顯示裝置以及其制造方法
【專利摘要】公開了顯示裝置和該顯示裝置的制造方法。一方面，顯示裝置包括：第一襯底；形成在第一襯底上的發(fā)光部分；以及附接到第一襯底以防止發(fā)光部分免受周圍環(huán)境條件影響的密封部分。第一襯底的邊緣的至少一部分被倒角。
【專利說明】顯示裝置以及其制造方法
[0001]相關(guān)專利申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2012年12月11日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10_2012_0143834號韓國專利申請的權(quán)益，該申請的全文通過引用并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及裝置和該裝置的制造方法，尤其是顯示裝置和顯示裝置的制造方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0004]傳統(tǒng)的沉積設(shè)備包括:襯底保持器，其上安裝有襯底；加熱坩堝(或蒸發(fā)舟)，包含電致發(fā)光(EL)材料，即沉積材料；關(guān)閉件，用于防止待升華的電致發(fā)光材料上升；以及加熱器，用于對加熱坩堝中的電致發(fā)光材料進行加熱。通過加熱器加熱的電致發(fā)光材料被升華并被沉積在旋轉(zhuǎn)襯底上。為了形成均勻的膜，襯底與加熱坩堝之間的距離通常應(yīng)至少為I米。
[0005]當(dāng)考慮制造使用紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)光顏色的全彩平板顯示器時，因為成膜的精度不高，所以可以設(shè)計不同像素之間寬間隔，或者可以在像素之間形成被稱為堆(bank)的絕緣體。
[0006]此外，對于具有高分辨率(例如，大量的像素)、高孔徑比和高可靠性的全彩平板顯示器的需求增加。然而，因為隨著分辨率(像素數(shù))和發(fā)光裝置的尺寸(形狀因素)增加使得在各個有機發(fā)光層中的節(jié)距變得精細，所以這種需求是具有挑戰(zhàn)性的。同時也存在著對于高產(chǎn)量和低成本的需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提供在混合圖案化期間允許上層膜與下層膜之間的強粘附力的顯示裝置和該顯示裝置的制造方法。
[0008]根據(jù)本發(fā)明一方面，提供顯示裝置，包括:第一襯底；發(fā)光部分，形成在第一襯底上；以及密封部分，被附接到第一襯底以保護發(fā)光部分免受周圍環(huán)境條件影響，其中第一襯底的邊緣的至少一部分被倒角。
[0009]第一襯底的邊緣在厚度方向上具有三角形橫截面。
[0010]第一襯底的邊緣可以從上面形成有發(fā)光部分的第一襯底的一個表面向著第一襯底的邊緣倒角。
[0011]另外，第一襯底的邊緣可以從上面未形成有發(fā)光部分的第一襯底的另一個表面向著第一襯底的邊緣倒角。
[0012]第一襯底的末端分別可以從第一襯底的兩個表面向著第一襯底的邊緣倒角。
[0013]發(fā)光部分可以包括有機發(fā)光層，并且其中，有機發(fā)光層包括藍色發(fā)光層、紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和白色發(fā)光層中的至少一個。
[0014]通過使用精細金屬掩膜工藝形成藍色發(fā)光層。[0015]通過使用激光感應(yīng)熱成像(LITI)工藝形成紅色發(fā)光層和綠色發(fā)光層中的至少一個。
[0016]白色發(fā)光層形成自藍色發(fā)光層、紅色發(fā)光層和綠色發(fā)光層的層疊。
[0017]根據(jù)本發(fā)明另一方面，提供顯示裝置的制造方法，該制造方法包括:提供具有倒角的邊緣的第一襯底；將緩沖層、有源層、柵極絕緣層、柵電極、層間絕緣層、源電極、漏電極、鈍化層、像素限定膜和像素電極以此順序?qū)盈B在第一襯底上；以及通過精細金屬掩膜工藝和激光感應(yīng)熱成像(LITI)工藝，在由像素限定膜限定的像素中的像素電極上形成有機發(fā)光層。
[0018]通過使用拋光工藝倒角第一襯底的邊緣。
[0019]形成有機發(fā)光層的步驟包括:通過使用精細金屬掩膜工藝將藍色發(fā)光層沉積在像素電極上并且通過使用激光感應(yīng)熱成像工藝將綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層轉(zhuǎn)印到像素電極上。
[0020]激光感應(yīng)熱成像工藝包括:將綠色發(fā)光層轉(zhuǎn)印到像素電極上并且之后將紅色發(fā)光層轉(zhuǎn)印在像素電極上。
[0021]通過激光感應(yīng)熱成像工藝將綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層轉(zhuǎn)印到像素電極上的步驟包括:將第一襯底設(shè)置在下層膜上；通過在基底膜上轉(zhuǎn)印上面圖案化有紅色發(fā)光層和綠色發(fā)光層之一的轉(zhuǎn)印層來準(zhǔn)備上層膜；將上層膜布置在第一襯底上并且通過排氣層壓上層膜和下層膜；以及通過激光束照射上層膜并且將紅色發(fā)光層和綠色發(fā)光層中的一個轉(zhuǎn)印到像素電極上。
[0022]將綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層轉(zhuǎn)印到像素電極上的步驟進一步包括:在激光束照射之后去除上層膜和下層膜。
[0023]顯示裝置的制造方法進一步包括:將相對電極形成在上面已形成有有機發(fā)光層的像素限定膜上，并且通過密封部分密封相對電極。
[0024]該制造方法進一步包括:將第一襯底切分為多個襯底并且彼此分離多個襯底。
[0025]形成有機發(fā)光層的步驟包括:通過沉積或轉(zhuǎn)印藍色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層形成白色發(fā)光層。
