供體基板、用其激光誘導(dǎo)熱成像及制造oled裝置的方法
【專(zhuān)利摘要】一種供體基板，其包括襯底基板、光熱轉(zhuǎn)換層、緩沖層和轉(zhuǎn)移層。光熱轉(zhuǎn)換層可設(shè)置在襯底基板上。緩沖層可設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層上。緩沖層可包括至少一個(gè)具有多個(gè)孔的多孔層。轉(zhuǎn)移層可設(shè)置在緩沖層上。
【專(zhuān)利說(shuō)明】供體基板、用其激光誘導(dǎo)熱成像及制造OLED裝置的方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2012年6月25日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(KIPO)提交的第10-2012-0068027號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)公開(kāi)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)弓I用并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]示例性實(shí)施方式涉及供體基板、使用供體基板的激光誘導(dǎo)熱成像方法以及使用供體基板制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。更具體地，示例性實(shí)施方式涉及包括緩沖層的供體基板、使用包括緩沖層的供體基板的激光誘導(dǎo)熱成像方法以及使用包括緩沖層的供體基板制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]通常，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可包括多個(gè)有機(jī)層，諸如有機(jī)發(fā)光層、空穴注入層、電子傳輸層等。在形成傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)層的工序中，噴墨印刷工序可使用有限的材料形成有機(jī)發(fā)光層之外的有機(jī)層，并且必須在用于噴墨印刷工序的基板上形成附加的結(jié)構(gòu)。當(dāng)使用用于形成有機(jī)層的沉積工序時(shí)，因?yàn)槌练e工序會(huì)使用微小尺寸的金屬掩模，所以難以對(duì)具有相對(duì)較大面積的有機(jī)發(fā)光顯示裝置應(yīng)用沉積工序。
[0005]近來(lái)，激光誘導(dǎo)熱成像工序已發(fā)展以用于形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)層。在傳統(tǒng)的激光誘導(dǎo)熱成像工序中，來(lái)自激光輻照設(shè)備的激光束可被轉(zhuǎn)換為熱能，供體基板的轉(zhuǎn)移層可通過(guò)該熱能而部分轉(zhuǎn)移到有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示基板上，從而形成有機(jī)層圖案。然而，對(duì)于傳統(tǒng)的激光誘導(dǎo)熱成像工序，熱能會(huì)損壞有機(jī)發(fā)光顯示裝置的轉(zhuǎn)移層或顯示基板。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]示例性實(shí)施方式提供了能夠減少熱損壞的供體基板。
[0007]示例性實(shí)施方式提供了能夠減弱熱損壞的激光誘導(dǎo)熱成像方法。
[0008]示例性實(shí)施方式提供了使用能夠減少熱損壞的供體基板制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
[0009]根據(jù)示例性實(shí)施方式，提供了一種供體基板，其包括襯底基板、光熱轉(zhuǎn)換層、緩沖層和轉(zhuǎn)移層。光熱轉(zhuǎn)換層可設(shè)置在襯底基板上。緩沖層可設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層上。緩沖層可包括至少一個(gè)具有多個(gè)孔的多孔層。轉(zhuǎn)移層可設(shè)置在緩沖層上。
[0010]在示例性實(shí)施方式中，緩沖層還可包括至少一個(gè)中間層，該中間層設(shè)置在多孔層之上或之下。
[0011]在示例性實(shí)施方式中，緩沖層可包括兩個(gè)多孔層，中間層設(shè)置在多孔層之間。
[0012]在示例性實(shí)施方式中，中間層可被設(shè)置在多孔層與轉(zhuǎn)移層之間。
[0013]在示例性實(shí)施方式中，緩沖層還可包括至少一個(gè)散熱層，散熱層設(shè)置在中間層上或設(shè)置在中間層下。[0014]在示例性實(shí)施方式中，散熱層可包括選自由鋁(Al)、銀(Ag)、鉻(Cr)、錫(Sn)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鈷(Co)、鋅(Zn)、金(Au)、銅(Cu)、鎢(W)、鑰(Mo)和鉛(Pb)組成的組中的至少一個(gè)。
[0015]在示例性實(shí)施方式中，多孔層可包括選自由聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚環(huán)氧、聚乙烯、聚苯乙烯和聚對(duì)苯二甲酸乙二酯組成的組中的至少一個(gè)
[0016]在示例性實(shí)施方式中，緩沖層可阻擋從光熱轉(zhuǎn)換層轉(zhuǎn)移的熱進(jìn)入轉(zhuǎn)移層中。
[0017]根據(jù)示例性實(shí)施方式，提供了一種激光誘導(dǎo)熱成像方法。在該方法中，可提供供體基板，供體基板包括襯底基板、光熱轉(zhuǎn)換層、轉(zhuǎn)移層和具有至少一個(gè)多孔層的緩沖層。可將供體基板層壓到基底上?？蓪⒓す馐椛渲凉w基板上以通過(guò)轉(zhuǎn)移層在基底上形成有機(jī)層圖案?？蓪⒐w基板從基底移除。
