薄膜晶體管陣列面板和有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法
【專利摘要】公開薄膜晶體管陣列面板和有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。根據(jù)一示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板包括：基板；置于基板上的薄膜晶體管；連接到薄膜晶體管的第一電極；以及置于基板和薄膜晶體管之間的衍射層。衍射層置于薄膜晶體管的半導(dǎo)體的邊界線內(nèi)。
【專利說明】薄膜晶體管陣列面板和有機(jī)發(fā)光二極管顯示器【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總地來說涉及薄膜晶體管陣列面板和有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器是包括用于發(fā)射光以顯示圖像的有機(jī)發(fā)光二極管的自發(fā)光顯示設(shè)備。與液晶顯示器不同，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器不需要單獨(dú)的光源，所以其厚度和重量可以相對(duì)減少。此外，由于有機(jī)發(fā)光二極管顯示器顯示出諸如低功耗、高亮度、高響應(yīng)速度的高級(jí)別特性，從而作為便攜式電子設(shè)備的下一代顯示器而引起了人們的關(guān)注。
[0003]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器根據(jù)驅(qū)動(dòng)方法被分為無源矩陣型和有源矩陣型。有源矩陣型有機(jī)發(fā)光二極管顯示器對(duì)于每個(gè)像素包括有機(jī)發(fā)光二極管、薄膜晶體管(TFT)和電容器，以獨(dú)立地控制像素。
[0004]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器有一特點(diǎn)在于光效率低于諸如CRT、PDP和PED之類的其它顯示設(shè)備的光效率。
[0005]這將導(dǎo)致一問題，即從有機(jī)發(fā)光二極管顯示器發(fā)出的光從電極和基板之間的界面以及基板和空氣之間的界面被完全反射，使得光提取率下降，并且從有機(jī)發(fā)光二極管顯示器發(fā)出的光被限制在電極、有機(jī)層和基板之間，這樣光不被發(fā)射到外部，并且消散。
[0006]在此【背景技術(shù)】部分公開的上述信息僅用于增強(qiáng)對(duì)所描述的技術(shù)的背景的理解，因此它可能包含不構(gòu)成對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說在這個(gè)國(guó)家已經(jīng)知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信肩、O

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明已經(jīng)被提出致力于提供具有改善光效率的優(yōu)點(diǎn)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。示例性實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管陣列面板，包括:基板；置于基板上的薄膜晶體管；連接到薄膜晶體管的第一電極；以及置于基板和薄膜晶體管之間的衍射層。衍射層置于薄膜晶體管的半導(dǎo)體的邊界線內(nèi)。
[0008]薄膜晶體管可包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，并且第一電極可連接至第一薄膜晶體管。薄膜晶體管陣列面板可以進(jìn)一步包括:形成在基板上并被連接到第二薄膜晶體管的柵電極的柵極線；與柵極線交叉并被連接到第二薄膜晶體管的源電極的數(shù)據(jù)線。衍射層與柵極線和數(shù)據(jù)線中至少之一重疊。
[0009]衍射層可以包括由反射材料形成的多個(gè)線狀圖案，線狀圖案以預(yù)定間隔被布置。
[0010]線狀圖案之間的間隔可以為50nm至5 μ m。
[0011]反射材料可以是具有至少為50%的反射率的材料,反射材料可以包括Al、Ag、Cu、Pd、Au、T1、Mo和它們的氧化物中的至少一種。
[0012]另一個(gè)示例性實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括:基板；置于基板上的多個(gè)像素。多個(gè)像素的每一個(gè)包括:置于基板上的衍射層；置于衍射層上的薄膜晶體管；連接到薄膜晶體管的第一電極；置于第一電極上的有機(jī)發(fā)光層；以及置于有機(jī)發(fā)光層上的第二電極。衍射層置于薄膜晶體管的半導(dǎo)體的邊界線內(nèi)。