[0026]顯示裝置和該顯示裝置的制造方法在第一襯底的邊緣上允許上層膜與下層膜之間的完全附接，由此提升上層膜與下層膜之間的粘附力。
[0027]顯示裝置和該顯示裝置的制造方法消除由于第一襯底的厚度導(dǎo)致上層膜未被附接到下層膜的部分，由此防止第一襯底的移動并且允許將發(fā)光層轉(zhuǎn)印到像素限定膜129上的精確位置上。
[0028]尤其是，這樣制造的顯示裝置允許將發(fā)光層轉(zhuǎn)印到精確位置上，由此提供改善的亮度和再現(xiàn)性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]通過參照附圖詳細描述本公開技術(shù)的示例性實施方式，本公開技術(shù)的上述和其他特征和優(yōu)點將變得更加明確，其中:
[0030]圖1為根據(jù)本公開技術(shù)的一實施方式的顯示裝置的概念圖；
[0031]圖2為圖1所不的第一襯底和發(fā)光部分的剖視圖；[0032]圖3為示出根據(jù)本公開技術(shù)的一實施方式的圖2所示發(fā)光層(EML)的形成工藝的剖視圖;
[0033]圖4為根據(jù)本公開技術(shù)的另一實施方式，示出圖2所示發(fā)光層的形成工藝的剖視圖；
[0034]圖5為根據(jù)本公開技術(shù)的另一實施方式，示出圖2所示發(fā)光層的形成工藝的剖視圖。
【具體實施方式】
[0035]將參照示出本發(fā)明示例性實施方式的附圖更加全面地描述本發(fā)明的示例性實施方式。然而，本發(fā)明可以以多種不同形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為受限于本文中所述的示例性實施方式。相反，示例性實施方式是為了使本公開透徹和完整并且為了向本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員全面?zhèn)鬟_本發(fā)明的范圍而提供。本發(fā)明的范圍僅受限于所附權(quán)利要求書。本文中使用的術(shù)語僅用于描述特定示例性實施方式并不旨在限制本發(fā)明。除非另有明確表示，如本文中使用的單數(shù)形式旨在包括復(fù)數(shù)形式。應(yīng)進一步理解，當(dāng)在本說明書中使用“包括(comprises)”和/或“包括有(comprising)”或者“包含(includes)”和/或“包含有(including)”的用語時，是指組件、步驟、操作和/或元件的存在，并不排除一個或多個其他組件、步驟、操作和/或元件的存在或附加。如本文所用，用語“和/或”包括一個或多個相關(guān)列出項目的任意或所有組合。當(dāng)如“至少一個”的表述出現(xiàn)在元件列表之前時，是修飾整個列表的元件而不是修飾列表中的個別元件。
[0036]圖1為根據(jù)本公開技術(shù)的一實施方式的顯示裝置100的概念圖。圖2為圖1所示的第一襯底110和發(fā)光部分120的剖視圖。圖3為示出圖2所示發(fā)光層(EML)的形成工藝的剖視圖。
[0037]參照圖1至圖3，顯示裝置100包括:第一襯底110、密封部分130、密封構(gòu)件190和發(fā)光部分120。第一襯底110的邊緣的至少一部分被倒角。更具體地，第一襯底110可以具有通過拋光形成的傾斜邊緣。發(fā)光部分120被布置在第一襯底110上并且包括薄膜晶體管(TFT)、覆蓋薄膜晶體管的鈍化層121以及與鈍化層121重疊的有機發(fā)光二極管(0LED)。
[0038]第一襯底110可以由玻璃形成，但并不限于此。第一襯底110可以由塑料材料或者如SUS或Ti的金屬材料形成。
[0039]更具體地，現(xiàn)在參照圖2和圖3，出于說明的目的，將描述發(fā)光部分120的像素電路的僅一部分。然而，應(yīng)認識到，顯示器通常由以多行多列方式排列的這種像素的矩陣形成。在描述的像素電路部分中，有機和/或無機化合物的緩沖層122可以被形成在第一襯底110上。例如,緩沖層122可以由硅氧化物(SiOx，X≥1)或硅氮化物(SiNx，X≥1)制造。
[0040]有源層123以預(yù)定圖案被排列在緩沖層122上，并被埋入柵極絕緣層124。有源層123包括源極區(qū)域123a、漏極區(qū)域123c和介于源極區(qū)域123a與漏極區(qū)域123c之間的溝道區(qū)域123b。有源層123由非晶硅制造，但并不限于此。有源層123可以由氧化物半導(dǎo)體形成。例如，氧化物半導(dǎo)體可以包括:如鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鎘(Cd)、鍺(Ge)和鉿(Hf )的4、12、13、14族金屬元件及其組合物。例如，有源層123可以包括G-1-Z-O[In2O3)a (Ga2O3) b (ZnO) c],其中a、b和c分別為滿足條件a≥O, b≥O和c>0的實數(shù)。為了便于說明，在本文中假設(shè)有源層123由非晶硅制造。[0041]有源層123的形成可以包括:在緩沖層122上形成非晶硅層，將非晶硅層晶體化為多晶硅層，以及圖案化多晶硅層。根據(jù)所使用的薄膜晶體管的類型，例如使用驅(qū)動薄膜晶體管(未示出)或開關(guān)薄膜晶體管(未示出)，源極區(qū)域123a和漏極區(qū)域123c可以被摻雜η型或P型雜質(zhì)。
[0042]柵電極125對應(yīng)于有源層123并且掩埋柵電極125的層間絕緣層126被形成在柵極絕緣層124上。
[0043]在層間絕緣層126與柵極絕緣層124中形成接觸孔之后，源電極127a和漏電極127b被布置在層間絕緣層126上以分別與源極區(qū)域123a和漏極區(qū)域123c接觸。
[0044]因為源電極127a和漏電極127b還作為反射層，所以源電極127a和漏電極127b還可以由具有高導(dǎo)電率和足以反射光的厚度的金屬材料形成。例如，源電極127a和漏電極 127b 可以由如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)或其化合物的金屬材料形成。
