承載裝置及等離子體加工設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供的承載裝置及等離子體加工設(shè)備，承載裝置用于承載被加工工件，其包括托盤和蓋板，蓋板與托盤相互配合來將被加工工件固定在二者之間，在托盤的上表面上形成有多個(gè)凸臺(tái)，用以承載被加工工件，并且在蓋板上設(shè)置有數(shù)量和位置與凸臺(tái)相對應(yīng)的通孔，并且凸臺(tái)的上表面與托盤的上表面存在預(yù)定高度差；并且通過調(diào)節(jié)預(yù)定高度差、通孔的孔壁與蓋板下表面之間的傾角以及蓋板的厚度，而使進(jìn)行工藝時(shí)在被加工工件的邊緣區(qū)域形成的電場方向趨于垂直向下。本發(fā)明提供的承載裝置，其可以提高被加工工件的邊緣區(qū)域的刻蝕效果的均勻性，進(jìn)而可以提高工藝質(zhì)量。
【專利說明】承載裝置及等離子體加工設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于微電子加工【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及承載裝置及等離子
[0002]體加工設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0003]圖形化藍(lán)寶石襯底(Patterned Sapphire Substrate,以下簡稱PSS)是目前較為主流的提高藍(lán)光LED出光效率的方法之一，該方法通常采用干法刻蝕技術(shù)對存在掩膜圖形的藍(lán)寶石襯底進(jìn)行刻蝕，以在藍(lán)寶石襯底上制作圖形。感應(yīng)稱合等離子體(Inductivelycoupled plasma,以下簡稱ICP)刻蝕設(shè)備是一種應(yīng)用比較廣泛的制作PSS襯底的設(shè)備,且在刻蝕工藝中，為了提高單次工藝的產(chǎn)能，通常采用承載裝置將多個(gè)被加工工件S傳送至反應(yīng)腔室內(nèi)，以同時(shí)對多個(gè)被加工工件S進(jìn)行工藝加工。
[0004]圖1為目前常用的承載裝置的立體圖。圖2為承載裝置的局部剖視圖。請一并參閱圖1和圖2，承載裝置10包括由金屬制成的托盤101和由石英制成的蓋板102，以及多個(gè)螺釘103。其中，在托盤101的上表面上設(shè)置有多個(gè)用于承載被加工工件S的裝片位，并且在蓋板102的上表面上，且與各個(gè)裝片位相對應(yīng)的位置處設(shè)置有貫穿其厚度的通孔，通孔的直徑小于被加工工件S的直徑，蓋板102的下表面的靠近每個(gè)通孔周邊的環(huán)形區(qū)域與置于相應(yīng)裝片位上的被加工工件S上表面的邊緣區(qū)域相互疊置，用以將被加工工件S固定在托盤101上；并且，托盤101和蓋板102借助多個(gè)螺釘103固定在一起。在進(jìn)行工藝時(shí)，將承載多個(gè)被加工工件S的上述承載裝置放置在反應(yīng)腔室內(nèi)的與射頻電源電連接的電極板上，當(dāng)射頻電源開啟時(shí)，其在被加工工件S的上表面上加載有負(fù)的直流自偏壓，該負(fù)的直流自偏壓所產(chǎn)生的電場方向垂直于被加工工件S的上表面，以吸引等離子體中的正離子垂直轟擊被加工工件S的表面，從而實(shí)現(xiàn)對被加工工件S的刻蝕。
[0005]然而，上述承載裝置在進(jìn)行工藝的過程中不可避免地存在以下問題，S卩:由于等離子體中的自由電子會(huì)堆積在蓋板102的各個(gè)通孔的孔壁104上，導(dǎo)致在該孔壁104上會(huì)產(chǎn)生負(fù)的自偏壓，且該負(fù)的自偏壓所產(chǎn)生的電場方向垂直于孔壁104，這使得在每個(gè)被加工工件S的邊緣區(qū)域，由于被加工工件S的上表面產(chǎn)生的電場方向會(huì)因與由孔壁104產(chǎn)生的不同矢量的電場相互疊加而發(fā)生偏轉(zhuǎn)，且越靠近被加工工件S的邊緣偏轉(zhuǎn)越大，從而造成被加工工件S的邊緣區(qū)域的刻蝕效果不均勻。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，提供了一種承載裝置及等離子體加工設(shè)備，其可以使在被加工工件邊緣區(qū)域產(chǎn)生的電場趨于垂直向下，從而可以提高被加工工件的邊緣區(qū)域的刻蝕效果的均勻性，進(jìn)而可以提高工藝質(zhì)量。