[0013]薄膜晶體管可以包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，第一電極可以被連接到第一薄膜晶體管的漏電極。
[0014]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括:形成在基板上的柵極線，和柵極線交叉并彼此分開的數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電壓線。第二薄膜晶體管的柵電極、源電極和漏電極可以被分別連接到柵極線、數(shù)據(jù)線和第一薄膜晶體管的柵電極，第一薄膜晶體管的源電極可以被連接到驅(qū)動(dòng)電壓線。
[0015]在衍射層中，多個(gè)線狀圖案可以以預(yù)定間隔被布置。
[0016]像素可以包括紅像素、綠像素和藍(lán)像素，紅像素、綠像素和藍(lán)像素可以具有不同的線狀圖案之間的間隔。
[0017]線狀圖案之間的間隔可以以藍(lán)像素〈綠像素〈紅像素的規(guī)則被形成。
[0018]反射材料可以是具有至少為50%的反射率的材料,反射材料可以包括Al、Ag、Cu、Pd、Au、T1、Mo和它們的氧化物中的至少一種。
[0019]根據(jù)示例性實(shí)施例，當(dāng)反射圖案被形成時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的光效率可以增加。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]在結(jié)合附圖考慮時(shí)，通過參考下述詳細(xì)說明，對(duì)本發(fā)明的更完整的了解以及許多伴隨的優(yōu)點(diǎn)將是顯而易見的，因?yàn)樗鼈冏兊酶美斫猓綀D中同樣的附圖標(biāo)記表示相同或相似的組件，附圖中:
[0021]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例的包括在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的像素電路的電路圖。
[0022]圖2是圖1的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的布局圖。
[0023]圖3是沿圖2的II1-1II線截取的剖視圖。
[0024]圖4是根據(jù)本發(fā)明的該示例性實(shí)施例的衍射層的俯視平面圖。
[0025]圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖視圖。
[0026]圖6和圖7是用于描述根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的光效率的圖。
[0027]圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的布局圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面將參考其中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例的附圖更充分地描述本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，所描述的實(shí)施例可以以各種不同的形式體現(xiàn)，而不背離本發(fā)明的精神或范圍。
[0029]在附圖中，為清楚起見夸大了層、膜、面板和區(qū)域等的厚度。在整個(gè)說明書中，同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的元件。將理解的是，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱為在另一元件“上”時(shí)，它可以直接在另一元件上，或者也可以有中間元件存在。與此相反，當(dāng)元件被稱為“直接”在另一元件“上”時(shí)，不存在中間元件。
[0030]下面將參考附圖詳細(xì)描述根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
[0031]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例的包括在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的像素電路的電路圖。
[0032]如圖1所示，根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括多條信號(hào)線121、171和172、以及被連接到多條信號(hào)線121、171和172并基本上以矩陣形狀布置的多個(gè)像素PX0
