半導(dǎo)體裝置制造方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體裝置，IGBT區(qū)域具有：第一導(dǎo)電型的集電極層，設(shè)置在第一電極的第一面?zhèn)?；第二?dǎo)電型的漂移層，設(shè)置在集電極層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)；第一導(dǎo)電型的體層，設(shè)置在漂移層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)；以及第二電極，經(jīng)由第一絕緣膜，在第一電極和集電極層的層疊方向上延伸地設(shè)置于漂移層及體層。二極管區(qū)域具有：第二導(dǎo)電型的陰極層，設(shè)置在第一電極的第一面?zhèn)?；漂移層，設(shè)置在陰極層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)；以及導(dǎo)電層，經(jīng)由第二絕緣膜，在層疊方向上延伸地設(shè)置于漂移層及陽極層。第二電極和導(dǎo)電層離開規(guī)定距離。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置
[0001]相關(guān)申請:本申請享受以日本專利申請2012-210238號(申請日:2012年9月24日)為基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該基礎(chǔ)申請而包含基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]近年，RC-1GBT(Reverse-conducting IGBT:逆導(dǎo)型 IGBT)的開發(fā)盛行。RC-1GBT是將絕緣柵型雙極晶體管(IGBT)和二極管形成在相同的基板上而構(gòu)成的，具有其雙方的特性。
[0004]另一方面，以往，在溝槽IGBT中提出有降低柵電阻的梳狀(finger)構(gòu)造。在該梳狀構(gòu)造中，溝槽內(nèi)的柵電極一度被向基板表面引出，并在梳狀區(qū)域相互連接。由此，抑制在相同元件內(nèi)由柵電極的電阻成分引起的不均勻動(dòng)作等。并且，為了抑制梳狀區(qū)域的位于布線正下方的溝槽的端部產(chǎn)生耐壓惡化，以覆蓋該溝槽的端部的方式形成高濃度的擴(kuò)散層。
[0005]在RC-1GBT構(gòu)造中在IGBT與二極管的邊界形成梳狀區(qū)域的情況下，也會形成上述的擴(kuò)散層。然而，就二極管來看，上述擴(kuò)散層作為高注入的陽極、并作為載流子的注入源起作用，因此會阻礙二極管的高速化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]一個(gè)方案的半導(dǎo)體裝置為，具有第一電極、IGBT區(qū)域及二極管區(qū)域。IBGT區(qū)域具有:第一導(dǎo)電型的集電極層，設(shè)置在第一電極的第一面?zhèn)?；第二?dǎo)電型的漂移層，設(shè)置在集電極層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)；第一導(dǎo)電型的體層，設(shè)置在漂移層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)；第二電極，經(jīng)由第一絕緣膜，在第一電極和集電極層的層疊方向上延伸地設(shè)置于漂移層及體層；以及第二導(dǎo)電型的發(fā)射極層，與第一絕緣膜接觸，且設(shè)置在體層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)。二極管區(qū)域具有:第二導(dǎo)電型的陰極層，設(shè)置在第一電極的第一面?zhèn)龋簧鲜銎茖?，設(shè)置在陰極層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)；第一導(dǎo)電型的陽極層，設(shè)置在漂移層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)；以及導(dǎo)電層，經(jīng)由第二絕緣膜，在層疊方向上延伸地設(shè)置于漂移層及陽極層。第二電極及導(dǎo)電層在與第一電極的第一面平行的第一方向上延伸。第二電極和導(dǎo)電層在第一方向上離開規(guī)定距離。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的概略的俯視圖。
