陣列基板、顯示裝置及制作陣列基板的方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及陣列基板、顯示裝置及制作陣列基板的方法，其中一種陣列基板，包括：位于不同層的第一金屬連接部和第二金屬連接部，還包括用于連接第一金屬連接部和第二金屬連接部的透明導(dǎo)電膜層；第一金屬部與第二金屬連接部通過(guò)第一絕緣層隔開(kāi)；第一金屬連接部與第二金屬連接部在垂直于陣列基板平面的方向上至少部分重疊。本發(fā)明的有益效果是：第一金屬連接部與第二金屬連接部在垂直于基板平面的方向上至少部分重疊，用于連通第一金屬連接部、第二金屬連接部的透明導(dǎo)電膜層在與襯底基板平行方向上的距離大大縮短，減小了透明導(dǎo)電膜層與第一金屬連接部、第二金屬連接部接觸的接觸電阻的大小，減少了透明導(dǎo)電膜層坡面的產(chǎn)生。
【專(zhuān)利說(shuō)明】陣列基板、顯示裝置及制作陣列基板的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板、顯示裝置及制作陣列基板的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]陣列基板包括襯底基板1，以及依次形成在襯底基板I上的柵金屬連接部2、第一絕緣層3、源/漏金屬連接部4、第二絕緣層5，需要連接Gate (柵金屬連接部)和SD (源/漏金屬連接部)金屬時(shí)，會(huì)在Gate和SD金屬上分別設(shè)置第一過(guò)孔7和第二過(guò)孔8去除柵金屬連接部上方的第一絕緣層3和第二絕緣層5，以及去除源/漏金屬連接部4上方的第二絕緣層5，然后用ΙΤ0(透明導(dǎo)電膜層)6連接，如圖1所示，由于過(guò)孔存在坡度角以及絕緣層存在段差，且柵金屬連接部2和源/漏金屬連接部4之間的距離比較長(zhǎng)，柵金屬連接部2和源/漏金屬連接部4之間的IT06出現(xiàn)多個(gè)坡面結(jié)構(gòu)，而使得柵金屬連接部2和源/漏金屬連接部4之間的電阻增加，且IT06容易出現(xiàn)斷裂現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示裝置及制作陣列基板的方法，減少柵金屬連接部、源/漏金屬連接部之間的透明導(dǎo)電膜層的坡面結(jié)構(gòu)，減小電阻。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種陣列基板，包括:位于不同層的第一金屬連接部和第二金屬連接部，還包括用于連接所述第一金屬連接部和第二金屬連接部的透明導(dǎo)電膜層；
[0005]所述第一金屬部與所述第二金屬連接部通過(guò)第一絕緣層隔開(kāi)；所述第一金屬連接部與所述第二金屬連接部在垂直于陣列基板平面的方向上至少部分重疊。
[0006]進(jìn)一步的，還包括:
[0007]與所述第二金屬連接部同層或在所述第二金屬連接部上形成的第二絕緣層；
[0008]貫穿所述第二絕緣層和第一絕緣層的第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口露出所述第一金屬連接部的至少一部分以及所述第二金屬連接部的至少一部分；所述透明導(dǎo)電膜層覆蓋所述第一開(kāi)口以連接所述第一金屬連接部和所述第二金屬連接部。
[0009]進(jìn)一步的，所述第一金屬連接部的至少部分邊緣與所述第二金屬連接部的至少部分邊緣在垂直于陣列基板平面的方向上平齊，所述第一開(kāi)口露出該平齊的所述第一金屬連接部的邊緣及所述第二金屬連接部的邊緣。
[0010]進(jìn)一步的，所述第二金屬連接部位于所述第一金屬連接部的正上方。
[0011]進(jìn)一步的，所述第一開(kāi)口還貫穿所述第二金屬連接部，并露出所述第一金屬連接部上表面的一部分。
[0012]進(jìn)一步的，所述陣列基板為薄膜晶體管陣列基板，所述第一金屬連接部和第二金屬連接部位于所述陣列基板的周邊區(qū)域；所述第一金屬連接部為柵金屬連接部，所述第二金屬連接部為源/漏金屬連接部。[0013]進(jìn)一步的，所述陣列基板上的所述柵金屬連接部、第一絕緣層、所述源/漏金屬連接部、第二絕緣層依次設(shè)置在所述陣列基板的襯底基板上；或，
[0014]所述陣列基板的所述源/漏金屬連接部、第一絕緣層、所述柵金屬連接部、第二絕緣層依次設(shè)置在所述陣列基板的襯底基板上。
[0015]進(jìn)一步的，