[0033]信號(hào)線包括用于傳輸柵極信號(hào)(或掃描信號(hào))的多條柵極線121、用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的多條數(shù)據(jù)線171、用于傳輸驅(qū)動(dòng)電壓Vdd的多條驅(qū)動(dòng)電壓線172。柵極線121基本上在行方向上延伸，并幾乎彼此平行，數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172的垂直方向部分基本上在列方向上延伸，并幾乎彼此平行。
[0034]每個(gè)像素PX包括開關(guān)薄膜晶體管Qs、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd、存儲(chǔ)電容器Cst和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) LD。
[0035]開關(guān)薄膜晶體管Qs包括控制端、輸入端和輸出端，控制端被連接到柵極線121，輸入端被連接到數(shù)據(jù)線171，輸出端被連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd。開關(guān)薄膜晶體管Qs響應(yīng)于施加到柵極線121的掃描信號(hào)將施加到數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)津?qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd。
[0036]驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd也有控制端、輸入端和輸出端，控制端被連接到開關(guān)薄膜晶體管Qs，輸入端被連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172，輸出端被連接到有機(jī)發(fā)光二極管LD。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd使得輸出電流I111流動(dòng)，輸出電流I111的大小根據(jù)控制端和輸出端之間施加的電壓而改變。
[0037]電容器Cst被連接在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd的控制端與輸入端之間。電容器Cst充入施加到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd的控制端的數(shù)據(jù)信號(hào)并在開關(guān)薄膜晶體管Qs截止后維持該數(shù)據(jù)信號(hào)。
[0038]有機(jī)發(fā)光二極管LD包括被連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd的輸出端的陽極和被連接到公共電壓Vss的陰極。有機(jī)發(fā)光二極管LD發(fā)射光，同時(shí)根據(jù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd的輸出電流Iui改變光的強(qiáng)度，以顯示圖像。
[0039]此外，薄膜晶體管Qs和Qd、電容器Cst和有機(jī)發(fā)光二極管LD的連接關(guān)系可以被改變。
[0040]下面將參考圖2和圖3詳細(xì)描述根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
[0041]圖2是圖1的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的布局圖，圖3是沿圖2的II1-1II線截取的剖視圖，圖4是根據(jù)本發(fā)明的該示例性實(shí)施例的衍射層的俯視平面圖，圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖視圖。
[0042]如圖2和圖3所示，緩沖層120、122和124被形成在基板111上。
[0043]基板111可以是由玻璃、石英、陶瓷或塑料制成的絕緣基板，并且基板111可以是由不銹鋼制成的金屬基板。
[0044]在圖3的示例性實(shí)施例中，緩沖層可以包括下層120、位于衍射層300上的中間層122、以及位于中間層122上的上層124，但是可僅包括根據(jù)需要形成的中間層122。
[0045]衍射層300被形成在緩沖層的下層120上。
[0046]參考圖4，衍射層300包括由反射材料制成的多個(gè)線狀圖案。線狀圖案以預(yù)定間隔D平行布置，間隔D可以為50nm至5μπι。
[0047]反射材料是具有為50%或更多的反射率的金屬材料，并且可以是包括Al、Ag、Cu、Pd, Au, Ti,Mo和它們的氧化物中至少之一的單層，或者是其中Al、Ag、Cu、Pd、Au、T1、Mo和它們的氧化物中至少之一被層疊的多層。
[0048]緩沖層的中間層122被形成在衍射層300上。
[0049]緩沖層可以被形成為氧化硅或氮化硅(SiNx)的單層，或者被形成為其中氮化硅(SiNx)和氧化硅(Si02)被層疊的多層結(jié)構(gòu)。緩沖層的中間層122用于填補(bǔ)來自衍射層300的空間以平整化表面，同時(shí)防止諸如雜質(zhì)或水分的不必要成分滲透。緩沖層的中間層122可以被形成為比線狀圖案更厚，并且可以具有等于或大于IOOnm或等于或小于5 的厚度。