[0045]鈍化層121可以被形成在薄膜晶體管和反射層上，并且有機發(fā)光二極管的像素電極128a被布置在鈍化層121上以通過通孔H2 (參照圖2和圖3)與薄膜晶體管的漏電極127b接觸。鈍化層121可以由單層或至少兩層的無機和/或有機材料形成。鈍化層121可以為具有與下層不均勻拓撲結(jié)構(gòu)無關(guān)的平坦化頂表面的平坦化層，或者可以具有符合下層表面曲率的曲面。鈍化層121還可以為透明絕緣體以實現(xiàn)諧振效果。
[0046]當(dāng)在鈍化層121上形成像素電極128a之后，有機和/或無機材料的像素限定膜129被形成以覆蓋像素電極128a和鈍化層121，并且開口被形成以暴露像素電極128a。
[0047]有機層128b和相對電極128c可以被布置在至少像素電極128a上。
[0048]像素電極128a和相對電極128c分別作為陽極和陰極。然而，實施方式并不限于此，并且像素電極128a和相對電極128c可以分別作為陰極和陽極。
[0049]像素電極128a可以由具有高功函數(shù)的材料形成，例如，如銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、氧化銦(In2O3)或氧化鋅(ZnO)的透明導(dǎo)電材料。
[0050]相對電極128c可以由具有低功函數(shù)的金屬材料形成，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca或其化合物。另外，相對電極128c可以形成為由Mg、Ag和Al的薄半透明反射層以在光學(xué)共振后傳輸光。
[0051]通過有機層128b，像素電極128a與相對電極128c彼此絕緣，并且在顯示裝置的操作期間向有機層128b施加極性相反的電壓從而通過發(fā)光層發(fā)射光。
[0052]有機層128b可以為低分子量或聚合物有機層。當(dāng)有機層128b為低分子量有機層時，有機層128b可以具有包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)疊層的單層或多層結(jié)構(gòu)。用于有機層128b中的有機材料可以為酞菁銅(CuPc)、N，N’ - 二(萘-1-基)-N，N’ - 二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)、三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)或其他多種材料。在這種情況下，可以通過真空沉積形成有機層128b。相似于相對電極128c，公共于紅像素、綠像素和藍像素的空穴注入層、空穴傳輸層和電子傳輸層可以被形成以覆蓋所有像素。
[0053]另一方面，當(dāng)有機層128b為聚合物有機層時,有機層128b主要包括空穴傳輸層和發(fā)光層。聚(3，4-乙烯基二氧噻吩)(PEDOT)可以被用作空穴傳輸層，聚亞苯基乙烯(PPV)類或聚芴類聚合物有機層可以被用作發(fā)光層。在這種情況下，可以通過絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、精細金屬掩膜法或激光感應(yīng)熱成像(LITI)形成有機層128b。
[0054]然而，有機層128b并不限于此，并且可以通過其他方法形成有機層128b。
[0055]例如，密封部分130被用于保護當(dāng)暴露于氧氣、水和光時發(fā)生衰變的發(fā)光部分120中的材料，并且可以以相似于第一襯底110的方式形成。更具體地，相似于第一襯底110，密封部分130可以由玻璃制造。然而，密封部分130并不限于此，并且密封部分130可以由塑料材料制造?？梢酝ㄟ^交替地層疊至少一個有機層和一個無機層形成密封部分130。密封部分130可以包括多個無機層和多個有機層。
[0056]有機層可以由如聚對苯二甲酸乙二酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯的一個聚合物的單層組成或者由其多層層疊組成。通過包含二丙烯酸酯單體和三丙烯酸酯單體的單體組合物的聚合，有機層可以由聚丙烯酸酯形成。單體組合物可以進一步包括單丙烯酸酯單體。單體組合物可以進一步包含如TPO的、公知的光引發(fā)劑，但并不限于此。
[0057]無機層可以由金屬氧化物或金屬氮化物單層或其多層層疊組成。更具體地，無機層可以包括SiNx、氧化鋁(A1203)、氧化硅(Si02)、氧化鈦(TiO2)中的一種。在密封部分130中暴露的最上層可以為無機層以防止?jié)駳鉂B透到有機發(fā)光二極管中。
[0058]密封部分130可以具有至少一個夾層結(jié)構(gòu)，該至少一個夾層結(jié)構(gòu)包括至少兩個無機層和介入于無機層之間的至少一個有機層。另外，至少一個夾層結(jié)構(gòu)可以包括至少兩個有機層和介入于有機層之間的至少一個無機層。
[0059]當(dāng)從發(fā)光部分120的頂部查看時，密封部分130可以包括按順序?qū)盈B的第一無機層、第一有機層和第二無機層。密封部分130還可以包括從發(fā)光部分120的頂部依次層疊的第一無機層、第一有機層、第二無機層、第二有機層和第三無機層。另外，密封部分130可以包括從發(fā)光部分120的頂部依次層疊的第一無機層、第一有機層、第二無機層、第二有機層、第三無機層、第三有機層和第四無機層。
[0060]包含氟化鋰(LiF)的鹵化金屬層可以形成在發(fā)光部分120與第一無機層之間以在用于形成第一無機層的濺射或等離子沉積期間防止發(fā)光部分120受損。
[0061]第一有機層和第二有機層可以分別具有小于第二無機層和第三無機層區(qū)域的區(qū)域。此外，第二無機層和第三無機層可以分別完全覆蓋第一有機層和第二有機層。
[0062]為了說明的便利，在本文中假設(shè)密封部分130由作為相同于第一襯底110材料的玻璃制造。
[0063]下面，將詳細描述顯示裝置100的制造方法。
