電源模塊冷卻的制作方法
【專利摘要】描述了一種電源模塊。電源模塊具有第一傳導(dǎo)層、第二傳導(dǎo)層(電路設(shè)置在其上)、在所述傳導(dǎo)層之間的絕緣層(例如陶瓷)和液體冷卻機(jī)構(gòu)。第一傳導(dǎo)層暴露于液體冷卻機(jī)構(gòu)，并且被刻蝕(或以一些其它方式改造)以增大表面面積(從而提高了液體冷卻機(jī)構(gòu)除熱的效率)。電源模塊被封裝以增強(qiáng)機(jī)械穩(wěn)定性。
【專利說明】電源模塊冷卻
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電源模塊中的冷卻。具體地，本發(fā)明涉及使用直接銅鍵合(DCB)或類似技術(shù)制造的電源模塊的冷卻。
【背景技術(shù)】
[0002]圖1示出了一個(gè)已知的直接銅鍵合(DCB, direct copper bonded)基板,大體上由附圖標(biāo)記I表示。這樣的基板在現(xiàn)有技術(shù)中有時(shí)被稱為直接敷銅(DBC)基板。術(shù)語DCB基板和DBC基板是可以互換的。為了一致，本文全文中使用術(shù)語DCB基板。
[0003]DCB基板1包括下傳導(dǎo)層2、上傳導(dǎo)層4和絕緣層6。絕緣層設(shè)置在上和下傳導(dǎo)層之間。絕緣層6將上和下傳導(dǎo)層電隔離。作為示例，傳導(dǎo)層2和4可以是銅層，但是(例如鋁的)替代材料也是可以的。絕緣層可以是陶瓷層。絕緣層的可能的材料包括氧化鋁(A1203)、氮化鋁(AlN)和氧化鈹(BeO)。本領(lǐng)域技術(shù)人員知道可以被使用的很多替代材料。
[0004]電源模塊通常安裝在DCB基板上。圖2顯示了已知的電源模塊，大體上由附圖標(biāo)記10示出。
[0005]電源模塊10包括上述的下傳導(dǎo)層2、上傳導(dǎo)層4和絕緣層6。電源模塊的電路元件8a和Sb (諸如功率晶體管和二極管)安裝在第二傳導(dǎo)層4上，一般使用表面安裝技術(shù)進(jìn)行所述安裝。當(dāng)然，雖然在電源模塊10中示出兩個(gè)電路元件，但是也可以設(shè)置更加多的電路元件以及連接這樣的電路元件的配線。
[0006]下傳導(dǎo)層附接至底板12，例如使用焊接連接(未示出)。底板12又附接至散熱器16。在現(xiàn)有技術(shù)中熟知的是，熱界面材料(TIM) 14設(shè)置在底板12和散熱器16之間。由于底板12和散熱器16不是理想地平坦的，所以需要TIM14。
[0007]散熱器16用于將電路元件8a和8b所產(chǎn)生的熱散發(fā)掉?，F(xiàn)有技術(shù)中熟知的是，熱界面材料14具有相對(duì)高的熱阻，因此降低了系統(tǒng)10中的冷卻機(jī)構(gòu)的效力。散熱器16和空氣之間的界面一般也是一個(gè)具有顯著大的熱阻的源。
[0008]由于所產(chǎn)生的大量的熱，所以對(duì)電源模塊進(jìn)行冷卻是一個(gè)重要的問題，并且是困難的。除了以上列出的問題外，冷卻DCB基板具有兩個(gè)特殊的其它問題。首先，DCB基板中使用的陶瓷層具有低的橫向熱傳導(dǎo)性。其次，DCB基板一般易碎，不能承受一些冷卻方法施加的機(jī)械應(yīng)力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明旨在解決以上列出的問題中的至少一些問題。
[0010]本發(fā)明提供了一種電源模塊，包括第一傳導(dǎo)層(一般為銅，但是存在替代物，例如鋁)、第二傳導(dǎo)層(一般為銅，但是存在替代物，例如鋁)、在第一傳導(dǎo)層和第二傳導(dǎo)層之間的絕緣層(一般為陶瓷)和液體冷卻機(jī)構(gòu)(或模塊)，其中:所述第一傳導(dǎo)層被構(gòu)造成增大用于去除熱量的可用的表面面積；電源模塊的電路元件(例如二極管和功率晶體管)設(shè)置在第二傳導(dǎo)層(例如，使用表面安裝技術(shù))上；所述第一傳導(dǎo)層和第二傳導(dǎo)層、所述絕緣層和所述電路元件被封裝，使得所述第一傳導(dǎo)層(以及可能地也有一些絕緣層)暴露于所述液體冷卻機(jī)構(gòu)；并且所述液體冷卻機(jī)構(gòu)被配置成引導(dǎo)液體以使液體與所述第一傳導(dǎo)層(以及可能的絕緣層)接觸，以從所述第一傳導(dǎo)層去除熱量(因此，液體冷卻機(jī)構(gòu)為直接液體冷卻機(jī)構(gòu))。