[0050]由多晶娃形成的第一半導(dǎo)體135a和第二半導(dǎo)體135b、以及第一電容器電極138被形成在緩沖層上。
[0051]第一半導(dǎo)體135a和第二半導(dǎo)體135b被劃分成溝道區(qū)1355a和1355b,以及形成在溝道區(qū)1355A和1355B的各邊的源區(qū)1356a和1356b、漏區(qū)1357a和1357b。第一半導(dǎo)體135a和第二半導(dǎo)體135b的溝道區(qū)1355a和1355b分別是沒有摻雜雜質(zhì)的多晶硅，也就是本征半導(dǎo)體。第一半導(dǎo)體135a和第二半導(dǎo)體135b的源區(qū)1356a和1356b以及漏區(qū)1357a和1357b是其中摻雜了導(dǎo)電雜質(zhì)的多晶硅，也就是雜質(zhì)半導(dǎo)體。
[0052]源區(qū)1356a和1356b、漏區(qū)1357a和1357b、以及第一電容器電極138中摻雜的雜質(zhì)可以是P-型雜質(zhì)和n-型雜質(zhì)中的任意一種。
[0053]衍射層300置于第一半導(dǎo)體135a和第二半導(dǎo)體135b的邊界線內(nèi)，以防止衍射層300降低開口率。
[0054]柵極絕緣層140被形成在第一半導(dǎo)體135a、第二半導(dǎo)體135b和第一電容器電極138上。柵極絕緣層140可以是包括四乙基原硅酸鹽(TE0S)、氮化硅和氧化硅中的至少一種的單層或多層。
[0055]參考圖2和圖3，柵極線121、第二柵電極155b和第二電容器電極158被形成在柵極絕緣層140上。
[0056]柵極線121在水平方向伸長(zhǎng)，以傳送柵極信號(hào)，并包括從柵極線121向第一半導(dǎo)體135a突出的第一柵電極155a。
[0057]第一柵電極155a和第二柵電極155b分別與溝道區(qū)1355a和1355b重疊,第二電容器電極158與第一電容器電極138重疊。
[0058]第二電容器電極158、第一柵電極155a和第二柵電極155b可以被形成為由鑰、鶴、銅、鋁或它們的合金形成的單層或多層。
[0059]第一電容器電極138和第二電容器電極158通過使用柵極絕緣層140作為電介質(zhì)形成電容器80。
[0060]第一層間絕緣層160被形成在第一柵電極155a、第二柵電極155b和第二電容器電極158上。和柵極絕緣層140類似，第一層間絕緣層160也可以由四乙基原硅酸鹽(TE0S)、氮化硅或氧化硅形成。
[0061]第一層間絕緣層160和柵極絕緣層140包括源區(qū)1356a和1356b和漏區(qū)1357a和1357b分別通過其暴露的源接觸孔166和漏接觸孔167。
[0062]包括第一源電極176a的數(shù)據(jù)線171、包括第二源電極176b的驅(qū)動(dòng)電壓線172、第一漏電極177a和第二漏電極177b被形成在第一層間絕緣層160上。
[0063]數(shù)據(jù)線171傳送數(shù)據(jù)信號(hào)，并在和柵極線121交叉的方向上延伸。[0064]驅(qū)動(dòng)電壓線172傳送預(yù)定的電壓，并在和數(shù)據(jù)線171的方向相同的方向上延伸，同時(shí)與數(shù)據(jù)線171分開。
[0065]第一源電極176a從數(shù)據(jù)線171向第一半導(dǎo)體135a突出，第二源電極176b從驅(qū)動(dòng)電壓線172向第二半導(dǎo)體135b突出。第一源電極176a和第二源電極176b分別通過源接觸孔166被分別連接到源區(qū)1356a和1356b。
[0066]第一漏電極177a面對(duì)第一源電極176a，并通過接觸孔167被連接到漏區(qū)1357a。
[0067]第一漏電極177a沿柵極線121延伸，并通過接觸孔81被電連接到第二柵電極155b。
[0068]第二漏電極177b通過接觸孔167被連接到漏區(qū)1357b。
[0069]數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172和第一漏電極177a可以被形成為由諸如Al、T1、Mo、Cu,Ni或它們的合金之類的低電阻材料形成或者由高腐蝕性材料形成的單層或多層。例如，數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172和第一漏電極177a可以是Ti/Cu/Ti或Ti/Ag/Ti的三層。
[0070]在該示例性實(shí)施例中，電容器通過將第一電容器電極138和第二電容器電極158重疊而形成，但是具有金屬/電介質(zhì)/金屬結(jié)構(gòu)的電容器可以通過在和數(shù)據(jù)線的層相同的層或和第一電極的層相同的層上形成電極而形成。
[0071]第二層間絕緣層180被形成在數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172和第一漏電極177a上。