[0064]首先，準(zhǔn)備第一襯底110，并通過機械拋光對第一襯底110邊緣倒角。在這些實施方式中，第一襯底110的邊緣可以在第一襯底110的厚度方向上具有三角形橫截面。尤其是，第一襯底110的一個表面和另一個表面的邊緣可以同時倒角。因此，第一襯底110的邊緣從第一襯底110的兩個表面向著第一襯底110的邊緣傾斜。
[0065]當(dāng)?shù)谝灰r底110為大尺寸時，單一襯底被用作第一襯底110。相反，當(dāng)?shù)谝灰r底110為小尺寸時，則可以使用包括多個第一襯底110的母體襯底(未示出)。因為顯示裝置100與第一襯底110的尺寸無關(guān)，是以相似的方式制造，所以為了說明的便利，在本文中假設(shè)第一襯底110為單一襯底。
[0066]第一襯底110可以具有包括圓形、矩形和多邊形的多種形狀。為了說明的便利，第一襯底110被假設(shè)為具有矩形形狀。
[0067]具有矩形形狀的第一襯底110可以具有以如上所述的相似方式倒角的至少一個邊緣。為了說明的便利，在本文中假設(shè)第一襯底110的四個邊緣都被倒角。
[0068]在準(zhǔn)備具有倒角的邊緣的第一襯底110之后，緩沖層122、有源層123、柵極絕緣層124、柵電極125、層間絕緣層126、源電極127a、漏電極127b、鈍化層121、像素限定膜129和像素電極128a以這種順序?qū)盈B在第一襯底110上。因為上述層疊方法是以相同或相似于一般顯示裝置的制造方法的方式執(zhí)行，所以省略其詳細描述。
[0069]在第一襯底110上層疊各個層之后，通過使用精細金屬掩膜法和激光感應(yīng)熱成像法，發(fā)光層可以被形成在由像素限定膜129限定的像素中的像素電極128a上。發(fā)光層可以與上述其他層一同形成，或者與上述其他層分開形成。為了說明的便利，在本文中假設(shè)發(fā)光層與其他層分開形成。
[0070]當(dāng)發(fā)光層如上所述地形成時，首先，通過使用精細金屬掩膜，藍色發(fā)光層被沉積在像素電極128a上，隨后形成綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層。在這種實施方式中，綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層中的至少一個可以通過使用激光感應(yīng)熱成像法轉(zhuǎn)印到像素電極128a上。為了說明的便利，在下文中假設(shè)通過使用激光感應(yīng)熱成像法依次轉(zhuǎn)印綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層。
[0071]此外，發(fā)光層可以進一步包括多種其他顏色的發(fā)光層。尤其是，發(fā)光層可以包括白色發(fā)光層，并且在這種實施方式中，白色發(fā)光層可以包括藍色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層。
[0072]可以通過使用多種方法形成白色發(fā)光層。例如，可以通過使用精細金屬掩膜工藝形成藍色發(fā)光層并且之后通過使用激光感應(yīng)熱成像法在藍色發(fā)光層上層疊綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層，由此形成白色發(fā)光層。還可以通過在精細金屬掩膜工藝期間層疊藍色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層形成白色發(fā)光層。另外，可以通過使用激光感應(yīng)熱成像法轉(zhuǎn)印藍色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層形成白色發(fā)光層。然而，為了說明的便利，在下文中假設(shè)僅僅形成藍色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層，而不是白色發(fā)光層。
[0073]為了形成綠色發(fā)光層，首先，準(zhǔn)備上層膜140?？梢酝ㄟ^準(zhǔn)備基底膜141并且在基底膜141上轉(zhuǎn)印在上面圖案化有綠色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層143，由此形成上層膜140。上層膜140可以進一步包括布置在基底膜141與轉(zhuǎn)印層143之間的光熱轉(zhuǎn)換層142。為了說明的便利，在下文中假設(shè)上層膜140包括基底膜141、光熱轉(zhuǎn)換層142和轉(zhuǎn)印層143。
[0074]通過光源發(fā)出的光被吸收到基底膜141上的光熱轉(zhuǎn)換層142中并且轉(zhuǎn)換為熱能。熱能可以引起第一襯底110與光熱轉(zhuǎn)換層142與轉(zhuǎn)印層143之間的粘附力的變化，從而使得覆蓋光熱轉(zhuǎn)換層142的轉(zhuǎn)印層143的材料被轉(zhuǎn)印到第一襯底110。由此，發(fā)光層被圖案化在第一襯底110上。
[0075]在如上所述準(zhǔn)備上層膜140的同時，準(zhǔn)備下層膜150，其中第一襯底110被設(shè)置在下層膜150上。上層膜140可以被布置在第一襯底110上。
[0076]在完成上述排列之后，上層膜140和下層膜150可以通過排氣彼此層壓。在這種情況下，因為上層膜140和下層膜150具有大于第一襯底110的平面尺寸，所以上層膜140和下層膜150可以在超過第一襯底110的邊緣延伸的位置彼此粘合。
[0077]如上所述，當(dāng)上層膜140被附接到下層膜150時，上層膜140和下層膜150可以按照第一襯底110的邊緣的倒角形狀彎曲。
[0078]需要特別注意，當(dāng)上層膜和下層膜根據(jù)傳統(tǒng)方法彼此附接時，由于第一襯底的邊緣未被倒角，因此上層膜和下層膜將無法在第一襯底的邊緣彼此完全粘附。