[0007]本發(fā)明提供一種承載裝置，用于承載被加工工件，其包括托盤和蓋板，所述蓋板與所述托盤相互配合將被加工工件固定在二者之間，在所述托盤的上表面上形成有多個(gè)凸臺(tái)，用以承載被加工工件，并且在所述蓋板上設(shè)置有數(shù)量和位置與所述凸臺(tái)相對應(yīng)的通孔，且所述凸臺(tái)的上表面與所述托盤的上表面存在預(yù)定高度差；通過調(diào)節(jié)所述預(yù)定高度差、所述通孔的孔壁與所述蓋板下表面之間的傾角以及所述蓋板的厚度，而使進(jìn)行工藝時(shí)在被加工工件的邊緣區(qū)域形成的電場方向趨于垂直于被加工工件的上表面向下。
[0008]其中，所述凸臺(tái)的外徑小于所述被加工工件的直徑，在所述托盤的上表面上，且環(huán)繞每個(gè)所述凸臺(tái)設(shè)置有環(huán)形凹槽，并且在所述環(huán)形凹槽內(nèi)放置有絕緣環(huán)，所述絕緣環(huán)的上表面高于置于所述凸臺(tái)上的所述被加工工件的下表面，用以對被加工工件進(jìn)行定位。
[0009]其中，在每個(gè)所述絕緣環(huán)的上表面上與置于所述凸臺(tái)上的被加工工件下表面相互重疊的位置處形成有環(huán)形的密封槽，并且，在所述密封槽內(nèi)設(shè)置有密封件，用以密封所述凸臺(tái)的上表面和所述被加工工件之間的間隙。
[0010]其中，所述絕緣環(huán)所采用的材料包括陶瓷或石英。
[0011]其中，所述通孔的直徑小于所述被加工工件的直徑，所述蓋板的下表面的靠近各個(gè)通孔周邊的環(huán)形區(qū)域與所述被加工工件上表面的邊緣區(qū)域相互疊置，用以將所述被加工工件固定在所述凸臺(tái)的上表面上。
[0012]其中，所述通孔的直徑不小于所述被加工工件的直徑，并且在各個(gè)所述通孔的孔壁上沿其周向間隔設(shè)置有多個(gè)壓爪，每個(gè)所述壓爪的下表面與所述被加工工件上表面的邊緣區(qū)域相互疊置，用以將所述被加工工件固定在所述凸臺(tái)的上表面上。
[0013]其中，所述預(yù)定距離為1.9mm;所述通孔的孔壁與所述蓋板下表面之間的傾角為45° ;所述蓋板的厚度為2.5mm。
[0014]優(yōu)選地，在所述蓋板的下表面上，且對應(yīng)于所述托盤上表面的空置區(qū)域形成有支撐體，并且所述支撐體的下表面與托盤的上表面之間存在預(yù)定間距。
[0015]其中，所述托盤所采用的材料包括金屬。
[0016]其中，所述被加工工件包括藍(lán)寶石襯底。
[0017]本發(fā)明還提供一種等離子體加工設(shè)備，包括用于承載多個(gè)被加工工件的承載裝置，所述承載裝置采用本發(fā)明提供的所述承載裝置。
[0018]本發(fā)明具有下述有益效果:
[0019]本發(fā)明提供的承載裝置，其托盤的上表面上形成有多個(gè)承載被加工工件的凸臺(tái)，且凸臺(tái)的上表面與托盤的上表面之間存在預(yù)定高度差，由于在工藝過程中，凸臺(tái)上形成的直流負(fù)偏壓在被加工工件的邊緣區(qū)域產(chǎn)生電場方向朝向凸臺(tái)中心的電場，該電場與孔壁在被加工工件的邊緣區(qū)域產(chǎn)生的不同矢量的電場相互疊加，形成被加工工件的邊緣區(qū)域的電場，且通過調(diào)節(jié)該預(yù)定高度差、蓋板上通孔的孔壁與蓋板下表面之間的傾角以及蓋板的厚度，使得進(jìn)行工藝時(shí)在被加工工件的邊緣區(qū)域形成的電場方向趨于垂直向下，從而可以提高被加工工件的邊緣區(qū)域的刻蝕效果的均勻性，進(jìn)而可以提高工藝質(zhì)量。
