發(fā)光元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種發(fā)光元件，具有一基板；一發(fā)光疊層，位于基板之上；一第一保護(hù)層，位于發(fā)光疊層之上；一反射層，位于第一保護(hù)層之上；一阻障層，位于反射層之上；一第二保護(hù)層，位于阻障層之上；以及一導(dǎo)電接觸層，位于第二保護(hù)層之上，其中導(dǎo)電接觸層包含一第一導(dǎo)電部與一第二導(dǎo)電部，第一導(dǎo)電部的上表面表面積相同或近似于第二導(dǎo)電部的上表面表面積。
【專利說明】發(fā)光元件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件，特別是涉及一種具有導(dǎo)電接觸層的發(fā)光元件，例如倒裝式(Flip Chip)發(fā)光二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]光電元件目前已經(jīng)廣泛地使用在光學(xué)顯示裝置、交通號(hào)志、數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置、通訊裝置、照明裝置與醫(yī)療器材上，例如發(fā)光二極管(Light-emitting Diode ;LED)。
[0003]此外，上述的LED可與其他元件組合連接以形成一發(fā)光裝置。圖6為現(xiàn)有的發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6所示,一發(fā)光裝置5包含一具有一電路54的次載體(submount) 52 ；一焊料56 (solder)位于上述次載體52上，通過此焊料56將LED51固定于次載體52上并使LED51與次載體52上的電路54形成電連接，其中LED51包含有一基板53 ;以及一電連接結(jié)構(gòu)58，以電連接LED51的電極55與次載體52上的電路54 ;其中，上述的次載體52可以是導(dǎo)線架(lead frame)或大尺寸鑲嵌基底(mounting substrate)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]一發(fā)光元件具有一基板；一發(fā)光疊層，位于基板之上；一第一保護(hù)層，位于發(fā)光疊層之上；一反射層，位于第一保護(hù)層之上；一阻障層，位于反射層之上；一第二保護(hù)層，位于阻障層之上；以及一導(dǎo)電接觸層，位于第二保護(hù)層之上，其中導(dǎo)電接觸層包含一第一導(dǎo)電部與一第二導(dǎo)電部，第一導(dǎo)電部的上表面表面積相異于第二導(dǎo)電部的上表面表面積。
[0005]一發(fā)光元件具有一基板；一發(fā)光疊層，位于基板之上；一第一保護(hù)層，位于發(fā)光疊層之上；一反射層，位于第一保護(hù)層之上；一阻障層，位于反射層之上；一第二保護(hù)層，位于阻障層之上；以及一導(dǎo)電接觸層，位于第二保護(hù)層之上，其中導(dǎo)電接觸層包含一第一導(dǎo)電部與一第二導(dǎo)電部，第一導(dǎo)電部的上表面表面積等于第二導(dǎo)電部的上表面表面積。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1A繪示本申請(qǐng)案一實(shí)施例的發(fā)光元件的上視圖；
[0007]圖1B為本申請(qǐng)案圖1A沿線A-A’所示的發(fā)光元件的剖面示意圖；
[0008]圖1C為本申請(qǐng)案圖1A沿線B-B’所示的發(fā)光元件的剖面示意圖；
[0009]圖1D為本申請(qǐng)案圖1A沿線B-B’所示的另一實(shí)施例的發(fā)光元件的剖面示意圖；
[0010]圖1E為本申請(qǐng)案圖1A的發(fā)光元件的立體圖。
[0011]圖2A繪示本申請(qǐng)案另一實(shí)施例的發(fā)光元件的上視圖；
[0012]圖2B為本申請(qǐng)案圖2A沿線C-C’所示的發(fā)光元件的剖面示意圖；
[0013]圖3為本申請(qǐng)案一實(shí)施例的光源產(chǎn)生裝置的示意圖；
[0014]圖4為本申請(qǐng)案一實(shí)施例的背光模塊的示意圖；
[0015]圖5為本申請(qǐng)案一實(shí)施例的燈泡分解示意圖；
[0016]圖6為現(xiàn)有的發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖。[0017]主要元件符號(hào)說明
[0018]1、2、60:發(fā)光元件
[0019]10:基板
[0020]11:第一保護(hù)層
[0021]12:發(fā)光疊層
[0022]121、20:第一電極