[0008]圖2是第一實(shí)施方式的圖1的A-A’截面圖。
[0009]圖3是第一實(shí)施方式的圖1的B-B’截面圖。
[0010]圖4是第一實(shí)施方式的圖1的C-C’截面圖。
[0011]圖5是表示溝槽Tl和溝槽T2之間的間隔與當(dāng)溝槽Tl和溝槽T2之間夾斷時(shí)施加在二極管區(qū)域R2的陽極和陰極之間的施加電壓的關(guān)系的圖。
[0012]圖6是表示第二實(shí)施方式的溝槽Tl、T2、柵極導(dǎo)電層18及導(dǎo)電層24的俯視圖。
[0013]圖7是表示第三實(shí)施方式的溝槽Tl、T2、柵極導(dǎo)電層18及導(dǎo)電層24的俯視圖。
[0014]圖8是其他實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]以下，參照【專利附圖】

【附圖說明】實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。
[0016][第一實(shí)施方式]
[0017]首先，參照圖1對第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的整體構(gòu)成進(jìn)行說明。圖1是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的概略的俯視圖。如圖1所示那樣，第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置在半導(dǎo)體基板10具有IGBT區(qū)域R1、二極管區(qū)域R2。IGBT區(qū)域Rl作為絕緣柵型雙極晶體管(IGBT)起作用。二極管區(qū)域R2在X方向上與IGBT區(qū)域Rl相鄰接，作為二極管起作用。此外，X方向是與半導(dǎo)體基板10平行的方向。
[0018]接下來，參照圖1及圖2來說明IGBT區(qū)域R1。圖2是圖1的A-A’的截面圖。如圖2所示那樣，IGBT區(qū)域Rl具有設(shè)置在半導(dǎo)體基板10的背面的共通電極11、以及設(shè)置在半導(dǎo)體基板10內(nèi)的集電極層12、緩沖層13及漂移層14。
[0019]共通電極11在IGBT區(qū)域Rl中作為IGBT的集電極起作用。集電極層12作為IGBT的集電極起作用。集電極層12在IGBT區(qū)域Rl中與共通電極11的上表面接觸。集電極層12由P+型半導(dǎo)體構(gòu)成。此外，以下，在本實(shí)施方式中，P—型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體相比雜質(zhì)濃度更低，P +型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體相比雜質(zhì)濃度更高。同樣，N 一型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體相比雜質(zhì)濃度更低，N +型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體相比雜質(zhì)濃度更高。
[0020]緩沖層13在IGBT區(qū)域Rl中與集電極層12的上表面接觸。緩沖層13由N型半導(dǎo)體構(gòu)成。漂移層14在IGBT區(qū)域Rl中與緩沖層13的上表面接觸。漂移層14由N —型半導(dǎo)體構(gòu)成。
[0021]此外，如圖2所示那樣，IGBT區(qū)域Rl具有設(shè)置在半導(dǎo)體基板10內(nèi)的體層15及發(fā)射極層16。
[0022]體層15在IGBT區(qū)域Rl中與漂移層14的上表面接觸。體層15具有低濃度體層15a及高濃度體層15b。低濃度體層15a與漂移層14的上表面接觸，由P —型半導(dǎo)體構(gòu)成。高濃度體層15b與低濃度體層15a的上表面接觸、并在Y方向上以規(guī)定間距反復(fù)設(shè)置。高濃度體層15b由P +型半導(dǎo)體構(gòu)成。此外，Y方向是與X方向正交的方向。體層15中的低濃度體層15a作為IGBT的體(溝道區(qū)域)起作用。
[0023]發(fā)射極層16作為IGBT的發(fā)射極起作用。發(fā)射極層16在IGBT區(qū)域Rl中與低濃度體層15a的上表面及高濃度體層15b的側(cè)面接觸。發(fā)射極層16由N +型半導(dǎo)體構(gòu)成。
[0024]并且，如圖2所示那樣，IGBT區(qū)域Rl具有溝槽Tl、柵極絕緣層17及柵極導(dǎo)電層18。