[0011]本發(fā)明的電源模塊使冷卻液體直接接觸所述基板的第一傳導(dǎo)層。因此，熱源(電路元件)和冷卻機(jī)構(gòu)之間的熱阻低。電源模塊不會(huì)由于用于熱控制目的或機(jī)械穩(wěn)定性而需要底板。省去底板使得冷卻液體能夠直接接觸第一傳導(dǎo)層(在一些實(shí)施例中和絕緣層)，并提供了重量輕的電源模塊。
[0012]液體冷卻機(jī)構(gòu)確保了液體冷卻劑接觸所述電源模塊。然而，另外，在本發(fā)明的很多形式中，引導(dǎo)液體使液體與所述第一傳導(dǎo)層(以及可能的絕緣層)接觸包括朝向所述第一傳導(dǎo)層引導(dǎo)液體。液體電源模塊可以朝向所述第一傳導(dǎo)層引導(dǎo)引入的液體，例如通過改變液體的流動(dòng)方向使得液體被朝向電源模塊(例如，液體可以被引導(dǎo)為大致垂直于第一傳導(dǎo)層的表面)引導(dǎo)。朝向所述電源模塊引導(dǎo)冷卻液體使得液體與電源模塊接觸，盡可能近地靠近產(chǎn)生熱量的電路元件。
[0013]所述液體冷卻機(jī)構(gòu)可以包括液體入口和液體出口。因此，在本發(fā)明的一些形式中，液體冷卻機(jī)構(gòu)朝向第一傳導(dǎo)層引導(dǎo)一或更多的(相對(duì)冷)的液體流(在液體入口處接收的)，并且移除一或更多的(相對(duì)熱)的液體流(且這些流被經(jīng)由液體出口引導(dǎo)到液體冷卻機(jī)構(gòu)的外面)。通過這樣的方式，能夠從電源模塊將熱量傳遞至所述液體，從而冷卻所述電源模塊。
[0014]所述液體冷卻機(jī)構(gòu)可以包括多個(gè)單元，其中，每個(gè)單元被配置成引導(dǎo)液體以使液體與所述第一傳導(dǎo)層(例如，通過朝向第一傳導(dǎo)層引導(dǎo)液體)接觸，用以從所述第一傳導(dǎo)層去除熱量。所述單元中的每個(gè)可以包括液體入口和液體出口。液體冷卻機(jī)構(gòu)的液體入口處接收的液體可以被分配至多個(gè)單元的液體入口。相似地，返回至單元的液體出口的液體可以被引導(dǎo)至液體冷卻機(jī)構(gòu)的液體出口。
[0015]因此，每個(gè)單元可以設(shè)置具有相同溫度的液體冷卻劑。通過這樣的方式，電源模塊的不同部分以相同的方式被冷卻。這樣，可以避免不均勻的冷卻(產(chǎn)生了大的溫度梯度)，該不均勻的冷卻為具有單個(gè)液體入口和單個(gè)液體出口的很多冷卻模塊的特點(diǎn)。這在電源模塊包括并行運(yùn)行的功率半導(dǎo)體的布置中是有利的，因?yàn)楦鞣N功率半導(dǎo)體接受相似的冷卻，并因此具有相似的運(yùn)行條件。
[0016]液體冷卻機(jī)構(gòu)可以包括液體入口和液體出口，以及從來自液體入口處所提供的液體產(chǎn)生多個(gè)液體流的機(jī)構(gòu)(單元)。在使用中，液體入口處所提供的液體可以被電源模塊加熱，該加熱的液體流返回至液體出口。
[0017]在本發(fā)明的一些形式中，第一傳導(dǎo)層被通過從所述第一傳導(dǎo)層去除材料(例如，蝕刻)構(gòu)造而成。而且，可以從第一傳導(dǎo)層去除材料，使得絕緣層的一些被暴露(于所述液體冷卻機(jī)構(gòu))。
[0018]替代地，第一傳導(dǎo)層可以通過給第一傳導(dǎo)層增設(shè)材料(例如，形成針翅或類似結(jié)構(gòu))構(gòu)造而成。
[0019]一個(gè)或更多的熱緩沖器可以設(shè)置在第二傳導(dǎo)層上。所述熱緩沖器可以覆蓋所述第二層的一部分(即不是全部)?？商娲鼗蚋郊拥?，一個(gè)或更多的熱緩沖器可以設(shè)置在所述電路元件上。熱緩沖器可以設(shè)置在產(chǎn)生很大熱量的電路的部分處(例如，設(shè)置電路的開關(guān)元件處)。該熱量可以在被移除之前在熱緩沖器的區(qū)域上散布。所述熱緩沖器還可以減小橫向熱阻。可以為電源模塊設(shè)置單個(gè)熱緩沖器。替代地，可以設(shè)置多個(gè)熱緩沖器。在本發(fā)明的一個(gè)形式中，設(shè)置成每個(gè)電路元件一個(gè)熱緩沖器。在另一個(gè)實(shí)施例中，一些不是所有的電路元件設(shè)置有熱緩沖器。