[0023]122:第一半導(dǎo)體層
[0024]123:第二電極
[0025]124:發(fā)光層
[0026]125,202:接觸部
[0027]126:第二半導(dǎo)體層
[0028]127、204:延伸部
[0029]1270:頂面
[0030]1272:底面
[0031]1274:側(cè)面
[0032]13:反射層
[0033]15:阻障層
[0034]17:第二保護(hù)層
[0035]172:第一通孔
[0036]174:第二通孔
[0037]19:導(dǎo)電接觸層
[0038]190:第一導(dǎo)電部
[0039]191:第二導(dǎo)電部
[0040]192:第一墊高部
[0041]193:第二墊高部
[0042]204:連接部
[0043]3:光源產(chǎn)生裝置
[0044]31:光源
[0045]32:電源供應(yīng)系統(tǒng)
[0046]33:控制元件
[0047]4:背光模塊
[0048]41:光學(xué)元件
[0049]5:發(fā)光裝置
[0050]51:LED
[0051]52:次載體
[0052]53:基板
[0053]54:電路
[0054]56:焊料
[0055]58:電連接結(jié)構(gòu)[0056]55:電極
[0057]61:燈罩
[0058]62:透鏡
[0059]63:載體
[0060]64:照明模塊
[0061]63:載體
[0062]65:燈座
[0063]66:散熱槽
[0064]67:連結(jié)部
[0065]68:電子連結(jié)器
[0066]d:間距
[0067]h1:第一高度
[0068]h2:第二高度
[0069]wl:第一寬度
[0070]w2:第二寬度
[0071]Θ:夾角
【具體實(shí)施方式】
[0072]本發(fā)明的實(shí)施例會(huì)被詳細(xì)地描述，并且繪制于附圖中，相同或類似的部分會(huì)以相同的號(hào)碼在各附圖以及說明出現(xiàn)。
[0073]圖1A為本申請(qǐng)案一實(shí)施例的發(fā)光元件的上視圖，圖1B為圖1A沿線A_A’的剖面不意圖。如圖1A及圖1B所不，一發(fā)光兀件I具有一基板10 ;—發(fā)光疊層12,位于基板10之上；一第一保護(hù)層11，位于發(fā)光疊層12之上；一反射層13,位于第一保護(hù)層11之上；一阻障層15，位于反射層13之上，包覆且圍繞反射層13 ;—第二保護(hù)層17，位于阻障層15之上，包覆且圍繞第一保護(hù)層11、反射層13、及阻障層15 ;以及一導(dǎo)電接觸層19，位于第二保護(hù)層17之上。發(fā)光疊層12具有一第一半導(dǎo)體層122,位于基板10之上；一發(fā)光層124,位于第一半導(dǎo)體層122之上；一第二半導(dǎo)體層126，位于發(fā)光層124之上。發(fā)光元件更包含多個(gè)第一電極121,位于第一半導(dǎo)體層之上，以及一第二電極123,位于第二半導(dǎo)體層126之上。其中，第一電極121具有一接觸部125與一延伸部127。此實(shí)施例中，多個(gè)第一電極121是物理上彼此分離，例如空間上彼此分離，且經(jīng)由第一導(dǎo)電部190 (詳見下方描述)電連接，可減少需被移除的發(fā)光疊層12，降低發(fā)光面積的損失。第二保護(hù)層17具有一第一通孔172，位于接觸部125之上，如圖1B所示；以及一第二通孔174，位于阻障層15之上，如圖1A所示。
[0074]導(dǎo)電接觸層19用以接受外部電壓和散熱，具有一第一導(dǎo)電部190與一第二導(dǎo)電部191，是由單一或多種金屬材料所構(gòu)成。金屬材料包含但不限于銅(Cu)、錫(Sn)、金(Au)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉬(Pt)、鉛(Pb)、錫金合金(AuSn)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋅(Cu-Zn)、銅-鎘(Cu-Cd)、錫 _鉛_鋪(Sn-Pb-Sb)、錫 _鉛_鋒(Sn-Pb-Zn)、鎮(zhèn) _錫(N1-Sn)、鎮(zhèn) _鉆(N1-Co)、金合金(Au alloy)、金-銅-鎳-金(Au-Cu-N1-Au)或上述材料的組合等。
