專利名稱：顯示裝置、制造方法及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶有具有適合于使產(chǎn)生的光諧振的諧振結(jié)構(gòu)的顯示區(qū)的顯示裝置，更具體地，涉及使用有機(jī)電致發(fā)光元件的具有高的光取出效率的頂部發(fā)光顯示裝置以及該頂部發(fā)光顯示裝置的制造方法和使用該頂部發(fā)光顯示裝置的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
目前有機(jī)電場發(fā)光元件正在引起關(guān)注。這些元件在其陽極和陰極之間具有有機(jī)層。該有機(jī)層包括逐一堆疊的有機(jī)空穴傳輸層和有機(jī)發(fā)光層。另一方面，這些兀件具有包括由于吸濕性而導(dǎo)致的、以減小的發(fā)光照度和不穩(wěn)定的發(fā)光為代表的長期穩(wěn)定性低的缺點。因此，在使用有機(jī)電場發(fā)光元件的顯示裝置中，用保護(hù)膜覆蓋所述元件以防止水分接觸它們。因此,根據(jù)此觀點，使用例如氮化氧化娃膜(silicon oxide nitride film)或氮化硅膜來作為適合于覆蓋有機(jī)電場發(fā)光元件的保護(hù)膜。氮化氧化硅膜折射率低且透射率高，這是非常有利的裝置特性。但是，該膜耐濕性差。因此，必須將該膜形成得相當(dāng)厚。然而，形成厚的膜導(dǎo)致了增大的內(nèi)應(yīng)力，從而使得該膜剝離陰極電極或在該膜中產(chǎn)生微裂紋。這導(dǎo)致了矛盾，即，有機(jī)電場發(fā)光元件的特性和耐濕性的降低。

另一方面，對于氮化硅而言，已經(jīng)提出了等離子體CVD (化學(xué)氣相沉積)方法，其中只使用硅烷和氮氣作為源氣，而不使用氨氣。由此形成的由氮化硅膜形成的保護(hù)膜無裂紋并且不會剝離，因此確保了有機(jī)電場發(fā)光元件的穩(wěn)定操作(例如，參照日本專利公開2000-223264)。對于使用硅烷的膜形成方法而言，氮氣和氫氣是源氣，另一方面，已經(jīng)提出了三層的結(jié)構(gòu)，以提供保護(hù)膜中的減少的殘余應(yīng)力并由此防止膜剝離?？梢酝ㄟ^改變氮氣濃度以控制膜厚度來形成包括介于低密度氮化硅膜之間的高密度氮化硅膜的三層結(jié)構(gòu)(例如，參照日本專利公開2004-63304)。但是，這些方法導(dǎo)致了保護(hù)膜的降低的透射率。特別是對于藍(lán)光波長(約450nm)而言，這導(dǎo)致了嚴(yán)重降低的透射率，由此導(dǎo)致了降低的色彩再現(xiàn)性。為此，已經(jīng)提出了另一方法，其中使用氨氣來形成具有改善的透射率和優(yōu)良的覆蓋的膜(例如，參照日本專利公開2007-184251，在下文中稱為專利文獻(xiàn)3)。

發(fā)明內(nèi)容
然而，專利文獻(xiàn)3中公開的方法盡管提供了保護(hù)膜的優(yōu)良的耐濕性，但卻導(dǎo)致了高折射率(例如1.85至1.91)。因此，在與上覆的樹脂層之間的界面上發(fā)生反射。如果膜厚度減小，則由于保護(hù)膜的膜厚度分布，該反射連同薄膜干涉一起導(dǎo)致了跨表面取出的光的色度和照度的偏差。這使得不可能保證足夠的處理容限。因此，必須增大膜厚度以產(chǎn)生多重干涉，以消除由于膜厚度分布導(dǎo)致的色度偏差。另一方面，增大膜厚度需承擔(dān)增大的生產(chǎn)節(jié)拍時間(tact time)和成本。此外，與減小膜厚度相比，增大膜厚度導(dǎo)致了保護(hù)膜的更低的透射率。特別地，針對藍(lán)光波長(約450nm)的透射率將會嚴(yán)重降低，由此導(dǎo)致了降低的色彩再現(xiàn)性。本實施例為一種顯示裝置，其包括:具有介于上部電極與下部電極之間的、包括發(fā)光層的有機(jī)層的顯示區(qū)，形成用以覆蓋該顯示區(qū)的保護(hù)膜，在保護(hù)膜上形成的樹脂層。樹脂層的折射率是1.5 1.6，保護(hù)膜在450nm的波長時具有1.65以上且1.75以下的折射率。本實施例還涉及一種該顯示裝置的制造方法。本實施例還涉及一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備在其主體殼體內(nèi)具有所述顯示裝置。特別地，在本實施例中使用的保護(hù)膜是使用硅烷、氨氣和氮氣通過化學(xué)氣相沉積形成的。該膜包括逐一堆疊的低折射率氮化硅膜。該保護(hù)膜在厚度上介于IOOnm與I μπι之間。因此，在該保護(hù)膜中幾乎不存在應(yīng)力。因此，使得該保護(hù)膜的折射率更接近于樹脂層的折射率，從而即使該保護(hù)膜被減小厚度也能提供較長的干涉波長。這消除了由于膜厚度分布而導(dǎo)致的、跨表面取出的光的色移。例如，如果通過調(diào)整等離子體CVD參數(shù)而將用作保護(hù)膜的氮化硅膜的折射率降低到低于正常水平(在450nm的波長時的1.65至1.75的折射率)的水平，則即使對于較薄的膜而言干涉波長也將更長。這消除了由于膜厚度分布而導(dǎo)致的、跨表面取出的光的色移，由此提供了足夠的處理容限。此外，膜厚度的減小有助于改善透射率和減少生產(chǎn)節(jié)拍時間和成本。此外，具有優(yōu)良的覆蓋且具有降低的折射率的膜的形成有助于改善密封可靠性。此夕卜，由于膜厚度的減小，膜的內(nèi)應(yīng)力接近于零，從而提供了改善的裝置特性。這里，通過下面的公 式來給出樹脂層與保護(hù)膜(氮化硅膜)之間的反射率R，其中nl是氮化硅膜的折射率，n2是樹脂層的折射率:
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括: 具有介于上部電極與下部電極之間的、包括發(fā)光層的有機(jī)層的顯示區(qū)； 被形成用于覆蓋所述顯示區(qū)的保護(hù)膜；以及 被形成在所述保護(hù)膜上的樹脂層； 其中: 所述樹脂層的折射率是1.5 1.6， 所述保護(hù)膜在450nm的波長時具有介于1.65與1.75之間的折射率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中: 所述保護(hù)膜是氮化硅，通過使用了氨氣的化學(xué)氣相沉積法形成，并利用硅烷與氨氣的比率為1:2以上的流速比率而得到。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其中: 所述顯示區(qū)具有用于使由所述發(fā)光層產(chǎn)生的光諧振的諧振結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的顯示裝置，其中: 所述保護(hù)膜由單 個氮化硅層構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的顯示裝置，其中: 所述保護(hù)膜的內(nèi)應(yīng)力近似為零。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的顯示裝置，其中: 所述保護(hù)膜的厚度為IOOnm以上且I μ m以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的顯示裝置，其中: 所述顯示區(qū)被所述保護(hù)膜覆蓋以便不暴露在空氣中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的顯示裝置，其中: 所述顯示區(qū)從所述上部電極側(cè)取出由所述發(fā)光層產(chǎn)生的光。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的顯示裝置，其中: 所述保護(hù)膜與所述樹脂層之間的折射率差在450nm的波長時小于等于0.3。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的顯示裝置，其中: 具有通過所述樹脂層附著的密封層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的顯示裝置，其中: 所述上部電極由鎂銀合金構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的顯示裝置，其中: 所述上部電極覆蓋所述有機(jī)層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述的顯示裝置，其中: 所述保護(hù)膜是在覆蓋所述上部電極和所述有機(jī)層的狀態(tài)下形成的。
14.一種顯示裝置的制造方法，所述顯示裝置包括: 具有介于上部電極與下部電極之間的、包括發(fā)光層的有機(jī)層的顯示區(qū)； 被形成用于覆蓋所述顯示區(qū)的、由氮化硅構(gòu)成的保護(hù)膜；以及 被形成在所述保護(hù)膜上的樹脂層； 在制造所述顯示裝置時，其中: 所述保護(hù)膜通過使用了氨氣的化學(xué)氣相沉積法并利用硅烷與氨氣的比率為1:2以上的流速比率而形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置的制造方法，其中: 通過維持所述流速比率的流量并提高壓力來形成所述保護(hù)膜。
16.一種在其主體殼體中具有顯示裝置的電子設(shè)備，所述顯示裝置包括: 具有介于上部電極與下部電極之間的、包括發(fā)光層的有機(jī)層的顯示區(qū)； 被形成用于覆蓋所述顯示區(qū)的、由氮化硅構(gòu)成的保護(hù)膜；以及 被形成在所述保護(hù)膜上的樹脂層； 其中: 所述保護(hù)膜通過使用了氨氣的化學(xué)氣相沉積法形成，并利用硅烷與氨氣的比率為1:2以上的流速比率而 得到。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種顯示裝置、制造方法及電子設(shè)備。所述顯示裝置包括具有介于上部電極與下部電極之間的、包括發(fā)光層的有機(jī)層的顯示區(qū)；被形成用于覆蓋所述顯示區(qū)的保護(hù)膜；以及被形成在所述保護(hù)膜上的樹脂層；其中，所述樹脂層的折射率是1.5～1.6，所述保護(hù)膜在450nm的波長時具有1.65以上且1.75以下的折射率。
文檔編號H01L51/52GK103219470SQ20131008967
公開日2013年7月24日 申請日期2009年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月3日
發(fā)明者西村貞一郎, 安部薰, 淺木玲生, 三谷正博 申請人:索尼公司