[0020]本發(fā)明還提供了 一種從電源模塊去除熱量的方法，其中，所述電源模塊包括第一傳導(dǎo)層、第二傳導(dǎo)層、在第一傳導(dǎo)層和第二傳導(dǎo)層之間的絕緣層和液體冷卻機(jī)構(gòu)，其中，所述第一傳導(dǎo)層被構(gòu)造(例如，通過蝕刻構(gòu)造)成增大用于去除熱量的可用的表面面積，所述方法包括使用液體冷卻機(jī)構(gòu)引導(dǎo)液體以使液體與所述第一傳導(dǎo)層(在一些實(shí)施例中和絕緣層)接觸，以從所述第一傳導(dǎo)層去除熱量。引導(dǎo)液體以使液體與所述第一傳導(dǎo)層接觸可以包括朝向所述第一傳導(dǎo)層引導(dǎo)來自所述液體冷卻機(jī)構(gòu)的液體。
[0021]引導(dǎo)液體以使液體與所述第一傳導(dǎo)層接觸可以包括引導(dǎo)來自多個(gè)單元中的每個(gè)單元的液體，以與第一傳導(dǎo)層接觸(例如朝向第一傳導(dǎo)層)。在本發(fā)明的一些形式中，每個(gè)所述單元包括液體入口和液體出口。液體冷卻機(jī)構(gòu)的液體入口處接收的液體可以被分配至多個(gè)單元的液體入口。相似地，返回至單元的液體出口的液體可以被引導(dǎo)至電源模塊的液體出口。因此,液體冷卻機(jī)構(gòu)可以包括液體入口和液體出口以及從液體入口處提供的液體產(chǎn)生多個(gè)液體流的機(jī)構(gòu)(單元)。在使用中，液體入口處提供的液體可以被電源模塊加熱，該加熱的液體流返回至液體出口。
[0022]所述方法可以包括將已經(jīng)與所述第一傳導(dǎo)層接觸的液體返回至所述液體冷卻機(jī)構(gòu)的液體出口。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]現(xiàn)在將參考以下示意性附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明，其中:
[0024]圖1示出了直接銅鍵合基板；
[0025]圖2示出了包含有直接銅鍵合基板的已知的電源模塊；
[0026]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的電源模塊；
[0027]圖4示出了從圖3的電源模塊的下方觀察的視圖；
[0028]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的包含有冷卻模塊的電源模塊；
[0029]圖6不出了在圖5的電源模塊的實(shí)施方式中使用的直接液體冷卻機(jī)構(gòu)的一部分；以及
[0030]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的一方面的包含有冷卻模塊和熱質(zhì)量的電源模塊。
【具體實(shí)施方式】
[0031]圖3顯示了電源模塊，大體上由附圖標(biāo)記20示出。電源模塊20包括第一傳導(dǎo)層22、第二傳導(dǎo)層24、絕緣層26、電路元件28a和28b以及封裝材料29。
[0032]第二傳導(dǎo)層24和絕緣層26與上述的上傳導(dǎo)層4和絕緣層6相似。電路元件28a和28b與上述的電路元件8a和8b相似。
[0033]電源模塊20不包括底板。這帶來的一個(gè)影響是第一傳導(dǎo)層22暴露于電源模塊20的下側(cè)。這使得可以將電源模塊部分地封裝在封裝材料29中，其提供了機(jī)械穩(wěn)定性。沒有設(shè)置底板的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，電源模塊20可以比上述的電源模塊10更小且更輕。
[0034]除了被暴露之外，第一傳導(dǎo)層22被蝕刻。蝕刻增大了從傳導(dǎo)層22去除熱量的可用的表面面積，從而使得除熱技術(shù)更加有效。
