半導(dǎo)體裝置、制作該半導(dǎo)體裝置的方法及使用的掩模的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置、制作該半導(dǎo)體裝置的方法及使用的掩模，該半導(dǎo)體裝置包括至少一第二場區(qū)，包括一主晶粒陣列，每一晶粒具有一高度Y1以及一寬度X1，且該主晶粒陣列具有一高度Y3；該半導(dǎo)體裝置更可包括至少一第一場區(qū)，包括具有一高度Y2及一寬度X2的一監(jiān)視區(qū)，以及具有一高度Y2且包括一輔助晶粒陣列的一輔助晶粒區(qū)。各區(qū)的尺寸可互相成比例，使得X2＝n1×X1+adjustment1、Y2＝n3×Y1+adjustment3以及Y3＝n4×Y2+adjustment4，其中n1、n3、與n4為整數(shù)。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置、制作該半導(dǎo)體裝置的方法及使用的掩模

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明的實施例是一般關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置的制造，而且特別地，本發(fā)明是關(guān)于 一種新的圖形，該圖形使程序監(jiān)控成為可能，且可用于半導(dǎo)體的制造。

【背景技術(shù)】
[0002]目前對于超高電壓（UHV)半導(dǎo)體裝置有逐漸增加的需求。用來制造超高電壓 (UHV)裝置的流程可能帶入一些遍及現(xiàn)有低壓（LV)制造技術(shù)的復(fù)雜或是困難。例如，對于 超高電壓制造程序中程序監(jiān)控的實施，可能比低壓制造程序更困難。
[0003] 在低壓制造程序中，監(jiān)控裝置可以置于晶粒間的劃在線。然而，用于超高電壓制造 程序的該監(jiān)控裝置原本為太大而無法容身于劃線上；此外，將該監(jiān)控裝置置于其他位置，會 降低芯片良率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 因此，本發(fā)明指出一些用于超高電壓半導(dǎo)體裝置制造的一種新圖形的范例實施 例。該圖形可提供一第二場區(qū)，其包括一主晶粒陣列；以及一第一場區(qū)，其包括一監(jiān)控裝置 區(qū)及包括一輔助晶粒陣列的一輔助晶粒區(qū)。該第二場區(qū)高度可由該監(jiān)控區(qū)的高度所分割， 如此當(dāng)圖形的各種具體實施例應(yīng)用遍及一芯片表面時，可容許用于有效的配置。該圖形，例 如，可以置入用于一光刻的半導(dǎo)體制造流程中所使用的一掩模中。
[0005] 因此，依照本發(fā)明的一范例實施例，是提供一種半導(dǎo)體裝置（此處所謂"范例"是 指"提出作為一舉例、例示或是圖解說明"），該半導(dǎo)體裝置包含至少一第二場區(qū)，其包括一 主晶粒陣列，每一晶粒具有一高度￥1以及一寬度Xi，且該主晶粒陣列具有一高度Y3。依照 一范例實施例，更包含至少一第一場區(qū)，包括具有一高度1及一寬度Χ2的一監(jiān)視區(qū)；以及具 有一高度1且包括一輔助晶粒陣列的一輔助晶粒區(qū)。該些不同區(qū)的尺寸可由以下公式相 關(guān)聯(lián)：X2 = ri! X X^adjustment!>Y2 = n3X Y^adjustment3 以及 Y3 = n4X Y2+adjustment4，其 中npn"與η4為整數(shù)。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，是提供一種被配置成在一光刻半導(dǎo)體裝置工藝的期間 使用的掩模，該掩模更被配置成引起至少一第二場區(qū)，包括一主晶粒陣列，每一晶粒具有一 高度Yi以及一寬度Xi，且該主晶粒陣列具有一高度γ3的投影。根據(jù)該范例實施例的掩模， 更配置成引起包括具有一高度\及一寬度χ2 -監(jiān)視區(qū)，以及具有一高度\，并包括一輔助 晶粒陣列的一輔助晶粒區(qū)的至少一第一場區(qū)的投影。該些不同區(qū)的尺寸可由以下公式相關(guān) 聯(lián)；X2 = ri! X X^adjustment!>Y2 = n3 X Y^adjustment3 以及 Y3 = n4X Y2+adjustment4，其中 叫、n3、與n4為整數(shù)。
[0007] 本發(fā)明的另一實施例，是提供一種制造一半導(dǎo)體裝置的方法，其中該方法包含將 一特定圖形中的掩模應(yīng)用于一基板的至少一部分，根據(jù)該范例實施例的該特定圖形包括至 少一第二場區(qū)，包括一主晶粒陣列，每一晶粒具有一高度1以及一寬度&，且該主晶粒陣 列具有一高度Y3。該特定圖形又包含至少一第一場區(qū)，其包括具有一高度義及一寬度χ2 的一監(jiān)視區(qū)，以及具有一高度Y2并包括一輔助晶粒陣列的一輔助晶粒區(qū)。該些不同區(qū)的 尺寸可由以下公式相關(guān)聯(lián)；

【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體裝置，包括： 至少一第二場區(qū)，包括： 一主晶粒（dies)陣列，每一晶粒具有一高度1以及一寬度Xi，且該主晶粒陣列具有一 高度Y3，以及 至少一第一場區(qū)，包括： 一監(jiān)視區(qū)，具有一高度Υ2及一寬度Χ2，以及 一輔助晶粒區(qū)，包括一輔助晶粒陣列； 其中：