[0016]所述柵金屬連接部為所述陣列基板的柵線(xiàn)的一端連接部，所述源/漏金屬連接部為柵線(xiàn)引出線(xiàn)的一端連接部，所述透明導(dǎo)電膜層用于通過(guò)所述第一開(kāi)口將所述柵線(xiàn)和所述柵線(xiàn)引出線(xiàn)電連接；或者，
[0017]所述源/漏金屬連接部為所述陣列基板的數(shù)據(jù)線(xiàn)的一端連接部，所述柵金屬連接部為所述陣列基板的數(shù)據(jù)線(xiàn)引出線(xiàn)的一端連接部，所述透明導(dǎo)電膜層用于通過(guò)所述第一開(kāi)口將所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)引出線(xiàn)電連接；或者，
[0018]所述柵金屬連接部和所述源/漏金屬連接部?jī)烧咧兄粸樗鲫嚵谢宓男盘?hào)線(xiàn)的一端連接部，另一為該信號(hào)線(xiàn)的修復(fù)線(xiàn)，所述透明導(dǎo)電膜層用于通過(guò)所述第一開(kāi)口將所述信號(hào)線(xiàn)和所述修復(fù)線(xiàn)電連接，其中所述信號(hào)線(xiàn)為柵線(xiàn)或數(shù)據(jù)線(xiàn)；或者，
[0019]所述柵金屬連接部和所述源/漏金屬連接部分別為所述陣列基板的公共電極引線(xiàn)的不同線(xiàn)段之間的連接部，所述透明導(dǎo)電膜層用于通過(guò)所述第一開(kāi)口將該不同線(xiàn)段電連接。
[0020]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0021]本發(fā)明還提供一種陣列基板的制造方法，包括:
[0022]通過(guò)構(gòu)圖工藝在陣列基板上形成位于不同層的第一金屬連接部和第二金屬連接部;
[0023]通過(guò)構(gòu)圖工藝在陣列基板上形成用于連接所述第一金屬連接部和第二金屬連接部的透明導(dǎo)電膜層；
[0024]所述方法還包括；在所述第一金屬部與所述第二金屬連接部之間形成第一絕緣層；
[0025]且，所述第一金屬連接部與所述第二金屬連接部在垂直于基板平面的方向上至少
部分重疊。
[0026]進(jìn)一步的，還包括
[0027]在陣列基板頂層的所述第一金屬連接部或所述第二金屬連接部上形成第二絕緣層；
[0028]通過(guò)構(gòu)圖工藝，貫穿所述第二絕緣層和第一絕緣層形成第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口露出所述第一金屬連接部的至少一部分以及所述第二金屬連接部的至少一部分；
[0029]通過(guò)構(gòu)圖工藝，在所述第一開(kāi)口上形成所述透明導(dǎo)電膜層以連接所述第一金屬連接部和所述第二金屬連接部。
[0030]本發(fā)明的有益效果是:所述第一金屬連接部與所述第二金屬連接部在垂直于基板平面的方向上至少部分重疊，用于連通所述第一金屬連接部、所述第二金屬連接部的透明導(dǎo)電膜層在與所述襯底基板平行方向上的距離大大縮短，減小了透明導(dǎo)電膜層與所述第一金屬連接部、第二金屬連接部接觸的接觸電阻的大小，減少了透明導(dǎo)電膜層坡面的產(chǎn)生?！緦?zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0031]圖1表示現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板截面示意圖；
[0032]圖2表示本發(fā)明一實(shí)施例中陣列基板截面示意圖；
[0033]圖3表示本發(fā)明一實(shí)施例中陣列基板截面示意圖；
[0034]圖4表不本發(fā)明一實(shí)施例中陣列基板截面不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)和原理進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，所舉實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，并非以此限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0036]如圖2所示，本實(shí)施例提供一種陣列基板，包括:位于不同層的第一金屬連接部2和第二金屬連接部4，還包括用于連接所述第一金屬連接部2和第二金屬連接部4的透明導(dǎo)電膜層6 ；