[0075]第一電極121的延伸部127自接觸部125向外延伸，使延伸部127得以在第一半導(dǎo)體層122上覆蓋較多的面積以利電流分散。于附圖中，延伸部127的另一端是位于第二導(dǎo)電部191下方，但本發(fā)明并不限于此，延伸部127的另一端也可以突出于第二導(dǎo)電部191的投影面積之外。第一導(dǎo)電部190經(jīng)由第一通孔172與第一電極121的接觸部125電連接，電流可自第一導(dǎo)電部190經(jīng)由第一電極121傳導(dǎo)至第二導(dǎo)電部191下方的第一半導(dǎo)體層122。第二導(dǎo)電部191經(jīng)由第二通孔174與阻障層15電連接，電流可自第二導(dǎo)電部191經(jīng)由阻障層15、反射層13及第二電極123傳導(dǎo)至第二半導(dǎo)體層126。如圖1B所示，第一導(dǎo)電部190具有一第一寬度wl與第二導(dǎo)電部191具有一第二寬度w2，本實(shí)施例的第一寬度wl小于第二寬度w2。第一導(dǎo)電部190與第二導(dǎo)電部191之間的間距d至少約為50微米，較佳約為70?150微米。例如發(fā)光元件I在與一基座(未顯示)的焊接制作工藝之前會(huì)先將錫膏分別涂布在第一導(dǎo)電部190與第二導(dǎo)電部191之上，若間距d小于50微米，焊接制作工藝時(shí)的第一導(dǎo)電部190與第二導(dǎo)電部191之上的錫膏會(huì)易于相互接觸，導(dǎo)致短路?；蚴窃诎l(fā)光元件I與基座共晶鍵合時(shí)因?qū)ξ徊粶?zhǔn)，而造成第一導(dǎo)電部190與第二導(dǎo)電部191與基座上電極錯(cuò)位而導(dǎo)致短路。
[0076]一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電部190具有一第一高度hl，第一高度hi是第一導(dǎo)電部190的上表面與基板10的上表面之間的距離；第二導(dǎo)電部191具有一第二高度h2，第二高度h2是第二導(dǎo)電部191的上表面與基板10的上表面之間的距離，其中第一高度hi約略等于第二高度h2，因此，不會(huì)因?yàn)榈谝粚?dǎo)電部190與第二導(dǎo)電部191的高度差異而導(dǎo)致與基座的連接制作工藝失敗，因而提升良率。此時(shí)，本實(shí)施例不限于第一寬度《I小于第二寬度《2，第一寬度《I大于或等于第二寬度《2也可。
[0077]另一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電部190可具有一第一墊高部192，第二導(dǎo)電部191可具有一第二墊高部193位于第二保護(hù)層17之上，第一墊高部192與第二墊高部193可用以分別調(diào)整第一導(dǎo)電部190與第二導(dǎo)電部191高度，例如可用以使第一導(dǎo)電部190與第二導(dǎo)電部191約略等高，即第一高度hi約略等于第二高度h2。另一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電部190可具有第一墊高部192使第一高度hi大于第二高度h2。以焊接制作工藝為例，當(dāng)發(fā)光元件I的第二導(dǎo)電部191的上表面表面積大于第一導(dǎo)電部190的上表面表面積,第二導(dǎo)電部191與錫膏接觸的面積較大，所以在發(fā)光元件I焊接至基座的制作工藝中，第二導(dǎo)電部191對(duì)基座的粘著力相對(duì)于第一導(dǎo)電部190較大，基板10在制作工藝中升溫而翹曲，產(chǎn)生一個(gè)高度差異，第一導(dǎo)電部190因而與基座剝離。因此，當(dāng)?shù)谝桓叨萮i大于第二高度h2，第一高度hi可彌補(bǔ)因基板10翹曲而造成的高度差異，使第一導(dǎo)電部190不會(huì)因此而與基座剝離。另外，因基板彎曲、基座的設(shè)計(jì)或表面不平整所造成基座上電極的高度差，或是制作工藝因素所造成的電極錯(cuò)位，例如震動(dòng)或氣流，也可經(jīng)由第一高度hi與第二高度h2的高度差異來降低第一導(dǎo)電部190與基座剝離的機(jī)率。其中，第一高度hi大于第二高度h2約I?10微米。
[0078]基板10可用以支持位于其上的發(fā)光疊層12與其它層或結(jié)構(gòu)，其材料可為透明材料。透明材料包含但不限于藍(lán)寶石(Sapphire)、鉆石(Diamond)、玻璃(Glass)、環(huán)氧樹脂(Epoxy)、石英(Quartz)、壓克力(Acryl)、氧化招(Al2O3)、砷化鎵(GaAs)、氧化鋅(ZnO)或氮化鋁(AlN)等；其中可用以成長發(fā)光疊層的材料例如為藍(lán)寶石或砷化鎵。
[0079]發(fā)光疊層12可直接于基板10成長形成，或是通過粘結(jié)層(未顯示)固定于基板10之上。發(fā)光疊層12的材料可為半導(dǎo)體材料，包含一種以上的元素，此元素可選自鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、磷(P)、氮(N)、鋅(Zn)、鎘(Cd)與硒(Se)所構(gòu)成的群組。第一半導(dǎo)體層122與第二半導(dǎo)體層126的電性相異。發(fā)光層124可發(fā)出一種或多種色光，其結(jié)構(gòu)可為單異質(zhì)結(jié)構(gòu)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、雙側(cè)雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、多層量子井或量子點(diǎn)