[0079]相反，根據(jù)本公開技術(shù)的實施方式，上層膜140和下層膜150可以在第一襯底110的邊緣彼此完全附接，由此基本防止由于外部沖擊導(dǎo)致的上層膜140和下層膜150的分離。
[0080]在完成如上所述上層膜140與下層膜150之間的粘附之后，從上層膜140上方照射激光束，由此將綠色發(fā)光層轉(zhuǎn)印到像素電極128a上。
[0081]按照上述熱轉(zhuǎn)印，從第一襯底110分離上層膜140和下層膜150。因為上層膜140和下層膜150的去除工藝是以與一般的激光感應(yīng)熱成像工藝相似的方式執(zhí)行，所以將省略其詳細描述。
[0082]如上所述，在轉(zhuǎn)印綠色發(fā)光層之后，可以通過使用與用于轉(zhuǎn)印綠色發(fā)光層相似的工藝轉(zhuǎn)印紅色發(fā)光層。因此將省略其詳細描述。
[0083]如上所述，在完成綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印后，相對電極128c被形成在像素限定膜129上。因為相對電極128c是以與一般公知的方法相同的方式形成，所以將省略其詳細描述。
[0084]在形成相對電極128c之后，通過在第一襯底110與密封部分130之間形成密封構(gòu)件190，第一襯底110被附接到密封部分130，并且一同擠壓第一襯底110與密封部分130以形成不透氣的密封。因為第一襯底110以與顯示裝置制造中使用的一般密封方法相似的方式通過密封構(gòu)件190密封到密封部分130，所以將省略其詳細描述。
[0085]如上所述，當(dāng)密封部分130被形成為薄膜時，可以使用層壓。
[0086]在另一實施方式中，可以通過執(zhí)行上述工藝在包括多個第一襯底110的母體襯底上制造顯示裝置100，并彼此分離多個第一襯底110。因為分離第一襯底110的方法與一般公知的分離方法相同，所以將省略其詳細描述。
[0087]如上所述，根據(jù)本實施方式，顯示裝置100的制造方法在第一襯底100的邊緣上允許上層膜140與下層膜150之間的完全附接，由此提升上層膜140與下層膜150之間的粘附力。
[0088]該方法還消除由于第一襯底110的厚度導(dǎo)致上層膜140未被附接到下層膜150的部分，由此防止第一襯底Iio的移動并且允許將發(fā)光層轉(zhuǎn)印在像素限定膜129的精確位置上。
[0089]尤其是，這種精確的發(fā)光層可以提升顯示器100的亮度和再現(xiàn)性。
[0090]圖4為根據(jù)本公開技術(shù)的另一實施方式，示出圖2所示發(fā)光層的形成工藝的剖視圖。在下文中，相似的附圖標(biāo)記表示相似的元件。
[0091]參照圖4，顯示裝置(未在圖4中表示)包括:第一襯底210、密封部分(未示出)和發(fā)光部分(未示出)。因為密封部分和發(fā)光部分具有與上述相同或相似的功能和結(jié)構(gòu)，所以將省略其詳細描述。
[0092]第一襯底210的至少一個邊緣可以被倒角。更具體地,第一襯底210可以具有通過拋光工藝形成的傾斜邊緣。尤其是，第一襯底210的邊緣可以從布置有發(fā)光部分的第一襯底210的一個表面向著第一襯底210的一邊緣傾斜。
[0093]下面，將參照圖4詳細描述具有上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置的制造方法。[0094]參照圖4，首先，準(zhǔn)備第一襯底210，并通過機械拋光對第一襯底210邊緣倒角。在這種情況下，第一襯底210的邊緣可以在第一襯底210的厚度方向上具有三角形橫截面。尤其是，第一襯底210的一個表面的邊緣可以被倒角。因此，第一襯底210的邊緣可以從第一襯底210的一個表面向著第一襯底210的邊緣傾斜。
[0095]當(dāng)?shù)谝灰r底210為大尺寸時，單一襯底被用作第一襯底210。相反，當(dāng)?shù)谝灰r底210為小尺寸時，則可以使用包括多個第一襯底210的母體襯底(未示出)。因為顯示裝置與第一襯底210的尺寸無關(guān)，是以相似的方式制造，所以為了說明的便利，在本文中假設(shè)第一襯底210為單一襯底。
[0096]第一襯底210可以具有包括圓形、矩形和多邊形的多種形狀。為了說明的便利，第一襯底210被假設(shè)為具有矩形形狀。
[0097]具有矩形形狀的第一襯底210可以具有以如上所述的相似方式倒角的至少一個邊緣。為了說明的便利，在本文中假設(shè)第一襯底210的四個邊緣被倒角。
[0098]在準(zhǔn)備具有倒角的邊緣的第一襯底210之后，緩沖層222、有源層223、柵極絕緣層224、柵電極225、層間絕緣層226、源電極227a、漏電極227b、鈍化層221、像素限定膜229和像素電極228a以這種順序?qū)盈B在第一襯底210上。因為上述層疊方法是以相同或相似于一般顯示裝置的制造方法的方式執(zhí)行，所以省略其詳細描述。
[0099]在第一襯底210上層疊各個層之后，通過使用精細金屬掩膜法和激光感應(yīng)熱成像法，發(fā)光層可以被形成在由像素限定膜229限定的像素中的像素電極228a上。發(fā)光層可以與上述其他層一同形成，或者與上述其他層分開形成。為了說明的便利，在本文中假設(shè)發(fā)光層與其他層分開形成。
[0100]當(dāng)發(fā)光層如上所述地形成時，首先，通過使用精細金屬掩膜，藍色發(fā)光層被沉積在像素電極228a上，隨后形成綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層。
[0101]在這種情況下，綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層中的至少一個可以通過使用激光感應(yīng)熱成像法轉(zhuǎn)印到像素電極228a上。為了說明的便利，在下文中假設(shè)通過使用激光感應(yīng)熱成像法依次轉(zhuǎn)印綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層。