[0025]溝槽Tl以挖掘半導(dǎo)體基板10的方式形成。具體地，溝槽Tl以貫通體層15地挖掘漂移層14的方式形成。如圖1所示那樣，溝槽Tl具有在X方向上延伸的形狀，在X方向及Y方向上配置為矩陣狀。
[0026]柵極絕緣層17形成在溝槽Tl的表面上。柵極絕緣層17例如由氧化硅構(gòu)成。柵極導(dǎo)電層18經(jīng)由柵極絕緣層17填埋溝槽Tl，作為IGBT的柵極起作用。柵極導(dǎo)電層18例如由多晶硅構(gòu)成。
[0027]并且，如圖1所示那樣，IGBT區(qū)域Rl具有梳狀布線19。如圖1及圖4所示那樣，梳狀布線19經(jīng)由絕緣層19a設(shè)置在柵極導(dǎo)電層18的X方向的端部的上方。梳狀布線19通過在貫通絕緣層19a的孔19b內(nèi)形成的導(dǎo)電層19c而與多個(gè)柵極導(dǎo)電層18電氣地共通連接。梳狀布線19具有梳齒形狀。梳狀布線19形成為對在X方向上相鄰的柵極導(dǎo)電層18的一端和另一端進(jìn)行覆蓋。此外，在圖1中，在IGBT區(qū)域Rl中，梳狀布線19將柵極導(dǎo)電層18相互電連接，但是例如也可以為，在末端部，梳狀布線19將柵極導(dǎo)電層18相互電連接。
[0028]接下來，參照圖1及圖3來說明二極管區(qū)域R2。圖3是圖1的B-B’截面圖。如圖
3所示那樣，二極管區(qū)域R2具有設(shè)置在半導(dǎo)體基板10的背面上的共通電極11、以及設(shè)置在半導(dǎo)體基板10內(nèi)的陰極層21、緩沖層13及漂移層14。
[0029]共通電極11在二極管區(qū)域R2中作為二極管的陰極電極起作用。共通電極11從IGBT區(qū)域Rl向二極管區(qū)域R2延伸。陰極層21在二極管區(qū)域R2中作為二極管的陰極起作用。陰極層21在二極管區(qū)域R2中與共通電極11的上表面接觸。陰極層21由N+型半導(dǎo)體構(gòu)成。
[0030]緩沖層13在二極管區(qū)域R2中與陰極層21的上表面接觸。漂移層14在二極管區(qū)域R2中與緩沖層13的上表面接觸。緩沖層13及漂移層14從IGBT區(qū)域Rl向二極管區(qū)域R2延伸。
[0031]此外，如圖3所示那樣，二極管區(qū)域R2具有陽極層22、溝槽T2、絕緣層23及導(dǎo)電層24。
[0032]陽極層22作為二極管的陽極起作用。陽極層22在二極管區(qū)域R2中與漂移層14的上表面接觸。陽極層22具有低濃度陽極層22a及高濃度陽極層22b。低濃度陽極層22a與漂移層14的上表面接觸，由P —型半導(dǎo)體構(gòu)成。高濃度陽極層22b與低濃度陽極層22a的上表面接觸，由P +型半導(dǎo)體構(gòu)成。
[0033]溝槽T2以挖掘半導(dǎo)體基板10的方式形成。具體地，溝槽T2以貫通陽極層22地挖掘漂移層14的方式形成。如圖1所示那樣，溝槽T2具有在X方向上延伸的形狀，在X方向及Y方向上配置為矩陣狀。
[0034]絕緣層23形成在溝槽T2的表面上。絕緣層23例如由氧化硅構(gòu)成。導(dǎo)電層24經(jīng)由絕緣層23填埋溝槽T2，作為二極管的陽極電極起作用。導(dǎo)電層24例如由多晶硅構(gòu)成。
[0035]并且，如圖1所示那樣，二極管區(qū)域R2具有梳狀布線25。如圖1及圖4所示那樣，梳狀布線25經(jīng)由絕緣層25a設(shè)置在導(dǎo)電層24的X方向的端部的上方。梳狀布線25通過在貫通絕緣層25a的孔25b內(nèi)形成的導(dǎo)電層25c而將多個(gè)導(dǎo)電層24電氣地共通連接。梳狀布線25具有梳齒形狀。梳狀布線25形成為對在X方向上相鄰的導(dǎo)電層24的一端和另一端進(jìn)行覆蓋。此外，梳狀布線19和梳狀布線25相互絕緣分離。其中，IGBT區(qū)域Rl的柵極導(dǎo)電層18作為柵極起作用，二極管區(qū)域R2的導(dǎo)電層24作為陽極起作用，因此不會將導(dǎo)電層18與導(dǎo)電層24在IGBT區(qū)域Rl及二極管區(qū)域R2中連接。
[0036]接下來，參照圖4，說明溝槽Tl (導(dǎo)電層18)與溝槽T2 (導(dǎo)電層24)之間的間隔(以下稱為溝槽間隔W)。圖4是圖1的C-C’截面圖。在圖4所示的一個(gè)例子中，溝槽間隔W為2μπι以下?；谝韵碌膱D5所示的關(guān)系來設(shè)定該溝槽間隔W。[0037]圖5的橫軸表示溝槽間隔W ( μ m)。在RC-1GBT的情況下，IGBT的體層15與二極管的陽極層22通過擴(kuò)散層連接，并成為相同的電位。由此，示出在體層15及陽極層22與漂移層14之間施加反向偏壓而從此處延伸出耗盡層時(shí)、從而溝槽Tl與溝槽T2之間夾斷(夾斷)時(shí)所施加的施加電壓(V)。