[0020]本發(fā)明提供的等離子體加工設(shè)備，其通過采用本發(fā)明提供的反應(yīng)腔室，可以提高被加工工件的邊緣區(qū)域的刻蝕效果的均勻性，從而可以提高被加工工件的工藝均勻性，進(jìn)而可以提高工藝質(zhì)量。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為目前常用的承載裝置的立體圖；
[0022]圖2為承載裝置的局部剖視圖；
[0023]圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的承載裝置的局部剖視圖；
[0024]圖4為圖3中蓋板的俯視圖；
[0025]圖5為在被加工工件的邊緣區(qū)域的電場矢量疊加示意圖；
[0026]圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的另一種承載裝置的局部剖視圖；以及
[0027]圖7為圖3中蓋板的另一種結(jié)構(gòu)的俯視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0028]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的承載裝置及等離子體加工設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0029]圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的承載裝置的局部剖視圖。圖4為圖3中蓋板的俯視圖。圖5為在被加工工件S的邊緣區(qū)域的電場矢量疊加示意圖。請一并參閱圖3、圖4和圖5，承載裝置用于承載被加工工件，被加工工件包括藍(lán)寶石襯底，其包括托盤20和蓋板30，蓋板30與托盤20相互配合來將被加工工件S固定在二者之間，在托盤20的上表面上形成有多個(gè)凸臺(tái)201，用以承載被加工工件S，并且在蓋板30上設(shè)置有數(shù)量和位置與凸臺(tái)201相對應(yīng)的通孔301，在本實(shí)施例中，通孔301的直徑小于被加工工件S的直徑，蓋板30的下表面的靠近每個(gè)通孔301周邊的環(huán)形區(qū)域與置于凸臺(tái)201上表面的被加工工件S上表面的邊緣區(qū)域相互疊置，用以將被加工工件S固定在托盤20的凸臺(tái)201的上表面上，凸臺(tái)201的上表面與托盤20的上表面存在預(yù)定高度差H。并且，托盤20所采用的材料包括金屬，其中，金屬包括鋁；蓋板所采用的材料包括石英或者陶瓷。
[0030]在工藝過程中，將托盤20放置在反應(yīng)腔室內(nèi)的與射頻電源電連接的電極板上，當(dāng)射頻電源開啟時(shí)，其在被加工工件S上加載有負(fù)的直流自偏壓，該負(fù)的直流自偏壓所產(chǎn)生的電場方向垂直于被加工工件S的上表面，由于被加工工件S的邊緣區(qū)域受到凸臺(tái)201的影響，這使得在被加工工件S的邊緣區(qū)域產(chǎn)生電場El的方向朝向凸臺(tái)201的中心偏轉(zhuǎn)，并且預(yù)定高度差H越大，電場El朝向被加工工件S的中心區(qū)域的偏轉(zhuǎn)角度B越大。而且，在工藝過程中，蓋板30上各個(gè)通孔301的孔壁302上由于電子的堆積產(chǎn)生負(fù)的自偏壓，該自偏壓在被加工工件S的邊緣區(qū)域形成電場E2方向朝向孔壁302偏轉(zhuǎn)，并且，通孔301的孔壁302與蓋板30下表面之間的傾角Θ越大，電場E2朝向孔壁302的偏轉(zhuǎn)角度A越大；蓋板30的厚度T越大，電場E2朝向孔壁302的偏轉(zhuǎn)角度A越大。因此，在被加工工件的邊緣區(qū)域形成的電場E為電場El與電場E2矢量疊加。
[0031]綜上所述，通過調(diào)節(jié)預(yù)定高度差H、通孔301的孔壁302與蓋板30下表面之間的傾角Θ以及蓋板30的厚度T，以使進(jìn)行工藝時(shí)在被加工工件S的邊緣區(qū)域形成的電場E的方向趨于垂直于被加工工件的上表面向下，從而可以提高被加工工件的邊緣區(qū)域的刻蝕效果的均勻性，進(jìn)而可以提高工藝質(zhì)量。
