專利名稱：一種在igbt或者vdmos上形成的溝槽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種在IGBT或者VDMOS上形成的溝槽技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種在溝槽型IGBT或者溝槽型VDMOS上形成的溝槽。
背景技術(shù)：
[0002]在晶體學(xué)中，通過晶體中原子中心的平面叫做晶面。以晶胞一個頂點為原點作空間直角坐標系，使x，y，z軸正方向與晶胞三條邊重疊,并設(shè)晶胞邊長為1,100面即x=l, y=0,z=0三點確定的平面，110面即x = l,y=l, z=0三點確定的平面，111面即x=l, y=l, z=l三點確定的平面。[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中的溝槽型IGBT和溝槽型VDMOS中，常選用100面作為起始晶面，如圖1所示，與硅片的定位邊平行和垂直的晶向均為110晶向?，F(xiàn)有技術(shù)中的IGBT和VDMOS在設(shè)計時，都是令溝槽平行或垂直于硅片的定位邊，由此形成的溝槽的側(cè)面均為110面，如圖2所示。[0004]參見附圖3，在溝槽型IGBT的柵開啟后，電子電流Ie3通過P_基區(qū)2的反型層溝道從N+發(fā)射區(qū)I注入到相鄰溝槽之間的N_漂移區(qū)6，然后，其中的一部分電子電流Im5沿著溝槽側(cè)壁的積累層向N—漂移區(qū)6流動，另一部分電子電流Is4分散到相鄰的溝槽之間的區(qū)域。一般而言，Im5進入N_漂移區(qū)6后發(fā)生電導(dǎo)調(diào)制，Is4與流道相鄰溝槽之間區(qū)域的空穴發(fā)生復(fù)合而消失，因此，Im/Is的比例越大，起調(diào)制作用的電子越多，器件的導(dǎo)通電阻越小，器件導(dǎo)通壓降越低，進而，器件導(dǎo)通功率損耗越少。由于110面的電導(dǎo)率比較低，Im/Is的比例較小，所以，在現(xiàn)有技術(shù)中的現(xiàn)有技術(shù)中的溝槽型IGBT和VDMOS中，導(dǎo)通電阻較大，從而，導(dǎo)通壓降比較大，進而，導(dǎo)通功率損耗也較大。實用新型內(nèi)容[0005]為了解決上述問題，本實用新型提出了一種溝槽型IGBT或者溝槽型VDMOS上形成的能夠降低器件導(dǎo)通電阻，從而，降低導(dǎo)通壓降，進而降低導(dǎo)通功率損耗的溝槽。[0006]本實用新型提供的在IGBT或者VDMOS上形成的溝槽的側(cè)面為100面。[0007]作為優(yōu)選,所述溝槽為鋸齒狀。[0008]作為優(yōu)選，所述溝槽為折線狀。[0009]作為優(yōu)選，所述溝槽為菱形。[0010]本實用新型提供的溝槽，由于側(cè)面為100面，并且100面氧化層生長速率較低，其表面更光滑，所以100面的表面遷移率較高，即如果溝槽的側(cè)面為100面，Im/Is的比例較大，起調(diào)制作用的電子較多，器件的導(dǎo)通電阻較小，器件導(dǎo)通壓降較低，進而，器件導(dǎo)通功率損耗較少。


[0011]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中100面的示意圖；[0012]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中110面的示意圖；[0013]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中，電子電流的流動情況示意圖；[0014]圖4為本實用新型實施例提供的在IGBT或者VDMOS上形成的溝槽為鋸齒狀時的晶面不意圖；[0015]圖5為本實用新型實施例提供的在IGBT或者VDMOS上形成的溝槽為折線狀時的晶面不意圖；[0016]圖6為本實用新型實施例提供的在IGBT或者VDMOS上形成的溝槽為菱形時的晶面示意圖。
具體實施方式
[0017]為了深入了解本實用新型，
以下結(jié)合附圖及具體實施例對本實用新型進行詳細說明。[0018]本實用新型提供的在溝槽型IGBT或者溝槽型VDMOS上形成的溝槽的側(cè)面為100面。[0019]參見附圖4，作為溝槽的第一種具體的實現(xiàn)方式，溝槽可以為鋸齒狀。[0020]參見附圖5，作為溝槽的第二種具體的實現(xiàn)方式，溝槽可以為折線狀。[0021]參見附圖6，作為溝槽的第三種具體的實現(xiàn)方式，溝槽可以為菱形。[0022]本實用新型提供的在溝槽型IGBT或者溝槽型VDMOS上形成的溝槽，由于側(cè)面為100面，并且100面氧化層生長速率較低，其表面更光滑，所以100面的表面遷移率較高，即如果溝槽的側(cè)面為100面，Im/Is的比例較大，起調(diào)制作用的電子較多，器件的導(dǎo)通電阻較小，器件導(dǎo)通壓降較低，進而，器件導(dǎo)通功率損耗較少。[0023]以上所述的具體實施方式
，對本實用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實用新型的具體實施方式
而已，并不用于限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種在IGBT或者VDMOS上形成的溝槽，其特征在于，側(cè)面為100面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽，其特征在于，所述溝槽為鋸齒狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽，其特征在于，所述溝槽為折線狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽，其特征在于，所述溝槽為菱形。
專利摘要本實用新型公開了一種在溝槽型IGBT或者溝槽型VDMOS上形成的溝槽，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。該溝槽的側(cè)面為100面。該溝槽由于側(cè)面為100面，并且100面氧化層生長速率較低，其表面更光滑，所以100面的表面遷移率較高，即如果溝槽的側(cè)面為100面，Im/Is的比例較大，起調(diào)制作用的電子較多，器件的導(dǎo)通電阻較小，器件導(dǎo)通壓降較低，進而，器件導(dǎo)通功率損耗較少。
文檔編號H01L29/739GK202977424SQ201220688948
公開日2013年6月5日 申請日期2012年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月13日
發(fā)明者張文亮, 趙佳, 朱陽軍, 田曉麗 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所, 上海聯(lián)星電子有限公司, 江蘇中科君芯科技有限公司