[0037]所述第一金屬部2與所述第二金屬連接部4通過(guò)第一絕緣層3隔開(kāi)；所述第一金屬連接部2與所述第二金屬連接部4在垂直于陣列基板平面的方向上至少部分重疊。
[0038]本實(shí)施例中，所述第一金屬連接部與所述第二金屬連接部在垂直于基板平面的方向上至少部分重疊，用于連通所述第一金屬連接部、所述第二金屬連接部的透明導(dǎo)電膜層在與所述襯底基板平行方向上的距離大大縮短，減小了透明導(dǎo)電膜層與所述第一金屬連接部、第二金屬連接部接觸的接觸電阻的大小，減少了透明導(dǎo)電膜層坡面的產(chǎn)生。提升了畫(huà)面質(zhì)量，同時(shí)減少了透明導(dǎo)電膜層坡面的產(chǎn)生，則大大減少了透明導(dǎo)電膜層斷裂的可能性。
[0039]與所述第二金屬連接部同層或在所述第二金屬連接部上形成的第二絕緣層；
[0040]貫穿所述第二絕緣層5和第一絕緣層3的第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口露出所述第一金屬連接部2的至少一部分以及所述第二金屬連接部4的至少一部分；所述透明導(dǎo)電膜層6覆蓋所述第一開(kāi)口以連接所述第一金屬連接部2和所述第二金屬連接部4。
[0041]本實(shí)施例中僅采用第一開(kāi)口 一個(gè)開(kāi)口的設(shè)置代替現(xiàn)有技術(shù)中的兩個(gè)開(kāi)口的結(jié)構(gòu)形式，減少了透明導(dǎo)電膜層坡面的產(chǎn)生，則大大減少了透明導(dǎo)電膜層斷裂的可能性。
[0042]本實(shí)施例中，為了實(shí)現(xiàn)所述第一金屬連接部2與所述第二金屬連接部4在與陣列基板平面平行的方向的間隙為零，以實(shí)現(xiàn)用于連通所述第一金屬連接部2、所述第二金屬連接部4的透明導(dǎo)電膜層6的坡面結(jié)構(gòu)減少，所述第一金屬連接部2、所述第二金屬連接部4的設(shè)置優(yōu)選為以下結(jié)構(gòu)形式:
[0043]如圖3所示，一實(shí)施例中，所述第一金屬連接部2的至少部分邊緣與所述第二金屬連接部4的至少部分邊緣在垂直于陣列基板平面的方向上平齊，所述第一開(kāi)口露出該平齊的所述第一金屬連接部2的邊緣及所述第二金屬連接部4的邊緣。
[0044]應(yīng)當(dāng)指出的是，所述第一金屬連接部2的至少部分邊緣與所述第二金屬連接部4的至少部分邊緣在垂直于陣列基板平面的方向上平齊，即所述第一金屬連接部2的至少部分邊緣與所述第二金屬連接部4的至少部分邊緣在垂直于陣列基板平面的方向上是重疊的，是上述所描述的實(shí)施例中所述第一金屬連接部2與所述第二金屬連接部4在垂直于陣列基板平面的方向上至少部分重疊中的一種實(shí)施方式。
[0045]如圖4所示，一實(shí)施例中，所述第二金屬連接部4位于所述第一金屬連接部2的正上方。[0046]所述第一開(kāi)口還貫穿所述第二金屬連接部4，并露出所述第一金屬連接部2上表面的一部分。
[0047]本實(shí)施例中，所述陣列基板為薄膜晶體管陣列基板，所述第一金屬連接部2和第二金屬連接部4位于所述陣列基板的周邊區(qū)域(陣列基板可以是顯示基板，也可以是其他用途的基板，例如太陽(yáng)能電池板等，這里的周邊區(qū)域，是指在陣列基板周邊用于信號(hào)線(xiàn)引出、包括布線(xiàn)走線(xiàn)、襯墊等的區(qū)域，例如顯示基板外圍的非顯示區(qū)域)；所述第一金屬連接部2為柵金屬連接部，所述第二金屬連接部4為源/漏金屬連接部。
[0048]所述柵金屬連接部、所述源/漏金屬連接部至少部分重疊，僅僅設(shè)置在所述柵金屬連接部、所述源/漏金屬連接部上的的透明導(dǎo)電膜層6即可直接將所述柵金屬連接部、所述原/漏金屬連接部連通，減少了接觸電阻，透明導(dǎo)電膜層6上與所述柵金屬連接部、所述源/漏金屬連接部接觸的部分相對(duì)于陣列基板上透明導(dǎo)電膜層整體所占的比例增大，同時(shí)減少了透明導(dǎo)電膜層6斷裂的可能性。
[0049]所述陣列基板上的所述柵金屬連接部、第一絕緣層3、所述源/漏金屬連接部、第二絕緣層5依次設(shè)置在所述陣列基板的襯底基板I上；或，
[0050]所述陣列基板的所述源/漏金屬連接部、第一絕緣層3、所述柵金屬連接部、第二絕緣層5依次設(shè)置在所述陣列基板的襯底基板I上。