如圖5所示那樣，在溝槽間隔W為2μπι以下的情況下，隨著溝槽間隔W擴(kuò)大而施加電壓按照第一增加率增大。然后，如圖5所示那樣，在溝槽間隔W大于2 μ m的情況下，隨著溝槽間隔W擴(kuò)大而施加電壓按照比第一增加率大的第二增加率增大。因此，可知為了通過較小的施加電壓使溝槽Tl與溝槽T2之間夾斷，溝槽間隔W優(yōu)選為2 μ m以下。因此，在本實(shí)施方式中，如圖4所示那樣，作為一個(gè)例子，溝槽間隔W被設(shè)定為2μπι以下。由此，本實(shí)施方式中，即使在施加電壓較小的情況下，也能夠成為將溝槽Tl與溝槽Τ2之間夾斷的狀態(tài)。由此，本實(shí)施方式中，即使不采取在溝槽Tl與溝槽Τ2之間形成高濃度的擴(kuò)散層而防止溝槽前端部的耐壓惡化的對策，也能夠較高地保持靜耐壓。
[0038]此外，在圖4所示的例子中，溝槽間隔W為2μπι以下。但是，施加電壓的增加率急劇變化的溝槽間隔根據(jù)各層的濃度及溝槽的深度等而成為不同于2 μ m的值。因此，本實(shí)施方式的溝槽間隔W只要是施加電壓的增加率發(fā)生變化時(shí)的溝槽間隔(變曲點(diǎn))以下即可。
[0039]此外，在本實(shí)施方式的二極管區(qū)域R2中，將在Y方向上相鄰接的導(dǎo)電層24 (溝槽T2)的側(cè)壁-側(cè)壁間隔設(shè)為A，將導(dǎo)電層24 (溝槽T2)的深度設(shè)為B的情況下，優(yōu)選滿足A/B = 0.5。如果在該條件下，則在相鄰導(dǎo)電層24之間低濃度陽極層22a下部的漂移層14耗盡化，因此抑制低濃度陽極層22a中的耗盡層到達(dá)上層。
[0040][第二實(shí)施方式]
[0041]接下來，參照圖6說明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。圖6是表示第二實(shí)施方式的溝槽Tl、T2、柵極導(dǎo)電層18及導(dǎo)電層24的俯視圖。在此，特別是梳狀布線未圖示。如圖6所示那樣，在第二實(shí)施方式中，溝槽Tl、T2沿X方向延伸，具有在IGBT區(qū)域Rl與二極管區(qū)域R2的邊界B處折回的U字形狀。因此，同樣，柵極導(dǎo)電層18及導(dǎo)電層24也沿X方向延伸，具有在IGBT區(qū)域Rl與二極管區(qū)域R2的邊界B處折回的U字形狀。僅在這一點(diǎn)上，第二實(shí)施方式與第一實(shí)施方式不同。除此以外，第二實(shí)施方式具有與第一實(shí)施方式同樣的構(gòu)成，因此起到與第一實(shí)施方式同樣的效果。
[0042][第三實(shí)施方式]
[0043]接下來，參照圖7說明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。圖7是表示第三實(shí)施方式的溝槽T1、T2、柵極導(dǎo)電層18及導(dǎo)電層24的俯視圖。在此特別是梳狀布線未圖示。如圖7所不那樣，在第三實(shí)施方式中，溝槽Tl、Τ2、柵極導(dǎo)電層18及導(dǎo)電層24與第二實(shí)施方式同樣具有U字形狀。另一方面，在第三實(shí)施方式中，溝槽Tl、Τ2并未在X方向上排列為一列，而是沿Y方向錯(cuò)開配置。因此，同樣，柵極導(dǎo)電層18及導(dǎo)電層24也并未在X方向上排列為一列，而沿Y方向錯(cuò)開配置。僅在這一點(diǎn)上，第三實(shí)施方式與第一及第二實(shí)施方式不同。除此以夕卜，第三實(shí)施方式具有與第一實(shí)施方式同樣的構(gòu)成，因此起到與第一實(shí)施方式同樣的效果。
[0044][其他]
[0045]對本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但這些實(shí)施方式是作為例子提示的，不意圖限定發(fā)明的范圍。這些新的實(shí)施方式能夠以其他的各種方式來實(shí)施，在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施方式、其變形包含于發(fā)明的范圍、主旨，并且包含于專利請求的范圍記載的發(fā)明及其等同的范圍內(nèi)。[0046]例如，上述第一?第三實(shí)施方式的構(gòu)造被應(yīng)用于相鄰接的一個(gè)IGBT區(qū)域Rl和一個(gè)二極管區(qū)域R2。然而，如圖8所示那樣，本實(shí)施方式也能夠應(yīng)用于相鄰接的2個(gè)IGBT區(qū)域R1。圖8所示的2個(gè)IGBT區(qū)域Rl具有與第一實(shí)施方式同樣的層疊構(gòu)造。柵電極層18分別在X方向上延伸，在X方向上相互離開溝槽間隔W。