[0032]此外，偏轉(zhuǎn)角度A和B的大小與被加工工件S上表面沿徑向上的不同位置有關(guān)，具體地，在距離凸臺(tái)201邊緣越近的位置偏轉(zhuǎn)角度B越大，距離孔壁302越近的位置處偏轉(zhuǎn)角度A越大。而且由于電場El和E2在不同位置之間的電場強(qiáng)度變化并不相同，因而無法通過調(diào)節(jié)預(yù)定高度差H、通孔301的孔壁302與蓋板30下表面之間的傾角Θ以及蓋板30的厚度T，使在被加工工件S的邊緣區(qū)域的每一個(gè)位置處形成的電場方向均垂直向下。
[0033]下面通過舉例來詳細(xì)地描述具體的調(diào)節(jié)過程:假設(shè)承預(yù)定高度差H很小，傾角Θ以及蓋板的厚度T均很大，在這種情況下，電場E的方向朝向通孔301的孔壁302的方向偏轉(zhuǎn)，而且，在越靠近被加工工件S的邊緣的位置處的電場E的偏轉(zhuǎn)角度越大，例如，在距離被加工工件S的邊緣3mm位置處的偏轉(zhuǎn)角度比在距離被加工工件S的邊緣2mm和Imm的位置處的偏轉(zhuǎn)角度大，在距離被加工工件S的邊緣2mm位置處的偏轉(zhuǎn)角度比在距離被加工工件S的邊緣1_的位置處的偏轉(zhuǎn)角度大；
[0034]增大預(yù)定高度差H，使電場E的方向朝向孔壁302的偏轉(zhuǎn)角度逐漸減小，直至在距離被加工工件S的邊緣3_位置處的電場E的方向垂直向下，此時(shí)，在距離被加工工件S的邊緣2mm位置處的電場E的方向朝向孔壁302的偏轉(zhuǎn)角度較小，在距離被加工工件S的邊緣Imm位置處的電場E的方向朝向孔壁302的偏轉(zhuǎn)角度較大；
[0035]繼續(xù)增大預(yù)定高度差H，直至在距離被加工工件S的邊緣2mm位置處的電場E的方向垂直向下，此時(shí)，在距離被加工工件S的邊緣3mm的位置處的電場E的方向朝向凸臺(tái)201的中心偏轉(zhuǎn)，且偏轉(zhuǎn)角度較小，在距離被加工工件S的邊緣Imm的位置處的電場E的方向仍朝向孔壁302的偏轉(zhuǎn)，且偏轉(zhuǎn)角度相對步驟I中偏轉(zhuǎn)角度偏小。優(yōu)選地，預(yù)定高度差H為
1.9mm ;通孔301的孔壁302與蓋板30下表面之間的傾角Θ為45° ;蓋板30的厚度T為
2.5mmο
[0036]由上可知，在距離被加工工件S的邊緣區(qū)域2mm的位置處的電場E的方向垂直向下，這使得2mm位置處的刻蝕工藝滿足工藝需求，而且在距離被加工工件S的邊緣區(qū)域3mm和Imm位置處的電場E的偏轉(zhuǎn)角度都很小，S卩，電場E的方向趨于垂直向下，這使得等離子體中的正離子在該電場E下來完成的刻蝕工藝在工藝指標(biāo)范圍內(nèi)，從而可以在提高被加工工件S的邊緣區(qū)域的刻蝕效果均勻性，進(jìn)而可以提高被加工工件S的工藝質(zhì)量。
[0037]在本實(shí)施例中，凸臺(tái)201的外徑小于被加工工件S的直徑，在托盤20的上表面上，且環(huán)繞每個(gè)凸臺(tái)201設(shè)置有環(huán)形凹槽202，并且在環(huán)形凹槽202內(nèi)放置有絕緣環(huán)203，絕緣環(huán)203所采用的材料包括陶瓷或石英，絕緣環(huán)203的上表面高于置于凸臺(tái)201上的被加工工件S的下表面，用以對被加工工件S進(jìn)行定位。容易理解，絕緣環(huán)203的尺寸與環(huán)形凹槽202的尺寸相匹配，以防止絕緣環(huán)203與環(huán)形凹槽202相對移動(dòng)，這不僅可以降低裝卸載被加工工件S的難度，而且可以避免在裝卸載過程中對被加工工件S造成損壞。