[0051]本實(shí)施例中，所述柵金屬連接部為所述陣列基板的柵線(xiàn)的一端連接部，所述源/漏金屬連接部為柵線(xiàn)引出線(xiàn)的一端連接部，所述透明導(dǎo)電膜層用于通過(guò)所述第一開(kāi)口將所述柵線(xiàn)和所述柵線(xiàn)引出線(xiàn)電連接；或者，
[0052]所述源/漏金屬連接部為所述陣列基板的數(shù)據(jù)線(xiàn)的一端連接部，所述柵金屬連接部為所述陣列基板的數(shù)據(jù)線(xiàn)引出線(xiàn)的一端連接部，所述透明導(dǎo)電膜層用于通過(guò)所述第一開(kāi)口將所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)引出線(xiàn)電連接；或者，
[0053]所述柵金屬連接部和所述源/漏金屬連接部?jī)烧咧兄粸樗鲫嚵谢宓男盘?hào)線(xiàn)的一端連接部，另一為該信號(hào)線(xiàn)的修復(fù)線(xiàn)，所述透明導(dǎo)電膜層用于通過(guò)所述第一開(kāi)口將所述信號(hào)線(xiàn)和所述修復(fù)線(xiàn)電連接，其中所述信號(hào)線(xiàn)為柵線(xiàn)或數(shù)據(jù)線(xiàn)；或者，
[0054]所述柵金屬連接部和所述源/漏金屬連接部分別為所述陣列基板的公共電極引線(xiàn)的不同線(xiàn)段之間的連接部，所述透明導(dǎo)電膜層用于通過(guò)所述第一開(kāi)口將該不同線(xiàn)段電連接。
[0055]本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0056]本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種陣列基板的制造方法，該陣列基板可以是上述的任意一種類(lèi)型的陣列基板，所述方法包括:
[0057]通過(guò)構(gòu)圖工藝在陣列基板上形成位于不同層的第一金屬連接部和第二金屬連接部;
[0058]通過(guò)構(gòu)圖工藝在陣列基板上形成用于連接所述第一金屬連接部和第二金屬連接部的透明導(dǎo)電膜層；
[0059]所述方法還包括；在所述第一金屬部與所述第二金屬連接部之間形成第一絕緣層；
[0060]且，所述第一金屬連接部與所述第二金屬連接部在垂直于基板平面的方向上至少
部分重疊。[0061]還包括:在陣列基板頂層的所述第一金屬連接部或所述第二金屬連接部上形成第
二絕緣層；
[0062]通過(guò)構(gòu)圖工藝，貫穿所述第二絕緣層和第一絕緣層形成第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口露出所述第一金屬連接部的至少一部分以及所述第二金屬連接部的至少一部分；
[0063]通過(guò)構(gòu)圖工藝，在所述第一開(kāi)口上形成所述透明導(dǎo)電膜層以連接所述第一金屬連接部和所述第二金屬連接部。以上所述為本發(fā)明較佳實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括:位于不同層的第一金屬連接部和第二金屬連接部，還包括用于連接所述第一金屬連接部和第二金屬連接部的透明導(dǎo)電膜層； 其特征在于，所述第一金屬部與所述第二金屬連接部通過(guò)第一絕緣層隔開(kāi)；所述第一金屬連接部與所述第二金屬連接部在垂直于陣列基板平面的方向上至少部分重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 與所述第二金屬連接部同層或在所述第二金屬連接部上形成的第二絕緣層； 貫穿所述第二絕緣層和第一絕緣層的第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口露出所述第一金屬連接部的至少一部分以及所述第二金屬連接部的至少一部分；所述透明導(dǎo)電膜層覆蓋所述第一開(kāi)口以連接所述第一金屬連接部和所述第二金屬連接部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一金屬連接部的至少部分邊緣與所述第二金屬連接部的至少部分邊緣在垂直于陣列基板平面的方向上平齊，所述第一開(kāi)口露出該平齊的所述第一金屬連接部的邊緣及所述第二金屬連接部的邊緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二金屬連接部位于所述第一金