[0072]此外，第一電極710被形成在第二層間絕緣層180上。第一電極710可以是圖1的有機(jī)發(fā)光二極管的陽極電極。第一電極710通過接觸孔82被連接到第二漏電極177b。
[0073]在該示例性實(shí)施例中，第二漏電極177b與第一電極710通過接觸孔82被連接，第二層間絕緣層180被插入在它們之間，但是第二漏電極177b和第一電極710可以被一體形成。
[0074]像素限定層190被形成在第一電極710上。
[0075]像素限定層190包括第一電極710通過其被暴露的開口 195。像素限定層190可以由聚丙烯酸酯基或聚酰亞胺基樹脂和氧化硅基無機(jī)材料形成。
[0076]有機(jī)發(fā)射層720被形成在像素限定層190的開口 195中。
[0077]有機(jī)發(fā)射層720可以由低分子有機(jī)材料或高分子有機(jī)材料形成，如聚3，4-乙撐二氧噻吩(PEDOT)。此外，有機(jī)發(fā)射層720可以被形成為包括發(fā)光層、空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、電子傳輸層ETL和電子注入層EIL中的至少一個(gè)的多層。當(dāng)有機(jī)發(fā)射層720包括發(fā)光層、空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、電子傳輸層ETL和電子注入層EIL的所有層時(shí)，空穴注入層被設(shè)置在作為陽極的第一電極710上，空穴傳輸層HTL、發(fā)光層、電子傳輸層ETL和電子注入層EIL被順序堆疊在空穴注入層上。
[0078]有機(jī)發(fā)射層720可包括用于發(fā)射紅光的紅有機(jī)發(fā)光層、用于發(fā)射綠光的綠有機(jī)發(fā)光層、用于發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)有機(jī)發(fā)光層中的至少一個(gè)，紅有機(jī)發(fā)光層、綠有機(jī)發(fā)光層和藍(lán)有機(jī)發(fā)光層被分別形成在紅像素、綠像素和藍(lán)像素中，以實(shí)現(xiàn)彩色圖像。
[0079]此外，通過將紅像素、綠像素和藍(lán)像素中的紅有機(jī)發(fā)光層、綠有機(jī)發(fā)光層和藍(lán)有機(jī)發(fā)光層堆疊在一起，有機(jī)發(fā)光層720可以實(shí)現(xiàn)白色,或者用于發(fā)射白光的白有機(jī)發(fā)光層可以被形成在紅像素、綠像素和藍(lán)像素的所有像素中。如圖5所示，當(dāng)多個(gè)發(fā)光層被形成在一個(gè)像素中或者白發(fā)光層被形成時(shí)，彩色圖像可以通過對(duì)于每個(gè)像素形成紅濾色器220R、綠濾色器220G和藍(lán)濾色器220B被實(shí)現(xiàn)。在這種情況下，黑色矩陣240可以被形成在濾色器之間，以防止通過各濾色器220R、220G和220B發(fā)射的顏色被混合或干擾。
[0080]如圖5所示，當(dāng)通過堆疊紅、綠和藍(lán)發(fā)光層或形成白有機(jī)發(fā)光層并使用濾色器實(shí)現(xiàn)彩色圖像時(shí)，沒有必要使用用于在單獨(dú)的像素中，也就是紅像素、綠像素和藍(lán)像素中，分別沉積紅有機(jī)發(fā)光層、綠有機(jī)發(fā)光層和藍(lán)有機(jī)發(fā)光層的沉積掩膜。
[0081]如上所述，理所當(dāng)然的是，白有機(jī)發(fā)光層可以被形成為一個(gè)有機(jī)發(fā)光層，并且白有機(jī)發(fā)光層包括能夠通過層疊多個(gè)有機(jī)發(fā)光層發(fā)射白光的結(jié)構(gòu)。
[0082]除了紅發(fā)光層、綠發(fā)光層和藍(lán)發(fā)光層外，白有機(jī)發(fā)光層也可以包括能夠通過組合至少一個(gè)黃有機(jī)發(fā)光層和至少一個(gè)藍(lán)有機(jī)發(fā)光層而發(fā)射白光的結(jié)構(gòu)、能夠通過組合至少一個(gè)青有機(jī)發(fā)光層和至少一個(gè)紅有機(jī)發(fā)光層而發(fā)射白光的結(jié)構(gòu)、以及能夠通過組合至少一個(gè)品紅有機(jī)發(fā)光層和至少一個(gè)綠有機(jī)發(fā)光層而發(fā)射白光的結(jié)構(gòu)。
[0083]參考圖3，第二電極730被形成在像素限定層190和有機(jī)發(fā)光層720上。
[0084]第二電極730是有機(jī)發(fā)光二極管的陰極電極。因此,第一電極710、有機(jī)發(fā)光層720和第二電極730形成有機(jī)發(fā)光二極管70。
[0085]根據(jù)由有機(jī)發(fā)光二極管70發(fā)射光的方向，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以具有頂顯示類型、底顯示類型和雙顯示類型中的任意一種結(jié)構(gòu)。