[0080]第一電極121與第二電極123用以傳導(dǎo)電流，其材料可為透明導(dǎo)電材料或金屬材料。透明導(dǎo)電材料包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅(ZnO)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、氧化銦鋅(IZO)或類鉆碳薄膜(DLC)。金屬材料包含但不限于銅(Cu)、錫(Sn)、金(Au)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鉛(Pb)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋅(Cu-Zn)、銅-鎘(Cu-Cd)、錫-鉛-銻(Sn-Pb-Sb)、錫-鉛-鋅(Sn-Pb-Zn)、鎳-錫(N1-Sn)、鎳-鈷(N1-Co)、金合金(Au alloy)、金-銅-鎳-金(Au-Cu-N1-Au)或上述材料的組合等
[0081]第一保護(hù)層11及/或第二保護(hù)層17用以使第一導(dǎo)電部190及第二導(dǎo)電部191與反射層13電絕緣,并保護(hù)反射層13避免被第一導(dǎo)電部190與第二導(dǎo)電部191損害。第一保護(hù)層11及/或第二保護(hù)層17可用以固定反射層13并增進(jìn)發(fā)光元件I的機(jī)械強(qiáng)度。其材料可為絕緣材料，例如聚亞酰胺(PD、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過氟環(huán)丁烷(PFCB)、氧化鎂(MgO)、Su8、環(huán)氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環(huán)烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化招(Al2O3)、氧化娃(SiOx)、氧化鈦(TiO2)、氮化硅(SiNx)或旋涂玻璃(SOG)。
[0082]反射層13可反射來自發(fā)光疊層12之光，其材料可包含但不限于銅(Cu)、鋁(Al)、錫(Sn)、金(Au)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、鈦鎢合金(Tiff)、銀-鈦(Ag-Ti)、鎳-錫(N1-Sn)、金合金(Au alloy)、鎳-銀(N1-Ag)或鈦-招(T1-Al)等。
[0083]阻障層15用以防止來自反射層13的離子擴(kuò)散及/或增加反射層13與第二保護(hù)層17之間的粘著力，其材料可包含但不限于銅(Cu)、鋁(Al)、錫(Sn)、金(Au)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、鈦鎢合金(TiW)、鎳鈦合金(NiTi)、鎳鉻合金(NiCr)、銀-鈦(Ag-Ti)、鎳-錫(N1-Sn)、金合金(Au alloy)、鎳-銀(N1-Ag)或鈦-招(T1-Al)等。
[0084]圖1C為圖1A沿線B-B’的剖面示意圖。如圖1C所示,發(fā)光元件I的基板以上的層結(jié)構(gòu)可以具有類似的輪廓。以延伸部127為例，其具有一頂面1270 ;—底面1272，相對(duì)于頂面270 ;以及一側(cè)面1274，位于頂面1270與底面1272之間。側(cè)面1274與底面1272夾有一夾角Θ，夾角Θ約為15度與70度之間，較佳約為30度與45度之間。相對(duì)于側(cè)面與底面夾角為90度的延伸部，由于夾角Θ較為平緩，形成于其上的結(jié)構(gòu)，例如第一保護(hù)層11，不會(huì)因夾角角度陡峭而導(dǎo)致有結(jié)構(gòu)上的缺陷厚度不足，造成光電元件結(jié)構(gòu)不穩(wěn)固，降低生產(chǎn)良率。第一導(dǎo)電部190與第二導(dǎo)電部191可具有凹凸的輪廓。另一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電部190可具有第一墊高部192與第二導(dǎo)電部191可具有第二墊高部193，位于第二保護(hù)層17之上，使后續(xù)形成的第一導(dǎo)電部190與第二導(dǎo)電部191的上表面較為平整，如圖1D所示。較佳的，第一墊高部192形成于第一通孔172內(nèi)以及部分第二保護(hù)層17之上，第二墊高部193形成于第二通孔174內(nèi)以及部分第二保護(hù)層17之上。