[0018]在示例性實(shí)施方式中，緩沖層可包括至少兩個(gè)多孔層和設(shè)置在多孔層之間的至少一個(gè)中間層。
[0019]根據(jù)示例性實(shí)施方式，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。在該方法中可提供顯示面板，顯示面板包括開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)和第一電極?？商峁┕w基板，供體基板包括襯底基板、光熱轉(zhuǎn)換層、轉(zhuǎn)移層和具有至少一個(gè)多孔層的緩沖層?？蓪⒐w基板層壓到基底上。可將激光束輻射至供體基板上以通過(guò)轉(zhuǎn)移層在基底上形成有機(jī)層圖案?？蓪⒐w基板從基底移除。
[0020]在示例性實(shí)施方式中，緩沖層可包括至少兩個(gè)多孔層和設(shè)置在多孔層之間的至少一個(gè)中間層。
[0021 ] 在示例性實(shí)施方式中，有機(jī)層圖案可包括選自由有機(jī)發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層組成的組中的至少一個(gè)。
[0022]在示例性實(shí)施方式中，在將激光束輻射至供體基板的過(guò)程中，緩沖層可阻擋從光熱轉(zhuǎn)換層轉(zhuǎn)移的熱進(jìn)入轉(zhuǎn)移層中。
[0023]根據(jù)示例性實(shí)施方式，緩沖層可包括至少一個(gè)多孔層，該多孔層可包括多個(gè)孔?？卓删哂休^小的導(dǎo)熱率，因而緩沖層可減少過(guò)多的熱從光熱轉(zhuǎn)換層轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移層。因此，轉(zhuǎn)移層和/或基板(其上可轉(zhuǎn)移有機(jī)層圖案)可以不被熱能損壞。而且，緩沖層可包括可阻止轉(zhuǎn)移層被有害氣體或雜質(zhì)劣化的中間層。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]通過(guò)下面詳細(xì)的描述以及附圖，將更清楚地理解示例性實(shí)施方式。圖1至圖11表示本文所描述的非限制性的、示例性實(shí)施方式。在附圖中:
[0025]圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的供體基板的截面圖；
[0026]圖2是示出根據(jù)一些示例性實(shí)施方式的供體基板的截面圖；
[0027]圖3是示出根據(jù)一些示例性實(shí)施方式的供體基板的截面圖；
[0028]圖4是示出根據(jù)一些示例性實(shí)施方式的供體基板的截面圖；
[0029]圖5至圖7是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的激光誘導(dǎo)熱成像法的截面圖；以及
[0030]圖8至圖11是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖。【具體實(shí)施方式】
[0031]將在下文中參照附圖更全面地描述多個(gè)實(shí)施方式，在附圖中示出了一些實(shí)施方式。然而，本發(fā)明可以以不同的形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)解釋為由本文所闡述的那些實(shí)施方式限制。相反地，這些實(shí)施方式被設(shè)置使得該說(shuō)明書(shū)是全面且完整的，并將本發(fā)明的實(shí)施方式的范圍充分轉(zhuǎn)移到本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸可夸大，以用于清楚地示出。
[0032]應(yīng)該理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)為“在”另一個(gè)元件或?qū)印吧稀?，“連接至”或“聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接在另一個(gè)元件或?qū)由希苯舆B接至或聯(lián)接至另一元件或?qū)?，或者在它們之間也可存在元件或?qū)印Ｏ啾戎?，?dāng)元件被稱(chēng)為“直接在”另一個(gè)元件或?qū)印吧稀?，“直接連接至”或“直接聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，它們之間不存在元件或?qū)?。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，相同的參考標(biāo)號(hào)指示相同的元件。如本文所使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括所列的關(guān)聯(lián)項(xiàng)的一個(gè)或多個(gè)的任意和全部組合。
[0033]應(yīng)該理解，雖然術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等可在本文中用于描述多種元件、部件、區(qū)域、層和/或段，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或段不應(yīng)由這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或段與另一區(qū)域、層或段分辨開(kāi)。因此，以下所討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或段可被稱(chēng)為第二元件、部件、區(qū)域、層或段，而不偏離本發(fā)明實(shí)施方式的教導(dǎo)。
