專利名稱：增加塑封結(jié)合力的多芯片集成電路引線框架的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種增加塑封結(jié)合力的多芯片集成電路引線框架，屬于半導體封裝行業(yè)。
背景技術：
如圖1所示，傳統(tǒng)的多芯片集成電路引線框架包括第一基島1、第二基島2以及多個內(nèi)引腳3，所述多個內(nèi)引腳3上開設有內(nèi)引腳注漿孔4，用于塑封時與塑封體的結(jié)合，但是實際使用過程中發(fā)現(xiàn)，傳統(tǒng)的多芯片集成電路引線框架與塑封體的結(jié)合力不夠，易受外力的影響而出現(xiàn)塑封體開裂現(xiàn)象，導致產(chǎn)品報廢。因此尋求一種增加塑封結(jié)合力，使得產(chǎn)品不易受外力的影響而出現(xiàn)塑封體開裂現(xiàn)象，保證產(chǎn)品質(zhì)量的多芯片集成電路引線框架尤為重要。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種增加塑封結(jié)合力的多芯片集成電路引線框架，使得產(chǎn)品不易受外力的影響而出現(xiàn)塑封體開裂現(xiàn)象，保證產(chǎn)品質(zhì)量。本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的:一種增加塑封結(jié)合力的多芯片集成電路引線框架，它包括第一基島、第二基島以及多個內(nèi)引腳，所述多個內(nèi)引腳上開設有內(nèi)引腳注漿孔，所述第一基島上開設有第一基島注漿孔，所述第二基島上開設有第二基島注漿孔。作為一種優(yōu)選，所述第一基島注漿孔位于第一基島的左下部，所述第二基島注漿孔位于第二基島的中上部。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果是:本實用新型由于第一基島上開設有第一基島注漿孔，第二基島上開設有第二基島注漿孔，使得多芯片集成電路引線框架在塑封時，環(huán)氧塑封料能通過第一基島注漿孔以及第二基島注漿孔上下銜接，增加了整個塑封體的內(nèi)部結(jié)合力，使得產(chǎn)品不易受外力的影響而出現(xiàn)塑封體開裂現(xiàn)象，保證產(chǎn)品質(zhì)量。

圖1為傳統(tǒng)多芯片集成電路引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實用新型增加塑封結(jié)合力的多芯片集成電路引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖。其中:第一基島I第二基島2內(nèi)引腳3內(nèi)引腳注漿孔4第一基島注衆(zhòng)孔5[0017]第二基島注漿孔6。
具體實施方式
參見圖2，本實用新型涉及的一種增加塑封結(jié)合力的多芯片集成電路引線框架，它包括第一基島1、第二基島2以及多個內(nèi)引腳3，所述多個內(nèi)引腳3上開設有內(nèi)引腳注漿孔4，所述第一基島I上開設有第一基島注漿孔5，所述第二基島2上開設有第二基島注漿孔
6。所述第一基島注漿孔5位于第一基島I的左下部，所述第二基島注漿孔6位于第二基島2的中上部。
權(quán)利要求1.一種增加塑封結(jié)合力的多芯片集成電路引線框架，它包括第一基島(I)、第二基島(2)以及多個內(nèi)引腳(3)，所述多個內(nèi)引腳(3)上開設有內(nèi)引腳注漿孔(4)，其特征在于所述第一基島(I)上開設有第一基島注漿孔(5)，所述第二基島(2)上開設有第二基島注漿孔(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增加塑封結(jié)合力的多芯片集成電路引線框架，其特征在于所述第一基島注漿孔(5)位于第一基島(I)的左下部，所述第二基島注漿孔(6)位于第二基島(2)的中上部。
專利摘要本實用新型涉及一種增加塑封結(jié)合力的多芯片集成電路引線框架，它包括第一基島(1)、第二基島(2)以及多個內(nèi)引腳(3)，所述多個內(nèi)引腳(3)上開設有內(nèi)引腳注漿孔(4)，其特征在于所述第一基島(1)上開設有第一基島注漿孔(5)，所述第二基島(2)上開設有第二基島注漿孔(6)。本實用新型由于第一基島上開設有第一基島注漿孔，第二基島上開設有第二基島注漿孔，使得多芯片集成電路引線框架在塑封時，環(huán)氧塑封料能通過第一基島注漿孔以及第二基島注漿孔上下銜接，增加了整個塑封體的內(nèi)部結(jié)合力，使得產(chǎn)品不易受外力的影響而出現(xiàn)塑封體開裂現(xiàn)象，保證產(chǎn)品質(zhì)量。
文檔編號H01L23/495GK202917480SQ20122056952
公開日2013年5月1日 申請日期2012年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月1日
發(fā)明者汪本祥 申請人:江陰蘇陽電子股份有限公司