[0085]圖1E為本申請(qǐng)案圖1A的發(fā)光元件的立體圖。如圖1E所示，第二保護(hù)層17位于基板10之上,第一導(dǎo)電層190與第二導(dǎo)電層191形成于第二保護(hù)層17之上。
[0086]圖2A為本申請(qǐng)案另一實(shí)施例的發(fā)光元件的上視圖，圖2B為圖2A沿線C_C’的剖面示意圖。如圖2A所示，發(fā)光元件2的一第一電極20具有多個(gè)接觸部202、多個(gè)延伸部204以及位于接觸部202間的連接部206。第一導(dǎo)電部190經(jīng)由第一通孔172與第一電極20的接觸部202電連接，電流可自第一導(dǎo)電部190經(jīng)由第一電極20傳導(dǎo)至第二導(dǎo)電部191下方的第一半導(dǎo)體層122，而且有第二保護(hù)層17使第一導(dǎo)電部190與第二半導(dǎo)體層126電絕緣，所以第一導(dǎo)電部190的上表面表面積與第二導(dǎo)電部191的上表面表面積可約略相等。因此，發(fā)光元件2與基座的連接制作工藝中，不會(huì)因?yàn)榈谝粚?dǎo)電部190的上表面表面積與第二導(dǎo)電部191的上表面表面積不同而導(dǎo)致對(duì)基座的粘著力不同，造成第一導(dǎo)電部190或第二導(dǎo)電部191與基座剝離，提升連接制作工藝的良率。較佳的，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電部190的上表面表面積與第二導(dǎo)電部191的上表面表面積約略相等時(shí)，第一導(dǎo)電部190與第二導(dǎo)電部191約略等高，即第一高度hi約略等于第二高度h2。又一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電部190的上表面表面積與第二導(dǎo)電部191的上表面表面積的比例可約為0.8?1.2或0.9?1.1。如圖2B所示，另一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電部190的一第一寬度wl與第二導(dǎo)電部191的一第二寬度w2可約略相等。又一實(shí)施例中，第一寬度wl與第二寬度w2的比例可約為0.8?1.2或0.9?1.1。
[0087]第一導(dǎo)電部190未覆蓋部分接觸部202之上，裸露出部分接觸部202及/或位于其上的第二保護(hù)層17，如圖2A所示。第一導(dǎo)電部190在與基座共晶鍵合時(shí)會(huì)先上助焊劑，共晶鍵合后需要清洗移除殘留的助焊劑，避免影響后續(xù)的封裝制作工藝。因?yàn)槁懵兜牡诙Ｗo(hù)層17較靠近側(cè)邊，方便清洗殘留的助焊劑，可改善后續(xù)封裝制作工藝的良率。
[0088]圖3是繪示出一光源產(chǎn)生裝置示意圖，一光源產(chǎn)生裝置3包含前述任一實(shí)施例的發(fā)光元件。光源產(chǎn)生裝置3可以是一照明裝置，例如路燈、車燈或室內(nèi)照明光源，也可以是交通號(hào)志或一平面顯不器中背光模塊的一背光光源。光源產(chǎn)生裝置3具有前述發(fā)光兀件組成的一光源31、一電源供應(yīng)系統(tǒng)32以供應(yīng)光源31 —電流、以及一控制兀件33，用以控制電源供應(yīng)系統(tǒng)32。
[0089]圖4是繪示出一背光模塊剖面示意圖，一背光模塊4包含前述實(shí)施例中的光源產(chǎn)生裝置3，以及一光學(xué)元件41。光學(xué)元件41可將由光源產(chǎn)生裝置3發(fā)出的光加以處理，以應(yīng)用于平面顯示器，例如散射光源產(chǎn)生裝置3發(fā)出的光。
[0090]圖5是繪示出一燈泡分解示意圖，一燈泡6具有一燈罩61 ;—透鏡62，置于燈罩61之中；一照明模塊64,位于透鏡62之下；一燈座65,具有一散熱槽66,用以承載照明模塊64 ;一連結(jié)部67 ;以及一電連結(jié)器68，其中連結(jié)部67連結(jié)燈座65與電連接器68。照明模塊64具有一載體63 ;以及多個(gè)前述任一實(shí)施例的發(fā)光兀件60,位于載體63之上。
[0091]上述實(shí)施例僅為例示性說明本申請(qǐng)案的原理及其功效，而非用于限制本申請(qǐng)案。任何本申請(qǐng)案所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者均可在不違背本申請(qǐng)案的技術(shù)原理及精神的情況下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改及變化。因此本申請(qǐng)案的權(quán)利保護(hù)范圍如上述的權(quán)利要求所列。