[0034]在本文中可使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，諸如“下方”、“下面”、“之下”、“之上”、“上方”等以便于描述，從而對(duì)附圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系進(jìn)行描述。應(yīng)該理解，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包含除附圖所描繪的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，那么被描述為在其它元件或特征的“下面”或“下方”的元件應(yīng)位于其它元件或特征的“之上”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“下面”可包含上和下的兩個(gè)方位。裝置可另外定位(例如，旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位處)，并且本文所使用的空間相對(duì)描述語(yǔ)相應(yīng)進(jìn)行解釋。
[0035]本文所使用的術(shù)語(yǔ)僅出于描述特定實(shí)施方式的目的，而不試圖限制本發(fā)明的實(shí)施方式。如本文所使用的，單數(shù)形式“a”、“an”和“the”旨在同樣包括多種形式，除非上下文清楚地另有所指。還應(yīng)該理解，術(shù)語(yǔ)“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”在本說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)是指所指特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除一個(gè)或多個(gè)特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組的存在或添加。
[0036]本文參照截面視圖所描述的實(shí)施方式為理想化的實(shí)施方式(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因而，應(yīng)預(yù)期例如制造技術(shù)和/或容差而導(dǎo)致的對(duì)視圖形狀的變化。因此，實(shí)施方式不應(yīng)被解釋為限制于本文所示的區(qū)域的特殊形狀，而應(yīng)解釋為包括例如制造而導(dǎo)致的形狀偏差。例如，被示出為矩形的注入?yún)^(qū)域?qū)⒌湫偷鼐哂袌A形或彎曲的特征和/或其邊緣處的注入濃度的梯度從被注入?yún)^(qū)域到未被注入?yún)^(qū)域不以二進(jìn)制的方式改變。同樣地，通過(guò)注入形成的埋置區(qū)域可能在被埋置區(qū)域與注入發(fā)生的面之間的區(qū)域中產(chǎn)生一些注入。因此，附圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，并且它們的形狀不試圖示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀，而且不試圖限制本發(fā)明的實(shí)施方式的范圍。
[0037]除非另外限定，本文所使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有本發(fā)明實(shí)施方式所屬的領(lǐng)域的技術(shù)人員通常了解的同一含義。還應(yīng)該理解，諸如常用字典中限定的那些術(shù)語(yǔ)應(yīng)該被解釋為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域的情況中的含義一致的含義，而不應(yīng)以理想化或過(guò)于正式的意義來(lái)解釋?zhuān)潜疚那宄亓硗庀薅ā?br> [0038]圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的供體基板的截面圖。
[0039]參見(jiàn)圖1，供體基板100可包括襯底基板110、光熱轉(zhuǎn)換層120、緩沖層130、轉(zhuǎn)移層190 等。
[0040]襯底基板110可包括可具有預(yù)定機(jī)械強(qiáng)度和預(yù)定柔韌性的材料。例如，襯底基板110可包括透明聚合物，諸如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚酯、聚丙烯(polyacryl)、聚環(huán)氧、聚乙烯、聚苯乙烯等。當(dāng)襯底基板110具有較小厚度時(shí)，供體基板100的處理可能很困難。在襯底基板110具有較大厚度的情況下，供體基板100的轉(zhuǎn)移可能也會(huì)因供體基板100的較大重量而變得困難。因此，襯底基板Iio可具有約IOym到約500 μ m的厚度。襯底基板110可支撐供體基板100的元件。
[0041]光熱轉(zhuǎn)換層120可設(shè)置在襯底基板110上。光熱轉(zhuǎn)換層120可包括光吸收材料，該光吸收材料可將從激光輻照設(shè)備輻射的激光束轉(zhuǎn)換為熱能。在示例性實(shí)施方式中，光熱轉(zhuǎn)換層120可包括金屬包含層，該金屬包含層包括鋁(Al)、鑰(Mo)、它們的氧化物和/或它們的硫化物。在這種情況下，金屬包含層可具有約IOnm至約500nm的較小厚度。在一些示例性實(shí)施方式中，光熱轉(zhuǎn)換層120可包括有機(jī)層，有機(jī)層包括具有碳黑、石墨和/或紅外顏料的聚合物。在這種情況下，有機(jī)層可具有約IOOmm至約IOym的較大厚度。轉(zhuǎn)移層190與光熱轉(zhuǎn)換層120之間的粘附強(qiáng)度可通過(guò)被輻照在光熱轉(zhuǎn)換層120上的激光束所產(chǎn)生的熱能而改變，從而轉(zhuǎn)移層190可被轉(zhuǎn)移以在基板(未示出)上提供預(yù)定的圖案。