與η4為整數(shù)；以及 QSY2的一因子；以及 而且其中這些高度包括于該半導(dǎo)體裝置的一平面中一第一方向所制成的個別量度，以 及這些寬度包括于該半導(dǎo)體裝置的該平面中一第二方向所制成的個別量度，該第二方向是 與該第一方向正交。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中Q為Y2的一適當(dāng)因子。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中Q = Υ2。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中Υ2與Υ3為相對質(zhì)數(shù)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第一場區(qū)包括多個晶粒，該多個晶粒是 依該第一及第二方向的至少其一延伸。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，更包括介于至少該主晶粒陣列及該輔助晶粒陣 列的每一列及每一欄之間的多個劃線，每一個劃線具有一寬度s，其中：
以及
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第一場區(qū)更包括具有一高度Υ2及一寬度 Χ3的一測試芯片區(qū)，其中：
且η2為一整數(shù)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，更包括η4-1個額外的第一場區(qū)，該多個第一場 區(qū)是沿著與其個別高度對應(yīng)的一軸線而互相相鄰地排列，以形成一延伸第一場區(qū)，該延伸 第一場區(qū)包括具有一高度Υ 3的一延伸監(jiān)視區(qū)及具有一高度Υ3的一延伸輔助晶粒區(qū)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中該延伸第一場區(qū)包括一第一延伸第一場 區(qū)，該半導(dǎo)體裝置更包括至少一第二延伸第一場區(qū)，該第一及該第二延伸第一場區(qū)是沿著 與其高度對應(yīng)的一軸線排列。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，更包括第三、第四、及第五延伸第一場區(qū)，該第 三延伸第一場區(qū)是沿著與該第一及該第二延伸第一場區(qū)的高度對應(yīng)的該軸線排列，以及該 第四及該第五延伸第一場區(qū)是排列在該第二延伸第一場區(qū)的任一側(cè)，且是沿著與該第二、 該第四及該第五延伸第一場區(qū)的個別寬度對應(yīng)的一軸線排列。
11. 一種被配置成在一光刻半導(dǎo)體裝置工藝的期間使用的掩模，該掩模更被配置成引 起至少以下的投影： 至少一第二場區(qū)，包括一第二場陣列，每一晶粒具有一高度Yi以及一寬度Xi，且該主晶 粒陣列具有一高度γ3，以及 至少一第一場區(qū)，包括： 一監(jiān)視區(qū)，具有一高度Υ2及一寬度χ2，以及 一輔助晶粒區(qū)，具有一高度Υ2，并包括一輔助晶粒陣列； 其中：
與η4為整數(shù)；以及 QSY2的一因子；以及 而且其中這些高度包括于該掩模的一平面中一第一方向所制成的個別量度，以及這些 寬度包括于該掩模的該平面中一第二方向所制成的個別量度，該第二方向是與該第一方向 正交。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的掩模，其中Q為Y2的一適當(dāng)因子。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的掩模，其中Q = Υ2。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的掩模，其中Υ2與Υ3為相對質(zhì)數(shù)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的掩模，其中該掩模更被配置成引起介于至少該主晶粒陣 列及該輔助晶粒陣列的每一列及每一欄之間的多個劃線的投影，每一劃線具有一寬度s，其 中：
以及
16. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的掩模，其中該第一場區(qū)更包括具有一高度￥2及一寬度&的 一測試芯片區(qū)，其中
且η2為一整數(shù)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的掩模，其中該掩模更被配置成引起114-1個額外的第一場區(qū) 的投影，該多個第一場區(qū)是沿著與其個別高度對應(yīng)的一軸線而互相相鄰地排列，以形成一 延伸第一場區(qū)，該延伸第一場區(qū)包括具有一高度Υ 3的一延伸監(jiān)視區(qū)及具有一高度Υ3的一延 伸輔助晶粒區(qū)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的掩模，其中該延伸第一場區(qū)包括一第一延伸第一場區(qū)，該 掩模更被配置成引起至少一第二延伸第一場區(qū)的投影，該第一及第二延伸第一場區(qū)是沿著 與其高度對應(yīng)的一軸線排列。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的掩模，該掩模更被配置成引起至少第三、第四、及第五延 伸第一場區(qū)的投影，該第三延伸第一場區(qū)是沿著與該第一及該第二延伸第一場區(qū)的高度對 應(yīng)的該軸線排列，以及該第四及該第五延伸第一場區(qū)是排列在該第二延伸第一場區(qū)的任一 偵牝且是沿著與該第二、該第四及該第五延伸第一場區(qū)的個別寬度對應(yīng)的一軸線排列。