[0102]此外，發(fā)光層可以進一步包括多種其他顏色的發(fā)光層。發(fā)光層可以包括白色發(fā)光層，并且在這種情況下，白色發(fā)光層可以包括藍色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層。因為白色光層是以與上述相同方式形成，所以省略其詳細描述。
[0103]為了形成綠色發(fā)光層，首先，準(zhǔn)備上層膜240。可以通過準(zhǔn)備基底膜241并且在基底膜241上轉(zhuǎn)印在其上圖案化有綠色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層243，由此形成上層膜240。上層膜240可以進一步包括布置在基底膜241與轉(zhuǎn)印層243之間的光熱轉(zhuǎn)換層242。為了說明的便利，在下文中假設(shè)上層膜240包括基底膜241、光熱轉(zhuǎn)換層242和轉(zhuǎn)印層243。
[0104]通過光源發(fā)出的光被吸收到基底膜241上的光熱轉(zhuǎn)換層242中并且轉(zhuǎn)換為熱能。熱能可以引起第一襯底210與光熱轉(zhuǎn)換層242與轉(zhuǎn)印層243之間的粘附力的變化，從而使得覆蓋光熱轉(zhuǎn)換層242的轉(zhuǎn)印層243的材料被轉(zhuǎn)印到第一襯底210。由此，發(fā)光層被圖案化在第一襯底210上。
[0105]在如上所述準(zhǔn)備上層膜240的同時，準(zhǔn)備下層膜250，其中第一襯底210被設(shè)置在下層膜250上。上層膜240可以被布置在第一襯底210上。
[0106]在完成上述排列之后，上層膜240和下層膜250可以通過排氣彼此層壓。在這種實施方式中，因為上層膜240和下層膜250具有大于第一襯底210的平面尺寸，所以上層膜240和下層膜250可以在超過第一襯底210的邊緣延伸的位置彼此粘合。
[0107]如上所述，當(dāng)上層膜240被附接到下層膜250時，上層膜240可以按照第一襯底210的邊緣的倒角形狀彎曲，并且下層膜250如第一襯底210的下表面一樣直。
[0108]尤其是，當(dāng)上層膜和下層膜根據(jù)傳統(tǒng)方法彼此附接時，由于第一襯底的邊緣未被倒角，因此上層膜和下層膜將無法在第一襯底的邊緣彼此完全粘附。
[0109]相反，根據(jù)本公開技術(shù)的實施方式，上層膜240和下層膜250可以在第一襯底210的邊緣彼此完全附接，由此基本防止由于外部沖擊導(dǎo)致的上層膜240和下層膜250的分離。
[0110]在完成如上所述上層膜240與下層膜250之間的粘附之后，從上層膜240上方照射激光束，由此將綠色發(fā)光層轉(zhuǎn)印到像素電極228a上。
[0111]按照上述熱轉(zhuǎn)印，從第一襯底210分離上層膜240和下層膜250。因為上層膜240和下層膜250的去除工藝是以與一般的激光感應(yīng)熱成像工藝相似的方式執(zhí)行，所以將省略其詳細描述。
[0112]如上所述，在轉(zhuǎn)印綠色發(fā)光層之后，可以通過使用與用于轉(zhuǎn)印綠色發(fā)光層相似的工藝轉(zhuǎn)印紅色發(fā)光層。
[0113]如上所述，在完成綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印后，相對電極(未示出)可以被形成在像素限定膜229上。因為相對電極是以與一般公知的方法相同的方式形成，所以將省略其詳細描述。
[0114]在形成相對電極之后，第一襯底210以與上述相同方式密封到密封部分。
[0115]在另一實施方式中，可以通過執(zhí)行上述工藝在包括多個第一襯底210的母體襯底上制造顯示裝置，并彼此分離多個第一襯底210。因為分離第一襯底210的方法與一般公知的分離方法相同，所以將省略其詳細描述。
[0116]如上所述，根據(jù)本實施方式的顯示裝置的制造方法在第一襯底的邊緣上允許上層膜240與下層膜250之間的完全附接，由此提升上層膜240與下層膜250之間的粘附力。
[0117]該方法還消除由于第一襯底210的厚度導(dǎo)致上層膜240未被附接到下層膜250的部分，由此防止第一襯底210的移動并且允許將發(fā)光層轉(zhuǎn)印在像素限定膜229的精確位置上。
[0118]特別需要注意，這樣制造的顯示裝置包括精確轉(zhuǎn)印的發(fā)光層，由此提供改善的亮度和再現(xiàn)性。
[0119]圖5為根據(jù)本公開技術(shù)的另一實施方式，示出圖2所示發(fā)光層的形成工藝的剖視圖。在下文中，相似的附圖標(biāo)記表示相似的元件。
[0120]參照圖5,顯不裝置(未在圖5中表不)包括:第一襯底310、密封部分(未不出)和發(fā)光部分(未示出)。因為密封部分和發(fā)光部分具有與上述相同或相似的功能和結(jié)構(gòu)，所以將省略其詳細描述。
[0121]第一襯底310的至少一個邊緣可以被倒角。更具體地，第一襯底310可以具有通過拋光工藝形成的傾斜邊緣。尤其是，第一襯底310的邊緣可以從未布置有發(fā)光部分的第一襯底310的一個表面向著第一襯底310的一邊緣傾斜。
[0122]下面，將參照圖5詳細描述具有上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置的制造方法。
[0123]參照圖5，首先，準(zhǔn)備第一襯底310，并通過機械拋光對第一襯底310邊緣倒角。在這種情況下，第一襯底310的邊緣可以在第一襯底310的厚度方向上具有三角形橫截面。尤其是，第一襯底310的另一個表面的邊緣可以被倒角。因此，第一襯底310的邊緣可以從第一襯底310的另一個表面向著第一襯底310的邊緣傾斜。
[0124]當(dāng)?shù)谝灰r底310為大尺寸時，單一襯底被用作第一襯底310。相反，當(dāng)?shù)谝灰r底310為小尺寸時，則可以使用包括多個第一襯底310的母體襯底(未示出)。因為顯示裝置與第一襯底310的尺寸無關(guān)，是以相似的方式制造，所以為了說明的便利，在本文中假設(shè)第一襯底310為單一襯底。