[0042]在示例性實(shí)施方式中，光熱轉(zhuǎn)換層120還可包括氣體生成材料，諸如季戊四烯四硝酸酯(PETN)和/或三硝基甲苯(TNT)。當(dāng)光熱轉(zhuǎn)換層120吸收熱能時(shí)，氣體生成材料可發(fā)出氮?dú)饣驓錃庖蕴峁┯糜诩す庹T導(dǎo)熱成像工序(參見(jiàn)圖6)的轉(zhuǎn)移步驟的能量。
[0043]緩沖層130可設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層120與轉(zhuǎn)移層190之間。在示例性實(shí)施方式中，緩沖層130可包括多孔層140和中間層150。例如，緩沖層130可具有約5μπι至約300μπι的厚度。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，緩沖層130可具有約IOym至約IOOym的厚度。
[0044]多孔層140可設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層120上。在示例性實(shí)施方式中，多孔層140可包括多個(gè)孔142，多個(gè)孔142不規(guī)則地分散在聚合物層中。例如，聚合物層可包括聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚環(huán)氧、聚乙烯、聚苯乙烯或聚對(duì)苯二甲酸乙二酯。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，多孔層140可包括分散在聚酰胺層中的多個(gè)孔142。
[0045]孔142可具有較小的導(dǎo)熱率，從而緩沖層130可減少熱能從光熱轉(zhuǎn)換層120向轉(zhuǎn)移層190的過(guò)度轉(zhuǎn)移。因此，轉(zhuǎn)移層190可以不被熱日壞。多孔層140可包括多個(gè)孔142，因而供體基板100可確保改善的柔韌性。因此，在激光誘導(dǎo)熱成像工序中，供體基板100可根據(jù)基板(其上可轉(zhuǎn)移有機(jī)層)的輪廓被容易地彎曲。然而，緩沖層130的粗糙度會(huì)因多孔層140中的孔142而增加。
[0046]中間層150可設(shè)置在多孔層140上。中間層150可以不包括孔，而可包括具有較小導(dǎo)熱率的聚合物層。例如，用于中間層150的聚合物層可包括聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚環(huán)氧、聚乙烯、聚苯乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯等。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，聚合物層可包括聚酰胺。
[0047]在光熱轉(zhuǎn)換層120中可能產(chǎn)生氣體或者從多孔層140可能排出氣體的情況下，中間層150可阻止或減少氣體和其它雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)轉(zhuǎn)移層190。因此，轉(zhuǎn)移層190的化學(xué)和物理特征可以不會(huì)劣化。而且，中間層150可減少緩沖層130的粗糙度，從而改善緩沖層130和供體基板100的均勻性。
[0048]雖然在圖1中，中間層150可位于多孔層140與轉(zhuǎn)移層190之間，但是本發(fā)明的實(shí)施方式可以不限于這種配置。例如，中間層150可被設(shè)置在多孔層140與光熱轉(zhuǎn)換層120之間，或者可省略中間層150。
[0049]轉(zhuǎn)移層190可設(shè)置在緩沖層130上。在使用供體基板100制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的情況下，轉(zhuǎn)移層190可包括與有機(jī)層圖案的材料基本相同或基本類(lèi)似的材料。例如，有機(jī)層圖案可通過(guò)供體基板100的轉(zhuǎn)移層190形成在基板上。在示例性實(shí)施方式中，有機(jī)層圖案可包括有機(jī)發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等。有機(jī)發(fā)光顯不裝置可包括通過(guò)轉(zhuǎn)移層190所獲得的多個(gè)有機(jī)層圖案。
[0050]根據(jù)示例性實(shí)施方式，緩沖層130可包括多孔層140，多孔層140可包括多個(gè)孔142。孔142可確保緩沖層130的較小導(dǎo)熱率，使得緩沖層130可減少過(guò)多的熱能從光熱轉(zhuǎn)換層120轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移層190中。因此，轉(zhuǎn)移層190和/或基板(其上可轉(zhuǎn)移有機(jī)層圖案)可以不被熱能損壞。而且，緩沖層130可包括可阻止轉(zhuǎn)移層190被有害氣體或雜質(zhì)劣化的中間層150。
[0051]圖2是示出根據(jù)一些示例性實(shí)施方式的供體基板的截面圖。在圖2中，除了緩沖層230之外，供體基板200可具有與參照?qǐng)D1所描述的供體基板100的構(gòu)造基本相同或基本相似的構(gòu)造。
[0052]供體基板200可包括襯底基板210、光熱轉(zhuǎn)換層220、緩沖層230和轉(zhuǎn)移層290。
[0053]設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層220上的緩沖層230可包括第一多孔層240、中間層250和第二多孔層280。
[0054]第一多孔層240可具有不規(guī)則地分散在聚合物層中的多個(gè)第一孔242，設(shè)置在第一多孔層240上的第二多孔層280也可具有不規(guī)則地分散在另一聚合物層中的第二孔282。第一多孔層240和第二多孔層280中的每個(gè)可包括與參照?qǐng)D1所描述的多孔層140的材料基本相同或基本相似的材料。在示例性實(shí)施方式中，第一多孔層240和第二多孔層280中的每個(gè)的厚度可基本小于多孔層140的厚度。