[0086]在根據(jù)該示例性實(shí)施例的底顯示類型的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中，第一電極710被形成為透明層或半透射層，第二電極730被形成為反射層。反射層和半透射層由鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)和鋁(Al)中的至少一種金屬或者它們的合金形成。反射層和半透射層由厚度確定，半透射層被形成為具有等于或小于200nm的厚度。隨著厚度減小，光透射率增加。但是，當(dāng)厚度過小，則電阻增加。
[0087]透明層可以由諸如氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)之類的材料形成。
[0088]當(dāng)衍射層300被如上所述形成時(shí)，光效率可提高。
[0089]這將參考圖6和圖7詳細(xì)說明。
[0090]圖6和圖7是用于描述根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的光效率的圖。
[0091]參考圖6,在基板100和空氣之間反射的光以及在基板100和電極之間反射的光沿基板100移動(dòng)，然后到達(dá)衍射層300，并被衍射層300的線狀圖案3反射和折射，以被發(fā)射到外部。也就是，沿基板100移動(dòng)的光是相關(guān)技術(shù)中所有像素顏色的混合，這樣，當(dāng)光沿基板移動(dòng)時(shí)，光可以與代表預(yù)定顏色的每個(gè)像素顏色混合。
[0092]然而，在衍射層300像該示例性實(shí)施例那樣被形成時(shí)，沿基板100移動(dòng)的光被由反射材料形成的線狀圖案3反射，從而使折射率發(fā)生變化，因此光不再沿基板100移動(dòng)，而是可以被發(fā)射到外部。
[0093]此外，當(dāng)衍射層300的線狀圖案3之間的間隔根據(jù)每個(gè)像素顏色而改變時(shí)，被衍射層300衍射的光可以只發(fā)射和該像素顏色相同的顏色到外部。
[0094]參考圖7，當(dāng)光入射到衍射層300時(shí)，入射光被線狀圖案3衍射，以角度Θ被發(fā)射。在這種情況下，當(dāng)線狀圖案3之間的間隔被稱為d時(shí)，衍射和發(fā)射的光的波長(zhǎng)可通過下面的等式得到。
[0095][等式]
[0096]dsin Θ = λ/2 (2m)[0097](m=0, 1，2，…)
[0098]因此，如圖5所示，置于紅像素、綠像素和藍(lán)像素中每一個(gè)處的衍射層300的線狀圖案之間的間隔可以根據(jù)像素顏色不同地形成。
[0099]當(dāng)有機(jī)發(fā)光層發(fā)射單一顏色的光時(shí)，顏色像素根據(jù)有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光顏色被確定，但當(dāng)有機(jī)發(fā)光層包括多種顏色以形成白光時(shí)，像素顏色根據(jù)濾色器的顏色被改變。
[0100]例如，當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括紅像素PR、綠像素PG和藍(lán)像素PB時(shí)，紅像素PR、綠像素PG和藍(lán)像素PB的線狀圖案之間的間隔分別被稱為dl、d2和d3，線狀圖案之間的間隔可以具有dl>d2>d3的關(guān)系。
[0101]dl 可以是 0.32±0.05 u m、0.40±0.05 u m、0.60±0.05 u m、0.69±0.05 u m和 2.00±0.05 ii m，d2 可以是 0.27±0.05 y m、0.35±0.05 y m、0.50±0.05 y m、
0.60 it 0.05 u m、1.71 it 0.05 u m, d3 可以是 0.24 it 0.05 u m、0.30 it 0.05 u m、
0.43 ±0.05 u m、0.50±0.05 u m、1.47±0.05 u m。
[0102]當(dāng)沿基板100移動(dòng)的光入射到紅像素時(shí)，紅光被發(fā)射，綠光和藍(lán)光消散，當(dāng)沿基板100移動(dòng)的光入射到綠像素時(shí)，綠光被發(fā)射，藍(lán)光和紅光消散，當(dāng)沿基板100移動(dòng)的光入射到藍(lán)像素時(shí)，藍(lán)光被發(fā)射，紅光和綠光消散。
[0103]如上所述，通過使用衍射層300將沿基板100移動(dòng)的光釋放到外部，可以增加光效率。
`[0104]圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的布局圖。
[0105]除了衍射層300的形式，圖8的示例性實(shí)施例基本上和圖2和圖3的示例性實(shí)施例相同，所以將省略重復(fù)描述。