[0035]圖4為從下方看的電源模塊20的視圖，示出了暴露的第一傳導(dǎo)層22和封裝材料29。如圖4所示，第一傳導(dǎo)層22包括多個(gè)蝕刻入傳導(dǎo)層材料中的多個(gè)方形孔。方形孔被蝕刻為方形陣列。當(dāng)然，蝕刻第一傳導(dǎo)層22的許多其它布置對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見的。例如，所述陣列可用被改造，以在需要更多冷卻的區(qū)域(例如，在產(chǎn)生大量熱量的電路元件的位置)處提供更多的蝕刻。而且，所述陣列不必是方形陣列，并且刻蝕孔不必是方形孔。
[0036]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的電源模塊和冷卻系統(tǒng)，大體上由附圖標(biāo)記30示出。系統(tǒng)30包括上述的電源模塊20，并額外包括液體冷卻模塊32。液體冷卻模塊32具有液體入口 34和液體出口 36。
[0037]液體冷卻模塊32包括多個(gè)單元。在該示例性的系統(tǒng)30中，盡管示出了第一單元38、第二單元39、第三單元40和第四單元41，當(dāng)然也可以設(shè)置任意數(shù)目的單元。
[0038]每個(gè)單元將液體入口 34處接收到的相對(duì)冷的液體朝向電源模塊20引導(dǎo)。液體被加熱，從而從電源模塊20去除熱量。每個(gè)單元隨后將加熱的水引導(dǎo)至液體冷卻模塊32的液體出口 36。
[0039]圖6示出了直接液體冷卻模塊32的示例性實(shí)施方式的一部分，大體上由附圖標(biāo)記50示出。
[0040]直接液體冷卻模塊的實(shí)施方式50包括要被冷卻的表面52，并包括多個(gè)單元，大體上由附圖標(biāo)記54示出。如圖6所示，冷卻液體被迫使離開單元的頂部，并與表面52接觸。所述液體然后圍繞單元54外部離開所述模塊。
[0041]當(dāng)然，圖6中所示的示例性實(shí)施方式是直接液體冷卻模塊32的很多可行的實(shí)施方式中的一個(gè)實(shí)施方式。本領(lǐng)域技術(shù)人員將可以明白可以根據(jù)本發(fā)明的原理使用很多替代方式。
[0042]上述的電源模塊30至少在以下方面不同于已知的電源模塊10:
[0043]1.傳導(dǎo)層22被蝕刻。
[0044]2.底板12、TIM14和散熱器16被替換為液體冷卻系統(tǒng)32。
[0045]3.電源模塊被封裝。
[0046]蝕刻第一傳導(dǎo)層22具有很多優(yōu)點(diǎn)，包括增大了液體從傳導(dǎo)層去除熱量的可用的表面面積。蝕刻還能夠用于將液體導(dǎo)引至第一傳導(dǎo)層22和/或絕緣層26中的熱點(diǎn)。
[0047]如圖3所示，蝕刻第一傳導(dǎo)層22可以使絕緣層26的部分露出。這在與直接液體冷卻組合使用時(shí)是有利的，因?yàn)樗軌蚴估鋮s液體接觸絕緣層26，從而非常接近熱源(該例子中是電路元件28a和28b)地去除熱量。盡管在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，從第一傳導(dǎo)層22去除材料直至絕緣層26 (無論蝕刻或其它方法)是有利的，但是在本發(fā)明的所有實(shí)施例中，其不是必須的。
[0048]盡管在上述的示例性實(shí)施例中描述了對(duì)第一傳導(dǎo)層進(jìn)行蝕刻，但是這對(duì)本發(fā)明的所有形式并不是必須的。例如，諸如機(jī)加工、使用不同絲網(wǎng)印刷技術(shù)、濺射以及冷氣體噴射的其它工藝也可以提供圖3和4所示的結(jié)構(gòu)。此外，使用蝕刻或類似工藝去除材料的替代方案用于提供針翅結(jié)構(gòu)，或從第一傳導(dǎo)層的一些其它形式的突出。這可以被認(rèn)為是與上述的去除材料(例如蝕刻)相反。當(dāng)然，其效果(增大了用于冷卻的可用的表面面積)是相同的。