20. -種制造一半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括將一特定圖形中的光應(yīng)用于一基板的 至少一部分，該特定圖形包括： 至少一第二場區(qū)，包括： 一主晶粒陣列，每一晶粒具有一高度Yi以及一寬度Xi，且該主晶粒陣列具有一高度Y3， 以及 至少一第一場區(qū)，包括： 一監(jiān)視區(qū)，具有一高度Υ2及一寬度Χ2，以及 一輔助晶粒區(qū)，包括一輔助晶粒陣列； 其中：
與η4為整數(shù)；以及 QSY2的一因子；以及 另外其中這些高度包括于該基板的一平面中一第一方向所制成的個別量度，以及這些 寬度包括于該基板的該平面中一第二方向所制成的個別量度，該第二方向是與該第一方向 正交。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中Q為Y2的一適當(dāng)因子。
22. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中Q = Υ2。
23. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中Υ2與Υ3為相對質(zhì)數(shù)。
24. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中該特定圖形更包括介于至少該主晶粒陣列及該 輔助晶粒陣列的每一列及每一欄之間的多個劃線，每一劃線具有一寬度s，其中：
以及
25. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中該第一場區(qū)更包括具有一高度Υ2及一寬度Χ3的 一測試芯片區(qū)，其中
且η2為一整數(shù)。
26. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中該特定圖形更包括η4-1個額外的第一場區(qū)，該 多個第一場區(qū)是沿著與其個別高度對應(yīng)的一軸線而互相相鄰地排列，以形成一延伸第一場 區(qū)，該延伸第一場區(qū)包括具有一高度Υ 3的一延伸監(jiān)視區(qū)及具有一高度1的一延伸輔助晶粒 區(qū)。
27. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中該延伸第一場區(qū)包括一第一延伸第一場區(qū)，該 特定圖形更包括至少一第二延伸第一場區(qū)，該第一及該第二延伸第一場區(qū)是沿著與其高度 對應(yīng)的一軸線排列。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中該特定圖案更包括至少第三、第四、及第五延伸 第一場區(qū)，該第三延伸第一場區(qū)是沿著與該第一及該第二延伸第一場區(qū)的高度對應(yīng)的該軸 線排列，以及該第四及該第五延伸第一場區(qū)是排列在該第二延伸第一場區(qū)的任一側(cè)，且是 沿著與該第二、該第四及該第五延伸第一場區(qū)的個別寬度對應(yīng)的一軸線排列。
29. -種半導(dǎo)體裝置，包括：一第二場區(qū)，包括：多個晶粒；以及 一第一場區(qū)，包括： 一監(jiān)視區(qū)；以及 一輔助晶粒區(qū)，包括至少一晶粒。
30. -種半導(dǎo)體裝置，包括： 一第二場區(qū)，包括：多個晶粒；以及 一第一場區(qū)，包括： 一監(jiān)視區(qū)；以及 一輔助晶粒區(qū)，包括至少一晶粒，該晶粒的一面積大于該第一場區(qū)的一空白面積。
31. -種半導(dǎo)體裝置，包括： 一第二場區(qū)，包括：多個晶粒；以及 一第一場區(qū)，包括： 一監(jiān)視區(qū)；以及 一輔助晶粒區(qū)，包括至少一晶粒，該輔助晶粒區(qū)具有一區(qū)，該區(qū)與該第一場區(qū)的任一空 白區(qū)的形狀相異。
32. -種制造一裝置的方法，其步驟包括： 形成一第二場區(qū)，該第二場區(qū)包括：多個晶粒；以及 形成一第一場區(qū)，該第一場區(qū)包括： 一監(jiān)視區(qū)；以及 一輔助晶粒區(qū)，包括至少一晶粒。
【文檔編號】H01L23/544GK104051292SQ201310225006
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2013年6月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月12日
【發(fā)明者】林鎮(zhèn)元, 詹景琳, 林正基, 連士進 申請人:旺宏電子股份有限公司