[0055]中間層250可設(shè)置在第一多孔層240與第二多孔層280之間。中間層250可以不包括任何孔，但可具有與參照?qǐng)D1所描述的中間層150的構(gòu)造基本相同或基本相似的構(gòu)造。第一多孔層240與第二多孔層280之間的中間層250可阻止緩沖層230的粗糙度因第一孔242和第二孔282而增加。因此，可改善緩沖層230和供體基板200的均勻性。
[0056]根據(jù)示例性實(shí)施方式，緩沖層230可包括多個(gè)多孔層240和280以及設(shè)置在多孔層240與280之間的中間層250，從而緩沖層230可減少過(guò)多的熱能從光熱轉(zhuǎn)換層220轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移層290中。而且，中間層250可增強(qiáng)緩沖層230的均勻性。
[0057]圖3是示出根據(jù)一些示例性實(shí)施方式的供體基板的截面圖。在圖3中，除了緩沖層330之外，供體基板300可具有與參照?qǐng)D2所描述的供體基板200的構(gòu)造基本相同或基本相似的構(gòu)造。
[0058]供體基板300可包括襯底基板310、光熱轉(zhuǎn)換層320、緩沖層330和轉(zhuǎn)移層390，緩沖層330可包括第一中間層335、第一多孔層340、第二中間層350、第二多孔層380和第三中間層385。
[0059]第一至第三中間層335、350和385中的每個(gè)可包括與參照?qǐng)D1所描述的中間層150的材料基本相同或基本相似的材料。
[0060]第一中間層335可設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層320上。第一中間層335可減少緩沖層330的粗糙度，并且可阻止或減少光熱轉(zhuǎn)換層320中產(chǎn)生的氣體擴(kuò)散到轉(zhuǎn)移層390中。
[0061]第二中間層350可設(shè)置在第一多孔層340與第二多孔層380之間。第二中間層350可減少緩沖層330的粗糙度。因此，可增強(qiáng)緩沖層330和供體基板300的均勻性。
[0062]第三中間層385可設(shè)置在第二多孔層380與轉(zhuǎn)移層390之間。第三中間層385可阻止或減少?gòu)牡谝缓偷诙嗫讓?40和380產(chǎn)生的外排氣體擴(kuò)散到轉(zhuǎn)移層390中。
[0063]根據(jù)示例性實(shí)施方式，緩沖層330可包括多個(gè)多孔層340和380以及與多孔層340和380相鄰設(shè)置的第一至第三中間層335、350和385，從而緩沖層330可減少過(guò)多的熱能從光熱轉(zhuǎn)換層320轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移層390中。而且，第一至第三中間層335、350和385可改善緩沖層330的均勻性。
[0064]圖4是示出根據(jù)一些示例性實(shí)施方式的供體基板的截面圖。在圖4中，除了緩沖層430之外，供體基板400可具有與參照?qǐng)D3所描述的供體基板300的構(gòu)造基本相同或基本相似的構(gòu)造。
[0065]緩沖層430可包括第一中間層435、第一多孔層440、第二中間層450、散熱層460、第三中間層470、第二多孔層480和第四中間層485。
[0066]第一至第四中間層435、450、470和485中的每個(gè)可包括與參照?qǐng)D1所描述的中間層150的材料基本相同或基本相似的材料。因此，第一多孔層440和第二多孔層480中的每個(gè)可具有與參照?qǐng)D2所描述的第一和第二多孔層240和280的構(gòu)造基本相同或基本相似的構(gòu)造。
[0067]散熱層460可設(shè)置在第二中間層450與第三中間層470之間。散熱層460可包括具有較大導(dǎo)熱率的材料。例如，散熱層460可包括鋁(Al)、銀(Ag)、鉻(Cr)、錫(Sn)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鈷(Co)、鋅(Zn)、金(Au)、銅(Cu)、鎢(W)、鑰(Mo)、鉛(Pb)等。這些材料可單獨(dú)使用或以它們的組合使用。當(dāng)散熱層460包括具有相對(duì)較大的導(dǎo)熱率的材料時(shí)，熱能會(huì)容易擴(kuò)散到橫向方向(例如，基本平行于供體基板400的方向)。因此，可改善激光誘導(dǎo)熱成像工序的構(gòu)圖質(zhì)量。當(dāng)散熱層460包括金屬時(shí)，激光束可反射在散熱層460上進(jìn)入光熱轉(zhuǎn)換層420中，使得光熱轉(zhuǎn)換層420可容易被加熱。
[0068]在圖4中，供體基板400可描繪為包括第二中間層450、第三中間層470和分開(kāi)的散熱層460，然而，本發(fā)明的實(shí)施方式可以不限于這種構(gòu)造。例如，第二中間層450和第三中間層470中的每個(gè)可包括聚合物和金屬混合物，或者可包括嵌入聚合物層中的金屬粒子。
[0069]根據(jù)示例性實(shí)施方式，緩沖層430可包括多個(gè)多孔層440和480以及多個(gè)中間層435,450,470和485，從而緩沖層430可減少熱能從光熱轉(zhuǎn)換層420過(guò)度轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移層490中。而且，第一至第四中間層435、450、470和485可改善緩沖層430的均勻性，并且可保護(hù)轉(zhuǎn)移層490不受有害氣體的損害。供體基板400還可包括散熱層460以改進(jìn)構(gòu)圖的質(zhì)量。
[0070]圖5至圖7是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的激光誘導(dǎo)熱成像法的截面圖。