[0038]并且，在每個(gè)絕緣環(huán)203的上表面上與置于凸臺(tái)201上的被加工工件S下表面相互重疊的位置處形成有環(huán)形的密封槽204,并且,在密封槽204內(nèi)設(shè)置有密封件205,用以密封凸臺(tái)201的上表面和被加工工件S之間的間隙，以防止二者之間的熱交換媒介泄露,進(jìn)一步避免泄露的熱交換媒介對反應(yīng)腔室的工藝環(huán)境造成污染。
[0039]在本實(shí)施例中，承載裝置還包括多個(gè)螺釘，螺釘用于將托盤20與蓋板30固定。在實(shí)際應(yīng)用中，托盤20與蓋板30之間也可以采用其他方式固定，例如，采用機(jī)械壓爪的方式將蓋板30固定在托盤20的上表面上，具體地，機(jī)械壓爪的下表面疊置在蓋板30的邊緣區(qū)域。當(dāng)然，也可以采用其他方式固定，在此并不限定托盤20與蓋板30之間的固定方式。
[0040]圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的另一種承載裝置的局部剖視圖。請參閱圖6，由于凸臺(tái)201的上表面和托盤20的上表面之間存在預(yù)定高度差H，這使得蓋板30的下表面的靠近每個(gè)通孔301周邊的環(huán)形區(qū)域與置于凸臺(tái)201上表面的被加工工件S上表面的邊緣區(qū)域相互疊置時(shí)，蓋板30下表面的未與被加工工件S的上表面接觸的區(qū)域處在高懸空狀態(tài)，這使得蓋板30易損壞，導(dǎo)致蓋板的強(qiáng)度差，因而在蓋板30的下表面上，且對應(yīng)于托盤20上表面上的空置區(qū)域形成有支撐體303，且支撐體303的下表面與托盤20的上表面之間存在預(yù)定間距，以使蓋板30的下表面的靠近每個(gè)通孔301周邊的環(huán)形區(qū)域可以疊置在置于凸臺(tái)201上表面的被加工工件S上表面的邊緣區(qū)域，并且預(yù)定間距在0.1?2mm。優(yōu)選地，支撐體303和蓋板30可以一體成型，這可以進(jìn)一步增加蓋板30的強(qiáng)度，從而可以增加蓋板30的使用壽命，進(jìn)而可以提高承載裝置的穩(wěn)定性。在實(shí)際應(yīng)用中，支撐體303和蓋板30也可以采用粘接、螺紋等方式固定。
[0041]需要說明的是，在本實(shí)施例中，通孔301的直徑小于被加工工件S的直徑，借助蓋板30的下表面的靠近每個(gè)通孔301周邊的環(huán)形區(qū)域與被加工工件S上表面的邊緣區(qū)域相互疊置，將被加工工件S固定在凸臺(tái)201的上表面上，但是，本發(fā)明并不局限于此，在實(shí)際應(yīng)用中，蓋板30上的通孔301的直徑可以不小于被加工工件S的直徑，在各個(gè)通孔301的孔壁302上沿其周向間隔設(shè)置有多個(gè)壓爪302，如圖7所示，每個(gè)壓爪302的下表面與被加工工件S上表面的邊緣區(qū)域相互疊置，用以將被加工工件S固定在凸臺(tái)201的上表面上，借助間隔設(shè)置的多個(gè)壓爪302的下表面與被加工工件S上表面的邊緣區(qū)域疊置，這使得被加工工件S上表面的邊緣區(qū)域的部分面積被覆蓋，可以增加被加工工件S的可加工面積。
[0042]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種等離子體加工設(shè)備，其包括用于承載多個(gè)被加工工件S的承載裝置，該承載裝置采用了上述各個(gè)實(shí)施例提供的承載裝置。
[0043]本發(fā)明提供的等離子體加工設(shè)備，其通過采用本實(shí)施例提供的承載裝置，可以提高被加工工件S的邊緣區(qū)域的刻蝕效果的均勻性，從而可以提高被加工工件S的工藝均勻性，進(jìn)而可以提高工藝質(zhì)量。