[0049]消除對(duì)底板、TIM和散熱器的需要是有利的，因?yàn)橐后w冷卻布置可以被施加成非常接近熱源，而不是使底板位于熱源(電源模塊的部件)和除熱機(jī)構(gòu)之間。而且，已知在很多現(xiàn)有技術(shù)方案中使用TIM顯著增大了熱阻。如上所述，去除底板和散熱器減小了電源模塊的尺寸并減輕了重量。這在很多應(yīng)用中是有利的。例如，在電源模塊被部署在電動(dòng)車輛的情形中，任何的重量減輕都會(huì)減小電動(dòng)車輛的重量，并因此提高該車輛的效率。
[0050]將電源模塊20封裝在封裝材料29中增加了電源模塊的機(jī)械穩(wěn)定性。這使得可以擯棄底板，因此使第一傳導(dǎo)層22直接暴露于冷卻機(jī)構(gòu)(液體冷卻模塊32)。而且，附加的機(jī)械穩(wěn)定性確保了電源模塊能夠承受液體冷卻模塊32所施加的機(jī)械應(yīng)力。
[0051]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的電源模塊，大體上由附圖標(biāo)記60示出。電源模塊60包括上述的第一傳導(dǎo)層22、第二傳導(dǎo)層24、絕緣層26、電路兀件28a和28b、封裝材料29和液體冷卻模塊32。此外，電源模塊60包括第一熱緩沖器62和第二熱緩沖器64。第一熱緩沖器62設(shè)置在第一電路元件28a的上方；第二熱緩沖器64設(shè)置在第二電路元件28b的上方。
[0052]熱緩沖器62和64中的每個(gè)用于在熱緩沖器的區(qū)域之上散布熱量或散熱。熱緩沖器能夠用于減小橫向熱阻，其在電源模塊安裝在DCB基板上的情況中是一個(gè)難題(由于絕緣層26 —般所使用的陶瓷具有低的橫向熱傳導(dǎo)性)。
[0053]如圖7所示，安裝在第二傳導(dǎo)層24上的一些(或全部)電路元件可以設(shè)置有熱緩沖器；然而，還存在很多替代布置。例如，可以為電源模塊設(shè)置單個(gè)熱緩沖器。一個(gè)或更多個(gè)熱緩沖器可以設(shè)置在電路元件上(如圖7所示)和/或第二傳導(dǎo)層24的頂部上。
[0054]使用熱緩沖器是眾所周知的。上述的電源模塊30具有非常高的冷卻性能，因此散布熱量或散熱(例如，使用熱緩沖器)的需要被減小。提供成熱量散布器形式的熱緩沖器(諸如參見圖2的上述的熱量散布器16)僅增加了電源模塊的總熱阻，沒有在瞬態(tài)行為上提供顯著的改善(通過減小溫度波動(dòng))。通過在第二傳導(dǎo)層上和/或安裝在第二傳導(dǎo)層上的一些或全部電路元件上設(shè)置熱緩沖器或一些其它的熱量散布器，可以用于減小橫向熱阻，并改善瞬態(tài)溫度行為，不會(huì)增大電源模塊和液體冷卻模塊之間的熱阻。
[0055]上述的本發(fā)明的實(shí)施例使用了直接液體冷卻模塊，其包括多個(gè)單元，每個(gè)單元將液體入口處所接收到的相對(duì)冷的液體引導(dǎo)向電源模塊，并使相對(duì)熱的液體返回至液體出口。這在本發(fā)明的所有形式中不是必須的。液體冷卻模塊確保了液體冷卻劑接觸電源模塊，但是不是本發(fā)明所有的形式都需要弓I入的液體改變液體流動(dòng)的方向，使得液體被朝向電源模塊引導(dǎo)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將可以明白可以根據(jù)本發(fā)明的原理使用很多替代的直接液體冷卻系統(tǒng)。
[0056]上述本發(fā)明的實(shí)施例僅通過舉例的方式被提供。本領(lǐng)域技術(shù)人員將可以明白沒有背離本發(fā)明的范圍的情況下可以進(jìn)行很多改造、變化和替代。本發(fā)明的權(quán)利要求意圖涵蓋所有的落入本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)的這樣的改造、變化和替代。
【權(quán)利要求】