[0071]參見(jiàn)圖5，可在基板50上層壓供體基板100?；?0可包括通過(guò)激光誘導(dǎo)熱成像工序可形成有機(jī)層圖案的任何基板。例如，基板50可包括半導(dǎo)體裝置的基板、顯示裝置的基板、觸摸面板的基板等，器可包括開(kāi)關(guān)元件(未示出)或者半導(dǎo)體元件(未示出)。在示例性實(shí)施方式中，基板50可具有基本平坦的上表面?？商鎿Q地，基板50可在上表面上具有預(yù)定的輪廓。
[0072]供體基板100可具有與參照?qǐng)D1所描述的供體基板100的構(gòu)造基本相同或基本相似的構(gòu)造。因此，可省略對(duì)其的詳細(xì)描述。供體基板100可包括襯底基板110、光熱轉(zhuǎn)換層120、多孔層140、中間層150和轉(zhuǎn)移層190。
[0073]在示例性實(shí)施方式中，在將基板50安裝在支承設(shè)備(未示出)上之后，基板50可與供體基板100對(duì)齊。接下來(lái)，加壓構(gòu)件(未示出)可對(duì)供體基板100加壓以將供體基板100層壓在基板50上。在示例性實(shí)施方式中，加壓構(gòu)件可包括滾筒、冠式按壓件等。在一些示例性實(shí)施方式中，可使用氣體而無(wú)需使用加壓構(gòu)件對(duì)供體基板100加壓，以使供體基板100可粘附至基板50。根據(jù)上述層壓工序，供體基板100可粘附至基板50，并且可移除供體基板100與基板50之間的氣泡。
[0074]參見(jiàn)圖6，可對(duì)供體基板100輻照激光束。在示例性實(shí)施方式中，使用箭頭指示的激光束可被輻照在可粘附至基板50的供體基板100的一部分上。激光束可從閃光燈或氙燈發(fā)出。在激光束被輻照的區(qū)域中，轉(zhuǎn)移層190與基板50之間的粘附強(qiáng)度可基本大于緩沖層130與轉(zhuǎn)移層190之間的粘附強(qiáng)度。因此，轉(zhuǎn)移層190中被激光束輻照的部分可從緩沖層130移除，有機(jī)層圖案60 (參見(jiàn)圖9)可通過(guò)轉(zhuǎn)移層190形成在基板50上。
[0075]光熱轉(zhuǎn)換層120可吸收激光束，然后可將所吸收的激光束轉(zhuǎn)換成熱能。熱能可被轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移層190和基板50中。然而，設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層120與轉(zhuǎn)移層190之間的多孔層140可包括多個(gè)具有較小導(dǎo)熱率的孔142，因而熱能不會(huì)損壞轉(zhuǎn)移層190或基板50。而且，供體基板100可包括多孔層140與轉(zhuǎn)移層190之間的中間層150，因而從多孔層140和光熱轉(zhuǎn)換層120產(chǎn)生的氣體不會(huì)擴(kuò)散到轉(zhuǎn)移層190中。中間層150可改善供體基板100的均勻性。
[0076]在示例性實(shí)施方式中，有機(jī)層圖案60可使用激光誘導(dǎo)熱成像工序形成在基板50上，從而可由于激光束的較高分辨率而以較低的成本獲得較高分辨率的有機(jī)層圖案60。
[0077]參見(jiàn)圖7，可從基板50上移除供體基板100。
[0078]如上所述，可通過(guò)供體基板100的轉(zhuǎn)移層190在基板50上形成有機(jī)層圖案60，然后可從基板50移除供體基板100。在這種情況下，來(lái)自噴嘴的諸如氮?dú)夂?或氬氣的惰性氣體可被噴射在基板50與供體基板100之間，以便于分離供體基板100。
[0079]在圖5至圖7中，可使用參照?qǐng)D1所描述的供體基板100來(lái)進(jìn)行激光誘導(dǎo)熱成像工序，然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。例如，可使用參照?qǐng)D2至圖4所描述的供體基板200、300和400來(lái)進(jìn)行激光誘導(dǎo)熱成像工序。
[0080]圖8至圖11是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖。
[0081]參見(jiàn)圖8，可提供顯示面板500，顯示面板500具有第一電極570和像素限定層575。
[0082]當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置為有源矩陣型時(shí)，可在第一基板510與第一電極570之間設(shè)置開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)。在示例性實(shí)施方式中，開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)可包括開(kāi)關(guān)裝置、至少一個(gè)絕緣層、觸頭、焊盤(pán)
坐寸ο[0083]當(dāng)開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)中的開(kāi)關(guān)裝置包括薄膜晶體管時(shí)，開(kāi)關(guān)裝置可包括半導(dǎo)體層530、柵電極552、源電極554、漏電極556等。
[0084]在示例性實(shí)施方式中，半導(dǎo)體層530可形成在第一基板510上，半導(dǎo)體層530可通過(guò)離子注入工序而劃分為源極區(qū)534、漏極區(qū)536和溝道區(qū)532。接著，柵極絕緣層540可被形成為使半導(dǎo)體層530電絕緣。
[0085]可在柵極絕緣層540上形成柵電極552,然后可在柵極絕緣層540和柵電極552上形成第一絕緣層560。
[0086]源電極554和漏電極556可形成為穿過(guò)柵極絕緣層540和第一絕緣層560以分別接觸源極區(qū)和漏極區(qū)534和536。然后，第二絕緣層560可形成為使源電極554和漏電極556電絕緣。