【權(quán)利要求】
1.一發(fā)光元件，包含: 發(fā)光疊層，包含: 第一半導(dǎo)體層； 第二半導(dǎo)體層，位于該第一半導(dǎo)體層之上； 發(fā)光層，位于該第一半導(dǎo)體層與該第二半導(dǎo)體層之間；以及 多個(gè)第一電極，位于該第一半導(dǎo)體層之上，其中該多個(gè)第一電極彼此分離； 第一保護(hù)層，位于該發(fā)光疊層之上，包含第一通孔；以及 導(dǎo)電接觸層，位于該第一保護(hù)層之上，經(jīng)由該第一通孔與該多個(gè)第一電極的其中一個(gè)電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該導(dǎo)電接觸層包含有第一導(dǎo)電部與第二導(dǎo)電部，該第一導(dǎo)電部與該第二導(dǎo)電部空間上彼此分離，該第一導(dǎo)電部的上表面表面積相異于該第二導(dǎo)電部的上表面表面積。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光兀件,其中該第一導(dǎo)電部的上表面表面積小于該第二導(dǎo)電部的上表面表面積，且該第一導(dǎo)電部具有一第一高度，該第二導(dǎo)電部具有一第二高度，該第一高度大于該第二高度。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其還包含位于該發(fā)光疊層以及該第一保護(hù)層之間的第二電極，且該第一保護(hù)層還包含一位于該第二電極上方的第二通孔，該導(dǎo)電接觸層包含有第一導(dǎo)電部與第二導(dǎo)電部，該第一導(dǎo)電部與該第二導(dǎo)電部空間上彼此分離，其中該第二導(dǎo)電部經(jīng)由該第二通孔與該第二電極電連接。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件，其還包含位于該第二導(dǎo)電部以及該第一保護(hù)層之間的墊高部，且該墊高部經(jīng)由該第二通孔與該第二電極電連接。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該導(dǎo)電接觸層包含有第一導(dǎo)電部與第二導(dǎo)電部，該第一導(dǎo)電部與該第二導(dǎo)電部空間上彼此分離，且該發(fā)光兀件還包含位于該第一導(dǎo)電部以及該第一保護(hù)層之間的墊高部，且該墊高部經(jīng)由該第一通孔與該多個(gè)第一電極的其中一個(gè)電連接。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該導(dǎo)電接觸層包含有第一導(dǎo)電部與第二導(dǎo)電部，該第一導(dǎo)電部與該第二導(dǎo)電部空間上彼此分離，介于該第一導(dǎo)電部與該第二導(dǎo)電部之間的距離是至少為50微米。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該導(dǎo)電接觸層包含有第一導(dǎo)電部與第二導(dǎo)電部，該第一導(dǎo)電部與該第二導(dǎo)電部是空間上彼此分離，其中該第一導(dǎo)電部的上表面表面積 與該第二導(dǎo)電部的上表面表面積的比例介于0.8至1.2之間。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其還包含介于該發(fā)光疊層以及該第一保護(hù)層之間的第二保護(hù)層，其中該多個(gè)第一電極各包含一接觸部以及一自該接觸部向外延伸的延伸部，且該延伸部介于該第二保護(hù)層與該發(fā)光疊層之間。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光兀件，其中該發(fā)光疊層、該多個(gè)第一電極的其中一個(gè)、該第一保護(hù)層、該導(dǎo)電接觸層中至少一包含有頂面，相對(duì)于該頂面的底面，介于該頂面以及底面之間的側(cè)面以及介于該側(cè)面以及該底面之間的夾角，且該夾角介于15度至70度之間。
【文檔編號(hào)】H01L33/60GK103872229SQ201310653613
【公開日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2013年12月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月7日
【發(fā)明者】洪詳竣, 柯淙凱, 沈建賦, 陳昭興, 王佳琨, 陳宏哲 申請(qǐng)人:晶元光電股份有限公司