[0125]第一襯底310可以具有包括圓形、矩形和多邊形的多種形狀。為了說明的便利，第一襯底310被假設(shè)為具有矩形形狀。
[0126]具有矩形形狀的第一襯底310可以具有以如上所述的相似方式倒角的至少一個邊緣。為了說明的便利，在本文中假設(shè)第一襯底310的四個邊緣都被倒角。
[0127]在準(zhǔn)備具有倒角的邊緣的第一襯底310之后，緩沖層322、有源層323、柵極絕緣層334、柵電極335、層間絕緣層326、源電極327a、漏電極327b、鈍化層321、像素限定膜329和像素電極328a以這種順序?qū)盈B在第一襯底310上。因為上述層疊方法是以相同或相似于一般顯示裝置的制造方法的方式執(zhí)行，所以省略其詳細描述。
[0128]在第一襯底310上層疊各個層之后，通過使用精細金屬掩膜法和激光感應(yīng)熱成像法，發(fā)光層可以被形成在由像素限定膜329限定的像素中的像素電極328a上。發(fā)光層可以與上述其他層一同形成，或者與上述其他層分開形成。為了說明的便利，在本文中假設(shè)發(fā)光層與其他層分開形成。
[0129]當(dāng)發(fā)光層如上所述地形成時，首先，通過使用精細金屬掩膜，藍色發(fā)光層被沉積在像素電極328a上，隨后形成綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層。在這種情況下，綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層中的至少一個可以通過使用激光感應(yīng)熱成像法轉(zhuǎn)印到像素電極328a上。為了說明的便利，在下文中假設(shè)通過使用激光感應(yīng)熱成像法依次轉(zhuǎn)印綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層。
[0130]更具體地，為了形成綠色發(fā)光層，首先，準(zhǔn)備上層膜340。可以通過準(zhǔn)備基底膜341并且在基底膜341上轉(zhuǎn)印在其上圖案化有綠色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印層343，由此形成上層膜340。上層膜340可以進一步包括布置在基底膜341與轉(zhuǎn)印層343之間的光熱轉(zhuǎn)換層342。為了說明的便利，在下文中假設(shè)上層膜340包括基底膜341、光熱轉(zhuǎn)換層342和轉(zhuǎn)印層343。
[0131]通過光源發(fā)出的光被基底膜341上的光熱轉(zhuǎn)換層342吸收并且轉(zhuǎn)換為熱能。之后，熱能可以引起第一襯底310與光熱轉(zhuǎn)換層342與轉(zhuǎn)印層343之間的粘附力的變化，從而使得覆蓋光熱轉(zhuǎn)換層342的轉(zhuǎn)印層343的材料被轉(zhuǎn)印到第一襯底310。由此，發(fā)光層被圖案化在第一襯底310上。
[0132]在如上所述準(zhǔn)備上層膜340的同時，準(zhǔn)備下層膜350，其中第一襯底310被設(shè)置在下層膜350上。上層膜340可以被布置在第一襯底310上。
[0133]在完成上述排列之后，上層膜340和下層膜350可以通過排氣彼此層壓。在這種實施方式中，因為上層膜340和下層膜350大于第一襯底310,所以上層膜340和下層膜350可以在第一襯底310的邊緣彼此粘合。
[0134]如上所述，當(dāng)上層膜340被附接到下層膜350時，上層膜340可以按照第一襯底310的邊緣的倒角形狀彎曲，并且下層膜350如第一襯底310的下表面一樣直。
[0135]尤其是，當(dāng)上層膜和下層膜根據(jù)傳統(tǒng)方法彼此附接時，由于第一襯底的邊緣未被倒角，因此上層膜和下層膜將無法在第一襯底的邊緣彼此完全粘附。
[0136]相反,根據(jù)本公開技術(shù)的實施方式,上層膜340和下層膜350可以在第一襯底310的邊緣彼此完全附接，由此基本防止由于外部沖擊導(dǎo)致的上層膜340和下層膜350的分離。
[0137]在完成如上所述上層膜340與下層膜350之間的粘附之后，從上層膜340上方照射激光束，由此將綠色發(fā)光層轉(zhuǎn)印到像素電極328a上。
[0138]按照上述熱轉(zhuǎn)印，從第一襯底310分離上層膜340和下層膜350。因為上層膜340和下層膜350的去除工藝是以與一般的激光感應(yīng)熱成像工藝相似的方式執(zhí)行，所以將省略其詳細描述。
[0139]如上所述，在轉(zhuǎn)印綠色發(fā)光層之后，可以通過使用與用于轉(zhuǎn)印綠色發(fā)光層相似的工藝轉(zhuǎn)印紅色發(fā)光層。
[0140]如上所述，在完成綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)印后，相對電極(未示出)可以被形成在像素限定膜329上。因為相對電極是以與一般公知的方法相同的方式形成，所以將省略其詳細描述。
[0141]在形成相對電極之后，第一襯底310以與上述相同方式密封到密封部分。
[0142]在另一實施方式中，可以通過執(zhí)行上述工藝在包括多個第一襯底310的母體襯底上制造顯示裝置，并彼此分離多個第一襯底310。因為分離第一襯底310的方法與一般公知的分離方法相同，所以將省略其詳細描述。
[0143]如上所述，根據(jù)本實施方式的顯示裝置的制造方法在第一襯底的邊緣上允許上層膜340與下層膜350之間的完全附接，由此提升上層膜340與下層膜350之間的粘附力。
[0144]該方法還消除由于第一襯底310的厚度導(dǎo)致上層膜340未被附接到下層膜350的部分，由此防止第一襯底310的移動并且允許將發(fā)光層轉(zhuǎn)印在像素限定膜329的精確位置上。
[0145]尤其是，這樣制造的顯示裝置包括精確的發(fā)光層轉(zhuǎn)印，由此提供改善的亮度和再現(xiàn)性。
