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      一種高壓gis的絕緣盆子的制作方法

      文檔序號(hào):7027995閱讀:1697來源:國知局
      一種高壓gis的絕緣盆子的制作方法
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種高壓GIS的絕緣盆子,包括法蘭盤和絕緣體;絕緣體上設(shè)有金屬圈蓋,金屬圈蓋被夾于中心孔內(nèi)且與絕緣體配合固定。本實(shí)用新型在絕緣體上設(shè)置一金屬圈蓋,外部應(yīng)力作用在金屬圈蓋上,金屬外圈的機(jī)械強(qiáng)度遠(yuǎn)高于環(huán)氧樹脂的強(qiáng)度,從而達(dá)到保護(hù)內(nèi)部環(huán)氧樹脂的目的。故本實(shí)用新型能夠克服絕緣盆子的環(huán)氧樹脂部分受到的外部應(yīng)力大,避免損壞絕緣盆子,降低事故風(fēng)險(xiǎn);同時(shí)簡化澆注環(huán)節(jié),降低絕緣樹脂和外殼之間氣隙的局部場強(qiáng)。
      【專利說明】—種高壓GIS的絕緣盆子
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型屬于電氣絕緣【技術(shù)領(lǐng)域】,具體涉及一種高壓GIS的絕緣盆子。
      【背景技術(shù)】
      [0002]目前,高壓氣體絕緣開關(guān)設(shè)備(GIS)上的絕緣盆子,用于聯(lián)系高電位部件與地電位外殼,起著支撐與絕緣作用。如圖1所示,絕緣盆子I由環(huán)氧樹脂整體真空澆注而成,在產(chǎn)品中起支撐導(dǎo)體和絕緣的雙重作用。一般的固定方式是夾在兩個(gè)法蘭2之間,用螺栓5與法蘭2固定在一起,圖中4為密封件。實(shí)踐證明,這樣的結(jié)構(gòu)存在如下問題:一是在運(yùn)行中,產(chǎn)品受溫度影響,金屬外殼產(chǎn)生熱脹冷縮,產(chǎn)生位移,在絕緣盆子上產(chǎn)生很大的外部應(yīng)力,結(jié)果容易導(dǎo)致其被破壞,釀成事故;二是在殼體內(nèi)部出現(xiàn)嚴(yán)重電弧故障時(shí),絕緣盆子會(huì)碎裂傷人。
      [0003]圖1中,部分絕緣盆子的環(huán)氧樹脂內(nèi)會(huì)安裝圓環(huán)狀的屏蔽環(huán)3,達(dá)到降低絕緣樹脂和外殼之間氣隙的局部場強(qiáng)。但是使絕緣盆子的澆注更加復(fù)雜。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]針對現(xiàn)有技術(shù)所存在的上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型提供了一種高壓GIS的絕緣盆子,避免損壞絕緣盆子,簡化澆注環(huán)節(jié),降低事故風(fēng)險(xiǎn)。
      [0005]一種高壓GIS的絕緣盆子,包括法蘭盤和絕緣體;所述的絕緣體設(shè)于法蘭盤的中心孔內(nèi);
      [0006]所述的絕緣體上設(shè)有金屬圈蓋,所述的金屬圈蓋被夾于所述的中心孔內(nèi)且與絕緣體配合固定。
      [0007]所述的絕緣體一端為凸?fàn)钋遗c金屬圈蓋凹凸配合。
      [0008]所述的法蘭盤通過螺栓與金屬圈蓋緊固。
      [0009]優(yōu)選地,所述的絕緣體的凸部周圍具有凸臺(tái),所述的金屬圈蓋內(nèi)側(cè)具有與凸臺(tái)相配合的凹陷。能夠增加圈蓋與絕緣體之間的強(qiáng)度。
      [0010]所述的絕緣體與法蘭盤之間設(shè)有密封圈。
      [0011]所述的絕緣體采用環(huán)氧樹脂澆注。
      [0012]所述的金屬圈蓋采用鋁制圈蓋。
      [0013]優(yōu)選地,所述的法蘭盤底部中心孔周圍的盤體呈圈形外凸?fàn)?。改進(jìn)與絕緣盆子裝配的金屬殼體的法蘭,經(jīng)過電場計(jì)算,設(shè)計(jì)能對絕緣盆子產(chǎn)生有效屏蔽的結(jié)構(gòu),并對絕緣盆子的曲線進(jìn)行相應(yīng)設(shè)計(jì),達(dá)到降低局部場強(qiáng)的作用。
      [0014]本實(shí)用新型在絕緣體上設(shè)置一金屬圈蓋,外部應(yīng)力作用在金屬圈蓋上,金屬外圈的機(jī)械強(qiáng)度遠(yuǎn)高于環(huán)氧樹脂的強(qiáng)度,從而達(dá)到保護(hù)內(nèi)部環(huán)氧樹脂的目的。
      [0015]故本實(shí)用新型能夠克服絕緣盆子的環(huán)氧樹脂部分受到的外部應(yīng)力大,避免損壞絕緣盆子,降低事故風(fēng)險(xiǎn);同時(shí)簡化澆注環(huán)節(jié),降低絕緣樹脂和外殼之間氣隙的局部場強(qiáng)?!緦@綀D】

      【附圖說明】