[0106]如圖8所示，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的衍射層300與數(shù)據(jù)布線和柵極布
線重疊。
[0107]特別地，衍射層300與柵極線121、數(shù)據(jù)線171、第一漏電極177a、第二漏電極177b和驅(qū)動(dòng)電壓線172中至少之一重疊。
[0108]在這種情況下，由于柵極線121、數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172位于相鄰的像素之間，因此衍射層300的線狀圖案之間的間隔可以被形成為使得發(fā)射和被連接到信號(hào)線的像素的顏色相同的顏色。
[0109]盡管關(guān)于目前被認(rèn)為可實(shí)現(xiàn)的示例性實(shí)施例描述了本公開，但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明并不局限于所公開的實(shí)施例，而是相反，本發(fā)明覆蓋包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種改變和等同方案。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管陣列面板，包括: 基板； 置于所述基板上的薄膜晶體管； 連接到所述薄膜晶體管的第一電極；和 置于所述基板和所述薄膜晶體管之間的衍射層， 所述衍射層置于所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體的邊界線內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中所述薄膜晶體管包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，并且所述第一電極連接至所述第一薄膜晶體管，所述薄膜晶體陣列面板進(jìn)一步包括: 形成在所述基板上并被連接到所述第二薄膜晶體管的柵電極的柵極線； 與所述柵極線交叉并被連接到所述第二薄膜晶體管的源電極的數(shù)據(jù)線； 所述衍射層與所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線中至少之一重疊。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中所述衍射層包括由反射材料形成的多個(gè)線狀圖案，并且所述線狀圖案以預(yù)定間隔被布置。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中所述線狀圖案之間的間隔為50nm至5 y m0
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中所述衍射層由具有至少為50%的反射率的反射材料形成，并且所述反射材料包括Al、Ag、Cu、Pd、Au、T1、Mo和它們的氧化物中的至少一種。
6.—種有機(jī)發(fā)光二極管顯不器,包括: 基板；和 置于所述基板上的多個(gè)像素； 所述多個(gè)像素中的每一個(gè)包括: 置于所述基板上的衍射層； 置于所述衍射層上的薄膜晶體管； 連接到所述薄膜晶體管的第一電極； 置于所述第一電極上的有機(jī)發(fā)光層；和 置于所述有機(jī)發(fā)光層上的第二電極； 所述衍射層置于所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體的邊界線內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中多個(gè)線狀圖案以預(yù)定間隔被布置在所述衍射層中。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述像素包括紅像素、綠像素和藍(lán)像素，并且所述紅像素、所述綠像素和所述藍(lán)像素具有不同的線狀圖案之間的間隔。
9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述線狀圖案之間的間隔以所述藍(lán)像素〈所述綠像素〈所述紅像素的規(guī)則被形成。
10.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述衍射層由具有至少為50%的反射率的反射材料形成，并且所述反射材料包括Al、Ag、Cu、Pd、Au、T1、Mo和它們的氧化物中的至少一種。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103811500SQ201310546047
【公開日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2013年11月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月6日
【發(fā)明者】田宇植, 具永謨, 李敏宇, 李在九 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司