[0146]雖然參照本發(fā)明的示例性實施方式具體地示出和描述了本發(fā)明，但是本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離由所附權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以對其進行形式和細節(jié)上的多種修改。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置，包括: 第一襯底； 發(fā)光部分，形成在所述第一襯底上；以及 密封部分，被附接到所述第一襯底以保護所述發(fā)光部分免受周圍環(huán)境條件影響， 其中，所述第一襯底的邊緣的至少一部分被倒角。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中， 所述第一襯底的所述邊緣在厚度方向上具有三角形橫截面。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中， 所述第一襯底的所述邊緣從所述第一襯底的上面形成有所述發(fā)光部分的一個表面向著所述第一襯底的邊緣倒角。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中， 所述第一襯底的所述邊緣從所述第一襯底的上面未形成有所述發(fā)光部分的另一個表面向著所述第一襯底的邊緣倒角。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中， 所述第一襯底的末端分別從所述第一襯底的兩個表面向著所述第一襯底的邊緣倒角。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，` 所述發(fā)光部分包括有機發(fā)光層；以及 其中，所述有機發(fā)光層包括藍色發(fā)光層、紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和白色發(fā)光層中的至少一個。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其中， 通過使用精細金屬掩膜工藝形成所述藍色發(fā)光層。
8.如權(quán)利要求6所述的裝置，其中， 通過使用激光感應(yīng)熱成像工藝形成所述紅色發(fā)光層和所述綠色發(fā)光層中的至少一個。
9.如權(quán)利要求6所述的裝置，其中， 所述白色發(fā)光層形成自所述藍色發(fā)光層、所述紅色發(fā)光層和所述綠色發(fā)光層的層疊。
10.一種顯示裝置的制造方法，所述方法包括: 提供具有倒角的邊緣的第一襯底； 將緩沖層、有源層、柵極絕緣層、柵電極、層間絕緣層、源電極、漏電極、鈍化層、像素限定膜和像素電極按此順序?qū)盈B在所述第一襯底上；以及 通過精細金屬掩膜工藝和激光感應(yīng)熱成像工藝，在由所述像素限定膜限定的像素中的所述像素電極上形成有機發(fā)光層。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中， 通過使用拋光工藝倒角所述第一襯底的所述邊緣。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述形成所述有機發(fā)光層的步驟包括: 通過使用所述精細金屬掩膜工藝將藍色發(fā)光層沉積在所述像素電極上并且通過使用所述激光感應(yīng)熱成像工藝將綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層轉(zhuǎn)印到所述像素電極上。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述激光感應(yīng)熱成像工藝包括: 將所述綠色發(fā)光層轉(zhuǎn)印到所述像素電極上并且之后將所述紅色發(fā)光層轉(zhuǎn)印到所述像素電極上。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述通過所述激光感應(yīng)熱成像工藝將所述綠色發(fā)光層和所述紅色發(fā)光層轉(zhuǎn)印到所述像素電極上的步驟包括: 將所述第一襯底設(shè)置在下層膜上； 通過在基底膜上轉(zhuǎn)印上面圖案化有所述紅色發(fā)光層和所述綠色發(fā)光層之一的轉(zhuǎn)印層來準(zhǔn)備上層膜； 將所述上層膜布置在所述第一襯底上并且通過排氣層壓所述上層膜和所述下層膜；以及 通過激光束照射所述上層膜并且將所述紅色發(fā)光層和所述綠色發(fā)光層之一轉(zhuǎn)印到所述像素電極上。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述將所述綠色發(fā)光層和所述紅色發(fā)光層轉(zhuǎn)印到所述像素電極上的步驟進一步包括: 在所述激光束照射之后去除所述上層膜和所述下層膜。
16.如權(quán)利要求10所述的方法，進一步包括: 將相對電極形成在上面已形成有所述有機發(fā)光層的所述像素限定膜上，并且通過密封部分密封所述相對電極。
17.如權(quán)利要求10所述的方法，進一步包括: 該制造方法進一步包括:將所述第一襯底切分為多個襯底并且彼此分離所述多個襯`
。
18.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述形成所述有機發(fā)光層的步驟包括: 通過沉積或轉(zhuǎn)印藍色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層形成白色發(fā)光層。
【文檔編號】H01L27/32GK103872074SQ201310412406
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年9月11日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月11日
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