此外，圖8所示的構(gòu)造不限定于第一實(shí)施方式，也能夠應(yīng)用于第二及第三實(shí)施方式。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備: 第一電極； IGBT區(qū)域，具有:第一導(dǎo)電型的集電極層，設(shè)置在上述第一電極的第一面?zhèn)?；第二?dǎo)電型的漂移層，設(shè)置在上述集電極層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)；第一導(dǎo)電型的體層，設(shè)置在上述漂移層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)；第二電極，經(jīng)由第一絕緣膜，在上述第一電極與上述集電極層的層疊方向上延伸地設(shè)置于上述漂移層及上述體層；以及第二導(dǎo)電型的發(fā)射極層，與上述第一絕緣膜接觸，且設(shè)置在上述體層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)；以及 二極管區(qū)域，具有:第二導(dǎo)電型的陰極層，設(shè)置在上述第一電極的第一面?zhèn)?；上述漂移層，設(shè)置在上述陰極層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)；第一導(dǎo)電型的陽極層，設(shè)置在上述漂移層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)；以及導(dǎo)電層，經(jīng)由第二絕緣膜，在層疊方向上延伸地設(shè)置于上述漂移層及上述陽極層； 上述第二電極及上述導(dǎo)電層在與上述第一電極的第一面平行的第一方向上延伸， 上述第二電極和上述導(dǎo)電層在上述第一方向上離開規(guī)定距離。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述規(guī)定距離為2μm以下。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述第二電極在上述第一方向上延伸，并且具有在上述IGBT區(qū)域與上述二極管區(qū)域的邊界處折回的U字形狀。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述導(dǎo)電層在上述第一方向上延伸，并且具有在上述IGBT區(qū)域與上述二極管區(qū)域的邊界處折回的U字形狀。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述第二電極及上述導(dǎo)電層在與上述第一方向正交的第二方向上排列為一列。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述第二電極及上述導(dǎo)電層在與上述第一方向正交的第二方向上錯(cuò)開配置。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在上述第二電極與上述導(dǎo)電層之間的電極間隔為第一間隔以下的情況下，上述第二電極與上述導(dǎo)電層之間夾斷時(shí)對上述二極管區(qū)域的上述陽極層與上述漂移層之間施加的施加電壓，隨著上述電極間隔擴(kuò)大而按照第一增加率增大， 在上述電極間隔大于上述第一間隔的情況下，上述施加電壓隨著上述電極間隔擴(kuò)大而按照比上述第一增加率大的第二增加率增大， 上述電極間隔被設(shè)定為上述第一間隔以下。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述第二電極及上述導(dǎo)電層分別在與上述第一電極的第一面平行且與上述第一方向正交的第二方向上、以及上述第一方向上隔開第二間隔地排列有多個(gè)。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備: 第一布線，設(shè)置在上述第二電極的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)，與多個(gè)上述第二電極電連接；以及 第二布線，設(shè)置在上述導(dǎo)電層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)，將多個(gè)上述導(dǎo)電層電連接，上述第一布線形成為覆蓋在上述第一方向上相鄰的上述第二電極的一端和另一端， 上述第二布線形成為覆蓋在上述第一方向上相鄰的上述導(dǎo)電層的一端和另一端， 上述第一布線和上述第二布線相互絕緣分離。