[0087]在圖8中，包括薄膜晶體管的開(kāi)關(guān)裝置可具有柵電極552可設(shè)置在半導(dǎo)體層530上方的頂部柵極配置，然而，開(kāi)關(guān)裝置的配置可以不限于此。例如，開(kāi)關(guān)裝置可具有柵電極可設(shè)置在半導(dǎo)體層下的底部柵極配置。
[0088]第一電極570可在像素區(qū)I中形成在開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)上，像素限定層575可在外圍區(qū)II中形成在開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)的沒(méi)有設(shè)置第一電極570的區(qū)域處。
[0089]在不例性實(shí)施方式中，第一電極570可用作陽(yáng)極，以用于向發(fā)光結(jié)構(gòu)中的空穴傳輸層590提供空穴，并且根據(jù)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)光類(lèi)型，第一電極570可以為透明電極或者半透明電極。例如，第一電極570可包括透明傳導(dǎo)材料，諸如氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化銦鋅(IZO)、鋅氧化物(ZnOx)、錫氧化物(SnOx)、鎵氧化物(GaOx)等。
[0090]參見(jiàn)圖9，供體基板100可層壓在顯示面板500上。供體基板100可具有與參照?qǐng)D1所描述的供體基板100基本相同或基本相似的構(gòu)造。因此，可省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0091]在示例性實(shí)施方式中，在將顯示面板500安裝在支承設(shè)備(未示出)上后，顯示面板500可與供體基板100對(duì)齊。接下來(lái)，加壓構(gòu)件(未示出)可對(duì)供體基板100加壓以將供體基板100層壓在顯示面板500上。
[0092]顯示面板500可具有不平坦的上表面。例如，像素區(qū)I中的像素限定層575的上表面可高于外圍區(qū)II中的第一電極570的上表面。因此，可在像素區(qū)I與外圍區(qū)II之間形成階梯部分。
[0093]可根據(jù)顯示面板500的輪廓層壓供體基板100。例如，供體基板100可在顯示面板的階梯部分彎曲。供體基板100可包括具有多個(gè)孔142的多孔層140，使得具有改進(jìn)的柔韌性的供體基板100可容易地粘附在顯示面板500上。
[0094]參見(jiàn)圖10，可對(duì)供體基板100輻照激光束。在示例性實(shí)施方式中，可將激光束輻照在供體基板100的像素區(qū)I中的部分。輻照激光束的過(guò)程可與參照?qǐng)D6所描述的過(guò)程基本相同或基本相似。
[0095]在示例性實(shí)施方式中，可以以低于約KT2Torr的氣壓通過(guò)轉(zhuǎn)移層190形成有機(jī)層圖案590 (參見(jiàn)圖11)。有機(jī)層圖案590可形成在真空室中，從而在形成有機(jī)層圖案590的期間可阻止顯示面板500和有機(jī)層圖案590的污染。因此，可延長(zhǎng)包括有機(jī)層圖案590的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的壽命。
[0096]在一些示例性實(shí)施方式中，可在包含惰性氣體的大氣中形成轉(zhuǎn)移層190。例如，包含惰性氣體的大氣可包括惰性氣體和水蒸氣，或者惰性氣體和氧氣氣體(O2)。例如,惰性氣體可包括氮?dú)?N2)氣體和/或氬氣(Ar)氣體，并且水蒸氣在包含惰性氣體的大氣中的濃度可低于約lOppm。可替換地,氧氣(O2)在包含惰性氣體的大氣中的濃度可低于約50ppm。來(lái)自外部的氧氣和水蒸氣可與包含惰性氣體的大氣容易地混合，從而可通過(guò)控制水蒸氣和氧氣的濃度來(lái)阻止有機(jī)層圖案590的污染。
[0097]參見(jiàn)圖11，可從顯示面板500移除供體基板100。
[0098]如上所述，可通過(guò)供體基板100的轉(zhuǎn)移層190在顯示面板500上形成有機(jī)層圖案590，然后可從顯示面板500移除供體基板100。在這種情況下，來(lái)自噴嘴的包含諸如氮?dú)狻鍤獾鹊亩栊詺怏w的氣體可被噴射在顯示面板500與供體基板100之間，以便于分離供體基板100。
[0099]在圖8至圖11中，可使用參照?qǐng)D1所描述的供體基板100來(lái)進(jìn)行激光誘導(dǎo)熱成像工序，然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。例如，可使用參照?qǐng)D2至圖4所描述的供體基板200、300和400來(lái)進(jìn)行激光誘導(dǎo)熱成像工序。
[0100]在示例性實(shí)施方式中，有機(jī)層圖案590可對(duì)應(yīng)于有機(jī)發(fā)光層，然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。例如，有機(jī)層圖案590可對(duì)應(yīng)于空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層或顏色過(guò)濾層。