      [0016]圖1為現(xiàn)有絕緣盆子的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0017]圖2為本實(shí)用新型絕緣盆子的結(jié)構(gòu)示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0018]為了更為具體地描述本實(shí)用新型,下面結(jié)合附圖及【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明。
      [0019]如圖2所示,一種高壓GIS的絕緣盆子,包括法蘭盤2和絕緣體I ;絕緣體I設(shè)于法蘭盤2的中心孔內(nèi);絕緣體I上設(shè)有金屬圈蓋3,金屬圈蓋3被夾于中心孔內(nèi)且與絕緣體I配合固定。
      [0020]絕緣體I 一端為凸?fàn)钋遗c金屬圈蓋3凹凸配合。
      [0021]法蘭盤2通過螺栓5與金屬圈蓋3緊固。
      [0022]絕緣體I的凸部周圍具有凸臺(tái),金屬圈蓋3內(nèi)側(cè)具有與凸臺(tái)相配合的凹陷;能夠增加圈蓋與絕緣體之間的強(qiáng)度。
      [0023]絕緣體I與法蘭盤2之間設(shè)有密封圈4。
      [0024]金屬圈蓋3采用鋁制圈蓋,絕緣體I采用環(huán)氧樹脂澆注。
      [0025]法蘭盤2底部中心孔周圍的盤體呈圈形外凸?fàn)睢T诟倪M(jìn)法蘭形狀后,有效的降低了金屬法蘭和環(huán)氧樹脂間氣隙的局部場強(qiáng),從而取消原有環(huán)形屏蔽環(huán),簡化盆子結(jié)構(gòu),減少澆注過程中存在的問題,更消除屏蔽環(huán)接地不良,造成局部放電的風(fēng)險(xiǎn)。
      [0026]原有整體是絕緣盆子在承受內(nèi)部故障的電弧熱量時(shí),環(huán)氧樹脂易受沖擊而產(chǎn)生碎裂,在內(nèi)部壓力作用下,盆子飛濺的碎片容易傷人。而本實(shí)施例的鋁外圈結(jié)構(gòu)則有效的防止此類情況發(fā)生。同時(shí),在正常運(yùn)行過程中,由于電流變化或者周圍溫度變化而引起的外殼伸縮導(dǎo)致法蘭產(chǎn)生壓縮力時(shí),不會(huì)直接作用在環(huán)氧樹脂上,而是作用在鋁環(huán)上,從而避免環(huán)氧樹脂在應(yīng)力作用下?lián)p壞。
      [0027]本實(shí)施例中,使環(huán)氧樹脂的外緣與金屬圈蓋固定連接,金屬圈蓋制有與法蘭相配的穿孔。安裝時(shí),將金屬圈蓋夾在法蘭盤孔間,再用螺栓將其相互固定在一起。外部應(yīng)力作用在金屬圈蓋上,金屬圈蓋的機(jī)械強(qiáng)度遠(yuǎn)高于環(huán)氧樹脂的強(qiáng)度,從而達(dá)到保護(hù)內(nèi)部環(huán)氧樹脂的目的。同時(shí),本實(shí)施方式改進(jìn)與絕緣盆子裝配的金屬殼體的法蘭,經(jīng)過電場計(jì)算,設(shè)計(jì)能對絕緣盆子產(chǎn)生有效屏蔽的結(jié)構(gòu),并對絕緣盆子的曲線進(jìn)行相應(yīng)設(shè)計(jì),達(dá)到降低局部場強(qiáng)的作用。
      【權(quán)利要求】
      1.一種高壓GIS的絕緣盆子,包括法蘭盤和絕緣體;所述的絕緣體設(shè)于法蘭盤的中心孔內(nèi);其特征在于: 所述的絕緣體上設(shè)有金屬圈蓋,所述的金屬圈蓋被夾于所述的中心孔內(nèi)且與絕緣體配合固定。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣盆子,其特征在于:所述的絕緣體一端為凸?fàn)钋遗c金屬圈蓋凹凸配合。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣盆子,其特征在于:所述的法蘭盤通過螺栓與金屬圈蓋緊固。
      4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣盆子,其特征在于:所述的絕緣體的凸部周圍具有凸臺(tái),所述的金屬圈蓋內(nèi)側(cè)具有與凸臺(tái)相配合的凹陷。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣盆子,其特征在于:所述的絕緣體與法蘭盤之間設(shè)有密封圈。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣盆子,其特征在于:所述的絕緣體采用環(huán)氧樹脂澆注。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣盆子,其特征在于:所述的金屬圈蓋采用鋁制圈蓋。
      【文檔編號(hào)】H01B17/42GK203536137SQ201320670765
      【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年10月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月28日
      【發(fā)明者】唐劍, 周姚定, 鄧立林, 王輝, 戴紹輝 申請人:天安電氣集團(tuán)浙江電氣有限公司
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