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 將一對導(dǎo)電層的側(cè)壁-側(cè)壁間隔設(shè)為A、上述導(dǎo)電層的層疊方向的深度設(shè)為B時(shí)，A相對于B之比小于等于0.5。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述體層具備: 第一體層，與上述漂移層接觸；以及 第二體層，與上述第一體層接觸，具有比上述第一體層高的雜質(zhì)濃度。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述陽極層具備: 第一陽極層，與上述漂移層接觸；以及 第二陽極層，與上述第一體層接觸，具有比上述第一陽極層高的雜質(zhì)濃度。
13.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述第一布線具有梳齒形狀。
14.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述第二布線具有梳齒形狀。
15.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備: 第一絕緣層，設(shè)置在上述第二電極的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)；以及 第一導(dǎo)電層，設(shè)置在上述第一絕緣層內(nèi)； 上述第一布線經(jīng)由上述第一導(dǎo)電層與上述第二電極電連接。
16.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備: 第二絕緣層，設(shè)置在上述導(dǎo)電層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)；以及 第二導(dǎo)電層，設(shè)置在上述第二絕緣層內(nèi)， 上述第二布線經(jīng)由上述第二導(dǎo)電層與上述導(dǎo)電層電連接。
17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述第一絕緣膜由氧化硅構(gòu)成， 上述第二電極由多晶硅構(gòu)成。
18.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述第二絕緣膜由氧化硅構(gòu)成， 上述導(dǎo)電層由多晶硅構(gòu)成。
19.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在上述第二電極與上述導(dǎo)電層之間的電極間隔為第一間隔以下的情況下，上述第二電極與上述導(dǎo)電層之間夾斷時(shí)對上述IGBT區(qū)域的上述體層與上述漂移層之間施加的施加電壓，隨著上述電極間隔擴(kuò)大而按照第一增加率增大， 在上述電極間隔大于上述第一間隔的情況下，上述施加電壓隨著上述電極間隔擴(kuò)大而按照比上述第一增加率大的第二增加率增大， 上述電極間隔被設(shè)定為上述第一間隔以下。
20.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備: 第一電極；以及 第一 IGBT區(qū)域及第二 IGBT區(qū)域，具有:第一導(dǎo)電型的集電極層，設(shè)置在上述第一電極的第一面?zhèn)龋坏诙?dǎo)電型的漂移層，設(shè)置在上述集電極層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè);第一導(dǎo)電型的體層，設(shè)置在上述漂移層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)；第二電極，經(jīng)由第一絕緣膜，在上述第一電極與上述集電極層的層疊方向上延伸地設(shè)置于上述漂移層及上述體層；以及第二導(dǎo)電型的發(fā)射極層，與上述第一絕緣膜接觸，且設(shè)置在上述體層的與第一電極側(cè)相反的一側(cè)， 多個(gè)第二電極在與上述第一電極的第一面平行的第一方向上延伸， 上述多個(gè)第二電極在上 述第一方向上相互離開規(guī)定距離。
【文檔編號】H01L29/423GK103681668SQ201310363266
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月24日
【發(fā)明者】末代知子, 松田正, 中村和敏, 押野雄一 申請人:株式會社東芝