[0101]上述內(nèi)容是示例性的實(shí)施方式，并不應(yīng)解釋為對(duì)實(shí)施方式的限制。雖然已描述了一些實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員容易領(lǐng)會(huì)能夠?qū)?shí)施方式進(jìn)行許多修改，而實(shí)質(zhì)上不偏離本發(fā)明的實(shí)施方式的新穎性教導(dǎo)和優(yōu)勢(shì)。因此，所有這樣的修改均包含在由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的實(shí)施方式的范圍內(nèi)。在權(quán)利要求書(shū)中，裝置加功能的句式旨在覆蓋本文所描述的執(zhí)行所述功能的結(jié)構(gòu)，并且不僅覆蓋結(jié)構(gòu)的等同體，而且覆蓋等同結(jié)構(gòu)。因此，應(yīng)該理解，前述內(nèi)容是各種示例性的實(shí)施方式，并不解釋為限制于所公開(kāi)的特定實(shí)施方式，并且對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施方式以及其他實(shí)施方式的修改均包含在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種供體基板,包括: 襯底基板； 光熱轉(zhuǎn)換層，設(shè)置在所述襯底基板上； 緩沖層，設(shè)置在所述光熱轉(zhuǎn)換層上，所述緩沖層包括至少一個(gè)多孔層，所述至少一個(gè)多孔層具有多個(gè)孔；以及 轉(zhuǎn)移層，設(shè)置在所述緩沖層上。
2.如權(quán)利要求1所述的供體基板，其中，所述緩沖層還包括至少一個(gè)中間層，所述至少一個(gè)中間層設(shè)置在所述多孔層之上或之下。
3.如權(quán)利要求2所述的供體基板，其中，所述緩沖層包括兩個(gè)多孔層，所述至少一個(gè)中間層設(shè)置在所述多孔層之間。
4.如權(quán)利要求2所述的供體基板，其中，所述中間層被設(shè)置在所述多孔層與所述轉(zhuǎn)移層之間。
5.如權(quán)利要求2所述的供體基板，其中，所述緩沖層還包括至少一個(gè)散熱層，所述至少一個(gè)散熱層設(shè)置在所述中間層之上或之下。
6.如權(quán)利要求5所述的供體基板，其中，所述散熱層包括鋁、銀、鉻、錫、鎳、鈦、鈷、鋅、金、銅、鎢、鑰和鉛中的至少一種。
7.如權(quán)利要求1所述的供體基板，其中，所述多孔層包括聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚環(huán)氧、聚乙烯、聚苯乙烯和聚對(duì)苯二甲酸乙二酯中的至少一種。
8.如權(quán)利要求1所述的`供體基板，其中，所述緩沖層阻擋熱從所述光熱轉(zhuǎn)換層轉(zhuǎn)移至所述轉(zhuǎn)移層中。
9.一種激光誘導(dǎo)熱成像方法，包括: 提供供體基板，所述供體基板包括襯底基板、光熱轉(zhuǎn)換層、轉(zhuǎn)移層和具有至少一個(gè)多孔層的緩沖層； 將所述供體基板層壓到基底上； 將激光束輻射至所述供體基板上以通過(guò)所述轉(zhuǎn)移層在所述基底上形成有機(jī)層圖案；以及 將所述供體基板從所述基底移除。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述緩沖層包括至少兩個(gè)多孔層和設(shè)置在所述多孔層之間的至少一個(gè)中間層。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述緩沖層還包括至少一個(gè)散熱層，所述至少一個(gè)散熱層設(shè)置在所述中間層之上或之下。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述散熱層包括鋁、銀、鉻、錫、鎳、鈦、鈷、鋅、金、銅、鎢、鑰和鉛中的至少一種。
13.—種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括: 提供顯示面板，所述顯示面板包括開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)和第一電極； 提供供體基板，所述供體基板包括襯底基板、光熱轉(zhuǎn)換層、轉(zhuǎn)移層和具有至少一個(gè)多孔層的緩沖層； 將所述供體基板層壓到基底上； 將激光束輻射至所述供體基板上以通過(guò)轉(zhuǎn)移層在所述基底上形成有機(jī)層圖案；以及將所述供體基板從所述基底移除。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述緩沖層包括至少兩個(gè)多孔層和設(shè)置在所述多孔層之間的至少一個(gè)中間層。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述有機(jī)層圖案包括有機(jī)發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層中的至少一個(gè)。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，在將所述激光束輻射至所述供體基板的過(guò)程中，所述緩沖層阻擋熱從所述光熱轉(zhuǎn)換層轉(zhuǎn)移至所述轉(zhuǎn)移層中。
17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述緩沖層還包括至少一個(gè)散熱層，所述至少一個(gè)散熱層設(shè)置在所述中間層之上或之下。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述散熱層包括鋁、銀、鉻、錫、鎳、鈦、鈷、鋅、金、銅、鎢、鑰和鉛中的至少一種。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK103515542SQ201310256749
【公開(kāi)日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2013年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月25日
【發(fā)明者】表相佑, 宋河珍, 俞炳旭, 金孝妍, 李寬熙 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司