屬連接部的正上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一開(kāi)口還貫穿所述第二金屬連接部，并露出所述第一金屬連接部上表面的一部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求2-5任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為薄膜晶體管陣列基板，所述第一金屬連接部和第二金屬連接部位于所述陣列基板的周邊區(qū)域；所述第一金屬連接部為柵金屬連接部，所述第二金屬連接部為源/漏金屬連接部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板上的所述柵金屬連接部、第一絕緣層、所述源/漏金.屬連接部、第二絕緣層依次設(shè)置在所述陣列基板的襯底基板上；或， 所述陣列基板的所述源/漏金屬連接部、第一絕緣層、所述柵金屬連接部、第二絕緣層依次設(shè)置在所述陣列基板的襯底基板上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于， 所述柵金屬連接部為所述陣列基板的柵線(xiàn)的一端連接部，所述源/漏金屬連接部為柵線(xiàn)引出線(xiàn)的一端連接部，所述透明導(dǎo)電膜層用于通過(guò)所述第一開(kāi)口將所述柵線(xiàn)和所述柵線(xiàn)引出線(xiàn)電連接；或者， 所述源/漏金屬連接部為所述陣列基板的數(shù)據(jù)線(xiàn)的一端連接部，所述柵金屬連接部為所述陣列基板的數(shù)據(jù)線(xiàn)引出線(xiàn)的一端連接部，所述透明導(dǎo)電膜層用于通過(guò)所述第一開(kāi)口將所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)引出線(xiàn)電連接；或者， 所述柵金屬連接部和所述源/漏金屬連接部?jī)烧咧兄粸樗鲫嚵谢宓男盘?hào)線(xiàn)的一端連接部，另一為該信號(hào)線(xiàn)的修復(fù)線(xiàn)，所述透明導(dǎo)電膜層用于通過(guò)所述第一開(kāi)口將所述信號(hào)線(xiàn)和所述修復(fù)線(xiàn)電連接，其中所述信號(hào)線(xiàn)為柵線(xiàn)或數(shù)據(jù)線(xiàn)；或者， 所述柵金屬連接部和所述源/漏金屬連接部分別為所述陣列基板的公共電極引線(xiàn)的不同線(xiàn)段之間的連接部，所述透明導(dǎo)電膜層用于通過(guò)所述第一開(kāi)口將該不同線(xiàn)段電連接。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的陣列基板。
10.一種陣列基板的制造方法，包括: 通過(guò)構(gòu)圖工藝在陣列基板上形成位于不同層的第一金屬連接部和第二金屬連接部；通過(guò)構(gòu)圖工藝在陣列基板上形成用于連接所述第一金屬連接部和第二金屬連接部的透明導(dǎo)電膜層； 其特征在于，所述方法還包括: 在所述第一金屬部與所述第二金屬連接部之間形成第一絕緣層； 且，所述第一金屬連接部與所述第二金屬連接部在垂直于基板平面的方向上至少部分重疊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括在陣列基板頂層的所述第一金屬連接部或所述第二金屬連接部上形成第二絕緣層；通過(guò)構(gòu)圖工藝，貫穿所述第二絕緣層和第一絕緣層形成第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口露出所述第一金屬連接部的至少一部分以及所述第二金屬連接部的至少一部分； 通過(guò)構(gòu)圖工藝，在所述第一開(kāi)口上形成所述透明導(dǎo)電膜層以連接所述第一金屬連接部和所述第二金屬 連接部。
【文檔編號(hào)】H01L23/50GK103439844SQ201310389372
【公開(kāi)日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2013年8月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月30日
【發(fā)明者】馬禹 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司