[0044]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的原理和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種承載裝置，用于承載被加工工件，其包括托盤和蓋板，所述蓋板與所述托盤相互配合將被加工工件固定在二者之間，其特征在于，在所述托盤的上表面上形成有多個(gè)凸臺(tái)，用以承載被加工工件，并且在所述蓋板上設(shè)置有數(shù)量和位置與所述凸臺(tái)相對應(yīng)的通孔，且所述凸臺(tái)的上表面與所述托盤的上表面存在預(yù)定高度差； 通過調(diào)節(jié)所述預(yù)定高度差、所述通孔的孔壁與所述蓋板下表面之間的傾角以及所述蓋板的厚度，而使進(jìn)行工藝時(shí)在被加工工件的邊緣區(qū)域形成的電場方向趨于垂直于被加工工件的上表面向下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，所述凸臺(tái)的外徑小于所述被加工工件的直徑，在所述托盤的上表面上，且環(huán)繞每個(gè)所述凸臺(tái)設(shè)置有環(huán)形凹槽，并且 在所述環(huán)形凹槽內(nèi)放置有絕緣環(huán)，所述絕緣環(huán)的上表面高于置于所述凸臺(tái)上的所述被加工工件的下表面，用以對被加工工件進(jìn)行定位。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的承載裝置，其特征在于，在每個(gè)所述絕緣環(huán)的上表面上與置于所述凸臺(tái)上的被加工工件下表面相互重疊的位置處形成有環(huán)形的密封槽，并且，在所述密封槽內(nèi)設(shè)置有密封件，用以密封所述凸臺(tái)的上表面和所述被加工工件之間的間隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的承載裝置，其特征在于，所述絕緣環(huán)所采用的材料包括陶瓷或石英。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，所述通孔的直徑小于所述被加工工件的直徑，所述蓋板的下表面的靠近各個(gè)通孔周邊的環(huán)形區(qū)域與所述被加工工件上表面的邊緣區(qū)域相互疊置，用以將所述被加工工件固定在所述凸臺(tái)的上表面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，所述通孔的直徑不小于所述被加工工件的直徑，并且 在各個(gè)所述通孔的孔壁上沿其周向間隔設(shè)置有多個(gè)壓爪，每個(gè)所述壓爪的下表面與所述被加工工件上表面的邊緣區(qū)域相互疊置，用以將所述被加工工件固定在所述凸臺(tái)的上表面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，所述預(yù)定距離為1.9mm ;所述通孔的孔壁與所述蓋板下表面之間的傾角為45° ;所述蓋板的厚度為2.5_。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，在所述蓋板的下表面上，且對應(yīng)于所述托盤上表面的空置區(qū)域形成有支撐體，并且 所述支撐體的下表面與托盤的上表面之間存在預(yù)定間距。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，所述托盤所采用的材料包括金屬。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，所述被加工工件包括藍(lán)寶石襯底。
11.一種等離子體加工設(shè)備，包括用于承載多個(gè)被加工工件的承載裝置，其特征在于，所述承載裝置采用上述權(quán)利要求1-10任意一項(xiàng)所述的承載裝置。
【文檔編號(hào)】H01L21/265GK104282610SQ201310275283
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2013年7月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月2日
【發(fā)明者】李宗興 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司