122025960
公開日2012年12月5日 申請日期2012年6月4日 優(yōu)先權日2012年6月4日
發(fā)明者儲文海, 王毅 申請人:揚州揚杰電子科技股份有限公司