1.一種電源模塊,包括第一傳導(dǎo)層、第二傳導(dǎo)層、在所述第一傳導(dǎo)層和第二傳導(dǎo)層之間的絕緣層，以及液體冷卻機(jī)構(gòu)，其中: 所述第一傳導(dǎo)層被構(gòu)造成增大用于去除熱量的可用的表面面積； 所述電源模塊的電路元件設(shè)置在所述第二傳導(dǎo)層上； 所述第一傳導(dǎo)層和第二傳導(dǎo)層、所述絕緣層和所述電路元件被封裝，使得所述第一傳導(dǎo)層暴露于所述液體冷卻機(jī)構(gòu)；并且 所述液體冷卻機(jī)構(gòu)被配置成引導(dǎo)液體以使液體與所述第一傳導(dǎo)層接觸，用以從所述第一傳導(dǎo)層去除熱量。
2.如權(quán)利要求1所述的電源模塊，其中，引導(dǎo)液體以使液體與所述第一傳導(dǎo)層接觸包括朝向所述第一傳導(dǎo)層引導(dǎo)液體。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電源模塊，其中，所述液體冷卻機(jī)構(gòu)包括液體入口和液體出□。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的電源模塊，其中，所述液體冷卻機(jī)構(gòu)包括多個(gè)單元，其中，每個(gè)單元被配置成引導(dǎo)液體以使液體與所述第一傳導(dǎo)層接觸，用以從所述第一傳導(dǎo)層去除熱量。
5.如權(quán)利要求4所述的電源模塊，其中，每個(gè)所述單元包括液體入口和液體出口。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的電源模塊，其中，所述第一傳導(dǎo)層被通過從所述第一傳導(dǎo)層去除材料構(gòu)造而成。
7.如權(quán)利要求6所述的電源模塊，其中，從所述第一傳導(dǎo)層去除足夠多的材料，以使所述絕緣層暴露。
8.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的電源模塊，其中，所述第一傳導(dǎo)層被通過給所述第一傳導(dǎo)層增設(shè)材料構(gòu)造而成。
9.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電源模塊，還包括在所述第二傳導(dǎo)層上的一個(gè)或更多個(gè)熱緩沖器。
10.如權(quán)利要求9所述的電源模塊，其中，所述熱緩沖器或每個(gè)熱緩沖器覆蓋所述第二層的一部分。
11.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電源模塊，還包括設(shè)置在所述電路元件的至少一些之上的一個(gè)或更多個(gè)熱緩沖器。
12.一種從電源模塊去除熱量的方法，其中，所述電源模塊包括第一傳導(dǎo)層、第二傳導(dǎo)層、在所述第一傳導(dǎo)層和第二傳導(dǎo)層之間的絕緣層以及液體冷卻機(jī)構(gòu)，其中，所述第一傳導(dǎo)層被構(gòu)造成增大用于去除熱量的可用的表面面積，所述方法包括使用液體冷卻機(jī)構(gòu)引導(dǎo)液體以使液體與所述第一傳導(dǎo)層接觸，用以從所述第一傳導(dǎo)層去除熱量。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，引導(dǎo)液體以使液體與所述第一傳導(dǎo)層接觸包括朝向所述第一傳導(dǎo)層引導(dǎo)來自所述液體冷卻機(jī)構(gòu)的液體。
14.權(quán)利要求12或13所述的方法，其中，引導(dǎo)液體以使液體與所述第一傳導(dǎo)層接觸包括朝向所述第一傳導(dǎo)層引導(dǎo)來自多個(gè)單元中的每個(gè)單元的液體。
15.如權(quán)利要求12-14中任一項(xiàng)所述的方法，還包括將已經(jīng)與所述第一傳導(dǎo)層接觸的液體返回至所述液體冷卻機(jī)構(gòu)的液體出口。
【文檔編號(hào)】H01L23/373GK103918072SQ201280055179
【公開日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2012年10月23日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月9日
【發(fā)明者】克勞斯·奧爾森, 約恩·霍爾斯特, 魯?shù)医堋げ侣? 申請(qǐng)人:丹佛斯公司